JP3238970B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は取扱い易い半導体レーザ
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体レーザ装置の改良が数多くな
されているが、その中で例えば本出願人が特願平４−１
３２５１３号にて出願した半導体レーザ装置を図１０に
示す。この図に於て、リード４１上に受光素子４２が載
置され、その前方のリード４１上に半導体レーザ素子４
３が載置されている。絶縁枠４４がリード４１の周辺に
形成されている。そして受光素子４２と他のリード４５
との間に、及び半導体レーザ素子４３と他のリード４６
との間に金属細線が配線されている。そしてこの装置で
は通常、出射光との関係位置の精度を必要とする回折格
子やハーフミラーや対物レンズ等の光学部品４７が半導
体レーザ素子４３の出射方向に接続されている。そのた
めに光学部品４７が回路基板４８上に固定され、半導体
レーザ装置のリード４１と他のリード４５、４６が回路
基板４８上に半田付けされている。
されているが、その中で例えば本出願人が特願平４−１
３２５１３号にて出願した半導体レーザ装置を図１０に
示す。この図に於て、リード４１上に受光素子４２が載
置され、その前方のリード４１上に半導体レーザ素子４
３が載置されている。絶縁枠４４がリード４１の周辺に
形成されている。そして受光素子４２と他のリード４５
との間に、及び半導体レーザ素子４３と他のリード４６
との間に金属細線が配線されている。そしてこの装置で
は通常、出射光との関係位置の精度を必要とする回折格
子やハーフミラーや対物レンズ等の光学部品４７が半導
体レーザ素子４３の出射方向に接続されている。そのた
めに光学部品４７が回路基板４８上に固定され、半導体
レーザ装置のリード４１と他のリード４５、４６が回路
基板４８上に半田付けされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして、上述の半導
体レーザ装置に於ては、リード４１、他のリード４５、
４６が光学部品４７に近接しているので、これらのリー
ド４１、４５、４６と回路基板４８との半田付けが困難
である。さらに半田付けする時に半導体レーザ装置が位
置ずれし易いので、出射光と光学部品の関係位置が正確
に保持されない。故に本発明は上述の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、リードと回路基板との電気的接続がし
易くかつ位置ずれしにくい半導体レーザ装置を提供する
ものである。
体レーザ装置に於ては、リード４１、他のリード４５、
４６が光学部品４７に近接しているので、これらのリー
ド４１、４５、４６と回路基板４８との半田付けが困難
である。さらに半田付けする時に半導体レーザ装置が位
置ずれし易いので、出射光と光学部品の関係位置が正確
に保持されない。故に本発明は上述の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、リードと回路基板との電気的接続がし
易くかつ位置ずれしにくい半導体レーザ装置を提供する
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、請求項１に記載のように、リードと、そのリード
上に載置された受光素子と、その受光素子上に又はその
受光素子の前方の前記リード上に載置されかつ前方に出
射面を有する半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素
子の出射面を露出する様に前記リードの周辺に形成され
た絶縁枠とを具備し、前記リードが前記半導体レーザ素
子の出射方向と逆に延びる端子部を有するとともに、前
記絶縁枠の側方に前記リードの側部が位置する半導体レ
ーザ装置であって、前記リードの側部は前記絶縁枠の前
部から後部に至る長さを有している事を特徴とする。
置は、請求項１に記載のように、リードと、そのリード
上に載置された受光素子と、その受光素子上に又はその
受光素子の前方の前記リード上に載置されかつ前方に出
射面を有する半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素
子の出射面を露出する様に前記リードの周辺に形成され
た絶縁枠とを具備し、前記リードが前記半導体レーザ素
子の出射方向と逆に延びる端子部を有するとともに、前
