JP3423328B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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- JP3423328B2 JP3423328B2 JP34996491A JP34996491A JP3423328B2 JP 3423328 B2 JP3423328 B2 JP 3423328B2 JP 34996491 A JP34996491 A JP 34996491A JP 34996491 A JP34996491 A JP 34996491A JP 3423328 B2 JP3423328 B2 JP 3423328B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色発光の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子に関する。
ム系化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとして窒化ガ
リウム(ＧaＮ）系の化合物半導体を用いたものが知られ
ている。そのＧaＮ系の化合物半導体は直接遷移である
ことから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである
青色を発光色とすること等から注目されている。図４に
示したように、ＧaＮ系の化合物半導体を用いた発光ダ
イオード４０は、サファイヤ基板４１上に窒化アルミニ
ウム(ＡlＮ）から成るバッファ層４２が形成されてい
る。そのバッファ層４２上には、順に、ＧaＮから成る
高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３とＧaＮ から成る低キャリヤ
濃度ｎ層４４及びＧaＮから成るｉ層４５が形成されて
いる。そして、ｉ層４５に接続するアルミニウム（Ａl)
で形成された電極４７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３に接
続するアルミニウムで形成された電極４８とが形成され
た構造をとっている。
リウム(ＧaＮ）系の化合物半導体を用いたものが知られ
ている。そのＧaＮ系の化合物半導体は直接遷移である
ことから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである
青色を発光色とすること等から注目されている。図４に
示したように、ＧaＮ系の化合物半導体を用いた発光ダ
イオード４０は、サファイヤ基板４１上に窒化アルミニ
ウム(ＡlＮ）から成るバッファ層４２が形成されてい
る。そのバッファ層４２上には、順に、ＧaＮから成る
高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３とＧaＮ から成る低キャリヤ
濃度ｎ層４４及びＧaＮから成るｉ層４５が形成されて
いる。そして、ｉ層４５に接続するアルミニウム（Ａl)
で形成された電極４７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３に接
続するアルミニウムで形成された電極４８とが形成され
た構造をとっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上述の発光ダ
イオード４０はその側壁側への光漏れが多く、例え、サ
ファイヤ基板４１側に隣接させ集光レンズを配設したと
してもその集光率が低いという問題があった。しかも、
発光ダイオード４０のダイシングされた側壁側はチッピ
ングが多く、例え、反射膜を施しても乱反射するだけで
発光効率を上昇させるには至らなかった。
イオード４０はその側壁側への光漏れが多く、例え、サ
ファイヤ基板４１側に隣接させ集光レンズを配設したと
してもその集光率が低いという問題があった。しかも、
発光ダイオード４０のダイシングされた側壁側はチッピ
ングが多く、例え、反射膜を施しても乱反射するだけで
発光効率を上昇させるには至らなかった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体を用いた青色の発光ダイオードにおい
て、側壁側へ漏れる光を光取り出し方向に導いて発光効
率を上昇させることである。
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体を用いた青色の発光ダイオードにおい
て、側壁側へ漏れる光を光取り出し方向に導いて発光効
率を上昇させることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、基板と、この基板上に形成された窒化
ガリウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含
む）から成る複数の層とを有し、基板の側から光を出力
するようにした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に
おいて、複数の層のうち最上層である第１層に形成され
た第１電極と、第１電極と対となって給電するための電
極であって、基板に対して第１電極と同一面側に形成さ
れた第２電極と、光取り出し方向に沿った断面形状が、
第１電極が形成される面を上底とするメサ（台形）形状
になるように、第１層の側から、複数の層のうち第２電
極が形成される第２層の面が露出するまでエッチングす
ることにより形成された側壁面を含み、第１電極、第２
電極を除く面上に形成され、基板の側に光を取り出すよ
うに光を反射させる絶縁性反射膜とを設けたことを特徴
とする。尚、第１層は、窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）であり、第２層は、窒
化ガリウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含
む）である。
の発明の構成は、基板と、この基板上に形成された窒化
ガリウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含
む）から成る複数の層とを有し、基板の側から光を出力
