JP2816629B2 - 抵抗内蔵型発光装置 - Google Patents
抵抗内蔵型発光装置Info
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ部品型ＬＥＤ等
の抵抗内蔵型発光装置に関し、例えば、携帯用音響製
品、ＶＴＲカメラ、電話機、テレビジヨン受像機等の各
種携帯機器、民生機器、あるいは産業機器等の操作パネ
ルの照明用等に用いられる抵抗内蔵型発光装置に係る。
の抵抗内蔵型発光装置に関し、例えば、携帯用音響製
品、ＶＴＲカメラ、電話機、テレビジヨン受像機等の各
種携帯機器、民生機器、あるいは産業機器等の操作パネ
ルの照明用等に用いられる抵抗内蔵型発光装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来の抵抗内蔵型発光装置は、図４
（Ａ）〜（Ｃ）の如く、ガラスエポキシ製基板１上の同
一電極パターン２上に、発光素子としてのＬＥＤチップ
３と、厚膜印刷抵抗４とが接続されている。
（Ａ）〜（Ｃ）の如く、ガラスエポキシ製基板１上の同
一電極パターン２上に、発光素子としてのＬＥＤチップ
３と、厚膜印刷抵抗４とが接続されている。
【０００３】この場合、ＬＥＤチップ３を点灯させた場
合に、電流による印刷抵抗４の発熱により、ＬＥＤチッ
プ３の寿命を低下させるおそれが有る。したがって、絶
対最大定格はＬＥＤチップ３の順電流ＩＦの２５ｍＡに
対し、抵抗４の電流ＩＦは２０ｍＡと、抵抗４の電流値
を下げている。また、実際に使用する場合、順電流ＩＦ
＝５〜１０ｍＡが事実上の上限である。
合に、電流による印刷抵抗４の発熱により、ＬＥＤチッ
プ３の寿命を低下させるおそれが有る。したがって、絶
対最大定格はＬＥＤチップ３の順電流ＩＦの２５ｍＡに
対し、抵抗４の電流ＩＦは２０ｍＡと、抵抗４の電流値
を下げている。また、実際に使用する場合、順電流ＩＦ
＝５〜１０ｍＡが事実上の上限である。
【０００４】なお、図中、５はＬＥＤチップ３を保護す
る透光性封止樹脂である。
る透光性封止樹脂である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の抵抗内蔵型発光
装置は、下地となる基板１上に厚膜抵抗４を形成させた
もので、スペースは少なくて済むが、抵抗４とＬＥＤチ
ップ３が隣接しているので、抵抗４の発熱がＬＥＤチッ
プ３に悪影響を与える。このため、抵抗４として抵抗値
の大きなものを使用したり、あるいは電流値を増大して
使用することは困難である。
装置は、下地となる基板１上に厚膜抵抗４を形成させた
もので、スペースは少なくて済むが、抵抗４とＬＥＤチ
ップ３が隣接しているので、抵抗４の発熱がＬＥＤチッ
プ３に悪影響を与える。このため、抵抗４として抵抗値
の大きなものを使用したり、あるいは電流値を増大して
使用することは困難である。
【０００６】また、同一抵抗であれば一般に体積が小さ
いものの方が発熱量も大きい。したがって、その小型化
に制限があった。
いものの方が発熱量も大きい。したがって、その小型化
に制限があった。
【０００７】本発明は、上記課題に鑑み、装置を小型化
しながらも、熱による素子の劣化を防ぎ得、かつ低コス
ト化できる抵抗内蔵型発光装置の提供を目的とする。
しながらも、熱による素子の劣化を防ぎ得、かつ低コス
ト化できる抵抗内蔵型発光装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、図１（Ａ）〜（Ｆ）の如く、発光素子１２と、該
発光素子１２の駆動電流制限用抵抗１３とを備えた表面
実装用の抵抗内蔵型発光装置において、パツケージ１１
の上面に発光側凹部１５が形成され、パツケージ１１の
下面に抵抗側凹部１６が形成され、前記発光側凹部１５
に薄膜状の発光側配線部１７が立体的に形成され、該発
光側配線部１７に前記発光素子１２が搭載され、前記抵
抗側凹部１６からパツケージ１１の側面１８ｂにかけて
薄膜状の抵抗側配線部１８が立体的に形成され、該抵抗
側凹部１６内の抵抗側配線部１８に前記抵抗１３が搭載
され、前記発光側凹部１５と抵抗側凹部１６との間に、
前記発光素子１２と抵抗１３とを直列に接続するための
接続配線部３２が形成され、該接続配線部３２は、発光
側凹部１５と抵抗側凹部１６との間に貫通された貫通孔
３１に形成され、前記発光側凹部１５に、前記発光素子
１２からの光を反射して外部に放射するための傾斜壁面
が形成されたものである。
