JP3101434B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の改良が数多く
なされているいが、その中で例えば本出願人が特願平４
−１３２５１３号にて出願した半導体レーザ装置を図６
及び図７に示す。図６はこの半導体レーザ装置の上面図
であり、図７は図６のＡ−Ａ断面図である。
なされているいが、その中で例えば本出願人が特願平４
−１３２５１３号にて出願した半導体レーザ装置を図６
及び図７に示す。図６はこの半導体レーザ装置の上面図
であり、図７は図６のＡ−Ａ断面図である。
【０００３】これらの図に於て、ＰＩＮ構造を成したシ
リコン系結晶に表面電極１０、１１と裏面電極１２を設
けた受光素子９は導電性接着剤を介してリード１上に固
着されている。半導体レーザ素子１４は受光素子９の表
面電極１０上に導電性接着剤を介して固着されている。
前記表面電極１０とリード１との間、前記半導体レーザ
素子１４の表面と他のリード７との間、及び表面電極１
１と更に他のリード８との間はそれぞれ金属細線１６、
１７、１８にて電気的に接続されている。
リコン系結晶に表面電極１０、１１と裏面電極１２を設
けた受光素子９は導電性接着剤を介してリード１上に固
着されている。半導体レーザ素子１４は受光素子９の表
面電極１０上に導電性接着剤を介して固着されている。
前記表面電極１０とリード１との間、前記半導体レーザ
素子１４の表面と他のリード７との間、及び表面電極１
１と更に他のリード８との間はそれぞれ金属細線１６、
１７、１８にて電気的に接続されている。
【０００４】前記受光素子９と半導体レーザ素子１４の
周囲には前記リード１、７、８を固定する樹脂性絶縁枠
２０が設けられている。また、前記半導体レーザ素子１
４の後面近傍から受光素子９の受光面１３には透光性樹
脂１９により覆われている。
周囲には前記リード１、７、８を固定する樹脂性絶縁枠
２０が設けられている。また、前記半導体レーザ素子１
４の後面近傍から受光素子９の受光面１３には透光性樹
脂１９により覆われている。
【０００５】しかしながら、斯る構造の半導体レーザ装
置では、リード１が放熱フィンの役割も兼ねているが、
熱を発生する半導体レーザ素子１４から熱伝導される受
光素子９の下側に位置するリード１の下面が絶縁枠２０
に覆われているので、該半導体レーザ素子１４から熱が
放熱されにくく、特性劣化や破損が生じるといった問題
があった。
置では、リード１が放熱フィンの役割も兼ねているが、
熱を発生する半導体レーザ素子１４から熱伝導される受
光素子９の下側に位置するリード１の下面が絶縁枠２０
に覆われているので、該半導体レーザ素子１４から熱が
放熱されにくく、特性劣化や破損が生じるといった問題
があった。
【０００６】この問題を解決するためには、リード１の
下面の絶縁枠２０を取り除き、リード１の下面を露出し
た構造を採用すればよいが、斯る構造ではリード１又は
リード７、８と絶縁枠２０との接着強度等、装置の機械
的強度が弱くなる。また受光素子９の下側に位置するリ
ード１の下面の絶縁枠２０のみを取り除いて露出した構
造を採用することも考えあられるが、このリード１の露
出した部分と放熱板等を密着させることが困難であり、
放熱効果が十分に得られないといった問題があった。
下面の絶縁枠２０を取り除き、リード１の下面を露出し
た構造を採用すればよいが、斯る構造ではリード１又は
リード７、８と絶縁枠２０との接着強度等、装置の機械
的強度が弱くなる。また受光素子９の下側に位置するリ
ード１の下面の絶縁枠２０のみを取り除いて露出した構
造を採用することも考えあられるが、このリード１の露
出した部分と放熱板等を密着させることが困難であり、
放熱効果が十分に得られないといった問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題点
を鑑み成されたものであり、リードと絶縁枠との接着強
度を損なうことなく、放熱効果に優れた半導体レーザ装
置を提供することを目的とする。
を鑑み成されたものであり、リードと絶縁枠との接着強
度を損なうことなく、放熱効果に優れた半導体レーザ装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、前端部に凹部を持つと共に後端部に端子部を持つ
第１リードと、該第１リードの凹部の底面上に載置され
た受光素子と、その受光素子に近接して前記凹部上に配
置されかつ前方に出射面を有する半導体レーザ素子と、
前記第１リードと離間しかつ該第１リードの端子部と平
行に配置された第２、第３リードと、前記半導体レーザ
素子の出射面と前記凹部下面を露出し且つ前記各リード
を挟持するように形成された絶縁枠とを具備したことを
特徴とする。
置は、前端部に凹部を持つと共に後端部に端子部を持つ
第１リードと、該第１リードの凹部の底面上に載置され
た受光素子と、その受光素子に近接して前記凹部上に配
置されかつ前方に出射面を有する半導体レーザ素子と、
前記第１リードと離間しかつ該第１リードの端子部と平
