JP2002094170A

JP2002094170A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2002094170A
Application number: JP2000277457A
Authority: JP
Inventors: Tadaaki Ishikawa; 忠明石川; Makoto Shimaoka; 誠嶋岡; Ryuta Takahashi; 龍太高橋
Original assignee: Hitachi Cable Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 2000-09-13
Filing date: 2000-09-13
Publication date: 2002-03-29

Abstract

(57)【要約】【課題】リードとダイパッドを持つ樹脂のケースと金
属の蓋という構成の光通信用の光モジュールのパッケー
ジにおいて、同一ケース内でICなど発熱が大きい素子
と、LDなど温度特性が敏感な光素子の混在を可能にす
る。【解決手段】樹脂ケース１内に、発信用LD８ａを載せ
た光導波路基板５が実装された第１のダイパッド３ａ
と、半導体素子９が実装され、前記第１のダイパッドと
切り離された第２のダイパッド３ｂを配置する。第１の
ダイパッド３ａには、ダイパッドへ伝わった熱を金属の
蓋４へ伝熱するための導通リード７が結合され、発信用
LD８ａで発生した熱は、ダイパッドから導通リード７、
蓋４へと伝熱し、主として蓋４から外気に放熱される。
第２のダイパッド３ｂからはリード１４がのびており、
このリード１４はモジュールが搭載される回路基板１２
上の配線に接続されていて、半導体素子９の熱を回路基
板１２上の配線から放熱する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信で利用され
る半導体レーザを内装した光通信用モジュールすなわち
光モジュールに係り、特に、半導体レーザを含む各種の
素子を同じ合成樹脂ケースに内装する構成の光モジュー
ルに関する。

【０００２】

【従来の技術】ポッティングやモールドによる合成樹脂
封止、あるいは合成樹脂製のケースを利用するリード付
き半導体デバイスにおいては、セラミックパッケージに
比べて、一般に合成樹脂（以下、樹脂という）の熱伝導
率が低いために放熱しにくく、内部の温度が高くなりや
すい。高温による樹脂内部の半導体素子の熱暴走を防ぐ
ためには、半導体素子からの熱を外部へ効率よく放熱す
る必要がある。半導体デバイスにおいて、ダイパッドと
リードを利用し放熱するものは、特開平７−２８３３５
２号公報に示されるように、ダイパッドから放熱用のリ
ードをパッケージ外へ延ばし、そこから放熱板を利用し
て外気へ放熱したり、リードから半導体デバイスが搭載
されている基板に伝熱して基板から放熱するものであっ
た。

【０００３】なお、半導体レーザは広い意味では半導体
素子に含まれるが、以下の説明では、「半導体素子」は
半導体レーザを含まない、狭い意味で用いてある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般の半導体素子で
は、素子ごとの動作温度上限にはそれほど大きな違いが
なく、温度変化による動作特性の変動が鈍いため、マル
チチップモジュールのように複数の半導体素子を一つの
樹脂利用のケースに実装する場合でも、大きなダイパッ
ド上に複数個の素子を実装し、ダイパッド、リードを介
して、全体を放熱するようにしても実用上、問題はなか
った。しかし、光通信用半導体レーザ送受信モジュール
（以下、光モジュールという）のように、アンプICなど
の発熱量の大きい半導体素子と半導体レーザ（以下、LD
という）が一緒に実装される場合などには問題が生じ
る。一般にLDは、自身が発熱体であるが、温度が高くな
るとレーザ発振のしきい値電流が高くなり、また発振周
波数が変化するなど、発振が不安定になりやすく、動作
温度上限は一般の半導体より低い。従って、LDはその温
度が上昇しないように効率良く放熱する必要がある。し
かし、従来技術で全体を放熱しようとした場合、発熱量
の大きい半導体素子の熱が共通のダイパッドを介してLD
に伝わり、LDの温度を上げてしまうという問題がある。
全体の温度上昇を抑えられるだけの放熱経路を確保する
ことは、動作温度上限のもっと高い半導体素子もLDの動
作温度にあわせて放熱することになるため、放熱フィン
あるいは冷却用ファン等を使用する場合でも過剰な能力
が必要となり、コストの上昇や実装スペースの拡大など
の点で問題となる。以上の理由から、樹脂ケースへLDと
発熱量の大きい半導体素子を一緒に実装することは困難
であった。