するようにした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に
おいて、複数の層のうち最上層である第１層に形成され
た第１電極と、第１電極と対となって給電するための電
極であって、基板に対して第１電極と同一面側に形成さ
れた第２電極と、光取り出し方向に沿った断面形状が、
第１電極が形成される面を上底とするメサ（台形）形状
になるように、第１層の側から、複数の層のうち第２電
極が形成される第２層の面が露出するまでエッチングす
ることにより形成された側壁面を含み、第１電極、第２
電極を除く面上に形成され、基板の側に光を取り出すよ
うに光を反射させる絶縁性反射膜とを設けたことを特徴
とする。尚、第１層は、窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）であり、第２層は、窒
化ガリウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含
む）である。
【０００６】又、他の発明は、絶縁性反射膜は、ＴiＯ
2 及びＳiＯ2 から成ることを特徴とする。さらに、他
の発明は、絶縁性反射膜は、ＴiＯ2 膜とＳiＯ2 膜とを
交互に積層した膜であることを特徴とする。さらに、他
の発明は、第１電極と、第２電極の上にははんだバンプ
が形成されていることを特徴とする。さらに、他の発明
は、第２電極はアルミニウムから成ることを特徴とす
る。さらに、他の発明は、第１層と第２層の間に、第１
層とも第２層とも組成又は不純物若しくは不純物濃度の
異なる層を１層以上有することを特徴とする。さらに、
他の発明は、第２層は高濃度ｎ + 層であり、当該第２層
と第１層との間に形成された窒化ガリウム系化合物半導
体（Ａl X Ｇa 1-X Ｎ；Ｘ＝０を含む）から成る低濃度ｎ層
を有することを特徴とする。
2 及びＳiＯ2 から成ることを特徴とする。さらに、他
の発明は、絶縁性反射膜は、ＴiＯ2 膜とＳiＯ2 膜とを
交互に積層した膜であることを特徴とする。さらに、他
の発明は、第１電極と、第２電極の上にははんだバンプ
が形成されていることを特徴とする。さらに、他の発明
は、第２電極はアルミニウムから成ることを特徴とす
る。さらに、他の発明は、第１層と第２層の間に、第１
層とも第２層とも組成又は不純物若しくは不純物濃度の
異なる層を１層以上有することを特徴とする。さらに、
他の発明は、第２層は高濃度ｎ + 層であり、当該第２層
と第１層との間に形成された窒化ガリウム系化合物半導
体（Ａl X Ｇa 1-X Ｎ；Ｘ＝０を含む）から成る低濃度ｎ層
を有することを特徴とする。
【０００７】
【作用及び効果】第１層上の第１電極が形成される電極
部分を残しその第１層側から第２層上の第２電極が形成
される電極面までエッチングを施して、光取り出し方向
に沿った断面形状が上記第１層の電極部分を上底とする
メサ形状とされる。そして、光取り出し方向と反対側で
上記第１層及び上記第２層のそれぞれの電極部分を除い
て上記第１層、上記第２層及び上記メサ形状部分の表面
に絶縁性反射膜が形成される。これにより、発光ダイオ
ードは光取り出し方向と大きく異なる側壁側への光漏れ
がなくなり、即ち、絶縁性反射膜により光の取り出し効
率（素子の光強度）を上昇させることができた。
部分を残しその第１層側から第２層上の第２電極が形成
される電極面までエッチングを施して、光取り出し方向
に沿った断面形状が上記第１層の電極部分を上底とする
メサ形状とされる。そして、光取り出し方向と反対側で
上記第１層及び上記第２層のそれぞれの電極部分を除い
て上記第１層、上記第２層及び上記メサ形状部分の表面
に絶縁性反射膜が形成される。これにより、発光ダイオ
ードは光取り出し方向と大きく異なる側壁側への光漏れ
がなくなり、即ち、絶縁性反射膜により光の取り出し効
率（素子の光強度）を上昇させることができた。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示し
た縦断面図である。発光ダイオード１０は、サファイヤ
基板１を有しており、そのサファイヤ基板１に 500Åの
ＡlＮ のバッファ層２が形成されている。そのバッファ
層２の上には、順に、ｎ層である膜厚 2.2μm のＧaＮ
から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm のＧa
Ｎ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており、
更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の上に膜厚 0.1μm のＧa
Ｎ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層５
に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリ
ヤ濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された電
極８とが形成されている。更に、光取り出し方向と反対
側でｉ層５の電極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８
部分を除いてｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及びメサ
（台形）形状部分の表面に絶縁性反射膜９が形成されて
いる。
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示し
た縦断面図である。発光ダイオード１０は、サファイヤ
基板１を有しており、そのサファイヤ基板１に 500Åの
ＡlＮ のバッファ層２が形成されている。そのバッファ
層２の上には、順に、ｎ層である膜厚 2.2μm のＧaＮ
から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm のＧa
Ｎ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており、
更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の上に膜厚 0.1μm のＧa
