JPH01253983A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH01253983A JPH01253983A JP8265988A JP8265988A JPH01253983A JP H01253983 A JPH01253983 A JP H01253983A JP 8265988 A JP8265988 A JP 8265988A JP 8265988 A JP8265988 A JP 8265988A JP H01253983 A JPH01253983 A JP H01253983A
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- semiconductor laser
- laser device
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザ光の出射効率を高めた半導体レーザ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体レーザ装置を第３図に示す。第３図におい
て、レーザダイオード（以下ＬＤと略す）チップ１が熱
応力緩衝材としてのサブマウント２を介して放熱ブロッ
ク３に組立てられており、放熱ブロック３はモニタ用の
フォトダイオード（以下ＰＤと略す）４が組込まれたス
テム５に組立てられる。ＬＤチップ２およびＰＤ４は金
線６によりリード線７に電気的に接続されている。
て、レーザダイオード（以下ＬＤと略す）チップ１が熱
応力緩衝材としてのサブマウント２を介して放熱ブロッ
ク３に組立てられており、放熱ブロック３はモニタ用の
フォトダイオード（以下ＰＤと略す）４が組込まれたス
テム５に組立てられる。ＬＤチップ２およびＰＤ４は金
線６によりリード線７に電気的に接続されている。
さらに、ステム５にキャップ８が溶接され、半導体レー
ザ装置が構成されている。
ザ装置が構成されている。
第３図に示す従来の半導体レーザ装置においては、ＬＤ
チップ１に電圧を印加すると、図中に矢印で示す如＜Ｌ
Ｄチップ１の２つの対向する端面よりレーザ光９が出射
される。一方の端面から出射されたレーザ光９は各種の
用途における光源として用いられ、他方の端面から出射
されたレーザ光９′はモニタ用のＰＤ４に入射し、レー
ザ光９の制御に用いられる。サブマウント２はＬＤチッ
プ１の接着にＡｕＳｉ等ハードな半田を用いる時、熱応
力緩衝材としての役目をはたし、通常シリコンが用いら
れている。
チップ１に電圧を印加すると、図中に矢印で示す如＜Ｌ
Ｄチップ１の２つの対向する端面よりレーザ光９が出射
される。一方の端面から出射されたレーザ光９は各種の
用途における光源として用いられ、他方の端面から出射
されたレーザ光９′はモニタ用のＰＤ４に入射し、レー
ザ光９の制御に用いられる。サブマウント２はＬＤチッ
プ１の接着にＡｕＳｉ等ハードな半田を用いる時、熱応
力緩衝材としての役目をはたし、通常シリコンが用いら
れている。
放熱ブロック３としては、Ｃｕ、Ａｇ等の熱伝導性の良
好な金属が使われる。また、ＰＤ４はモニタ用のレーザ
光９に対して傾斜をもって組立てられ、ＰＤ４の反射光
が再びＬＤチップ１の端面に再入射することを防止する
構造となっている。
好な金属が使われる。また、ＰＤ４はモニタ用のレーザ
光９に対して傾斜をもって組立てられ、ＰＤ４の反射光
が再びＬＤチップ１の端面に再入射することを防止する
構造となっている。
上記のように構成された従来の半導体レーザ装置は、以
下のような問題点があった。
下のような問題点があった。
すなわち、ＬＤチップ１より二方向にレーザ光９．９′
が出射され、一方のレーザ光９のみしか光源として使え
ないため出射効率が悪く、高出力化に適さなかった。ま
た、ＬＤチップ１．ＰＤ４のボンディング面が平行とな
っておらず、ＬＤチップ１とＰＤ４のワイヤボンドを同
一工程で行うことができず、効率が悪かった。
が出射され、一方のレーザ光９のみしか光源として使え
ないため出射効率が悪く、高出力化に適さなかった。ま
た、ＬＤチップ１．ＰＤ４のボンディング面が平行とな
っておらず、ＬＤチップ１とＰＤ４のワイヤボンドを同
一工程で行うことができず、効率が悪かった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、ＬＤチップの一方向の端面からレーザ光が
出射されるようにするとともに、ＬＤ、ＰＤのボンディ
ング面を平行とし、ＬＤ。
れたもので、ＬＤチップの一方向の端面からレーザ光が
出射されるようにするとともに、ＬＤ、ＰＤのボンディ
ング面を平行とし、ＬＤ。
ＰＤのワイヤボンドを同一工程で行える半導体レーザ装
置を得ることを目的としている。
置を得ることを目的としている。
この発明にかかる半導体レーザ装置は、レーザダイオー
ドの一方の共振器端面に対向して１００％近い反射率を
有する傾斜面を設置し、傾斜面を含む領域にフォトダイ
オードを形成するとともに、レーザダイオードの他方の
端面に１００％近い反射率を有するコーティング膜を形
−成し、一方の端面からのみレーザ光を出射せしめる構
成としたものである。
ドの一方の共振器端面に対向して１００％近い反射率を
有する傾斜面を設置し、傾斜面を含む領域にフォトダイ
オードを形成するとともに、レーザダイオードの他方の