【０００５】本発明の課題は、LDと発熱量の大きい半導
体素子を樹脂ケースへ一緒に実装することを可能にする
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記従来技術において
は、実装される素子がすべて共通のダイパッドに搭載さ
れるために、発熱量の大きい素子が発生する熱が、該共
通のダイパッドを介して他の素子に伝達される。発明者
等はこの点に着目し、発熱量の大きい素子とそれ以外の
素子、あるいは許容温度が低い素子とそれ以外の素子
を、それぞれ別々の互いに切り離されたダイパッドに搭
載し、ダイパッドごとに異なる放熱経路で放熱させるよ
うに樹脂ケースあるいは光モジュールを構成すること
で、上記課題を解決することができた。

【０００７】すなわち、上記課題を達成する本発明は、
ダイパッドに搭載された半導体レーザと、同じくダイパ
ッドに搭載された半導体素子とを、樹脂ケースに収納し
てなる光通信用の光モジュールにおいて、前記半導体レ
ーザは第１のダイパッドに搭載し、前記半導体素子は第
２のダイパッドに搭載し、該第１、第２のダイパッドを
互いに別体に形成して相互に接触しないように配置する
とともに、該第１、第２のダイパッドをそれぞれ異なる
放熱経路に接続することを特徴とする。

【０００８】前記半導体レーザは、光導波路が形成され
た光導波路基板に搭載され、該光導波路基板が第１のダ
イパッドに搭載されているものであってもよい。

【０００９】さらに、樹脂ケースに金属製の蓋を設け、
前記第１、第２のダイパッドのうちのいずれか一方を導
通リードを介して前記金属製の蓋に接続してこの金属製
の蓋を放熱経路としてもよい。

【００１０】上記課題を達成する本発明は、また、リー
ド及びダイパッドを備え、外部に向かって開放された空
間を有する形状に樹脂で形成された樹脂ケースと、半導
体レーザと該半導体レーザからの光を外部に導く光導波
路とを備えて前記空間内に配置され、かつ前記ダイパッ
ドに搭載された光導波路基板と、前記空間の外部への開
口部を覆う金属製の蓋と、を含んでなる光通信用の光モ
ジュールにおいて、前記ダイパッドを、前記光導波路基
板が搭載される第１のダイパッドと、該第１のダイパッ
ドと接触しないように配置されて半導体素子が搭載され
る第２のダイパッドに分けて構成し、前記第１、第２の
ダイパッドのうちのいずれか一方のみを導通リードを介
して前記金属製の蓋に接続し、他方のダイパッドは前記
金属製の蓋に接続しないことを特徴とする。

【００１１】前記第１のダイパッドを、リードにつなが
ったワイヤボンディングのためのボンディングパッド及
び前記第２のダイパッドより前記空間の底側に配置し、
且つ第１のダイパッドとつながっている前記導通リード
を、前記ボンディングパッドを持つリードより蓋側方向
に延在させるようにするのが望ましい。

【００１２】さらに、第１のダイパッドと第２のダイパ
ッドは、ボンディングワイヤを介して、ケース内で電気
的に接続しておくのがよい。

【００１３】本発明においては、樹脂ケース内にはLDを
載せた基板を実装するためのダイパッドである第１のダ
イパッドと、半導体素子を実装するための第２のダイパ
ッドがあり、ダイパッド同士はケース内で直接つながっ
てはいない。二つのダイパッドのうちの一方のダイパッ
ドには、LDあるいは半導体素子で発生し、ダイパッドへ
伝わった熱を金属の蓋へ伝熱するための導通リードが存
在し、熱は、ダイパッドから導通リードへ、導通リード
から金属製の蓋へと伝熱し、主として蓋から外気に放熱
される。二つのダイパッドのうちの他方のダイパッドか
らは、モジュール内外を電気的に導通するための端子で
あるリードの少なくとも一つがモジュール外へのびてお
り、このリードはモジュールが搭載される回路基板上の
配線に接続される。この他方のダイパッドに伝わった熱
は、ダイパッド、リード、回路基板へと順に伝わり、主
としてケース外部へ露出しているリード及び回路基板を
介して放熱される。このように二つのダイパッドがそれ
ぞれ別々に効率的な放熱経路を持っていること、また樹
脂ケース自体は、熱伝導率が比較的低いことにより、片
方のダイパッドの熱がもう一方のダイパッドには伝わり
にくく、LＤ及び半導体素子のそれぞれでの発熱の相互
への伝熱を低く押さえることができ、LDの発振安定性を
確保できる。