行に配置された第２、第３リードと、前記半導体レーザ
素子の出射面と前記凹部下面を露出し且つ前記各リード
を挟持するように形成された絶縁枠とを具備したことを
特徴とする。
【０００９】
【作用】斯る構造では、各リードを絶縁枠にて挟持する
ことにより機械的強度に優れると共に半導体レーザ素子
の下側にあるリードの凹部下面を露出させることにより
十分な放熱効果が得られる。
ことにより機械的強度に優れると共に半導体レーザ素子
の下側にあるリードの凹部下面を露出させることにより
十分な放熱効果が得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図面を参照して
説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の上
面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ
断面図、図４は図１中のリードの上面図、図５は図４の
Ｃ−Ｃ断面図である。尚、従来例と同一部分及び対応す
る部分には同一符号を付す。
説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の上
面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ
断面図、図４は図１中のリードの上面図、図５は図４の
Ｃ−Ｃ断面図である。尚、従来例と同一部分及び対応す
る部分には同一符号を付す。
【００１１】図において、１はリードで、厚みが例えば
０．２ｍｍ乃至１ｍｍの銅、アルミニウム、または鉄等
の良熱伝導性の電導性材料からなり、切欠部２と矩形部
３と後端部に位置する端子部４から構成され、該矩形部
３の前端部に例えば幅５ｍｍ、長さ３ｍｍ、深さ０．５
〜１ｍｍ程度の凹部６を有している。前記リード１は端
面５にＶ字状の切り欠き部３０、３０が形成されてい
る。尚、リード１の矩形部３には位置決め用の基準とな
るものがあればよく、切り欠き部３０、３０に代えて例
えば矩形部３の両側部にそれぞれ貫通孔を設けてもよ
く、適宜変更可能である。
０．２ｍｍ乃至１ｍｍの銅、アルミニウム、または鉄等
の良熱伝導性の電導性材料からなり、切欠部２と矩形部
３と後端部に位置する端子部４から構成され、該矩形部
３の前端部に例えば幅５ｍｍ、長さ３ｍｍ、深さ０．５
〜１ｍｍ程度の凹部６を有している。前記リード１は端
面５にＶ字状の切り欠き部３０、３０が形成されてい
る。尚、リード１の矩形部３には位置決め用の基準とな
るものがあればよく、切り欠き部３０、３０に代えて例
えば矩形部３の両側部にそれぞれ貫通孔を設けてもよ
く、適宜変更可能である。
【００１２】受光素子９は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造を成し
たシリコン系結晶に表面電極１０、１１と裏面電極１２
を設けたものであり、ヒートシンクの役割も兼備してい
る。前記表面電極１０と受光素子９の間には図示しない
ＳｉＯ2等からなる絶縁層が形成されており、前記表面
電極１１はｐ型拡散領域からなる受光面１３の一部でオ
ーミック接触して形成されている。この受光素子９はそ
の裏面電極１２が銀ペースト等の導電性接着剤を介して
リード１の前記凹部６の底面上に固着されている。従っ
て、前記リード１の凹部６はこのように少なくとも上記
受光素子９よりも大きな幅と長さを有する必要がある。
たシリコン系結晶に表面電極１０、１１と裏面電極１２
を設けたものであり、ヒートシンクの役割も兼備してい
る。前記表面電極１０と受光素子９の間には図示しない
ＳｉＯ2等からなる絶縁層が形成されており、前記表面
電極１１はｐ型拡散領域からなる受光面１３の一部でオ
ーミック接触して形成されている。この受光素子９はそ
の裏面電極１２が銀ペースト等の導電性接着剤を介して
リード１の前記凹部６の底面上に固着されている。従っ
て、前記リード１の凹部６はこのように少なくとも上記
受光素子９よりも大きな幅と長さを有する必要がある。
【００１３】半導体レーザ素子１４は、例えば基板上に
活性層と該活性層を挟むクラッド層からなる発光層が形
成され、上面と下面にそれぞれ電極が形成されている。
半導体レーザ素子１４の両端へき開面上にはそれぞれ反
射膜が形成されており、該両へき開面からそれぞれレー
ザ光が出力される。半導体レーザ素子１４はその出射面
がリード１の端面５の近傍に位置するように、受光素子
９の表面電極１０上に銀ペーストまたは半田等を介して
固着されている。そして、前記リード１の端子部４は例
えば半導体レーザ素子１４のレーザ光出射方向と逆方向
に延びており、また該リード１と離間して対向する位置
に端子部４と平行に銅、アルミニウム、または鉄等の金
属材料からなる別のリード７、８が設けられている。
活性層と該活性層を挟むクラッド層からなる発光層が形
成され、上面と下面にそれぞれ電極が形成されている。
半導体レーザ素子１４の両端へき開面上にはそれぞれ反
射膜が形成されており、該両へき開面からそれぞれレー
ザ光が出力される。半導体レーザ素子１４はその出射面