記絶縁枠の側方に前記リードの側部が位置する半導体レ
ーザ装置であって、前記リードの側部は前記絶縁枠の前
部から後部に至る長さを有している事を特徴とする。
【０００５】本発明の半導体レーザ装置は、請求項２に
記載のように、主リードと、その主リード上に載置され
た受光素子と、その受光素子上に又はその受光素子の前
方の前記主リード上に載置されかつ前方に出射面を有す
る半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射面
を露出する様に前記リードの周辺に形成された絶縁枠と
を具備し、前記主リードが前記半導体レーザ素子の出射
方向と逆に延びる端子部を有するとともに、前記絶縁枠
の側方に前記主リードの側部が位置する半導体レーザ装
置であって、前記主リードの端子部近傍に別の副リード
を配置し、前記主リードの側部の後縁は前記副リードの
前縁よりも後方に位置している事を特徴とする。
記載のように、主リードと、その主リード上に載置され
た受光素子と、その受光素子上に又はその受光素子の前
方の前記主リード上に載置されかつ前方に出射面を有す
る半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射面
を露出する様に前記リードの周辺に形成された絶縁枠と
を具備し、前記主リードが前記半導体レーザ素子の出射
方向と逆に延びる端子部を有するとともに、前記絶縁枠
の側方に前記主リードの側部が位置する半導体レーザ装
置であって、前記主リードの端子部近傍に別の副リード
を配置し、前記主リードの側部の後縁は前記副リードの
前縁よりも後方に位置している事を特徴とする。
【０００６】本発明の半導体レーザ装置は、請求項３に
記載のように、半導体レーザ素子と、矩形部と切欠部と
端子部を有して前記矩形部に前記半導体レーザ素子を配
置した主リードと、前記切欠部にその一部が配置された
副リードと、前記主リードと前記副リードの表裏を挟む
ように形成した絶縁枠とを備え、前記矩形部の両側は前
記絶縁枠の左右に突出しているとともに、この左右に突
出した矩形部の前縁は、前記副リードの前縁よりも前方
に位置し、突出した矩形部の後縁は、前記副リードの前
縁よりも後方に位置している事を特徴とする。
記載のように、半導体レーザ素子と、矩形部と切欠部と
端子部を有して前記矩形部に前記半導体レーザ素子を配
置した主リードと、前記切欠部にその一部が配置された
副リードと、前記主リードと前記副リードの表裏を挟む
ように形成した絶縁枠とを備え、前記矩形部の両側は前
記絶縁枠の左右に突出しているとともに、この左右に突
出した矩形部の前縁は、前記副リードの前縁よりも前方
に位置し、突出した矩形部の後縁は、前記副リードの前
縁よりも後方に位置している事を特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明は上述の様に、半導体レーザ素子の出射
方向と逆に延びる端子部をリード内に形成するので、光
学部品と離れた端子部に於て、端子部と回路基板を容易
に電気的接続できる。更に絶縁枠の側方に位置するリー
ドの側部は絶縁枠の前部から後部に至る長さを有してい
るので、この側部を利用した取付けの際の取付け代を長
く確保して半導体レーザ装置の位置ずれを防止する事が
できる。また、主リードの端子部近傍に別の副リードを
配置し、絶縁枠の側方に位置する主リードの側部後縁は
前記副リードの前縁よりも後方に位置させているので、
主リードの側部の長さをより長く確保することができ
る。そのため、主リードの側部を半導体レーザ装置の位
置ずれ防止に有効に利用する事ができる。
方向と逆に延びる端子部をリード内に形成するので、光
学部品と離れた端子部に於て、端子部と回路基板を容易
に電気的接続できる。更に絶縁枠の側方に位置するリー
ドの側部は絶縁枠の前部から後部に至る長さを有してい
るので、この側部を利用した取付けの際の取付け代を長
く確保して半導体レーザ装置の位置ずれを防止する事が
できる。また、主リードの端子部近傍に別の副リードを
配置し、絶縁枠の側方に位置する主リードの側部後縁は
前記副リードの前縁よりも後方に位置させているので、
主リードの側部の長さをより長く確保することができ
る。そのため、主リードの側部を半導体レーザ装置の位
置ずれ防止に有効に利用する事ができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１、図２、図
