JP3059831B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP3059831B2 JP3059831B2 JP4205327A JP20532792A JP3059831B2 JP 3059831 B2 JP3059831 B2 JP 3059831B2 JP 4205327 A JP4205327 A JP 4205327A JP 20532792 A JP20532792 A JP 20532792A JP 3059831 B2 JP3059831 B2 JP 3059831B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はノイズを発生しない半導
体レーザ装置に関する。
体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の改良が数多く
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図４に
示す。この図に於て、リード３１上に受光素子３２が載
置され、その上に半導体レーザ素子３３が載置されてい
る。半導体レーザ素子３３の後面と受光素子３２のＰ型
拡散領域３４を透光性樹脂３５が覆っている。他のリー
ド３６がリード３１と離れて設けられている。半導体レ
ーザ素子３３と他のリード３６との間に、金属細線３７
が配線されている。絶縁枠３８がリード３１と他のリー
ド３６を一体的に保持する様に設けられている。この半
導体レーザ装置が支持具３９に固定され、その上に光学
部品４０が固定されている。
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図４に
示す。この図に於て、リード３１上に受光素子３２が載
置され、その上に半導体レーザ素子３３が載置されてい
る。半導体レーザ素子３３の後面と受光素子３２のＰ型
拡散領域３４を透光性樹脂３５が覆っている。他のリー
ド３６がリード３１と離れて設けられている。半導体レ
ーザ素子３３と他のリード３６との間に、金属細線３７
が配線されている。絶縁枠３８がリード３１と他のリー
ド３６を一体的に保持する様に設けられている。この半
導体レーザ装置が支持具３９に固定され、その上に光学
部品４０が固定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の半導体
レーザ装置に於ては、主出射光４１が回折格子等からな
る光学部品４０へ進入した後、１部は光学部品４０で反
射され戻り光４２となって再び半導体レーザ素子３３へ
帰る。そして戻り光４２は半導体レーザ素子３３の端面
で反射され再び光学部品４０へ進入し、主出射光４１の
邪魔をするのでノイズを発生させる。故に、本発明はか
かる従来の欠点に鑑みてなされたものであり、戻り光が
光学部品へ進入する事を防止する事によりノイズを発生
しない半導体レーザ装置を提供するものである。
レーザ装置に於ては、主出射光４１が回折格子等からな
る光学部品４０へ進入した後、１部は光学部品４０で反
射され戻り光４２となって再び半導体レーザ素子３３へ
帰る。そして戻り光４２は半導体レーザ素子３３の端面
で反射され再び光学部品４０へ進入し、主出射光４１の
邪魔をするのでノイズを発生させる。故に、本発明はか
かる従来の欠点に鑑みてなされたものであり、戻り光が
光学部品へ進入する事を防止する事によりノイズを発生
しない半導体レーザ装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード上
に載置されかつ前方に主出射光を発射する様に設けられ
た半導体レーザ素子と、リードの周辺に形成された絶縁
枠を設ける。そして絶縁枠が半導体レーザ素子の主出射
光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁を有する様
に設けるものである。
決するために、位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード上
に載置されかつ前方に主出射光を発射する様に設けられ
た半導体レーザ素子と、リードの周辺に形成された絶縁
枠を設ける。そして絶縁枠が半導体レーザ素子の主出射
光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁を有する様
に設けるものである。
【０００５】
【作用】本発明は上述の様に、半導体レーザ素子の主出
射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した絶縁枠の外壁
を設けている。故に半導体レーザ素子の主出射光が光学
部品で反射され、その戻り光が傾斜した外壁により上方
に反射されるので、光学部品に再進入しない。
射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した絶縁枠の外壁
を設けている。故に半導体レーザ素子の主出射光が光学
部品で反射され、その戻り光が傾斜した外壁により上方
に反射されるので、光学部品に再進入しない。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１と図２に従
い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図２はその半導体レーザ装置の平面
断面図である。これらの図に於て、リード１は厚みが
０．２乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料からなり矩形部
２と切欠部３と端子部４からできている。リード１は端
面５に形成されたＶ字状溝の様な位置決め手段６を有し
ている。その他に位置決め手段６はＵ字状溝でも、断面
略コ字状の凹部に形成しても良く、またはＶ字状、Ｕ字
状、断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図２はその半導体レーザ装置の平面
断面図である。これらの図に於て、リード１は厚みが
０．２乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料からなり矩形部
２と切欠部３と端子部４からできている。リード１は端
面５に形成されたＶ字状溝の様な位置決め手段６を有し
ている。その他に位置決め手段６はＵ字状溝でも、断面
略コ字状の凹部に形成しても良く、またはＶ字状、Ｕ字
状、断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