【００１４】また、LDを載せた基板がPLC（Planar Lig
htWave Circuit：光導波路）基板などの様に厚みが大
きい場合でも、第１のダイパッドをあらかじめ第２のダ
イパッドやボンディングパッドより低い位置（ケースの
底に近い位置）に形成し、ここに厚みのある基板を搭載
することで、LDや基板上面に形成されたボンディング用
電極の高さを、おおむねボンディングパッド高さにそろ
えることが可能となり、独立した放熱経路を保ったま
ま、ワイヤボンディングの配線長を短くし、生産性、電
気的特性の向上を図ることが可能である。

【００１５】さらに、パッケージ内での電磁波遮蔽性を
確保するために、モジュール内で各ダイパッドを電気的
に導通しておき、さらに回路基板のGND（グラウンド）
配線またはアース線と接続する場合があるが、このとき
モジュール内でのダイパッド同士の電気的導通をとる方
法を、おのおのダイパッド上から、あるいはダイパッド
からのびたボンディングパッドとの間をワイヤボンディ
ングすることで行うようにする。ボンディングワイヤ
は、金またはアルミニウムの配線が一般的であり、直径
２５μｍ前後と非常に細い線であるため、電気伝導度は
高いが、熱伝導度はリードに比べるとずっと低い。これ
により、モジュール内でのダイパッド同士の電気的導通
を十分確保した上で、熱的導通を比較的低く保つことが
できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。

【００１７】図１は本発明の第１の実施の形態である光
モジュールの構造を、光導波路基板と導通リード、ダイ
パッドを含む２面で切り出して示す斜視図であり、図２
は同構造における伝熱、放熱経路を説明する断面図であ
る。

【００１８】図示の光モジュールは、図上、上面に階段
状の凹部（空間）が形成された樹脂ケース１と、前記階
段状の凹部の最低面を覆うように配置された第１のダイ
パッド３ａと、第１のダイパッド３ａ上面に基板接着剤
５ａで接着され上面に一対の光導波路６を備えた光導波
路基板５と、前記一対の光導波路６のうちの発信用光導
波路の末端に対向する位置に配置された発信用ＬＤ８ａ
と、この発信用ＬＤ８ａを挟んで発信用光導波路の末端
に対向する位置に配置されたモニタＰＤ８ｂと、前記一
対の光導波路６のうちの受信用光導波路の末端に対向す
る位置に配置された受信用ＰＤ８ｃと、前記階段状の凹
部の前記光導波路基板５の上面と同じ高さの面１ｃに、
前記第１のダイパッド３ａに接触しないように配置され
た第２のダイパッド３ｂと、この第２のダイパッド３ｂ
上に配置されたアンプＩＣである半導体素子９と、一端
が面１ｃに配置され他端がモジュール外に延びたリード
２と、面１ｃ上のリード２に配置されたボンディングパ
ッド２ａと、前記受信用ＰＤ８ｃ、半導体素子９、第２
のダイパッド３ｂ、ボンディングパッド２ａなどを相互
に接続するボンディングワイヤ１０と、樹脂ケース１の
凹部の階段状の面のうちの上端の面１ａの次の段の面１
ｂに載置されるように形成された金属性の蓋４と、を含
んで構成されている。