３に従い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ
装置の断面図であり、図２は図１のＡＡ断面図である。
図３は図１のＢＢ断面図である。これらの図に於て、リ
ード（以下主リードという）１は厚みが０．２乃至１．
０ｍｍの銅等の金属材料からなり、切欠部２と矩形部３
と端子部４からできている。主リード1として鉄又はア
ルミニウム等の材料を用いても良い。主リード1は望ま
しくは端面５にＶ字状溝からなる凹部６を形成されてい
る。その他に凹部６はＵ字状でも、断面略コ字状に形成
しても良い。又は、端面５はＶ字状、Ｕ字状、断面略コ
字状の凸部を形成しても良い。そして他のリード（以下
副リードという）７、８も銅等の金属材料からなり、共
に主リード1と離れて対向する位置にある。
３に従い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ
装置の断面図であり、図２は図１のＡＡ断面図である。
図３は図１のＢＢ断面図である。これらの図に於て、リ
ード（以下主リードという）１は厚みが０．２乃至１．
０ｍｍの銅等の金属材料からなり、切欠部２と矩形部３
と端子部４からできている。主リード1として鉄又はア
ルミニウム等の材料を用いても良い。主リード1は望ま
しくは端面５にＶ字状溝からなる凹部６を形成されてい
る。その他に凹部６はＵ字状でも、断面略コ字状に形成
しても良い。又は、端面５はＶ字状、Ｕ字状、断面略コ
字状の凸部を形成しても良い。そして他のリード（以下
副リードという）７、８も銅等の金属材料からなり、共
に主リード1と離れて対向する位置にある。
【０００９】受光素子９は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造を成し
たシリコン系結晶に表面電極１０、１１と裏面電極１２
を設けたものである。表面電極１１はＰ型拡散領域１３
とオーミック接触して形成される。受光素子９は銀ペー
スト等の導電性接着剤を介して主リード1上に固着され
ている。
たシリコン系結晶に表面電極１０、１１と裏面電極１２
を設けたものである。表面電極１１はＰ型拡散領域１３
とオーミック接触して形成される。受光素子９は銀ペー
スト等の導電性接着剤を介して主リード1上に固着され
ている。
【００１０】半導体レーザ素子１４は例えば、直線状の
活性層とその活性層を挟むクラッド層からなるＧａＡｌ
Ａｓの発光層からできている。半導体レーザ素子１４の
両端はへき開されその上に反射膜が形成されている。半
導体レーザ素子１４の出射面１５が主リード1の端面５
の近傍に位置する様に、受光素子９の表面電極１０上に
銀ペースト又は半田を介して固着されている。上述の様
に、主リード1の端子部４は半導体レーザ素子１４の出
射方向と逆方向に延びている。
活性層とその活性層を挟むクラッド層からなるＧａＡｌ
Ａｓの発光層からできている。半導体レーザ素子１４の
両端はへき開されその上に反射膜が形成されている。半
導体レーザ素子１４の出射面１５が主リード1の端面５
の近傍に位置する様に、受光素子９の表面電極１０上に
銀ペースト又は半田を介して固着されている。上述の様
に、主リード1の端子部４は半導体レーザ素子１４の出
射方向と逆方向に延びている。
【００１１】金属細線１６、１７、１８はそれぞれ表面
電極１０と主リード1との間、半導体レーザ素子１４の
表面と副リード７との間、及び表面電極１１と副リード
８との間を結ぶ様に配線されている。透光性樹脂１９は
例えばエポキシ樹脂からなり、半導体レーザ素子１４の
後面近傍から受光素子９のＰ型拡散領域１３を一体に覆
う様に形成されている。この様に透光性樹脂１９で覆う
ことにより、半導体レーザ素子１４の後面からの出射光
が透光性樹脂１９と大気との界面で反射されＰ型拡散領
域１３に確実に入射する。故に受光量が増えるので、受
光素子９の感度が向上する。
電極１０と主リード1との間、半導体レーザ素子１４の
表面と副リード７との間、及び表面電極１１と副リード
８との間を結ぶ様に配線されている。透光性樹脂１９は
例えばエポキシ樹脂からなり、半導体レーザ素子１４の
後面近傍から受光素子９のＰ型拡散領域１３を一体に覆
う様に形成されている。この様に透光性樹脂１９で覆う
ことにより、半導体レーザ素子１４の後面からの出射光
が透光性樹脂１９と大気との界面で反射されＰ型拡散領
域１３に確実に入射する。故に受光量が増えるので、受
光素子９の感度が向上する。
【００１２】絶縁枠２０は例えばポリカーボネート樹脂