段は、図１（Ａ）〜（Ｆ）の如く、発光素子１２と、該
発光素子１２の駆動電流制限用抵抗１３とを備えた表面
実装用の抵抗内蔵型発光装置において、パツケージ１１
の上面に発光側凹部１５が形成され、パツケージ１１の
下面に抵抗側凹部１６が形成され、前記発光側凹部１５
に薄膜状の発光側配線部１７が立体的に形成され、該発
光側配線部１７に前記発光素子１２が搭載され、前記抵
抗側凹部１６からパツケージ１１の側面１８ｂにかけて
薄膜状の抵抗側配線部１８が立体的に形成され、該抵抗
側凹部１６内の抵抗側配線部１８に前記抵抗１３が搭載
され、前記発光側凹部１５と抵抗側凹部１６との間に、
前記発光素子１２と抵抗１３とを直列に接続するための
接続配線部３２が形成され、該接続配線部３２は、発光
側凹部１５と抵抗側凹部１６との間に貫通された貫通孔
３１に形成され、前記発光側凹部１５に、前記発光素子
１２からの光を反射して外部に放射するための傾斜壁面
が形成されたものである。
【０００９】そして、接続配線部３２と発光側配線部１
７とは、電気的絶縁を確保するよう互いに非連続とさ
れ、発光素子１２のアノード側が発光側配線部１７に接
続され、カソード側が金属細線３３を介して前記接続配
線部３２に接続されたものである。さらに、抵抗１３
は、温度が上がると抵抗値が上がるサーミスタからなる
ものである。
７とは、電気的絶縁を確保するよう互いに非連続とさ
れ、発光素子１２のアノード側が発光側配線部１７に接
続され、カソード側が金属細線３３を介して前記接続配
線部３２に接続されたものである。さらに、抵抗１３
は、温度が上がると抵抗値が上がるサーミスタからなる
ものである。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、パツケージ１１に薄膜状の
配線部１７，１８，３２を形成して、これに発光素子１
２および抵抗１３を搭載接続することで、表面実装用の
抵抗内蔵型発光装置の各部品を可能な限り一体化する。
そうすると、構造の簡略化、小型薄型化、低コスト化が
可能となる。また、抵抗側配線部１８は、抵抗側凹部１
６からパツケージ１１の側面１８ｂにかけて立体的に形
成されているので、抵抗１３の放熱面積が大となる。さ
らに、発光側凹部１５に傾斜壁面が形成されているの
で、発光素子１２からの光は傾斜壁面で反射して外部に
放射する。
配線部１７，１８，３２を形成して、これに発光素子１
２および抵抗１３を搭載接続することで、表面実装用の
抵抗内蔵型発光装置の各部品を可能な限り一体化する。
そうすると、構造の簡略化、小型薄型化、低コスト化が
可能となる。また、抵抗側配線部１８は、抵抗側凹部１
６からパツケージ１１の側面１８ｂにかけて立体的に形
成されているので、抵抗１３の放熱面積が大となる。さ
らに、発光側凹部１５に傾斜壁面が形成されているの
で、発光素子１２からの光は傾斜壁面で反射して外部に
放射する。
【００１１】また、発光素子１２の点灯時に、抵抗１３
が発熱しても、接続配線部３２と発光側配線部１７とを
非連続とし、接続配線部３２との間に金属細線３３を介
在させているので、発光素子１２に熱が伝わることがな
くなる。さらに、抵抗１３として温度が上がると抵抗値
が上がるサーミスタを用いれば、高温下でも発光素子１
２に流れる電流を制限できる。
が発熱しても、接続配線部３２と発光側配線部１７とを
非連続とし、接続配線部３２との間に金属細線３３を介
在させているので、発光素子１２に熱が伝わることがな
くなる。さらに、抵抗１３として温度が上がると抵抗値
が上がるサーミスタを用いれば、高温下でも発光素子１
２に流れる電流を制限できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す抵抗内蔵型発
光装置であつて、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ
−Ａ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、（Ｄ）は
正面図、（Ｅ）は左側面図、（Ｆ）は右側面図である。
図２は抵抗内蔵型発光装置の内部回路構成図である。な
お、図１（Ａ）中、発光側凹部内の透光性封止樹脂は、
便宜上省略している。
光装置であつて、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ
−Ａ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、（Ｄ）は
