JPH03296288A - 光通信モジュール - Google Patents
光通信モジュールInfo
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- JPH03296288A JPH03296288A JP9750590A JP9750590A JPH03296288A JP H03296288 A JPH03296288 A JP H03296288A JP 9750590 A JP9750590 A JP 9750590A JP 9750590 A JP9750590 A JP 9750590A JP H03296288 A JPH03296288 A JP H03296288A
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、発光素子および駆動回路の発熱を効率よく放
熱することかできる光通信モジュールに関する。
熱することかできる光通信モジュールに関する。
(従来の技術)
光フアイバ通信は近年伝送速度が高速化し、Gbit(
ギガビット)の伝送容量をもつシステムも実用化されて
いる。
ギガビット)の伝送容量をもつシステムも実用化されて
いる。
第2図は、このような超高速の伝送容量をもっシステム
に適用すべ〈従来提案された、光通信モジュールの一例
を示すものである。
に適用すべ〈従来提案された、光通信モジュールの一例
を示すものである。
第2図において16は各種部品が内蔵されたパッケージ
であり、その底板4のパッケージ外部にはパッケージ1
6内部で発生した熱を放熱する放射器]4か設けられて
いる。5は半導体レーザチップであり、熱伝導部材8に
搭載されたヒートシンク11上に載置されている。6は
この半導体レザを駆動するための半導体レーザ駆動IC
(集積回路)であり、給電線18を通して半導体レザチ
ップ5に給電するものである。また7は半導体レーザ駆
動IC実装用基板であり、熱伝導部材9上に載置されて
いる。さらに12は半導体レザからの光を外部に出力す
る光ファイバであり、固定パイプ13でパッケージ]6
の側板3に固定されている。また]0は半導体レーザか
らの光電力をモニタする光検出器である。これらの部品
はパッケージ16内に収納されカバー19によって封止
される。
であり、その底板4のパッケージ外部にはパッケージ1
6内部で発生した熱を放熱する放射器]4か設けられて
いる。5は半導体レーザチップであり、熱伝導部材8に
搭載されたヒートシンク11上に載置されている。6は
この半導体レザを駆動するための半導体レーザ駆動IC
(集積回路)であり、給電線18を通して半導体レザチ
ップ5に給電するものである。また7は半導体レーザ駆
動IC実装用基板であり、熱伝導部材9上に載置されて
いる。さらに12は半導体レザからの光を外部に出力す
る光ファイバであり、固定パイプ13でパッケージ]6
の側板3に固定されている。また]0は半導体レーザか
らの光電力をモニタする光検出器である。これらの部品
はパッケージ16内に収納されカバー19によって封止
される。
上記した光通信モジュールでは、半導体レーザ駆動IC
6と半導体し〜ザチップ5を接近して実装できるため、
高速変調が可能となると共に小形化も実現できる。しか
しなから、半導体レーザチップ5とその駆動IC6が、
同一パッケーシ内に共通の放熱基板である底板4上に熱
伝導部月89を介して実装されていることから、駆動I
C6の発熱が半導体レーサヂップ5に伝わりチップの温
度が上昇してしまう。このために光電力や発光波長が変
動すると共に、チップの信頼性が劣化するという問題点
があった。
6と半導体し〜ザチップ5を接近して実装できるため、
高速変調が可能となると共に小形化も実現できる。しか
しなから、半導体レーザチップ5とその駆動IC6が、
同一パッケーシ内に共通の放熱基板である底板4上に熱
伝導部月89を介して実装されていることから、駆動I
C6の発熱が半導体レーサヂップ5に伝わりチップの温
度が上昇してしまう。このために光電力や発光波長が変
動すると共に、チップの信頼性が劣化するという問題点
があった。
(発明が解決しようとする課題)
」1記したように従来の光通信モジュールにあっては、
半導体レーザ駆動ICの発熱が半導体レーザチップに伝
わってしまい、効率よく熱を放出することが困難であっ
た。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、駆動回
路の発熱が発光素子に熱伝導されず、光電131発光波
長等の変動を低減でき、高い信頼性を有する光通信モジ
ュールを提供することを目的とする。
半導体レーザ駆動ICの発熱が半導体レーザチップに伝
わってしまい、効率よく熱を放出することが困難であっ