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１４の
出射面５を露出する様に平面略コ字状に、かつ主リード
1、副リード７、８の各表面と裏面を挟む様にトランス
ファーモールドによって形成されている。また絶縁枠２
０はアルミナセラミック又は絶縁処理した金属材料で構
成しても良い。上述の部品により半導体レーザ装置２１
は構成されている。
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１４の
出射面５を露出する様に平面略コ字状に、かつ主リード
1、副リード７、８の各表面と裏面を挟む様にトランス
ファーモールドによって形成されている。また絶縁枠２
０はアルミナセラミック又は絶縁処理した金属材料で構
成しても良い。上述の部品により半導体レーザ装置２１
は構成されている。
【００１３】更に支持具２２に形成された凸部又は凹部
と主リード1の端面５に形成された凹部又は凸部をはめ
合う様に、半導体レーザ装置２１は支持具２２に固定さ
れている。回折格子やハーフミラーや対物レンズ等の光
学部品２３は半導体レーザ素子１４の出射方向に設けら
れている。そして必要に応じて、主リード1の端子部４
と副リード７、８の端子部は回路基板２４に半田付け等
によって電気的接続されている。
と主リード1の端面５に形成された凹部又は凸部をはめ
合う様に、半導体レーザ装置２１は支持具２２に固定さ
れている。回折格子やハーフミラーや対物レンズ等の光
学部品２３は半導体レーザ素子１４の出射方向に設けら
れている。そして必要に応じて、主リード1の端子部４
と副リード７、８の端子部は回路基板２４に半田付け等
によって電気的接続されている。
【００１４】次にこの半導体レーザ装置２１の検査方法
を図４に従い説明する。図４は本実施例に係る半導体レ
ーザ装置の検査の状態を示す図面である。この図に於
て、複数の半導体レーザ装置２１は端子部４と副リード
７、８の端子部により、リードフレーム２５に接続され
ている。そして自動機等のプレス切断により、副リード
７と８の端子部とリードフレーム２５が切り離される。
検査機２６のプローブがそれぞれ主リード1の端子部
４、副リード７の端子部、副リード８の端子部に接続さ
れる。そして検査機２６によって半導体レーザ装置２１
の特性検査、例えば電流対光出力、電流対受光素子のモ
ニター電流、発振スペクトル分布等の検査が行われる。
その後、主リード1の端子部４の先端を切り離して最終
製品が完成する。上述の様に半導体レーザ装置２１で
は、半導体レーザ素子１４の出射方向とリードの端子部
を逆方向に設けているので、端子部のプレス切断がし易
くかつ検査もし易い。
を図４に従い説明する。図４は本実施例に係る半導体レ
ーザ装置の検査の状態を示す図面である。この図に於
て、複数の半導体レーザ装置２１は端子部４と副リード
７、８の端子部により、リードフレーム２５に接続され
ている。そして自動機等のプレス切断により、副リード
７と８の端子部とリードフレーム２５が切り離される。
検査機２６のプローブがそれぞれ主リード1の端子部
４、副リード７の端子部、副リード８の端子部に接続さ
れる。そして検査機２６によって半導体レーザ装置２１
の特性検査、例えば電流対光出力、電流対受光素子のモ
ニター電流、発振スペクトル分布等の検査が行われる。
その後、主リード1の端子部４の先端を切り離して最終
製品が完成する。上述の様に半導体レーザ装置２１で
は、半導体レーザ素子１４の出射方向とリードの端子部
を逆方向に設けているので、端子部のプレス切断がし易
くかつ検査もし易い。
【００１５】次にこの半導体レーザ装置２１と支持具２
２の取付けを説明するために、図５の斜視図に従い説明
する。支持具２２に形成された凸部２７と主リード1の
端面５に形成された凹部６をはめ合う様に、半導体レー
ザ装置２１が支持具２２に固定されている。支持具２２
は例えばアルミニウム合金等からできている。また回折
格子２８は支持具２２の底面に設けても良い。上述の様
に、凸部２７と凹部６をはめ合わすことにより、かつ支
持具２２の中空部２９と半導体レーザ装置２１の絶縁枠
２０をはめ合わすことにより、半導体レーザ装置２１は
位置ずれを生じない。従って、出射ビームと光学部品の
関係位置は正確に保持される。そして半導体レーザ素子
１４により発生した熱は、主リード1を通って伝熱面積
の広い支持具２２から放熱される。
２の取付けを説明するために、図５の斜視図に従い説明
する。支持具２２に形成された凸部２７と主リード1の