正面図、（Ｅ）は左側面図、（Ｆ）は右側面図である。
図２は抵抗内蔵型発光装置の内部回路構成図である。な
お、図１（Ａ）中、発光側凹部内の透光性封止樹脂は、
便宜上省略している。
【００１３】図示の如く、本実施例の抵抗内蔵型発光装
置は、例えば、携帯用音響製品、ＶＴＲカメラ、電話
機、テレビジヨン受像機等の各種携帯機器、民生機器、
あるいは産業機器等の操作パネルの照明用等に使用され
る。
置は、例えば、携帯用音響製品、ＶＴＲカメラ、電話
機、テレビジヨン受像機等の各種携帯機器、民生機器、
あるいは産業機器等の操作パネルの照明用等に使用され
る。
【００１４】該抵抗内蔵型発光装置は、図１，２の如
く、パツケージ１１と、発光素子としてのＬＥＤチップ
１２と、該ＬＥＤチップ１２の駆動電流制限用抵抗１３
とを備えている。
く、パツケージ１１と、発光素子としてのＬＥＤチップ
１２と、該ＬＥＤチップ１２の駆動電流制限用抵抗１３
とを備えている。
【００１５】前記パツケージ１１としては、図１（Ａ）
〜（Ｆ）の如く、リードフレームを用いずに、小型、薄
型の一体化した部品を得るためのＭｏｌｄｅｄ Ｉｎｔ
ｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ法（以下、Ｍ
ＩＤ法と称す）を用いたものである。ここで、ＭＩＤ法
とは、射出成形または押出し成形によつて得られた成形
品に化学めつき等の方法で電気回路を形成したものであ
る。
〜（Ｆ）の如く、リードフレームを用いずに、小型、薄
型の一体化した部品を得るためのＭｏｌｄｅｄ Ｉｎｔ
ｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ法（以下、Ｍ
ＩＤ法と称す）を用いたものである。ここで、ＭＩＤ法
とは、射出成形または押出し成形によつて得られた成形
品に化学めつき等の方法で電気回路を形成したものであ
る。
【００１６】すなわち、該パツケージ１１は、耐熱性の
ある液晶ポリマー、ポリフエニレンサルフアイド（ＰＰ
Ｓ）、あるいはポリエーテルスルフオン（ＰＥＳ）等の
電気的絶縁性を有する遮光性樹脂が使用され、一枚の有
機樹脂基板に数百個のデバイスが規則正しく配列される
よう金型成形され、後に図１（Ａ）〜（Ｆ）のような個
別のデバイスにダイシング分割される。該パツケージ１
１の上面には、前記ＬＥＤチップ１２を収納するための
発光側凹部１５が形成され、パツケージ１１の下面に
は、前記抵抗１３を収納するための抵抗側凹部１６が形
成されている。ここで、両凹部１５，１６を上下に離反
させているのは、抵抗１３で発生した熱がＬＥＤチップ
１２に伝導するのを防止するためである。
ある液晶ポリマー、ポリフエニレンサルフアイド（ＰＰ
Ｓ）、あるいはポリエーテルスルフオン（ＰＥＳ）等の
電気的絶縁性を有する遮光性樹脂が使用され、一枚の有
機樹脂基板に数百個のデバイスが規則正しく配列される
よう金型成形され、後に図１（Ａ）〜（Ｆ）のような個
別のデバイスにダイシング分割される。該パツケージ１
１の上面には、前記ＬＥＤチップ１２を収納するための
発光側凹部１５が形成され、パツケージ１１の下面に
は、前記抵抗１３を収納するための抵抗側凹部１６が形
成されている。ここで、両凹部１５，１６を上下に離反
させているのは、抵抗１３で発生した熱がＬＥＤチップ
１２に伝導するのを防止するためである。
【００１７】前記発光側凹部１５には、めつきにて発光
側配線部１７が形成されている。該発光側配線部１７
は、図１（Ａ）（Ｃ）の如く、発光側凹部１５の底部の
一部からパツケージ１１のロ字型の上面１７ａ、さらに
図１（Ｄ）（Ｅ）のようにパツケージ１１の一側面１７
ｂを介して、下面の外部接続電極１７ｃにまで立体的に
引きまわしされている。該発光側配線部１７には、前記
ＬＥＤチップ１２が上向きに搭載される。なお、該発光
側配線部１７は、ＬＥＤチップ１２を搭載するためのみ
ならず、ＬＥＤチップ１２からの照射光を凹部１５の傾
斜壁面で反射させることにより光指向特性を高める機能
を有する。
側配線部１７が形成されている。該発光側配線部１７
は、図１（Ａ）（Ｃ）の如く、発光側凹部１５の底部の
一部からパツケージ１１のロ字型の上面１７ａ、さらに
図１（Ｄ）（Ｅ）のようにパツケージ１１の一側面１７
ｂを介して、下面の外部接続電極１７ｃにまで立体的に
引きまわしされている。該発光側配線部１７には、前記