た。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、駆動回
路の発熱が発光素子に熱伝導されず、光電131発光波
長等の変動を低減でき、高い信頼性を有する光通信モジ
ュールを提供することを目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
上記課題を解決するために本発明は、発光素子と、前記
発光素子を搭載した部材と、前記発光素子を駆動する駆
動回路と、前記駆動回路を搭載する部材とをパッケージ
で封止する光通信モジュールにおいて、前記発光素子を
搭載した部材が載置されている前記パッケージの底板は
高熱伝導性部材で形成され、前記駆動回路が搭載されて
いる部材の底面と固着した前記パッケージの側板は高熱
伝導性部材と低熱伝導性部材で形成されており、前記パ
ッケージ底板及び前記パッケージ側板の高熱伝導性部材
で形成された部分には、それぞれ放熱器が設けられてい
ることを特徴とする。
発光素子を搭載した部材と、前記発光素子を駆動する駆
動回路と、前記駆動回路を搭載する部材とをパッケージ
で封止する光通信モジュールにおいて、前記発光素子を
搭載した部材が載置されている前記パッケージの底板は
高熱伝導性部材で形成され、前記駆動回路が搭載されて
いる部材の底面と固着した前記パッケージの側板は高熱
伝導性部材と低熱伝導性部材で形成されており、前記パ
ッケージ底板及び前記パッケージ側板の高熱伝導性部材
で形成された部分には、それぞれ放熱器が設けられてい
ることを特徴とする。
(作用)
上記構成において、パッケージの側板の一部か低熱伝導
性部材で形成されていることにより、駆動回路で生じた
熱が発光素子側に伝わらず、さらにパッケージの底板及
び側板の高熱伝導性部材で形成された部分に放熱器が設
けられていることにより、発光素子及び駆動回路からの
熱をパッヶジ外部に効率よく放出することができ、光電
力及び発光波長の安定度が高く、信頼性の高い光通信モ
ジュ・−ルを実現することができる。
性部材で形成されていることにより、駆動回路で生じた
熱が発光素子側に伝わらず、さらにパッケージの底板及
び側板の高熱伝導性部材で形成された部分に放熱器が設
けられていることにより、発光素子及び駆動回路からの
熱をパッヶジ外部に効率よく放出することができ、光電
力及び発光波長の安定度が高く、信頼性の高い光通信モ
ジュ・−ルを実現することができる。
(実施例)
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の光通信モジュールの一実施例を示すも
のであり、第2図と同一部分には同一符号をイ」シて詳
しい説明は省略する。第1図において、1はパッケージ
]6の側板の一部を形成する熱伝導性の高い部材である
銅もしくは銅とタンゲスランの合金でできた板材である
。2は熱伝導性の低い部材であるアルミナもしくはフォ
ルステライトでできた板材である。これらは、カバー1
9を除き側板3.底板4と共に銀ろう祠により一体化さ
れてパッケージ16を形成している。
のであり、第2図と同一部分には同一符号をイ」シて詳
しい説明は省略する。第1図において、1はパッケージ
]6の側板の一部を形成する熱伝導性の高い部材である
銅もしくは銅とタンゲスランの合金でできた板材である
。2は熱伝導性の低い部材であるアルミナもしくはフォ
ルステライトでできた板材である。これらは、カバー1
9を除き側板3.底板4と共に銀ろう祠により一体化さ
れてパッケージ16を形成している。
パッケージ16内部には発光素子である半導体レーザチ
ップ5.この発光素子を駆動する駆動回路である半導体
レーザ駆動IC6(以下駆動ICと呼ぶ)、駆動IC実
装用基板7.熱伝導部祠89.光電力モニタ用光検出器
10.ヒートシンク]1.光ファイバ12及び光フアイ
バ固定パイ−プ13が内蔵される。駆動IC6及び駆動
ICを実装する基板7を搭載した熱伝導部材9の底面は
、前記した高熱伝導性の仮相1に固着されている。
ップ5.この発光素子を駆動する駆動回路である半導体
レーザ駆動IC6(以下駆動ICと呼ぶ)、駆動IC実
装用基板7.熱伝導部祠89.光電力モニタ用光検出器
10.ヒートシンク]1.光ファイバ12及び光フアイ
バ固定パイ−プ13が内蔵される。駆動IC6及び駆動
ICを実装する基板7を搭載した熱伝導部材9の底面は
、前記した高熱伝導性の仮相1に固着されている。
また、底板4及び板材1のパッケージ外部にはそれぞれ
放熱器1.4.15が設けられている。
放熱器1.4.15が設けられている。
このように構成した場合、駆動IC6て発生した熱は、
熱伝導部材9を伝わって熱伝導性の高い板材]に熱伝導
し、放熱器15から外部へ放熱される。このとき、駆動