端面に１００％近い反射率を有するコーティング膜を形
−成し、一方の端面からのみレーザ光を出射せしめる構
成としたものである。
この発明における半導体レーザ装置においては、ＬＤか
らの出射光は一方の端面からしか出射しないため出射効
率が高められる。なお、ＬＤがサブマウント上に組立て
られ、ＰＤはサブマウントに作り込まれているため、Ｌ
ＤとＰＤのボンディング面が平行となっており、ＬＤと
ＰＤのワイヤボンドが同一工程で行える。
らの出射光は一方の端面からしか出射しないため出射効
率が高められる。なお、ＬＤがサブマウント上に組立て
られ、ＰＤはサブマウントに作り込まれているため、Ｌ
ＤとＰＤのボンディング面が平行となっており、ＬＤと
ＰＤのワイヤボンドが同一工程で行える。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ装置の
構成図である。Ｎ形シリコン基板をサブマウント２とし
、このサブマウント２には、例えば４５度の傾斜面１０
を形成し、この傾斜面１０を含む領域にＰ形拡散領域１
１を形成してＰＤ４とする。また、傾斜面１ｏの表面の
所要領域には１００％近い反射率を有するコーティング
膜１２を形成する。
構成図である。Ｎ形シリコン基板をサブマウント２とし
、このサブマウント２には、例えば４５度の傾斜面１０
を形成し、この傾斜面１０を含む領域にＰ形拡散領域１
１を形成してＰＤ４とする。また、傾斜面１ｏの表面の
所要領域には１００％近い反射率を有するコーティング
膜１２を形成する。
さらに、ＬＤチップ１の一方の共振器端面に１００％近
い反射率を有するコーディング膜１２を形成し、レーザ
光９が出射される他方の共振器端面は傾斜面１０に対向
するようにサブマウント２の凹部に組立てられる。
い反射率を有するコーディング膜１２を形成し、レーザ
光９が出射される他方の共振器端面は傾斜面１０に対向
するようにサブマウント２の凹部に組立てられる。
上記構成の半導体レーザ装置では、ＬＤに電圧を印加す
ると、一方の共振器端面のみからレーザ光９が出射され
、対向する４５度の傾斜面１０の表面のコーティング膜
１２で反射され、各種の用途の光源として用いられる。
ると、一方の共振器端面のみからレーザ光９が出射され
、対向する４５度の傾斜面１０の表面のコーティング膜
１２で反射され、各種の用途の光源として用いられる。
また、サブマウント２の傾斜面１０を含む領域にはＰＤ
４が形成されており、これには広がりを持つレーザ光９
が入射され、モニタすることによりレーザ光９の制御を
行うことができる。また、ＬＤチップ１．ＰＤ４のボン
ディング面は平行となっており、ワイヤボンド工程を同
一工程で行うことができる。
４が形成されており、これには広がりを持つレーザ光９
が入射され、モニタすることによりレーザ光９の制御を
行うことができる。また、ＬＤチップ１．ＰＤ４のボン
ディング面は平行となっており、ワイヤボンド工程を同
一工程で行うことができる。
第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の他の実施例を示す図
で、放熱ブロックの役目をはたす金属板１３に一方の共
振器端面を１００％近い反射率を有するコーティング膜
１２で被ったＬＤチップ１をＩｎ系、Ｐｂ５ｎ系のソフ
ト半田で一接着する。
で、放熱ブロックの役目をはたす金属板１３に一方の共
振器端面を１００％近い反射率を有するコーティング膜
１２で被ったＬＤチップ１をＩｎ系、Ｐｂ５ｎ系のソフ
ト半田で一接着する。
レーザ光９の出射される他方の共振器端面に対向して、
例えば４５度の傾斜を有するミラー１４を設置し、この
ミラー１４には、例えばアモルファスシリコンを形成す
ることによりＰＤ４が形成されており、第１図の実施例
と同様に動作する。
例えば４５度の傾斜を有するミラー１４を設置し、この
ミラー１４には、例えばアモルファスシリコンを形成す
ることによりＰＤ４が形成されており、第１図の実施例
と同様に動作する。
なお、上記の実施例ではレーザ光９の反射面は４５度に
傾斜させた傾斜面について説明したが、システムサイド
からの出射角度に対する様々な要求に対応するためには
、傾斜角は自由に設定してもこの発明の効果は十分得ら
れるものである。
傾斜させた傾斜面について説明したが、システムサイド
からの出射角度に対する様々な要求に対応するためには
、傾斜角は自由に設定してもこの発明の効果は十分得ら
れるものである。
以上説明したようにこの発明は、レーザダイオードの一
方の共振器端面に対向して１００％近い反射率を有する
傾斜面を設置し、傾斜面を含む領域にフォトダイオード
を形成するとともに、レーザダイオードの他方の端面に
１００％近い反射率を有するコーティング膜を形成し、
一方の端面からのみレーザ光を出射せしめる構成とした
ので、レーザダイオードの出射光は一方の共振器端面か
らしか出射しないため、出射効率を高めることができ、
レーザダイオードの高出力化がはかれる。
方の共振器端面に対向して１００％近い反射率を有する
傾斜面を設置し、傾斜面を含む領域にフォトダイオード
を形成するとともに、レーザダイオードの他方の端面に
１００％近い反射率を有するコーティング膜を形成し、
一方の端面からのみレーザ光を出射せしめる構成とした
ので、レーザダイオードの出射光は一方の共振器端面か
らしか出射しないため、出射効率を高めることができ、