ＬＥＤチップ１２が上向きに搭載される。なお、該発光
側配線部１７は、ＬＥＤチップ１２を搭載するためのみ
ならず、ＬＥＤチップ１２からの照射光を凹部１５の傾
斜壁面で反射させることにより光指向特性を高める機能
を有する。
【００１８】前記抵抗側凹部１６には、図１（Ｃ）の如
く、めつきにて抵抗側配線部１８が前記発光側配線部１
７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃに対して非連続に形成され
ている。該抵抗側配線部１８は、抵抗側凹部１６の底部
からパツケージ１１の下面の外部接続電極１８ａにまで
立体的に引きまわしされ、さらに、放熱性を向上するよ
う、パツケージ１１の一側面１８ｂに延設されて大面積
とされている。
く、めつきにて抵抗側配線部１８が前記発光側配線部１
７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃに対して非連続に形成され
ている。該抵抗側配線部１８は、抵抗側凹部１６の底部
からパツケージ１１の下面の外部接続電極１８ａにまで
立体的に引きまわしされ、さらに、放熱性を向上するよ
う、パツケージ１１の一側面１８ｂに延設されて大面積
とされている。
【００１９】そして、発光側凹部１５の底部と抵抗側凹
部１６の底部との間に貫通孔３１（スルーホール）が貫
通形成され、該貫通孔３１の内壁およびその上下両開口
部周囲には、前記ＬＥＤチップ１２と抵抗１３とを直列
に接続するための接続配線部３２がめつき形成されてい
る。該接続配線部３２は、抵抗１３で発生した熱が伝わ
るため、この熱を発光素子１２に伝導させないよう、か
つ電気的絶縁性を保つため、前記発光側配線部１７に対
して非連続とされ、かつＬＥＤチップ１２への接続は金
属細線３３（ボンデイングワイヤ）を介して行われる。
部１６の底部との間に貫通孔３１（スルーホール）が貫
通形成され、該貫通孔３１の内壁およびその上下両開口
部周囲には、前記ＬＥＤチップ１２と抵抗１３とを直列
に接続するための接続配線部３２がめつき形成されてい
る。該接続配線部３２は、抵抗１３で発生した熱が伝わ
るため、この熱を発光素子１２に伝導させないよう、か
つ電気的絶縁性を保つため、前記発光側配線部１７に対
して非連続とされ、かつＬＥＤチップ１２への接続は金
属細線３３（ボンデイングワイヤ）を介して行われる。
【００２０】前記ＬＥＤチップ１２は、可視光発光ダイ
オードが用いられ、図２の如く、カソード端子が金属細
線３３および接続配線部３２を介して抵抗１３に直列接
続され、裏面のアノード端子が発光側配線部１７にダイ
ボンド接続される。該ＬＥＤチップ１２は、発光側凹部
１５内に搭載後、透光性封止樹脂２８にて封止される。
オードが用いられ、図２の如く、カソード端子が金属細
線３３および接続配線部３２を介して抵抗１３に直列接
続され、裏面のアノード端子が発光側配線部１７にダイ
ボンド接続される。該ＬＥＤチップ１２は、発光側凹部
１５内に搭載後、透光性封止樹脂２８にて封止される。
【００２１】前記抵抗１３は、一般に、同一抵抗値のも
のであれば体積の大きい方が発熱量は少なくて済むた
め、抵抗側凹部１６内に収納できる限度において大型の
ものを使用し、その発熱量を抑える。該抵抗１３は、前
記抵抗側配線部１８および接続配線部３２に導電性ペー
スト３４ａ，３４ｂを介して接続される。なお、接続配
線部３２に接続される導電性ペースト３４ｂは、貫通孔
３１内に充填された透光性封止樹脂２８の下面開口部か
らの洩れを防止する。
のであれば体積の大きい方が発熱量は少なくて済むた
め、抵抗側凹部１６内に収納できる限度において大型の
ものを使用し、その発熱量を抑える。該抵抗１３は、前
記抵抗側配線部１８および接続配線部３２に導電性ペー
スト３４ａ，３４ｂを介して接続される。なお、接続配
線部３２に接続される導電性ペースト３４ｂは、貫通孔
３１内に充填された透光性封止樹脂２８の下面開口部か
らの洩れを防止する。
【００２２】なお、図１（Ｃ）中、３５はＬＥＤチップ
１２をダイボンドするための導電性ペーストである。
１２をダイボンドするための導電性ペーストである。
【００２３】上記抵抗内蔵型発光装置は、以下のように
製造される。
製造される。
【００２４】まず、多数のめつきグレードのパツケージ
１１を、複数デバイス分並置して一体的に射出成形す
る。この際、各デバイス領域の上面に発光側凹部１５を
下面に抵抗側凹部１６を形成するとともに、両凹部１
