JP2015043468A - 紫外半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】紫外半導体発光素子は、基板1の一表面側にn形窒化物半導体層3が形成され、n形窒化物半導体層3の表面側に発光層4が形成され、発光層4の表面側にp形窒化物半導体層5が形成されている。基板1は、発光層4から放射される紫外光に対して透明な単結晶基板である。紫外半導体発光素子は、n形窒化物半導体層3に接触するn電極6と、p形窒化物半導体層5に接触するp電極7とを有し、p形窒化物半導体層5が、発光層4よりもバンドギャップが小さくp電極7との接触がオーミック接触となるp形コンタクト層5bを備えている。紫外半導体発光素子は、p形窒化物半導体層5における発光層4とは反対側の表面に、p電極7の形成領域を避けて凹部8が形成され、凹部8の内底面8aに、発光層4から放射される紫外光を反射する反射膜9が形成されている。
【選択図】図1
Description
以下、本実施形態の紫外半導体発光素子について図1を参照しながら説明する。
本実施形態の紫外半導体発光素子の基本構成は実施形態1と略同じであり、実施形態1ではメサ構造を設けていたのに対し、図2に示すように、実施形態1において説明した基板1(図1参照)がなく、n形窒化物半導体層3における発光層4側とは反対側の表面に、n電極6を形成してある点などが相違する。すなわち、本実施形態の紫外半導体発光素子は、いわゆる縦型注入構造となっている。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の紫外半導体発光素子の基本構成は実施形態1と略同じであり、図3に示すように、反射膜9がp電極7上にまで延設されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
3 n形窒化物半導体層
4 発光層
5 p形窒化物半導体層
5a p形クラッド層
5b p形コンタクト層
6 n電極
7 p電極
8 凹部
8a 内底面
9 反射膜
Claims (7)
- n形窒化物半導体層とp形窒化物半導体層との間に発光層を有するとともに、前記n形窒化物半導体層に接触するn電極と、前記p形窒化物半導体層に接触するp電極とを有し、前記p形窒化物半導体層が、前記発光層よりもバンドギャップが小さく前記p電極との接触がオーミック接触となるp形コンタクト層を少なくとも備えた紫外半導体発光素子であって、
基板を備え、
前記基板の一表面側に前記n形窒化物半導体層が形成され、前記n形窒化物半導体層の表面側に前記発光層が形成され、前記発光層の表面側に前記p形窒化物半導体層が形成されており、
前記基板は、前記発光層から放射される紫外光に対して透明な単結晶基板であり、
前記p形窒化物半導体層における前記発光層とは反対側の表面に、前記p電極の形成領域を避けて凹部が形成され、前記凹部の内底面に、前記発光層から放射される紫外光を反射する反射膜が形成されてなることを特徴とする紫外半導体発光素子。 - 前記p形窒化物半導体層は、前記凹部が複数形成されてなることを特徴とする請求項1記載の紫外半導体発光素子。
- 前記p形窒化物半導体層は、前記p電極側から順に、前記p形コンタクト層、前記p形コンタクト層よりもバンドギャップが大きなp形クラッド層、を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の紫外半導体発光素子。
- 前記凹部の深さ寸法を、前記p形コンタクト層の厚さ寸法よりも大きく設定してあることを特徴とする請求項3記載の紫外半導体発光素子。
- 前記凹部の深さ寸法を、前記p形コンタクト層の厚さが10nmとなる深さ寸法から、前記p形窒化物半導体層の厚さ寸法の範囲で設定してあることを特徴とする請求項3記載の紫外半導体発光素子。
- 前記反射膜は、前記p電極上まで延設されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の紫外半導体発光素子。
- 前記単結晶基板は、サファイア基板もしくはIII族窒化物単結晶基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の紫外半導体発光素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180097697A (ko) | 2016-02-05 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 자외선 반사막 및 스퍼터링 타깃 |
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2014
- 2014-12-02 JP JP2014243635A patent/JP2015043468A/ja active Pending
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