Ｎ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層５
に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリ
ヤ濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された電
極８とが形成されている。更に、光取り出し方向と反対
側でｉ層５の電極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８
部分を除いてｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及びメサ
（台形）形状部分の表面に絶縁性反射膜９が形成されて
いる。
【０００９】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造工程について、図２及び図３を参照して説明する。用
いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガスＨ2 とトリメチ
ルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＧと記す）とト
リメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＡと
記す）とシラン(ＳiＨ4)とジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺ
と記す）である。先ず、有機洗浄及び熱処理により洗浄
したａ面を主面とする単結晶のサファイヤ基板１をＭＯ
ＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。
次に、常圧でＨ2 を流速２ l/minで反応室に流しながら
温度1100℃でサファイヤ基板１を気相エッチングした。
次に、サファイヤ基板１の温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10 l/min、ＴＭＡを18μ
mol/min で２分間供給して 500Åの厚さのＡlＮから成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を10 l/min、ＮＨ3 を５ l
/min、ＴＭＧを 367μmol/min 、Ｈ2 で1.3ppmまで希釈
したシラン(ＳiＨ4)ガスを320 ml/minの割合で10分間供
給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018/cm3のＧ
aＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成した。続い
て、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を
20 l/min、ＮＨ3を10 l/min、ＴＭＧを1835μmol/min
の割合で30分間供給し、膜厚 1.5μm 、キャリヤ濃度 1
×1015/cm3のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４を形
成した。次に、サファイヤ基板１の温度を 900℃にし
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10l/min、ＴＭＧを 146.
8μmol/min 、ＤＥＺを 377.3μmol/min の割合で80秒
間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成るｉ層５を形
成した。このようにして、図２(a) に示したような多層
構造が得られた。
造工程について、図２及び図３を参照して説明する。用
いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガスＨ2 とトリメチ
ルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＧと記す）とト
リメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＡと
記す）とシラン(ＳiＨ4)とジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺ
と記す）である。先ず、有機洗浄及び熱処理により洗浄
したａ面を主面とする単結晶のサファイヤ基板１をＭＯ
ＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。
次に、常圧でＨ2 を流速２ l/minで反応室に流しながら
温度1100℃でサファイヤ基板１を気相エッチングした。
次に、サファイヤ基板１の温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10 l/min、ＴＭＡを18μ
mol/min で２分間供給して 500Åの厚さのＡlＮから成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を10 l/min、ＮＨ3 を５ l
/min、ＴＭＧを 367μmol/min 、Ｈ2 で1.3ppmまで希釈
したシラン(ＳiＨ4)ガスを320 ml/minの割合で10分間供
給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018/cm3のＧ
aＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成した。続い
て、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を
20 l/min、ＮＨ3を10 l/min、ＴＭＧを1835μmol/min
の割合で30分間供給し、膜厚 1.5μm 、キャリヤ濃度 1
×1015/cm3のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４を形
成した。次に、サファイヤ基板１の温度を 900℃にし
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10l/min、ＴＭＧを 146.