IC6から底板4へ伝導っる熱の熱量は、前記したアル
ミナもしくは、フォルステライト製の低熱伝導性の板+
42により非常にわずかにおさえられる。アルミナやフ
ォルステライトの熱伝導率は銅との比較において約1〜
2桁小さい。従って駆動IC6て発生した熱か半導体レ
ーザチップ5に伝導されるのを大幅に低減できる。また
半導体レーザチップ5で発生ずる熱量は、駆動IC6で
発生する熱量よりは少ないが、チップで発生する熱はヒ
ーi・シンク11.熱伝導部材8を介して底板4に伝導
っり、放熱器14から外部へ放出される。このとき半導
体レーザチップ5で発生した熱は、低熱伝導性の板材2
の作用により駆動IC6側へ伝導されないことは言うま
でもない。
熱伝導部材9を伝わって熱伝導性の高い板材]に熱伝導
し、放熱器15から外部へ放熱される。このとき、駆動
IC6から底板4へ伝導っる熱の熱量は、前記したアル
ミナもしくは、フォルステライト製の低熱伝導性の板+
42により非常にわずかにおさえられる。アルミナやフ
ォルステライトの熱伝導率は銅との比較において約1〜
2桁小さい。従って駆動IC6て発生した熱か半導体レ
ーザチップ5に伝導されるのを大幅に低減できる。また
半導体レーザチップ5で発生ずる熱量は、駆動IC6で
発生する熱量よりは少ないが、チップで発生する熱はヒ
ーi・シンク11.熱伝導部材8を介して底板4に伝導
っり、放熱器14から外部へ放出される。このとき半導
体レーザチップ5で発生した熱は、低熱伝導性の板材2
の作用により駆動IC6側へ伝導されないことは言うま
でもない。
またパッケージ16内部においては、2つの熱伝導部材
8,9は完全に分離されていることから、駆動IC6と
半導体レー→ノ゛チップ5で発生ずる熱の放熱かより効
果的に行われる。
8,9は完全に分離されていることから、駆動IC6と
半導体レー→ノ゛チップ5で発生ずる熱の放熱かより効
果的に行われる。
以」二説明したように、低熱伝導性の仮相2の働きによ
り、駆動IC6で発生した熱が半導体レザチップ5へ伝
導されず、駆動IC6からの熱は放熱器]5で、半導体
レーザチップ5からの熱は放熱器14でそれぞれ別々に
放出でき、より効率的な放熱が可能になると共に、駆動
IC6の発熱による半導体レーザチップ5の温度」1昇
を大幅に低減でき、光電力及び発光波長の安定化が実現
できる。さらに半導体レーサチップ5の信頼性も向上す
る。
り、駆動IC6で発生した熱が半導体レザチップ5へ伝
導されず、駆動IC6からの熱は放熱器]5で、半導体
レーザチップ5からの熱は放熱器14でそれぞれ別々に
放出でき、より効率的な放熱が可能になると共に、駆動
IC6の発熱による半導体レーザチップ5の温度」1昇
を大幅に低減でき、光電力及び発光波長の安定化が実現
できる。さらに半導体レーサチップ5の信頼性も向上す
る。
尚、本発明は」1記実施例に限定されるものではない。
例えは、半導体レーザからの光を光ファイバに結合させ
る方法として、レンス結合等の他のどんな結合方法でも
何ら支障はない。また、第1図における熱伝導部月8と
して半導体レーザチップ5の温度を常に一定に保つペル
チェ素子を用いても本発明は実施可能である。また、超
高速伝送時に問題となる反射もどり光を抑制する手段と
して本モジュール内に光アイソレータを設けても本発明
は実施可能である。さらに、発光素子として」1記実施
例では半導体レーザを用いたが、発光ダイオードでも適
用可能である。
る方法として、レンス結合等の他のどんな結合方法でも
何ら支障はない。また、第1図における熱伝導部月8と
して半導体レーザチップ5の温度を常に一定に保つペル
チェ素子を用いても本発明は実施可能である。また、超
高速伝送時に問題となる反射もどり光を抑制する手段と
して本モジュール内に光アイソレータを設けても本発明
は実施可能である。さらに、発光素子として」1記実施
例では半導体レーザを用いたが、発光ダイオードでも適
用可能である。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明により、駆動回路の発熱か発
光素子へ伝導されるのか飛躍的に低減され、光電力や発
光波長の安定化が実現されるとともに、信頼性が向上し
た光通信モジュールが実現できる。
光素子へ伝導されるのか飛躍的に低減され、光電力や発
光波長の安定化が実現されるとともに、信頼性が向上し
た光通信モジュールが実現できる。
第1図は本発明の光通信モジュールの一実施例の構成を
示す断面図であり、第2図は従来例の構成を示す断面図
である。 ] ・・・ 2 ・ 2 4 千 6・ ・・・高熱伝導性の板材 ・・低熱伝導性の仮相 ・底板 ・半導体レーザチップ ・半導体レーサ駆動rc 熱伝導部材 光ファイバ 放熱器 ・パッケージ
示す断面図であり、第2図は従来例の構成を示す断面図
