JP2546146B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2546146B2 JP2546146B2 JP5152548A JP15254893A JP2546146B2 JP 2546146 B2 JP2546146 B2 JP 2546146B2 JP 5152548 A JP5152548 A JP 5152548A JP 15254893 A JP15254893 A JP 15254893A JP 2546146 B2 JP2546146 B2 JP 2546146B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー装置に
関し、特に温度制御用の電子冷却器を備えた半導体レー
ザー装置に関する。
関し、特に温度制御用の電子冷却器を備えた半導体レー
ザー装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザー装置は、図５に示
す様に、半導体レーザーダイオードチップ１と、半導体
レーザーダイオードチップ１からの発振光を光ファイバ
へ効率良く光結合させるためのレンズを有したレンズホ
ルダ２と、図示してはいないがレンズホルダ２に接続さ
れる光ファイバと、半導体レーザーダイオードチップ１
の後方出射光をモニタするためのモニタ用フォトダイオ
ード３と、温度センサとして半導体レーザーダイオード
チップ１周辺の温度を検出するためのサーミスタ５と
が、金属製基板４の上面にソルダ或いはろう付等にて固
定されている。さらにこれら固定物、特に半導体レーザ
ーダイオードチップ１を冷却し一定温度に制御するため
に、金属製基板４の下面に電子冷却器６が配置され、電
子冷却器６の放熱側すなわち下側に放熱板７が取付けて
あり、電子冷却器６の上面の配置物から吸熱した熱が放
熱板７により外気へ放出される様になっている。
す様に、半導体レーザーダイオードチップ１と、半導体
レーザーダイオードチップ１からの発振光を光ファイバ
へ効率良く光結合させるためのレンズを有したレンズホ
ルダ２と、図示してはいないがレンズホルダ２に接続さ
れる光ファイバと、半導体レーザーダイオードチップ１
の後方出射光をモニタするためのモニタ用フォトダイオ
ード３と、温度センサとして半導体レーザーダイオード
チップ１周辺の温度を検出するためのサーミスタ５と
が、金属製基板４の上面にソルダ或いはろう付等にて固
定されている。さらにこれら固定物、特に半導体レーザ
ーダイオードチップ１を冷却し一定温度に制御するため
に、金属製基板４の下面に電子冷却器６が配置され、電
子冷却器６の放熱側すなわち下側に放熱板７が取付けて
あり、電子冷却器６の上面の配置物から吸熱した熱が放
熱板７により外気へ放出される様になっている。
【０００３】この半導体レーザー装置は金属製基板とレ
ンズホルダが別体に構成した例であるが、金属製基板と
レンズホルダとを一体に構成して上記構造を実現したモ
ジュール型の半導体レーザー装置もある。この例を図６
（ａ），（ｂ），（ｃ）、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）
に示す。なお、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は側面
図、図６（ｃ）は下面図、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）
はそれぞれ、パッケージ側板を取りはずして見た後面
図、側面図、正面図である。レンズホルダと一体化した
金属製基板４の上面に半導体レーザーダイオードチップ
１とモニタ用フォトダイオード３と、図示してはいない
がサーミスタとが金一錫（Ａｕ−Ｓｎ）等のソルダによ
って固定されており、金属製基板４に光の入出力に対し
一方向性の機能を有した光アイソレータ８が固定され、
更に光アイソレータ８に光ファイバ９に接続されること
により光結合系が金属製基板４の上面に形成されてい
る。金属製基板４上の半導体レーザーダイオードチップ
１近傍の温度を一定の温度に制御するために、サーミス
タによって温度を検出し、半導体レーザー装置外部に構
築された温度制御回路により電子冷却器６を駆動させる
と電子冷却器６の上面で吸熱された熱は電子冷却器６の
下面に輸送され、半導体レーザー装置のパッケージの一
部である放熱板７から外部へ放射される。
ンズホルダが別体に構成した例であるが、金属製基板と
レンズホルダとを一体に構成して上記構造を実現したモ