がリード１の端面５の近傍に位置するように、受光素子
９の表面電極１０上に銀ペーストまたは半田等を介して
固着されている。そして、前記リード１の端子部４は例
えば半導体レーザ素子１４のレーザ光出射方向と逆方向
に延びており、また該リード１と離間して対向する位置
に端子部４と平行に銅、アルミニウム、または鉄等の金
属材料からなる別のリード７、８が設けられている。
【００１４】金属細線１６、１７、１８はそれぞれ表面
電極１０とリード１との間、半導体レーザ素子１４の表
面と他のリード７との間、表面電極１１と他のリード８
の間を結ぶように配線されている。透光性樹脂１９は例
えばエポキシ樹脂からなり、半導体レーザ素子１４の後
面近傍から受光素子９の受光面１３を一体に覆うように
形成されている。この様に透光性樹脂１９で覆うことに
より、半導体レーザ素子１４の後面からの出射光が透光
性樹脂１９と大気との界面で反射され、受光面１３に確
実に入射するので、受光素子９の受光量が増え、感度が
向上する。
電極１０とリード１との間、半導体レーザ素子１４の表
面と他のリード７との間、表面電極１１と他のリード８
の間を結ぶように配線されている。透光性樹脂１９は例
えばエポキシ樹脂からなり、半導体レーザ素子１４の後
面近傍から受光素子９の受光面１３を一体に覆うように
形成されている。この様に透光性樹脂１９で覆うことに
より、半導体レーザ素子１４の後面からの出射光が透光
性樹脂１９と大気との界面で反射され、受光面１３に確
実に入射するので、受光素子９の受光量が増え、感度が
向上する。
【００１５】絶縁枠５０は例えばポリカーボネート樹脂
またはエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１４
の出射面を露出するように平面略コ字状に、かつリード
１の凹部６に隣接した両端部の表面と裏面、及び他のリ
ード７、８の各表面と裏面を挟み、且つ前記リード１の
凹部６の下面が露出すると共に該絶縁枠５０の下面が該
凹部６の下面と同一面または該凹部６の下面より上方に
位置するように例えば射出成形法によって形成されてい
る。
またはエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１４
の出射面を露出するように平面略コ字状に、かつリード
１の凹部６に隣接した両端部の表面と裏面、及び他のリ
ード７、８の各表面と裏面を挟み、且つ前記リード１の
凹部６の下面が露出すると共に該絶縁枠５０の下面が該
凹部６の下面と同一面または該凹部６の下面より上方に
位置するように例えば射出成形法によって形成されてい
る。
【００１６】斯る構造の半導体レーザ装置は、各リード
１、７、８が絶縁枠５０にて挟持されるので、機械的強
度に優れ、且つ半導体レーザ素子１４の下側にあるリー
ド１の凹部６の下面を露出させているので、放熱が十分
に行われ、更にこの下面と別の放熱用板等と熱伝導的に
結合させ易く、より十分な放熱が行える。
１、７、８が絶縁枠５０にて挟持されるので、機械的強
度に優れ、且つ半導体レーザ素子１４の下側にあるリー
ド１の凹部６の下面を露出させているので、放熱が十分
に行われ、更にこの下面と別の放熱用板等と熱伝導的に
結合させ易く、より十分な放熱が行える。
【００１７】尚、上述では、半導体レーザ素子１４をヒ
ートシンクを兼ねた受光素子９上にに設置したが、半導
体レーザ素子１４を受光素子の前方にヒートシンクを介
してリード１上の凹部６に設置した構造でもよい。
ートシンクを兼ねた受光素子９上にに設置したが、半導
体レーザ素子１４を受光素子の前方にヒートシンクを介
してリード１上の凹部６に設置した構造でもよい。
【００１８】また、上述ではリード１の凹部６の両端部
が絶縁枠５０より露出してなる所謂フインを有する構造
であるが、この露出した部分を取り除いた構造であって
もよい。
が絶縁枠５０より露出してなる所謂フインを有する構造
であるが、この露出した部分を取り除いた構造であって
もよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置は、各リード
を絶縁枠にて挟持すると共に半導体レーザ素子の下側に
あるリードの凹部下面を露出させるので、十分な機械的
強度と十分な放熱効果が得られる。
を絶縁枠にて挟持すると共に半導体レーザ素子の下側に
あるリードの凹部下面を露出させるので、十分な機械的
強度と十分な放熱効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の上
面図である。
面図である。
【図２】上記図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】上記図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】上記図１の半導体レーザ装置に用いられている
リードの上面図である。
リードの上面図である。
【図５】上記図４のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】従来例の半導体レーザ装置の上面図である。