である。 ] ・・・ 2 ・ 2 4 千 6・ ・・・高熱伝導性の板材 ・・低熱伝導性の仮相 ・底板 ・半導体レーザチップ ・半導体レーサ駆動rc 熱伝導部材 光ファイバ 放熱器 ・パッケージ
Claims (5)
- (1)発光素子と、前記発光素子を搭載した部材と、前
記発光素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路を搭載
する部材とをパッケージで封止する光通信モジュールに
おいて、前記発光素子を搭載した部材が載置されている
前記パッケージの底板は高熱伝導性部材で形成され、前
記駆動回路を搭載する部材の底面と固着した前記パッケ
ージの側板は高熱伝導性部材と低熱伝導性部材で形成さ
れており、前記パッケージ底板及び前記パッケージ側板
の高熱伝導性部材で形成された部分には、それぞれ放熱
器が設けられていること特徴とする光通信モジュール。 - (2)前記高熱伝導性部材の材料は、銅又は銅とタング
ステンの合金であることを特徴とする請求項1記載の光
通信モジュール。 - (3)前記低熱伝導性部材の材料は、アルミナ又はフォ
ルステライトであることを特徴とする請求項1記載の光
通信モジュール。 - (4)前記パッケージの側板の高熱伝導性部材と低熱伝
導性部材は、ろう材により一体形成されていることを特
徴とする請求項1記載の光通信モジュール。 - (5)前記発光素子は半導体レーザであることを特徴と
する請求項1記載の光通信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9750590A JPH03296288A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 光通信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9750590A JPH03296288A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 光通信モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03296288A true JPH03296288A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14194119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9750590A Pending JPH03296288A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 光通信モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03296288A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
JP2002057399A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体素子モジュール |
JP2002094170A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
JP2003158330A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ結合装置 |
US10558063B2 (en) | 2014-02-14 | 2020-02-11 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP9750590A patent/JPH03296288A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
JP2002057399A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体素子モジュール |
JP2002094170A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
JP2003158330A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ結合装置 |
US10558063B2 (en) | 2014-02-14 | 2020-02-11 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
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