【００１９】前記第１のダイパッド３ａは、その一部が
延長されて導通リード７となり、この導通リード７が前
記面１ａまで延びており、蓋４が面１ａに載置されたと
き、導通リード７と蓋４が直接接触するようになってい
る。蓋４は、面１ａに載置され樹脂ケース１上部にはめ
まれた形で接着固定されるが、この際、導通リード７と
蓋４とは熱的及び電気的に導通をするように、熱伝導定
数０．９Ｗ／（ｍ×Ｋ）以上で体積抵抗率０．1Ω／cm
以下の熱伝導度および電気伝導度の高い銀ペーストなど
の接着剤により接着固定されている。これにより、蓋４
と導通リード7の間では、高い熱的および電気的伝導性
が確保されている。

【００２０】導通リード７を含む第１、第２のダイパッ
ド及びリード２の材質は、一般的な半導体パッケージで
用いられるＦｅ−Ｎｉ系合金（本実施の形態では４２ア
ロイ）であるが、Ｃｕ系の合金やＣｕ単体、あるいはそ
れらを張り合わせた複合材でもよく、必要に応じてＡｕ
あるいはＮｉなどのメッキが施されたものとすればよ
い。熱伝導率や実装性などの問題から、Cu系の合金にAu
メッキを施したものとするのが望ましい。

【００２１】本実施の形態においては、樹脂ケース１
は、あらかじめリード２、導通リード７、第１、第２の
ダイパッドなどの金属製のフレームを備えた形であらか
じめ形成されている。金属製のフレームは、樹脂ケース
に組み込む前に立体的な形状に整形されており、この立
体的な形状の金属製のフレームにトランスファーモール
ドなどの型成形により樹脂部分が付加される。付加され
る樹脂は、主材としてエポキシ、液晶ポリマー，ＰＰＳ
等を用い、熱膨張率を抑えるなどの目的のためにカーボ
ンやガラスなどのフィラーを含んでいる。樹脂部分が付
加されたのち余分な金属部分が切り落とされ、樹脂の外
側に突出したリードが曲げられて電気端子が形成され、
図示の樹脂ケース１のような形状となる。

【００２２】光導波路基板５をダイパッド３ａに接着す
る基板接着剤５ａには、熱伝導定数０．９Ｗ／（ｍ×
Ｋ）以上で伝熱性の高い、つまり自身の熱抵抗の低い銀
ペーストなどの樹脂を用いた。これにより光導波路基板
５とダイパッド３ａの間で高い伝熱性が確保された。

【００２３】光導波路基板５上には送受信用に一対の光
導波路６が形成されており、送信用光導波路端の電極に
は光導波路と光結合するように発信用ＬＤ８ａが、また
受信用光導波路端の電極には受光用PD（フォトダイオー
ド）８ｃが、それぞれＡｕ−Ｓｎはんだ付けにより接着
されており、またモニタＰＤ８ｂはLD８ａを挟んで送信
用光導波路末端と対向する位置におかれている。

【００２４】図示していないが、光結合系保護のため、
ＬＤ８ａ、受光用PD８c、モニタＰＤ８ｂ及び光導波路
端までの光結合系は、シリコーン樹脂を主材とする樹脂
で、ポッティング封止されている。ポッティング封止に
用いる樹脂は、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂を主材
とする樹脂でもよい。

【００２５】樹脂ケース１内の第１のダイパッド３ａ
は、前述のようにボンディングパッド２ａや第２のダイ
パッド３ｂより低い位置（ケースの底に近い位置）に配
置されており、光導波路基板５が搭載された状態で、光
導波路基板５上の発信用ＬＤ８ａ、受光用PD８ｃ、モニ
タＰＤ８ｂとボンディングパッド２ａや第２のダイパッ
ドとのワイヤボンディング高さがほぼ揃うようになって
いる。

【００２６】第２のダイパッド３ｂ上には、受光用PD８
ｃで光電変換された信号を増幅するためのアンプICであ
る半導体素子（以下、ＩＣという）９が実装されてい
る。第２のダイパッド３ｂはその一部が延長されてGND
端子となるリード１４を形成しており、このリード１４
が回路基板のGND配線に接続されている。