端面５に形成された凹部６をはめ合う様に、半導体レー
ザ装置２１が支持具２２に固定されている。支持具２２
は例えばアルミニウム合金等からできている。また回折
格子２８は支持具２２の底面に設けても良い。上述の様
に、凸部２７と凹部６をはめ合わすことにより、かつ支
持具２２の中空部２９と半導体レーザ装置２１の絶縁枠
２０をはめ合わすことにより、半導体レーザ装置２１は
位置ずれを生じない。従って、出射ビームと光学部品の
関係位置は正確に保持される。そして半導体レーザ素子
１４により発生した熱は、主リード1を通って伝熱面積
の広い支持具２２から放熱される。
【００１６】更に上述の第１実施例より簡単な第２実施
例を図６に従い説明する。図６は本実施例に係る半導体
レーザ装置の断面図である。この図６に於て、受光素子
３０は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造をなしたシリコン系結晶の
表面と裏面に電極を設けたものであり、主リード1上に
載置されている。半導体レーザ素子１４は受光素子３０
の前方の主リード1上に載置されている。望ましくは、
エポキシ樹脂又はシリコン樹脂からなる透光性樹脂３１
が半導体レーザ素子１４の後面（出射面１５の反対側の
端面）近傍から受光素子３０を一体に覆う様に形成され
ている。尚、図６で示した番号と図１乃至図３で示した
番号と同じものは同じ部品である事を示す。
例を図６に従い説明する。図６は本実施例に係る半導体
レーザ装置の断面図である。この図６に於て、受光素子
３０は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造をなしたシリコン系結晶の
表面と裏面に電極を設けたものであり、主リード1上に
載置されている。半導体レーザ素子１４は受光素子３０
の前方の主リード1上に載置されている。望ましくは、
エポキシ樹脂又はシリコン樹脂からなる透光性樹脂３１
が半導体レーザ素子１４の後面（出射面１５の反対側の
端面）近傍から受光素子３０を一体に覆う様に形成され
ている。尚、図６で示した番号と図１乃至図３で示した
番号と同じものは同じ部品である事を示す。
【００１７】次に上述の第１及び第２実施例より半導体
レーザ装置がさらに位置ずれしにくい第３実施例を図７
と図８に従い説明する。図７は本実施例に係る半導体レ
ーザ装置の断面図であり、図８は図７のＣＣ断面図であ
る。これらの図で示した番号と図１乃至図３で示した番
号と同じものは同じ部品である事を示す。主リード1に
凸部６ａが側面５ａに略平行に形成されている。また図
８に於て、上方へ向かって突起部が形成される様に凸部
６ａが設けられているが、下方へ向かって突起部が形成
される様に凹部が設けられても良い。また図７に於て凸
部６ａは主リード1の縦全体に形成されているが、主リ
ード1の縦方向に部分的に形成されても良い。またこれ
らの図に於て、半導体レーザ素子１４は受光素子９の上
に載置されているが、半導体レーザ素子１４は受光素子
９の前方に一する主リード1上に載置されても良い。
レーザ装置がさらに位置ずれしにくい第３実施例を図７
と図８に従い説明する。図７は本実施例に係る半導体レ
ーザ装置の断面図であり、図８は図７のＣＣ断面図であ
る。これらの図で示した番号と図１乃至図３で示した番
号と同じものは同じ部品である事を示す。主リード1に
凸部６ａが側面５ａに略平行に形成されている。また図
８に於て、上方へ向かって突起部が形成される様に凸部
６ａが設けられているが、下方へ向かって突起部が形成
される様に凹部が設けられても良い。また図７に於て凸
部６ａは主リード1の縦全体に形成されているが、主リ
ード1の縦方向に部分的に形成されても良い。またこれ
らの図に於て、半導体レーザ素子１４は受光素子９の上
に載置されているが、半導体レーザ素子１４は受光素子
９の前方に一する主リード1上に載置されても良い。
【００１８】次にこの半導体レーザ装置２１と支持具２
２ａの取付けを説明するために、図９の斜視図に従い説
明する。支持具２２ａは例えばアルミニウム合金等から
できており、半導体レーザ装置２１に形成された凸部６
ａがはまり合う様に溝部３２が形成されている。そして
半導体レーザ装置２１に形成された絶縁枠２０がはまり
合う様に、支持具２２ａに略直方体状に中空部３３が形
成されている。回折格子やハーフミラーや対物レンズ等
の光学部品２３ａが支持具２２ａの底面に固定され、半
導体レーザ素子１４の出射方向に配置されている。半導