【０００７】受光素子７は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からな
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介してリード
１上に固着されている。
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介してリード
１上に固着されている。
【０００８】半導体レーザ素子１２は例えば、活性層と
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１２の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
２は前方に主出射光１３を発射する様に、受光素子７の
表面電極８上に銀ペースト又は半田を介して固着されて
いる。半導体レーザ素子１２は後方にモニター用の副出
射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が前面のそれ
よりも高い様に形成されている。上述の様に半導体レー
ザ素子１２の光軸中心線１４は、受光素子７の受光面１
１より高い位置にある様に設けられている。
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１２の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
２は前方に主出射光１３を発射する様に、受光素子７の
表面電極８上に銀ペースト又は半田を介して固着されて
いる。半導体レーザ素子１２は後方にモニター用の副出
射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が前面のそれ
よりも高い様に形成されている。上述の様に半導体レー
ザ素子１２の光軸中心線１４は、受光素子７の受光面１
１より高い位置にある様に設けられている。
【０００９】他のリード１５、１６は銅等の金属材料か
らなり、リード１の切欠き部３に位置し、半導体レーザ
素子１２の主出射光１３の方向と逆に延びている。金属
細線１７と他の金属細線１８は共に金等からなり、それ
ぞれ半導体レーザ素子１２と他のリード１５との間、お
よび受光素子７の表面電極９と他のリード１６との間を
接続する様に配線されている。他の金属細線１９は受光
素子７の表面電極８とリード１との間を接続する様に配
線されている。透光性樹脂２０は例えばエポキシ樹脂か
らなり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子
７の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。
らなり、リード１の切欠き部３に位置し、半導体レーザ
素子１２の主出射光１３の方向と逆に延びている。金属
細線１７と他の金属細線１８は共に金等からなり、それ
ぞれ半導体レーザ素子１２と他のリード１５との間、お
よび受光素子７の表面電極９と他のリード１６との間を
接続する様に配線されている。他の金属細線１９は受光
素子７の表面電極８とリード１との間を接続する様に配
線されている。透光性樹脂２０は例えばエポキシ樹脂か
らなり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子
７の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。
【００１０】絶縁枠２１は例えばポリカーボネート樹脂
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１２の
主出射光１３が発射する付近を露出する様に平面略コ字
状にかつリード１と、他のリード１５と１６の各表面と
裏面を挟む様にトランスファーモールドによって形成さ
れている。絶縁枠２１は半導体レーザ素子１２の主出射
光１３の下に於て、前方に下り勾配の傾斜した外壁２２
を形成されている。半導体レーザ素子１２の前方に位置
する絶縁枠２１の開口部２３は、前方に行く程広がる様
に傾斜した面を有している。半導体レーザ素子１２を保
護するために、開口部２３はできるだけ小さい方が良
い。また主出射光１３は円錐状に放射されるので、円錐
状のビームに当らない様にする必要がある。これらの２
つの条件を満たすために、開口部２３は傾斜した面を有
する様に形成されている。
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１２の
主出射光１３が発射する付近を露出する様に平面略コ字
状にかつリード１と、他のリード１５と１６の各表面と
裏面を挟む様にトランスファーモールドによって形成さ
れている。絶縁枠２１は半導体レーザ素子１２の主出射
光１３の下に於て、前方に下り勾配の傾斜した外壁２２
を形成されている。半導体レーザ素子１２の前方に位置
する絶縁枠２１の開口部２３は、前方に行く程広がる様
に傾斜した面を有している。半導体レーザ素子１２を保
護するために、開口部２３はできるだけ小さい方が良
い。また主出射光１３は円錐状に放射されるので、円錐
状のビームに当らない様にする必要がある。これらの２
つの条件を満たすために、開口部２３は傾斜した面を有
する様に形成されている。
【００１１】また絶縁枠２１の前方の肉厚Ａは比較的、
薄く、例えば０．３ｍｍに形成されている。これは半導
体レーザ素子１２の出射ビームが開口部２３に当らない
様にするため、できるだけ半導体レーザ素子１２と光学
部品２４を近づけるためである。絶縁枠２１の側方の肉
厚Ｂは比較的、薄く、例えば０．６ｍｍに形成されてい
る。これはできるだけ半導体装置の外形を小さくするた
めである。絶縁枠２１の後方の肉厚Ｃは比較的、厚く、
例えば１．５ｍｍに形成されている。これはリード１と
他のリード１５と１６を一体的に保持し強度を確保する
ためである。そして、受光素子７の前方に絶縁枠２１の
張り出し部Ｄを形成する事により、取りつけ時や梱包時
に受光素子７と半導体レーザ素子１２が損傷される事が
防止される。これらの部品により半導体レーザ装置２５
は構成されている。
薄く、例えば０．３ｍｍに形成されている。これは半導
体レーザ素子１２の出射ビームが開口部２３に当らない
様にするため、できるだけ半導体レーザ素子１２と光学
部品２４を近づけるためである。絶縁枠２１の側方の肉
厚Ｂは比較的、薄く、例えば０．６ｍｍに形成されてい
る。これはできるだけ半導体装置の外形を小さくするた
めである。絶縁枠２１の後方の肉厚Ｃは比較的、厚く、