【００２７】樹脂ケース１には、第１のダイパッド３ａ
と第２のダイパッド３ｂと切り離されたリード２が配置
されており、リード２上にはボンディングパッド２ａが
装着されている。ＬＤ８ａ、モニタＰＤ８ｂ、受光用PD
８ｃ、半導体素子９からは、リード２上のボンディング
パッド２ａにＡｕまたはＡｌを材質とするボンディング
ワイヤ１０が配線されており、リード２を介して外部と
電気信号の入出力を行う。第１のダイパッド３ａの一部
が前記面１ｃの前記第２のダイパッド３ｂに接触しない
位置に延長されており、面１ｃに延長された第１のダイ
パッド３ａと第２のダイパッド３ｂは、ボンディングワ
イヤ１１によって電気的導通がとられている。

【００２８】導通リード７の蓋４との接続部、すなわち
蓋４の下面の位置を規定する面１ｂは、ボンディングパ
ッド２ａに対して樹脂ケース１の外側に近く、かつボン
ディングパッド２ａより高い位置（樹脂ケース１の底面
から離れた位置）にある。このため、発信用ＬＤ８ａ、
モニタＰＤ８ｂとボンディングパッド２ａ間のワイヤボ
ンディング作業で導通リード７が干渉することはなく、
また、金属の蓋４がボンディングパッド２ａに接触して
電気的短絡を起こすこともない。

【００２９】次に放熱について図２を用いて説明する。
図中矢印は伝熱経路を示す。この光モジュールにおける
熱源は、主として発信用ＬＤ８ａとIC９である。一般に
ＬＤは、温度が高温になるとレーザ発振開始の閾値電流
が高くなり、発振自体も不安定になるため、十分放熱さ
せて温度を所要の温度範囲に維持する必要がある。本実
施の形態のように、自身以外に他の熱源（IC９）を持つ
場合は、そこからの伝熱の影響を抑える必要がある。

【００３０】熱は電気と同じように抵抗の少ないとこ
ろ、つまり熱伝導度の高いところを主に伝熱していくの
で、本実施の形態の光モジュールでは、発信用ＬＤ８ａ
での発熱は、主として、光導波路基板５に伝熱し、光導
波路基板５から基板接着剤５ａを介して第１のダイパッ
ド３ａに伝わり、第１のダイパッド３ａから導通リード
７を介して蓋４へ伝熱され、蓋４から大気中に放熱され
る。

【００３１】一方、IC９での発熱は、第２のダイパッド
３ｂから第２のダイパッド３ｂと一体でGND端子となる
リード１４に伝わり、このリード１４が接続されている
回路基板のGND配線を伝わって、回路基板に伝熱し、回
路基板から空気中に放熱される。ここで第１のダイパッ
ド３ａと第２のダイパッド３ｂを電気的に導通している
ボンディングワイヤ１１は、直径２５μｍと細いため、
リード１４に比較して熱抵抗が高く、ケース樹脂の熱抵
抗もリード１４に比較して高いため、IC９からの熱がボ
ンディングワイヤ１１あるいはケースを構成する樹脂そ
のものを介して第１のダイパッド３ａへ伝わる量は少な
く抑えることができる。

【００３２】このように発信用LD８ａとIC９をそれぞれ
別のダイパッドに搭載し、各ダイパッドに別の放熱手段
を結合する構成にすることにより、発信用LD８ａとIC９
はそれぞれ独立して効率的な伝熱・放熱経路を持つこと
ができるため、互いの熱による影響が抑えられ、レーザ
光の発振を安定させることができた。

【００３３】さらに本実施の形態においては、第１、第
２のダイパッド、導通リード及び蓋が回路基板のGND配
線と電気的に導通してICやLD、PDを覆っており、耐電磁
波ノイズ性、電磁波遮蔽性という面でも効果がある。

【００３４】なお、上記実施の形態では、発信用ＬＤ８
ａが搭載された光導波路基板５が接着された第１のダイ
パッド３ａが導通リード７を介して蓋４に接続されてい
るが、必要な放熱の容量があれば、第１のダイパッド３
ａを回路基板のＧＮＤ配線に接続して放熱し、第２のダ
イパッド３ｂを蓋４に接続して放熱するように構成して
も差し支えない。要は、温度条件が他の素子と大きく異
なる素子がある場合、その素子を、他の素子の放熱経路
と切り離された別の放熱経路に接続し、他の素子の発熱
の影響をなくした状態で放熱できるようにすることであ
る。