体レーザ装置２１の凸部６ａを支持具２２ａの溝部３２
に圧入することにより、半導体レーザ装置２１は支持具
２２ａに確実に固定できる。上述の様に、支持具２２ａ
と嵌合させるために設けられた凸部６ａは主リード1の
側面近傍に形成されるので、端面５に形成する第１及び
第２実施例に比べて、長手長さを大きくできる。従って
支持具２２ａとの嵌合代が長くなり、半導体レーザ装置
２１が一層位置ずれにくくなる。
２ａの取付けを説明するために、図９の斜視図に従い説
明する。支持具２２ａは例えばアルミニウム合金等から
できており、半導体レーザ装置２１に形成された凸部６
ａがはまり合う様に溝部３２が形成されている。そして
半導体レーザ装置２１に形成された絶縁枠２０がはまり
合う様に、支持具２２ａに略直方体状に中空部３３が形
成されている。回折格子やハーフミラーや対物レンズ等
の光学部品２３ａが支持具２２ａの底面に固定され、半
導体レーザ素子１４の出射方向に配置されている。半導
体レーザ装置２１の凸部６ａを支持具２２ａの溝部３２
に圧入することにより、半導体レーザ装置２１は支持具
２２ａに確実に固定できる。上述の様に、支持具２２ａ
と嵌合させるために設けられた凸部６ａは主リード1の
側面近傍に形成されるので、端面５に形成する第１及び
第２実施例に比べて、長手長さを大きくできる。従って
支持具２２ａとの嵌合代が長くなり、半導体レーザ装置
２１が一層位置ずれにくくなる。
【００１９】図1乃至図８から明らかなように、上記各
実施例において、主リード１を構成する矩形部３の両側
が絶縁枠２０の左右に突出しているので、主リード１の
側部は、絶縁枠２０の側方に位置している。また、図
1、図6、図7等から明らかなように、絶縁枠２０の側方
に位置する主リード１の側部は、その前縁が絶縁枠２０
の前縁近傍に位置し、その後縁が絶縁枠２０の後縁近傍
に位置しているので、絶縁枠２０の前部から後部に至る
長さ、すなわち絶縁枠２０と同等の長さを有している。
また、図1、図6、図7等から明らかなように、副リード
７，８の一部（前端部）は主リード１の切欠部２に配置
され、絶縁枠２０から左右に突出した主リード１の矩形
部３の前縁は、前記副リード７，８の前縁よりも前方に
位置し、後縁は、前記副リード７，８の前縁よりも後方
に位置している。
実施例において、主リード１を構成する矩形部３の両側
が絶縁枠２０の左右に突出しているので、主リード１の
側部は、絶縁枠２０の側方に位置している。また、図
1、図6、図7等から明らかなように、絶縁枠２０の側方
に位置する主リード１の側部は、その前縁が絶縁枠２０
の前縁近傍に位置し、その後縁が絶縁枠２０の後縁近傍
に位置しているので、絶縁枠２０の前部から後部に至る
長さ、すなわち絶縁枠２０と同等の長さを有している。
また、図1、図6、図7等から明らかなように、副リード
７，８の一部（前端部）は主リード１の切欠部２に配置
され、絶縁枠２０から左右に突出した主リード１の矩形
部３の前縁は、前記副リード７，８の前縁よりも前方に
位置し、後縁は、前記副リード７，８の前縁よりも後方
に位置している。
【００２０】上記実施例によれば、半導体レーザ素子１
４の出射方向と逆に延びる端子部４を主リード１内に形
成するので、光学部品と離れかつ部品が密集していない
端子部４に於て、端子部と回路基板を容易に電気的接続
できる。そして半導体レーザ素子１４の出射方向とリー
ドの端子部４を逆方向に設けているので、端子部４のプ
レス切断がし易くかつ検査もし易い。
４の出射方向と逆に延びる端子部４を主リード１内に形
成するので、光学部品と離れかつ部品が密集していない
端子部４に於て、端子部と回路基板を容易に電気的接続
できる。そして半導体レーザ素子１４の出射方向とリー
ドの端子部４を逆方向に設けているので、端子部４のプ
レス切断がし易くかつ検査もし易い。
【００２１】更に、半導体レーザ装置１４の主リード１
の凹部６ａと支持具２２の凸部をはめ合わす事により、
かつ半導体レーザ装置の絶縁枠２０を支持具の中空部に
嵌合させる事により半導体レーザ装置が位置ずれしな
い。故に出射ビームと光学部品の関係位置は正確に保持
される。
の凹部６ａと支持具２２の凸部をはめ合わす事により、
かつ半導体レーザ装置の絶縁枠２０を支持具の中空部に
嵌合させる事により半導体レーザ装置が位置ずれしな
い。故に出射ビームと光学部品の関係位置は正確に保持
される。
【００２２】また、半導体レーザ装置の主リード１の側
面近傍に形成された凸部又は凹部と支持具の溝部を嵌合