ジュール型の半導体レーザー装置もある。この例を図６
（ａ），（ｂ），（ｃ）、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）
に示す。なお、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は側面
図、図６（ｃ）は下面図、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）
はそれぞれ、パッケージ側板を取りはずして見た後面
図、側面図、正面図である。レンズホルダと一体化した
金属製基板４の上面に半導体レーザーダイオードチップ
１とモニタ用フォトダイオード３と、図示してはいない
がサーミスタとが金一錫（Ａｕ−Ｓｎ）等のソルダによ
って固定されており、金属製基板４に光の入出力に対し
一方向性の機能を有した光アイソレータ８が固定され、
更に光アイソレータ８に光ファイバ９に接続されること
により光結合系が金属製基板４の上面に形成されてい
る。金属製基板４上の半導体レーザーダイオードチップ
１近傍の温度を一定の温度に制御するために、サーミス
タによって温度を検出し、半導体レーザー装置外部に構
築された温度制御回路により電子冷却器６を駆動させる
と電子冷却器６の上面で吸熱された熱は電子冷却器６の
下面に輸送され、半導体レーザー装置のパッケージの一
部である放熱板７から外部へ放射される。
【０００４】近年、半導体レーザー装置の薄型化の要求
が高まり、高さｈを８ｍｍ以下程度にするために、レン
ズ結合系の薄型化及び電子冷却器６の薄型化が図られて
いるが、前者はレンズ径によって決まるレンズホルダ寸
法によって制限され、後者は冷却能力を維持するために
必要なペルチェ素子寸法によって制限されるため、半導
体レーザー装置全体としての大幅な薄型化は困難であっ
た。これを解決するための半導体レーザー装置が特開平
２−２９９２８１号公報に記載されている。図８
（ａ），（ｂ）及び図９（ａ），（ｂ）にその概略図を
示す。これは、図９（ａ），（ｂ）に示すように、金属
製基板４が凹型に成形されており、図８（ａ），（ｂ）
に示すように、半導体レーザーダイオード１，モニタ用
フォトダイオード３，レンズ等が凹みの部分に配置さ
れ、金属製基板４は２つの電子冷却器６によってささえ
られる構造になっているため、金属製基板４の下面位置
が電子冷却器６の上面位置よりも下になるため、その分
だけ薄型化が図れる様になっている。なお図８（ａ）は
側面断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′線で矢
印方向に見た図である。また図９（ａ），（ｂ）はそれ
ぞれ異なる態様の金属製基板４の斜視図である。
が高まり、高さｈを８ｍｍ以下程度にするために、レン
ズ結合系の薄型化及び電子冷却器６の薄型化が図られて
いるが、前者はレンズ径によって決まるレンズホルダ寸
法によって制限され、後者は冷却能力を維持するために
必要なペルチェ素子寸法によって制限されるため、半導
体レーザー装置全体としての大幅な薄型化は困難であっ
た。これを解決するための半導体レーザー装置が特開平
２−２９９２８１号公報に記載されている。図８
（ａ），（ｂ）及び図９（ａ），（ｂ）にその概略図を
示す。これは、図９（ａ），（ｂ）に示すように、金属
製基板４が凹型に成形されており、図８（ａ），（ｂ）
に示すように、半導体レーザーダイオード１，モニタ用
フォトダイオード３，レンズ等が凹みの部分に配置さ
れ、金属製基板４は２つの電子冷却器６によってささえ
られる構造になっているため、金属製基板４の下面位置
が電子冷却器６の上面位置よりも下になるため、その分
だけ薄型化が図れる様になっている。なお図８（ａ）は
側面断面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′線で矢
印方向に見た図である。また図９（ａ），（ｂ）はそれ
ぞれ異なる態様の金属製基板４の斜視図である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザー
装置は、半導体レーザーダイオードチップと、モニタ用
フォトダイオードと、サーミスタと、レンズを用いた光
学結合系とが金属製基板上に配置され、更に金属製基板
下に電子冷却器が配置された構造になっているため、こ
の半導体レーザー装置を薄型化するためには、（１）金
属製基板を含む上部配置物、特にレンズ及びレンズホル
