JP3204464B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
流を確保し易い半導体レーザ装置に関する。
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図４に
示す。この図に於て、リード４１上に受光素子４２が載
置され、その上に半導体レーザ素子４３が載置されてい
る。半導体レーザ素子４３の後面と受光素子４２のＰ型
拡散領域４４を透光性樹脂４５が覆っている。Ｐ型拡散
領域４４とオーミック接触して電極４６が設けられてい
る。他のリード４７がリード４１と離れて設けられてい
る。
レーザ装置に於ては、Ｐ型拡散領域４４への受光量がば
らつくという欠点がある。本発明者がその原因を究明し
たところ、受光素子４２がリード４１の打ち抜きバリ方
向に載置されているため、半導体レーザ素子４３の主出
射光が前方のバリ部４８に干渉し、その散乱光が部分的
にＰ型拡散領域４４に入っていることが判った。従っ
て、本発明はかかる従来の欠点に鑑みてなされたもの
で、半導体レーザ素子の前面からの出射光がＰ型拡散領
域に入ることを防止して、受光量のばらつきの少ない半
導体レーザ装置を提供するものである。
決するために、打ち抜き形成されたリードと、そのリー
ド上に載置された受光素子とその受光素子上またはその
受光素子の前方に位置する前記リード上に直接にまたは
サブマウントを介して載置されかつ前方に主出射面を有
する半導体レーザ素子からなる素子群とを具備し、前記
素子群が前記リードの打ち抜きバリの内、前記主出射面
の前方に位置する打ち抜きバリの方向と反対側に載置さ
れている事を特徴とする。
なる素子群をリードの打ち抜きバリの内、主出射面の前
方に位置する打ち抜きバリの方向と反対側に載置するの
で、半導体レーザ素子の前方からの出射光がリードの前
方のバリに干渉されない。故に受光面への受光は半導体
レーザ素子の後面からの出射光のみとなり、受光量が安
定する。
明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の断面
図であり、図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図
に於て、リード１は厚みが０．２乃至１．０ｍｍの銅等
の金属材料からなり矩形部２と切欠部３と端子部４から
できている。リード１は端面５に形成されたＶ字状溝の
様な位置決め手段６を有している。その他に、位置決め
手段６はＵ字状溝でも、断面略コ字状の凹部に形成して
も良く、またはＶ字状、Ｕ字状、断面略コ字状の凸部に
形成しても良い。リード１はプレス加工で打ち抜かれた
ものであり、例えば前方のバリ部７や後方のバリ部８の
様に、外形線は打ち抜きによるバリが生じる。
るシリコン系結晶に表面電極１０、と裏面電極１１を設
けられたものである。表面電極１０はＰ型拡散領域から
なる受光面１２とオーミック接触して形成されている。
受光素子９は銀ペースト等の導電性接着剤を介してリー
ド１上に固着されている。
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１３の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
３は前方に主出射面が位置する様に、半導体レーザ素子
１３の裏面電極が受光素子９上に銀ペースト又は半田を
介して固着されている。半導体レーザ素子１３は後方に
モニター用の副出射が行われる様に、後面の反射膜の反
射率が前面のそれよりも高い様に形成されている。上述
の様に、受光素子９とその上に載置された半導体レーザ
素子１３により素子群１４が構成されている。
と反対方向に載置され、素子群１４の前面１５、すなわ
ち受光素子９の前面はリード１の前方のバリ部７よりも
後方に配置されている。素子群１４の後面１６はリード
１の後方のバリ部８よりも前方に配置されている。
らなり、リード１の切欠き部３に位置し、半導体レーザ
素子１３の主出射方向と逆に延びている。第１、第２の
金属細線１９、２０は共に金等からなり、それぞれ半導
体レーザ素子１３と他のリード１７との間、および受光
素子９の表面電極１０と他のリード１８との間を結ぶ様
に配線されている。光軸中心線２１は半導体レーザ素子
１３の前面と後面を結ぶ線であり、出射ビームの進行方
向を示している。第１、第２の金属細線１９、２０は半
導体レーザ素子１３の光軸中心線２１に対して、略ハ字
状に左右に振分けて配置されている。
なり、半導体レーザ素子１３の後面近傍から受光素子９
の受光面１２を一体に覆う様に形成されている。絶縁枠
２３は例えば、ポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂
等からなり、半導体レーザ素子１３の出射面を露出する
様に平面略コ字状に、かつリード１と他のリード１７と
１８の各表面と裏面を挟む様にトランスファーモールド
によって形成されている。これらの部品により半導体レ
ーザ装置２４は構成されている。
部とリード１の端面５に形成された位置決め手段６、す
なわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レーザ装置
２４が支持具２５に固定されている。回折格子やハーフ
ミラーや対物レンズ等の光学部品２６が半導体レーザ素
子１３の主出射方向に設けられている。
温度上昇の少ない第２実施例を図３に従い説明する。図
３は本実施例に係る半導体レーザ装置の断面図である。