させる事により、嵌合代が長くなり半導体レーザ装置が
一層位置ずれしにくくなる。
面近傍に形成された凸部又は凹部と支持具の溝部を嵌合
させる事により、嵌合代が長くなり半導体レーザ装置が
一層位置ずれしにくくなる。
【００２３】そして、半導体レーザ素子１４のへき開面
から直接出射させるので、平坦なへき開面から出た光は
散乱することがないから出射ビームが絞り易い。また受
光素子を透光性樹脂で覆うことにより、半導体レーザ素
子の後面からの出射光が透光性樹脂と大気との界面で反
射されＰ型拡散領域に入射する。従って受光量が増える
ので、受光素子の感度が向上する。
から直接出射させるので、平坦なへき開面から出た光は
散乱することがないから出射ビームが絞り易い。また受
光素子を透光性樹脂で覆うことにより、半導体レーザ素
子の後面からの出射光が透光性樹脂と大気との界面で反
射されＰ型拡散領域に入射する。従って受光量が増える
ので、受光素子の感度が向上する。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体レ
ーザ素子の出射方向と逆に延びる端子部をリード内に形
成するので、光学部品と離れた端子部に於て、端子部と
回路基板を容易に電気的接続できる。更に絶縁枠の側方
に位置するリードの側部は絶縁枠の前部から後部に至る
長さを有しているので、この側部を利用した取付けの際
の取付け代を長く確保して半導体レーザ装置の位置ずれ
を防止する事ができる。また、主リードの端子部近傍に
別の副リードを配置し、絶縁枠の側方に位置する主リー
ドの側部後縁は前記副リードの前縁よりも後方に位置さ
せているので、主リードの側部の長さをより長く確保す
ることができる。そのため、主リードの側部を半導体レ
ーザ装置の位置ずれ防止に有効に利用する事ができる。
ーザ素子の出射方向と逆に延びる端子部をリード内に形
成するので、光学部品と離れた端子部に於て、端子部と
回路基板を容易に電気的接続できる。更に絶縁枠の側方
に位置するリードの側部は絶縁枠の前部から後部に至る
長さを有しているので、この側部を利用した取付けの際
の取付け代を長く確保して半導体レーザ装置の位置ずれ
を防止する事ができる。また、主リードの端子部近傍に
別の副リードを配置し、絶縁枠の側方に位置する主リー
ドの側部後縁は前記副リードの前縁よりも後方に位置さ
せているので、主リードの側部の長さをより長く確保す
ることができる。そのため、主リードの側部を半導体レ
ーザ装置の位置ずれ防止に有効に利用する事ができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】図１のＢＢ断面図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る半導体レーザ装置の
検査方法を示す図面である。
検査方法を示す図面である。
【図５】本発明の第１実施例に係る半導体レーザ装置と
その支持具の斜視図である。
その支持具の斜視図である。
【図６】本発明の第２実施例に係る半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明の第３実施例に係る半導体レーザ装置の
断面図である。
断面図である。
【図８】図７のＣＣ断面図である。
【図９】本発明の第３実施例に係る半導体レーザ装置と
その支持具の斜視図である。
その支持具の斜視図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置の断面図である。
１ リード ４ 端子部 ５ 端面 ５ａ 側面 ６、６ａ 凹部 ９、３０ 受光素子 １４ 半導体レーザ素子 １５ 出射面 ２０ 絶縁枠
フロントページの続き (56)参考文献 実開 平５−23563（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−67769（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/022 H01L 23/48 H01L 31/12
Claims (3)
- 【請求項１】 リードと、そのリード上に載置された受
光素子と、その受光素子上に又はその受光素子の前方の
前記リード上に載置されかつ前方に出射面を有する半導
体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射面を露出
する様に前記リードの周辺に形成された絶縁枠とを具備
し、前記リードが前記半導体レーザ素子の出射方向と逆