５，１６の間に貫通孔３１を形成しておく。そして、図
１（Ａ）〜（Ｆ）の如く、各凹部１５，１６および貫通
孔３１に金または銀めつき処理を行い配線部１７，１
８，３２を形成する。
１１を、複数デバイス分並置して一体的に射出成形す
る。この際、各デバイス領域の上面に発光側凹部１５を
下面に抵抗側凹部１６を形成するとともに、両凹部１
５，１６の間に貫通孔３１を形成しておく。そして、図
１（Ａ）〜（Ｆ）の如く、各凹部１５，１６および貫通
孔３１に金または銀めつき処理を行い配線部１７，１
８，３２を形成する。
【００２５】次に、導電性ペースト３５を用いてＬＥＤ
チップ１２を発光側配線部１７に搭載し、また、導電性
ペースト３４ａ，３４ｂを用いて抵抗１３を抵抗側配線
部１８および接続配線部３２に搭載する。そして、金属
細線３３を用いてＬＥＤチップ１２と接続配線部３２と
をボンデイング結線する。
チップ１２を発光側配線部１７に搭載し、また、導電性
ペースト３４ａ，３４ｂを用いて抵抗１３を抵抗側配線
部１８および接続配線部３２に搭載する。そして、金属
細線３３を用いてＬＥＤチップ１２と接続配線部３２と
をボンデイング結線する。
【００２６】その後、発光側凹部１５を透光性封止樹脂
２８で封止する。この際、貫通孔３１の下面開口部は導
電性ペースト３４ｂで塞がれているため、透光性封止樹
脂２８が下方へ洩れ出すことはない。
２８で封止する。この際、貫通孔３１の下面開口部は導
電性ペースト３４ｂで塞がれているため、透光性封止樹
脂２８が下方へ洩れ出すことはない。
【００２７】しかる後、ダイシングソーで切断してチツ
プ化し、図１（Ａ）〜（Ｆ）に示す抵抗内蔵型発光装置
を完成させる。
プ化し、図１（Ａ）〜（Ｆ）に示す抵抗内蔵型発光装置
を完成させる。
【００２８】また、表面実装時には、図１（Ｄ）および
図２に示す外部接続電極１７ｃ，１８ａに半田付け等を
施して外部接続する。
図２に示す外部接続電極１７ｃ，１８ａに半田付け等を
施して外部接続する。
【００２９】そうすると、メタルリードフレームを用い
ないで、絶縁物としてのパツケージ１１に薄膜状の配線
部１７，１８を形成しているため、ＭＩＤ法の利点、す
なわち、各部品を可能な限り一体化して構造を簡単にで
き、形状を小さくすることが可能であり、コスト低減が
容易であり、また表面実装用部品として使用できる。
ないで、絶縁物としてのパツケージ１１に薄膜状の配線
部１７，１８を形成しているため、ＭＩＤ法の利点、す
なわち、各部品を可能な限り一体化して構造を簡単にで
き、形状を小さくすることが可能であり、コスト低減が
容易であり、また表面実装用部品として使用できる。
【００３０】また、リードフレームとパツケージのモー
ルド樹脂との間の熱膨張係数の差による剥離等の問題も
なく、半田リフロー時の耐熱性の向上、および熱衝撃に
対しても品質の向上が図り得る。
ルド樹脂との間の熱膨張係数の差による剥離等の問題も
なく、半田リフロー時の耐熱性の向上、および熱衝撃に
対しても品質の向上が図り得る。
【００３１】さらに、従来のようにリードピンを外部に
突出させなくてもよいので、リードピンの外力による変
形を防止し得る。
突出させなくてもよいので、リードピンの外力による変
形を防止し得る。
【００３２】また、ＬＥＤチップ１２の点灯時には、抵
抗１３が発熱する。そして、ここからの熱がＬＥＤチッ
プ１２に伝導すると、素子劣化の原因となる。
抗１３が発熱する。そして、ここからの熱がＬＥＤチッ
プ１２に伝導すると、素子劣化の原因となる。
【００３３】しかし、抵抗１３は抵抗側凹部１６に収納
される限度内で可能な限り大容量としているので、その
発熱量はさほど大きくならない。
される限度内で可能な限り大容量としているので、その
発熱量はさほど大きくならない。
【００３４】そして、抵抗側配線部１８をパツケージ１
１の一側面まで延設して大面積としていることから、放
熱性が良好となる。もちろん、貫通孔３１の接続配線部
３２も、抵抗１３の放熱に寄与する。したがって、パツ
ケージ１１に熱がこもるのを防止できる。
１の一側面まで延設して大面積としていることから、放
熱性が良好となる。もちろん、貫通孔３１の接続配線部
３２も、抵抗１３の放熱に寄与する。したがって、パツ
ケージ１１に熱がこもるのを防止できる。
【００３５】しかも、接続配線部３２を発光側配線部１
７に非連続とし、ＬＥＤチップ１２との接続を金属細線
３３にて行っているので、抵抗１３からの熱が接続配線