この図に於て、受光素子２７は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造か
らなるシリコン系結晶に表面電極２８と裏面電極２９を
設けられたものである。表面電極２８はＰ型拡散領域か
らなる受光面３０とオーミック接触して形成されてい
る。受光素子２７は銀ペースト等の導電性接着剤を介し
てリード１上に固着されている。
なり表面電極３２と裏面電極３３を設けられたものであ
り、銀ペースト等によりリード１上に固着されている。
またサブマウント３１として導電性の良い材料を選択し
ても良い。
位置する様に、サブマウント３１の表面電極３２と半導
体レーザ素子１３の裏面電極３３を合金化することによ
って固定されている。上述の様に、受光素子２７とその
前方のリード１上に載置されたサブマウント３１とその
上に載置された半導体レーザ素子１３により素子群３４
が構成されている。
と反対方向に載置され、素子群３４の前面３５、すなわ
ちサブマウント３１の前面はリード１の前方のバリ部７
よりも後方に配置されている。素子群３４の後面３６、
すなわち受光素子２７の後面はリード１の後方のバリ部
８よりも前方に配置されている。
は同一部品である事を示す。これらの部品により、半導
体レーザ装置３７が構成されている。本半導体レーザ装
置３７では、半導体レーザ素子と受光素子を離して配置
しているので、半導体レーザ素子の温度上昇による受光
素子の温度上昇が少ない。
ザ素子１３をサブマウント３１を介して載置している
が、その他に半導体レーザ素子１３を直接にリード１上
に載置しても良い。直接に載置すれば半導体レーザ素子
１３の放熱が良くなり、温度上昇が抑えられるので、寿
命が長くなる。
からなる素子群をリードのバリ方向と反対側に載置する
ので、半導体レーザ素子の前方からの出射光がリードの
前方のバリに干渉されない。故に受光面への受光は半導
体レーザ素子の後面からの出射光のみとなり、受光量が
安定する。従って、モニタ電流も安定するので、半導体
素子への出力制御が正確になる。
ドのバリ部から遠ざけることにより、素子群をリード上
に隙間なく密接して載置することができる。故に素子群
の放熱性が良いので、半導体レーザ素子の温度上昇が抑
えられ、半導体レーザ素子の寿命が長くなる。また受光
素子の温度上昇も抑えられるので、受光素子の受光特性
（受光量に対するモニタ電流値）が安定し、モニタ電流
がさらに安定する。
られた位置決め手段と支持具の凸部又は凹部をはめ合わ
す事により、半導体レーザ装置の位置ずれを防止し出射
ビームと光学部品の関係位置を正確に保持することがで
きる。
らなる素子群をリードの打ち抜きバリの内、主出射面の
前方に位置する打ち抜きバリの方向と反対側に載置する
ので、半導体レーザ素子の前方からの出射光がリードの
前方のバリに干渉されない。故に受光面への受光は半導
体レーザ素子の後面からの出射光のみとなり、受光量が
安定する。従って、モニタ電流も安定するので、半導体
素子への出力制御が正確になる。
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 打ち抜き形成されたリードと、そのリー
ド上に載置された受光素子とその受光素子上またはその
受光素子の前方に位置する前記リード上に直接にまたは
サブマウントを介して載置されかつ前方に主出射面を有
する半導体レーザ素子からなる素子群とを具備し、前記
素子群が前記リードの打ち抜きバリの内、前記主出射面
の前方に位置する打ち抜きバリの方向と反対側に載置さ
れている事を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19971192A JP3204464B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19971192A JP3204464B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645692A JPH0645692A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3204464B2 true JP3204464B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=16412343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19971192A Expired - Fee Related JP3204464B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3204464B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102337696A (zh) * | 2011-10-31 | 2012-02-01 | 陕西科技大学 | 氧化钙、铝盐协同绿液除硅方法 |
| CN103498377A (zh) * | 2013-10-16 | 2014-01-08 | 陕西科技大学 | 一种多核聚合羟基铝绿液除硅的方法 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP19971192A patent/JP3204464B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645692A (ja) | 1994-02-18 |
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