【００３５】次に本発明の第２の実施の形態を、図３〜
図６を参照して説明する。図３は、本実施の形態の構造
を光導波路基板と導通リード、ダイパッドを含む２面で
切り出して示す斜視図であり、図４は本実施の形態の光
モジュール１８を回路基板１２上に搭載し、光ファイバ
ー１７を接続した状態を示す平面図であり、図５は本実
施の形態における伝熱、放熱経路を説明する断面図であ
り、図６は本実施の形態において蓋４を接着した状態を
しめす斜視図である。

【００３６】本実施の形態が前記第１の実施の形態と異
なるのは、樹脂ケース１の面１ｂがケースの最上端とな
り、蓋４はケースにかぶさる形でとりつけられること、
蓋４には光導波路６と平行する方向に延びる稜線をもつ
山形の突起が形成されていること、及び第１のダイパッ
ド３ａと第２のダイパッド３ｂを電気的に導通するボン
ディングワイヤは存在せず、第１のダイパッド３ａとつ
ながってGND端子となるリード１３が存在し、両ダイパ
ッドの電気的導通はモジュール内ではなく、回路基板１
２上のGND配線１６を介して行われること、である。

【００３７】この場合、第１のダイパッド３ａとつなが
ってGND端子となるリード１３と、第２のダイパッド３
ｂにつながってGND端子となるリード１４とが、いずれ
も回路基板のGND配線１６に結合されるから、回路基板
１２のGND配線１６を介しての相互の伝熱が問題とな
る。一般に回路基板において、GND配線は幅広くとられ
るものであるが、本実施の形態では、図４に示すよう
に、第１のダイパッド３ａからのGND端子（リード１
３）と第２のダイパッド３ｂからのGND端子（リード１
４）が接続される回路基板のGND配線をGND配線１６ａ、
GND配線１６ｂのように二つに分けてある。そして両リ
ードとGND配線の接続部から離れた位置に、GND配線１６
ａとGND配線１６ｂの電気的導通を取る連結部１９を設
けてある。

【００３８】通常、回路基板、特にガラスエポキシ基板
の場合、金属である配線部以外での熱伝導率は低い。両
リードからGND配線へ伝わった熱は、GND配線１６ａ、１
６ｂ間のギャップを越えて伝わるより、熱抵抗の低いGN
D配線へ広がるため、リード１３からの熱はGND配線１６
ａ側、リード１４からの熱はGND配線１６ｂ側に広が
る。ところで、GND配線は十分に広いため、熱が連結部
１９に達する前に空気中への放熱が多く行われ、連結部
１９を通して相互に行き来する熱は少なくなる。

【００３９】結果的に全体としての放熱経路は図５に示
すように、発信用LD８ａからの発熱は、光導波路基板５
を介して、第１のダイパッド３ａに伝熱し、そこからGN
D端子（リード１３）を介して回路基板１２のGND配線１
６ａに伝熱、放熱される経路と導通リード７を介して蓋
４に伝熱、放熱される経路となる。一方、半導体素子
（ＩＣ）９の発熱は、第２のダイパッド３ｂからGND端
子（リード１４）へ伝熱し、そこから同様にGND配線１
６ｂに伝熱、放熱される。このように、発信用LD８ａと
ＩＣ９は別個に独立した伝熱、放熱経路に結合され、相
互の熱の影響が軽減される。

【００４０】また、本実施の形態では、図６に示すよう
に、蓋４がケース１の側面の一部まで覆うように形成さ
れており、上面に凸形状が設けられている。このような
構成とすることで、平板の蓋に比べて表面積が大きくな
り、蓋４から外気への放熱効率を向上させることができ
た。さらに高い放熱効率が要求される場合は、大型の放
熱フィンや放熱用のファンを蓋に取り付けることも可能
である。また、導通リード７、第１のダイパッド３ａ、
リード１３を介して回路基板１２のGND配線に導通した
蓋４がケース１の側面の一部まで覆う様な構造としたこ
とで、側方からの電磁波に対する遮蔽性も向上してい
る。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、LDと発熱量の大きい半
導体素子を樹脂ケースへ一緒に実装することが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図２】図１の実施の形態における伝熱、放熱経路を説
明する断面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図４】図３の実施の形態の光モジュールを回路基板上
に搭載した状態を示す平面図である。