部３２を通じてＬＥＤチップ１２に伝導するのを防止で
きる。
７に非連続とし、ＬＥＤチップ１２との接続を金属細線
３３にて行っているので、抵抗１３からの熱が接続配線
部３２を通じてＬＥＤチップ１２に伝導するのを防止で
きる。
【００３６】これらのことから、ＬＥＤチップ１２の寿
命延長に資する。
命延長に資する。
【００３７】また、一般に、図３の如く、ＬＥＤチップ
１２は周囲温度が一定以上高くなると、順電流を低減す
る必要があるが、本実施例により、熱伝導の防止と外部
への放熱性が向上し、比較的高い電流値で動作できるの
で、高い発光強度を得ることができる。
１２は周囲温度が一定以上高くなると、順電流を低減す
る必要があるが、本実施例により、熱伝導の防止と外部
への放熱性が向上し、比較的高い電流値で動作できるの
で、高い発光強度を得ることができる。
【００３８】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００３９】例えば、上記実施例では、各配線部１７，
１８をめつき法にて形成していたが、金属蒸着等の他の
方法で形成してもよい。
１８をめつき法にて形成していたが、金属蒸着等の他の
方法で形成してもよい。
【００４０】また、ＬＥＤチップ１２、抵抗１３とも、
複数個使用してもよい。
複数個使用してもよい。
【００４１】さらに、通常、ＬＥＤチップ１２は、図３
の如く、温度が上がると絶対最大電流値を下げて使用す
る必要があるが、高温での使用を前提とすると、電流値
を下げて設定することとなり、この場合、常温で使用す
ると暗くなるが、抵抗１３として、温度が上がると抵抗
値が上がるサーミスタを用いて、高温下でのＬＥＤ使用
での電流制限を行うことも有効である。例えば、２５°
Ｃ前後で３０ｍＡ、６０°Ｃで約１５ｍＡとなるサーミ
スタを用いれば、常温から高温まで最大効率の電流設定
が可能となる。
の如く、温度が上がると絶対最大電流値を下げて使用す
る必要があるが、高温での使用を前提とすると、電流値
を下げて設定することとなり、この場合、常温で使用す
ると暗くなるが、抵抗１３として、温度が上がると抵抗
値が上がるサーミスタを用いて、高温下でのＬＥＤ使用
での電流制限を行うことも有効である。例えば、２５°
Ｃ前後で３０ｍＡ、６０°Ｃで約１５ｍＡとなるサーミ
スタを用いれば、常温から高温まで最大効率の電流設定
が可能となる。
【００４２】さらにまた、導電性ペースト３４ａ，３４
ｂ，３５として、高融点半田ペーストを用いてもよい。
ｂ，３５として、高融点半田ペーストを用いてもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、ＭＩＤ法を用いてパツケージを形成しているの
で、発光素子および抵抗を簡単な構造で一部品に組み込
むことが可能となり、小型のチップ部品として小型化で
きる。しかも抵抗を内蔵しているので、基板に実装する
際、小スペースで行える。したがつて、超高密度実装基
板への実装が可能となり、近年の各種携帯用機器の小型
化の要請に対応できる。また、抵抗側配線部は、抵抗側
凹部からパツケージの側面にかけて立体的に形成されて
いるので、抵抗の放熱面積が大となり、放熱性が向上す
る。さらに、発光側凹部に傾斜壁面が形成されているの
で、発光素子からの光を傾斜壁面で反射させることによ
り、光指向特性を高めることができる。
よると、ＭＩＤ法を用いてパツケージを形成しているの
で、発光素子および抵抗を簡単な構造で一部品に組み込
むことが可能となり、小型のチップ部品として小型化で
きる。しかも抵抗を内蔵しているので、基板に実装する
際、小スペースで行える。したがつて、超高密度実装基
板への実装が可能となり、近年の各種携帯用機器の小型
化の要請に対応できる。また、抵抗側配線部は、抵抗側
凹部からパツケージの側面にかけて立体的に形成されて
いるので、抵抗の放熱面積が大となり、放熱性が向上す
る。さらに、発光側凹部に傾斜壁面が形成されているの
で、発光素子からの光を傾斜壁面で反射させることによ
り、光指向特性を高めることができる。
【００４４】また、接続配線部と発光側配線部とを非連
続とし、発光素子と接続配線部との間に金属細線を介在
させているので、抵抗の発熱が直接発光素子に伝導する
のを防止できる。そうすると、発光素子について、低温
駆動により比較的高い電流値で動作できるので、高い発
光強度を得ることができるとともに、発光素子の耐久性