8μmol/min 、ＤＥＺを 377.3μmol/min の割合で80秒
間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成るｉ層５を形
成した。このようにして、図２(a) に示したような多層
構造が得られた。
【００１０】ここで、発光ダイオード１０の発光領域
は、ｉ層５の電極の上部及びその近傍に位置している。
図２(b) に示したように、この発光領域となるｉ層５上
にのみにＳiＯ2から成るマスク１１を5000Åの厚さに形
成した。次に、図２(c) に示したように、ＲＩＥ(React
ive Ion Etching:反応性イオンエッチング法）によりｉ
層５側から高キャリヤ濃度ｎ+ 層３に到達するまでエッ
チングを実施した。尚、この場合、発光領域となる部分
をメサ型に形成するためには等方性エッチングが良い。
次に、図３(d) に示したように、マスク１１を除去し、
真空度８×10-7Torr、サファイヤ基板１の温度を 225℃
に保持し、試料の上全面に、蒸着によりＡl 層１２を30
00Åの厚さに形成した。次に、図３(e) に示したよう
に、Ａl 層１２の上にフォトレジスト１３を塗布して、
フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト１３が
高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残
るように、所定形状にパターン形成した。
は、ｉ層５の電極の上部及びその近傍に位置している。
図２(b) に示したように、この発光領域となるｉ層５上
にのみにＳiＯ2から成るマスク１１を5000Åの厚さに形
成した。次に、図２(c) に示したように、ＲＩＥ(React
ive Ion Etching:反応性イオンエッチング法）によりｉ
層５側から高キャリヤ濃度ｎ+ 層３に到達するまでエッ
チングを実施した。尚、この場合、発光領域となる部分
をメサ型に形成するためには等方性エッチングが良い。
次に、図３(d) に示したように、マスク１１を除去し、
真空度８×10-7Torr、サファイヤ基板１の温度を 225℃
に保持し、試料の上全面に、蒸着によりＡl 層１２を30
00Åの厚さに形成した。次に、図３(e) に示したよう
に、Ａl 層１２の上にフォトレジスト１３を塗布して、
フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト１３が
高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残
るように、所定形状にパターン形成した。
【００１１】上述の製造工程の後、図３(f) に示したよ
うに、フォトレジスト１３によって覆われていないＡl
層１２の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、
フォトレジスト１３をアセトンで除去し、高キャリヤ濃
度ｎ+ 層３の電極８、ｉ層５の電極７を形成した。更
に、発光ダイオード１０の光取り出し方向と反対側の上
記電極７，８以外の表面部分に（ＴiＯ2/ＳiＯ2)3 から
成る６層の絶縁性反射膜９を各膜厚(ＴiＯ2,ＳiＯ2）が
それぞれ 600Å,822Åとなるように蒸着により形成し
た。このようにして、図１に示したＭＩＳ(Metal Insul
ator Semiconductor) 構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。この後、電極７，８上にはんだ
バンプを形成し、樹脂封止が実施される。
うに、フォトレジスト１３によって覆われていないＡl
層１２の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、
フォトレジスト１３をアセトンで除去し、高キャリヤ濃
度ｎ+ 層３の電極８、ｉ層５の電極７を形成した。更
に、発光ダイオード１０の光取り出し方向と反対側の上
記電極７，８以外の表面部分に（ＴiＯ2/ＳiＯ2)3 から
成る６層の絶縁性反射膜９を各膜厚(ＴiＯ2,ＳiＯ2）が
それぞれ 600Å,822Åとなるように蒸着により形成し
た。このようにして、図１に示したＭＩＳ(Metal Insul
ator Semiconductor) 構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。この後、電極７，８上にはんだ
バンプを形成し、樹脂封止が実施される。
【００１２】上述したように、発光ダイオード１０の発
光領域は、ｉ層５の電極７の上部及びその近傍に位置し
ている。このｉ層５の電極７の上部及びその近傍から発
光された青色光は、ｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及
びメサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜９、主
として、メサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜
９により光取り出し方向に反射される。これにより、発
光ダイオード１０は光取り出し方向と大きく異なる側壁
側への光漏れがなくなり、光の取り出し効率が上昇す
る。
光領域は、ｉ層５の電極７の上部及びその近傍に位置し
ている。このｉ層５の電極７の上部及びその近傍から発
光された青色光は、ｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及
びメサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜９、主
として、メサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜
９により光取り出し方向に反射される。これにより、発
光ダイオード１０は光取り出し方向と大きく異なる側壁
側への光漏れがなくなり、光の取り出し効率が上昇す
る。
【００１３】尚、ＧaＮ から成るｉ層５が第１層に、Ｇ
aＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３が第２層に該当す