【図５】図３の実施の形態における伝熱、放熱経路を説
明する断面図である。

【図６】図３の実施の形態において蓋を接着した状態を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１樹脂ケース２リード２ａボンディングパッド３ダイパッド３ａ第１のダイパッド３ｂ第２のダイパッド４蓋５光導波路基板５ａ基板接着剤６光導波路７導通リード８ａ半導体レーザ素子（ＬＤ）８ｂモニタＰＤ８ｃ受光用ＰＤ９半導体素子１０ボンディングワイヤ１１ボンディングワイヤ１２回路基板１３第１のダイパッドと一体でＧＮＤ端子となるリー
ド１４第２のダイパッドと一体でＧＮＤ端子となるリー
ド１６ GND配線１６ａ、１６ｂ分割されたGND配線１７光ファイバ１８光モジュール１９ GND配線連結部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者嶋岡誠茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者高橋龍太茨城県日立市日高町５丁目１番１号日立電線株式会社オプトロシステム研究所内Ｆターム(参考） 2H037 BA02 DA03 DA17 DA35 DA38 2H047 KA03 MA07 5F073 AB21 AB25 AB28 FA02 FA24 FA27 FA28 FA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイパッドに搭載された半導体レーザ
と、同じくダイパッドに搭載された半導体素子とを、樹
脂ケースに収納してなる光通信用の光モジュールにおい
て、前記半導体レーザは第１のダイパッドに搭載され、前記
半導体素子は第２のダイパッドに搭載されていて、該第
１、第２のダイパッドは互いに別体に形成され、相互に
接触しないように配置されているとともに、該第１、第
２のダイパッドはそれぞれ異なる放熱経路に接続されて
いることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】請求項１記載の光モジュールにおいて、前記半導体レーザは、光導波路が形成された光導波路基
板に搭載され、該光導波路基板が第１のダイパッドに搭
載されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項３】請求項１又は２に記載の光モジュールに
おいて、樹脂ケースは金属製の蓋を有してなり、前記第１、第２
のダイパッドのうちのいずれか一方は、導通リードを介
して該金属製の蓋に接続されて該金属製の蓋を放熱経路
としていることを特徴とする光モジュール。
【請求項４】リード及びダイパッドを備え、外部に向
かって開放された空間を有する形状に樹脂で形成された
樹脂ケースと、半導体レーザと該半導体レーザからの光
を外部に導く光導波路とを備えて前記空間内に配置さ
れ、かつ前記ダイパッドに搭載された光導波路基板と、
前記空間の外部への開口部を覆う金属製の蓋と、を含ん
でなる光通信用の光モジュールにおいて、前記ダイパッドは、前記光導波路基板が搭載される第１
のダイパッドと、該第１のダイパッドと接触しないよう
に配置されて半導体素子が搭載される第２のダイパッド
からなり、前記第１、第２のダイパッドのうちのいずれ
か一方のみが導通リードを介して前記金属製の蓋に接続
され、他方のダイパッドは前記金属製の蓋に接続されて
いないことを特徴とする光モジュール。
【請求項５】請求項４に記載の光モジュールにおい
て、前記第１のダイパッドは、リードにつながったワイ
ヤボンディングのためのボンディングパッド及び前記第
２のダイパッドより前記空間の底側に配置されており、
且つ第１のダイパッドとつながっている前記導通リード
は、前記ボンディングパッドを持つリードより蓋側方向
に延在していることを特徴とする光モジュール。
【請求項６】請求項４又は５に記載の光モジュールに
おいて、第１のダイパッドと第２のダイパッドは、ボン
ディングワイヤを介して、ケース内で電気的に接続され
ていることを特徴とする光モジュール。