レーザダイオードの高出力化がはかれる。
さらに、レーザ光が出射される共振器端面に対向してフ
ォトダイオードおよび反射面が存在することからフォト
ダイオードで受光したレーザ光をモニタ光としてレーザ
光の制御を行うことができ、反射光は各種用途の光源と
して用いられる。また、レーザダイオード、フォトダイ
オードのボンディング面が平行であり、ワイヤボンディ
ングを同一工程で行うことができる等の利点を有する。
ォトダイオードおよび反射面が存在することからフォト
ダイオードで受光したレーザ光をモニタ光としてレーザ
光の制御を行うことができ、反射光は各種用途の光源と
して用いられる。また、レーザダイオード、フォトダイ
オードのボンディング面が平行であり、ワイヤボンディ
ングを同一工程で行うことができる等の利点を有する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レーザ装置の
側面図、第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の他の実施例
を示す平面図および側面図、第３図は従来の半導体レー
ザ装置の構成図である。 図において、１はＬＤチップ、４はＰＤ、９はレーザ光
、１ｏは傾斜面、１２はコーティング膜を示す。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第３図 第２図 手続補正書（自発）
側面図、第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明の他の実施例
を示す平面図および側面図、第３図は従来の半導体レー
ザ装置の構成図である。 図において、１はＬＤチップ、４はＰＤ、９はレーザ光
、１ｏは傾斜面、１２はコーティング膜を示す。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第３図 第２図 手続補正書（自発）
Claims (1)
- ２つの対向する共振器端面を有するファブリペロー形半
導体レーザ装置において、レーザダイオードの一方の共
振器端面に対向して１００％近い反射率を有する傾斜面
を設置し、前記傾斜面を含む領域にフォトダイオードを
形成するとともに、前記レーザダイオードの他方の端面
に１００％近い反射率を有するコーティング膜を形成し
、前記一方の端面からのみレーザ光を出射せしめる構成
としたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8265988A JPH01253983A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8265988A JPH01253983A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253983A true JPH01253983A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13780562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8265988A Pending JPH01253983A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253983A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124674U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-12-17 | ||
| JPH04196189A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
| WO2003067586A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Sony Corporation | Unite de lecteur de disque optique |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP8265988A patent/JPH01253983A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124674U (ja) * | 1990-02-26 | 1991-12-17 | ||
| JPH04196189A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-15 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
| WO2003067586A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Sony Corporation | Unite de lecteur de disque optique |
| CN1294577C (zh) * | 2002-02-08 | 2007-01-10 | 索尼公司 | 光学头和光盘驱动装置 |
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