に延びる端子部を有するとともに、前記絶縁枠の側方に
前記リードの側部が位置する半導体レーザ装置であっ
て、前記リードの側部は前記絶縁枠の前部から後部に至
る長さを有している事を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 主リードと、その主リード上に載置され
た受光素子と、その受光素子上に又はその受光素子の前
方の前記主リード上に載置されかつ前方に出射面を有す
る半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の出射面
を露出する様に前記リードの周辺に形成された絶縁枠と
を具備し、前記主リードが前記半導体レーザ素子の出射
方向と逆に延びる端子部を有するとともに、前記絶縁枠
の側方に前記主リードの側部が位置する半導体レーザ装
置であって、前記主リードの端子部近傍に別の副リード
を配置し、前記主リードの側部の後縁は前記副リードの
前縁よりも後方に位置している事を特徴とする半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子と、矩形部と切欠部と
端子部を有して前記矩形部に前記半導体レーザ素子を配
置した主リードと、前記切欠部にその一部が配置された
副リードと、前記主リードと前記副リードの表裏を挟む
ように形成した絶縁枠とを備え、前記矩形部の両側は前
記絶縁枠の左右に突出しているとともに、この左右に突
出した矩形部の前縁は、前記副リードの前縁よりも前方
に位置し、突出した矩形部の後縁は、前記副リードの前
縁よりも後方に位置している事を特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2127793A JP3238970B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-02-09 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-138696 | 1992-05-29 | ||
| JP13869692 | 1992-05-29 | ||
| JP2127793A JP3238970B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-02-09 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645709A JPH0645709A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3238970B2 true JP3238970B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=26358312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2127793A Expired - Lifetime JP3238970B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-02-09 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3238970B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050286581A1 (en) | 2004-03-30 | 2005-12-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device, semiconductor laser device and housing usable for the optical pickup device, and method of manufacturing semiconductor laser device |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP2127793A patent/JP3238970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645709A (ja) | 1994-02-18 |
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