を向上できるといつた優れた効果がある。さらに、抵抗
として正特性のサーミスタを用いれば、高温下でも発光
素子に流れる電流を制限でき、常温から高温まで最大効
率の電流設定が可能となる。
続とし、発光素子と接続配線部との間に金属細線を介在
させているので、抵抗の発熱が直接発光素子に伝導する
のを防止できる。そうすると、発光素子について、低温
駆動により比較的高い電流値で動作できるので、高い発
光強度を得ることができるとともに、発光素子の耐久性
を向上できるといつた優れた効果がある。さらに、抵抗
として正特性のサーミスタを用いれば、高温下でも発光
素子に流れる電流を制限でき、常温から高温まで最大効
率の電流設定が可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す抵抗内蔵型発光装置で
あつて、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面
図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、（Ｄ）は正面図、
（Ｅ）は左側面図、（Ｆ）は右側面図
あつて、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面
図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、（Ｄ）は正面図、
（Ｅ）は左側面図、（Ｆ）は右側面図
【図２】抵抗内蔵型発光装置の内部回路構成図
【図３】周囲温度と発光素子の順電流との関係を示す図
【図４】従来の抵抗内蔵型発光装置であつて、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図
平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は底面図
１１ パツケージ １２ 発光素子 １３ 抵抗 １５ 発光側凹部 １６ 抵抗側凹部 １７ 発光側配線部 １８ 抵抗側配線部 ３１ 貫通孔 ３２ 接続配線部 ３３ 金属細線
Claims (3)
- 【請求項１】 発光素子と、該発光素子の駆動電流制限
用抵抗とを備えた表面実装用の抵抗内蔵型発光装置にお
いて、パツケージの上面に発光側凹部が形成され、パツ
ケージの下面に抵抗側凹部が形成され、前記発光側凹部
に薄膜状の発光側配線部が立体的に形成され、該発光側
配線部に前記発光素子が搭載され、前記抵抗側凹部から
パツケージの側面にかけて薄膜状の抵抗側配線部が立体
的に形成され、該抵抗側凹部内の抵抗側配線部に前記抵
抗が搭載され、前記発光側凹部と抵抗側凹部との間に、
前記発光素子と抵抗とを直列に接続するための接続配線
部が形成され、該接続配線部は、発光側凹部と抵抗側凹
部との間に貫通された貫通孔に形成され、前記発光側凹
部に、前記発光素子からの光を反射して外部に放射する
ための傾斜壁面が形成されたことを特徴とする抵抗内蔵
型発光装置。 - 【請求項２】 接続配線部と発光側配線部とは、電気的
絶縁を確保するよう互いに非連続とされ、発光素子のア
ノード側が発光側配線部に接続され、カソード側が金属
細線を介して前記接続配線部に接続されたことを特徴と
する請求項１記載の抵抗内蔵型発光装置。 - 【請求項３】 抵抗は温度が上がると抵抗値が上がるサ
ーミスタからなることを特徴とする請求項１または２記
載の抵抗内蔵型発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153269A JP2816629B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 抵抗内蔵型発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153269A JP2816629B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 抵抗内蔵型発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347434A JPH05347434A (ja) | 1993-12-27 |