る。電極７が第１電極に、電極８が第２電極に該当す
る。又、ＧaＮ から成るｉ層５はｐ型不純物を添加した
ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ
＝０を含む）の一例であり、ＧaＮ から成る高キャリヤ
濃度ｎ+ 層３はｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
lXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の一例である。
aＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３が第２層に該当す
る。電極７が第１電極に、電極８が第２電極に該当す
る。又、ＧaＮ から成るｉ層５はｐ型不純物を添加した
ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ
＝０を含む）の一例であり、ＧaＮ から成る高キャリヤ
濃度ｎ+ 層３はｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
lXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の一例である。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの断面構造を示した模式図である。
ドの断面構造を示した模式図である。
【図２】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程にお
ける断面構造を示した模式図である。
ける断面構造を示した模式図である。
【図３】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程にお
ける断面構造を示した図２に続く模式図である。
ける断面構造を示した図２に続く模式図である。
【図４】従来の発光ダイオードの断面構造を示した模式
図である。
図である。
１−サファイヤ基板
２−バッファ層
３−高キャリヤ濃度ｎ+ 層
４−低キャリヤ濃度ｎ層
５−ｉ層
７，８−電極
９−絶縁性反射膜
１０−発光ダイオード（窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子）
光素子）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−229475（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−253286（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−203388（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−17484（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−121374（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−179409（ＪＰ，Ａ)
実開 昭50−116377（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭58−92751（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に形成された窒化ガ
リウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）
から成る複数の層とを有し、前記基板の側から光を出力
するようにした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に
おいて、 前記複数の層のうち最上層である第１層に形成された第
１電極と、 前記第１電極と対となって給電するための電極であっ
て、前記基板に対して前記第１電極と同一面側に形成さ
れた第２電極と、 光取り出し方向に沿った断面形状が、前記第１電極が形
成される面を上底とするメサ（台形）形状になるよう
に、第１層の側から、前記複数の層のうち前記第２電極
が形成される第２層の面が露出するまでエッチングする
ことにより形成された側壁面を含み、前記第１電極、前
記第２電極を除く面上に形成され、前記基板の側に光を
取り出すように光を反射させる絶縁性反射膜とを設けた
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子。 - 【請求項２】 前記絶縁性反射膜は、ＴiＯ2 及びＳiＯ
2 から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記絶縁性反射膜は、ＴiＯ2 膜とＳiＯ
2 膜とを交互に積層した膜であることを特徴とする請求
項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記第１電極と、前記第２電極の上には
はんだバンプが形成されていることを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記第２電極はアルミニウムから成るこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記第１層と前記第２層の間に、前記第
１層とも前記第２層とも組成又は不純物若しくは不純物
濃度の異なる層を１層以上有することを特徴とする請求
項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記第２層は高濃度ｎ + 層であり、当該
第２層と前記第１層 との間に形成された窒化ガリウム系
化合物半導体（Ａl X Ｇa 1-X Ｎ；Ｘ＝０を含む）から成る
低濃度ｎ層を有することを特徴とする請求項１乃至請求
項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子。
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