例えば１．５ｍｍに形成されている。これはリード１と
他のリード１５と１６を一体的に保持し強度を確保する
ためである。そして、受光素子７の前方に絶縁枠２１の
張り出し部Ｄを形成する事により、取りつけ時や梱包時
に受光素子７と半導体レーザ素子１２が損傷される事が
防止される。これらの部品により半導体レーザ装置２５
は構成されている。
【００１２】そして支持具２６に形成された凸部又は凹
部とリード１の端面５に形成された位置決め手段６、す
なわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レーザ装置
２５が支持具２６に固定されている。回折格子やハーフ
ミラーや対物レンズ等の光学部品２６が半導体レーザ素
子１２の主出射光１３の方向に設けられている。また光
学部品２４は支持具２６の開口部２７に直接に固定され
ても良い。
部とリード１の端面５に形成された位置決め手段６、す
なわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レーザ装置
２５が支持具２６に固定されている。回折格子やハーフ
ミラーや対物レンズ等の光学部品２６が半導体レーザ素
子１２の主出射光１３の方向に設けられている。また光
学部品２４は支持具２６の開口部２７に直接に固定され
ても良い。
【００１３】この半導体レーザ装置２５に於て、主出射
光１３が回折格子等からなる光学部品２４へ進入した
後、１部は光学部品２４で反射され戻り光２８となって
再び半導体レーザ素子１２の方向へ帰る。そして主出射
光１３の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁２２で
反射された戻り光２８は上方に進行する。故に戻り光２
８は再び光学部品２４へ進入しない。
光１３が回折格子等からなる光学部品２４へ進入した
後、１部は光学部品２４で反射され戻り光２８となって
再び半導体レーザ素子１２の方向へ帰る。そして主出射
光１３の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁２２で
反射された戻り光２８は上方に進行する。故に戻り光２
８は再び光学部品２４へ進入しない。
【００１４】次に、第１実施例より受光素子の温度上昇
が低くなる第２実施例を図３の断面図に従い説明する。
受光素子７ａは例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からなるシリコン
系結晶に表面電極９ａと裏面電極１０ａを設けられたも
のである。表面電極９ａはＰ型拡散領域からなる受光面
１１ａとオーミック接触して形成されている。受光素子
７ａは導電性接着剤を介してリード１ａ上に固着されて
いる。
が低くなる第２実施例を図３の断面図に従い説明する。
受光素子７ａは例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からなるシリコン
系結晶に表面電極９ａと裏面電極１０ａを設けられたも
のである。表面電極９ａはＰ型拡散領域からなる受光面
１１ａとオーミック接触して形成されている。受光素子
７ａは導電性接着剤を介してリード１ａ上に固着されて
いる。
【００１５】サブマウント２９は例えばシリコン等から
なり表面電極８ａと裏面電極（図示せず）を設けられた
ものであり、導電性接着剤によりリード１ａ上に固着さ
れている。半導体レーザ素子１２はサブマウント２９の
表面電極８ａと合金化することにより固定されている。
この様に、半導体レーザ素子１２は受光素子７ａの前方
のリード１ａ上にサブマウント２９を介して載置され、
その光軸中心線１４は受光面１１ａより高い位置にあり
かつ前方に主出射面を有している。
なり表面電極８ａと裏面電極（図示せず）を設けられた
ものであり、導電性接着剤によりリード１ａ上に固着さ
れている。半導体レーザ素子１２はサブマウント２９の
表面電極８ａと合金化することにより固定されている。
この様に、半導体レーザ素子１２は受光素子７ａの前方
のリード１ａ上にサブマウント２９を介して載置され、
その光軸中心線１４は受光面１１ａより高い位置にあり
かつ前方に主出射面を有している。
【００１６】透光性樹脂２０ａは半導体レーザ素子１２
の後面近傍から受光面１１ａまで覆う様に形成されてい
る。図３の番号と図１、図２の番号と同じものは同じ部
品である事を示す。上述の様に、半導体レーザ素子１２
と受光素子７ａを離してリード１ａ上に載置するので、
半導体レーザ素子１２の温度上昇により受光素子７ａの
温度が余り上がらない。故に受光素子７ａの受光特性
（受光量に対するモニタ電流値）が安定するのでモニタ
電流も安定する。
の後面近傍から受光面１１ａまで覆う様に形成されてい
る。図３の番号と図１、図２の番号と同じものは同じ部
品である事を示す。上述の様に、半導体レーザ素子１２
と受光素子７ａを離してリード１ａ上に載置するので、
半導体レーザ素子１２の温度上昇により受光素子７ａの
温度が余り上がらない。故に受光素子７ａの受光特性
（受光量に対するモニタ電流値）が安定するのでモニタ
電流も安定する。
【００１７】本実施例の半導体レーザ装置では、第１実
施例と同じ様に戻り光２８は絶縁枠２１ａの外壁２２ａ
により上方に反射され、光学部品２４へ進入しない。
施例と同じ様に戻り光２８は絶縁枠２１ａの外壁２２ａ
により上方に反射され、光学部品２４へ進入しない。
【００１８】本実施例の他に、リードに凹部を形成しそ
の凹部上に受光素子を載置し、その前方のリード上に直
接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心線が受光面よ
り高い位置にある様に設けても良い。
の凹部上に受光素子を載置し、その前方のリード上に直
接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心線が受光面よ
り高い位置にある様に設けても良い。
【００１９】
【発明の効果】本発明は上述の様に、半導体レーザ素子
の主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した絶縁枠
の外壁を設けている。故に主出射光が回折格子等からな
る光学部品へ進入した後、１部は光学部品で反射され戻
り光となって再び半導体レーザ素子の方向へ帰る。そし
て主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁で
反射された戻り光は上方に進行する。故に戻り光は再び
光学部品へ進入しない。従って主出射光のみが光学部品
に進入するので、所定の出射光を光学部品に正確に供給