【図７】上記図５のＡ−Ａ断面図である。
１ リード ６ 凹部 ９ 受光素子 ７ リード ８ リード １４ 半導体レーザ素子 ５０ 絶縁枠
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 靖之 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 吉年 慶一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 山口 隆夫 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 米山 裕文 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥 取三洋電機株式会社内 (72)発明者 野一色 慶夫 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥 取三洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−125688（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−145186（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−280487（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129731（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−145186（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−84359（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 前端部に凹部を持つと共に後端部に端子
部を持つ第１リードと、該第１リードの凹部の底面上に
載置された受光素子と、その受光素子に近接して前記凹
部上に配置されかつ前方に出射面を有する半導体レーザ
素子と、前記第１リードと離間しかつ該第１リードの端
子部と平行に配置された第２、第３リードと、前記半導
体レーザ素子の出射面と前記凹部下面を露出し且つ前記
各リードを挟持するように形成された絶縁枠とを具備し
たことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22714492A JP3101434B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22714492A JP3101434B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677604A JPH0677604A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3101434B2 true JP3101434B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=16856182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22714492A Expired - Fee Related JP3101434B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101434B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146815A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| JP4403696B2 (ja) | 2002-12-12 | 2010-01-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 光走査装置 |
| JP4713250B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| KR101859149B1 (ko) | 2011-04-14 | 2018-05-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR101103674B1 (ko) | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22714492A patent/JP3101434B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677604A (ja) | 1994-03-18 |
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