| JP2816629B2 true JP2816629B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=15558772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153269A Expired - Fee Related JP2816629B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 抵抗内蔵型発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816629B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2210287A4 (en) * | 2008-09-26 | 2015-09-02 | Lg Innotek Co Ltd | LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19615839A1 (de) * | 1996-04-20 | 1997-10-23 | Abb Patent Gmbh | SMD-Leuchtdiode |
| US6709944B1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-03-23 | General Electric Company | Techniques for fabricating a resistor on a flexible base material |
| EP2013531B1 (en) * | 2006-04-19 | 2015-04-08 | Underwater Kinetics, LLP | Methods and devices that employ thermal control of current to electrical components |
| JP2009206422A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nichicon Corp | 表面実装型ｌｅｄパッケージ |
| JP2009277705A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Koa Corp | パッケージ発光部品およびその製造法 |
| WO2010021367A1 (ja) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
| DE102009023854B4 (de) * | 2009-06-04 | 2023-11-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| JP6736260B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2020-08-05 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513038B2 (ja) * | 1972-08-17 | 1980-04-05 | ||
| JPS6278890A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Ricoh Co Ltd | ドツトアレイデバイス |
| JPS6441155U (ja) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | ||
| JPH07120819B2 (ja) * | 1988-04-21 | 1995-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 発光ダイオード |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP4153269A patent/JP2816629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2210287A4 (en) * | 2008-09-26 | 2015-09-02 | Lg Innotek Co Ltd | LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05347434A (ja) | 1993-12-27 |
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