でき、戻り光によるノイズが発生しない。
の主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した絶縁枠
の外壁を設けている。故に主出射光が回折格子等からな
る光学部品へ進入した後、１部は光学部品で反射され戻
り光となって再び半導体レーザ素子の方向へ帰る。そし
て主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁で
反射された戻り光は上方に進行する。故に戻り光は再び
光学部品へ進入しない。従って主出射光のみが光学部品
に進入するので、所定の出射光を光学部品に正確に供給
でき、戻り光によるノイズが発生しない。
【００２０】本発明は更に、半導体レーザ素子の前方に
位置する絶縁枠の開口部を前方に行くに従って広がる様
に形成する。故に主出射光の円錐状ビームが開口部に当
ることを防止し、開口部を小さくして半導体レーザ素子
を保護することができる。
位置する絶縁枠の開口部を前方に行くに従って広がる様
に形成する。故に主出射光の円錐状ビームが開口部に当
ることを防止し、開口部を小さくして半導体レーザ素子
を保護することができる。
【００２１】更に、本発明は半導体レーザ装置のリード
に設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹部をは
め合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれを防止
し、出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持する
ことができる。
に設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹部をは
め合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれを防止
し、出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持する
ことができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの側面
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの平面
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図である。
側面断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の側面断面図である。
１、１ａ リード ６ 位置決め手段 ７、７ａ 受光素子 １１、１１ａ 受光面 １２ 半導体レーザ素子 １３ 主出射光 ２１、２１ａ 絶縁枠 ２２、２２ａ 外壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−18080（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−151285（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45709（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−275481（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45709（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−24488（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−66972（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−118468（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−90267（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、その受光素子上に又はその前方の前記
リード上に載置されかつ前方に主出射光を発射する様に
設けられた半導体レーザ素子と、前記リードの周辺に形
成された絶縁枠とを具備し、その絶縁枠が前記半導体レ
ーザ素子の主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜し
た外壁を有する事を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4205327A JP3059831B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体レーザ装置 |
| US08/216,508 US5367530A (en) | 1992-05-29 | 1994-03-22 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4205327A JP3059831B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653603A JPH0653603A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3059831B2 true JP3059831B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=16505097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4205327A Expired - Fee Related JP3059831B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3059831B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (fr) | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP4205327A patent/JP3059831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653603A (ja) | 1994-02-25 |
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