ダの薄型化、（２）電子冷却器の薄型化の両方が必要で
ある。しかし、（１）については、半導体レーザーダイ
オードチップの放射角、レンズの焦点距離・形状・増倍
率等を考慮し、光学設計上高結合効率を達成するために
は、適切な径を有するレンズを固定するためのレンズホ
ルダ径は、製造上のバラツキを考慮すると、約３ｍｍ以
上が必要であり、このレンズホルダを有する金属製基板
の高さは、放熱性を考慮するとレンズホルダの高さを合
わせて４〜５ｍｍ程度の高さが必要となる。一方、
（２）については、電子冷却器の構成部材であるセラミ
ック板及びペルチェ素子を薄くする必要があるが、電子
冷却器上面と下面の温度差による電子冷却器自身へのス
トレスが大きくなる上に、冷却能力が低下するため、信
頼性及び高冷却能力を確保するためには、電子冷却器の
高さは現在のところ約１．６５ｍｍ以下にできない。従
って、従来の構造では、パッケージ放熱板厚、電子冷却
器高さ、レンズホルダ込の金属製基板高さ、及びパッケ
ージ筐体を合せると、半導体レーザー装置の高さは約８
ｍｍが限度となり、それ以下の高さにするのは困難であ
る。
装置は、半導体レーザーダイオードチップと、モニタ用
フォトダイオードと、サーミスタと、レンズを用いた光
学結合系とが金属製基板上に配置され、更に金属製基板
下に電子冷却器が配置された構造になっているため、こ
の半導体レーザー装置を薄型化するためには、（１）金
属製基板を含む上部配置物、特にレンズ及びレンズホル
ダの薄型化、（２）電子冷却器の薄型化の両方が必要で
ある。しかし、（１）については、半導体レーザーダイ
オードチップの放射角、レンズの焦点距離・形状・増倍
率等を考慮し、光学設計上高結合効率を達成するために
は、適切な径を有するレンズを固定するためのレンズホ
ルダ径は、製造上のバラツキを考慮すると、約３ｍｍ以
上が必要であり、このレンズホルダを有する金属製基板
の高さは、放熱性を考慮するとレンズホルダの高さを合
わせて４〜５ｍｍ程度の高さが必要となる。一方、
（２）については、電子冷却器の構成部材であるセラミ
ック板及びペルチェ素子を薄くする必要があるが、電子
冷却器上面と下面の温度差による電子冷却器自身へのス
トレスが大きくなる上に、冷却能力が低下するため、信
頼性及び高冷却能力を確保するためには、電子冷却器の
高さは現在のところ約１．６５ｍｍ以下にできない。従
って、従来の構造では、パッケージ放熱板厚、電子冷却
器高さ、レンズホルダ込の金属製基板高さ、及びパッケ
ージ筐体を合せると、半導体レーザー装置の高さは約８
ｍｍが限度となり、それ以下の高さにするのは困難であ
る。
【０００６】又、特開平２−２９９２８１号公報記載の
構造にすると、半導体レーザー装置の高さを上述従来構
造のものより更に１ｍｍ程度低くできると推測される
が、金属製基板が薄く凹型形状になっているため、半導
体レーザーダイオードは電子冷却器の発熱部の近くに位
置すると共に、半導体レーザーダイオードチップから電
子冷却器上面までの放熱経路が長く狭いため、電子冷却
器の冷却能力が低下するという欠点を有している。又、
半導体レーザー装置の高さは７ｍｍ程度にまではできる
と考えられるが、この構造でそれ以下にするのは困難で
ある。
構造にすると、半導体レーザー装置の高さを上述従来構
造のものより更に１ｍｍ程度低くできると推測される
が、金属製基板が薄く凹型形状になっているため、半導
体レーザーダイオードは電子冷却器の発熱部の近くに位
置すると共に、半導体レーザーダイオードチップから電
子冷却器上面までの放熱経路が長く狭いため、電子冷却
器の冷却能力が低下するという欠点を有している。又、
半導体レーザー装置の高さは７ｍｍ程度にまではできる
と考えられるが、この構造でそれ以下にするのは困難で
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザー
装置は、図１に示す様に、半導体レーザーダイオードチ
ップ１と、光結合系の一部であるレンズを有するレンズ
ホルダ２と、モニタ用フォトダイオード３と、サーミス
タ５とが、金属製基板４の同一面上に配置され、更に同
一面上に電子冷却器６の吸熱側が接着する様に配置さ
れ、電子冷却器６の放熱側に放熱板７が配置された構造
となっている。
装置は、図１に示す様に、半導体レーザーダイオードチ
ップ１と、光結合系の一部であるレンズを有するレンズ
ホルダ２と、モニタ用フォトダイオード３と、サーミス
タ５とが、金属製基板４の同一面上に配置され、更に同
一面上に電子冷却器６の吸熱側が接着する様に配置さ
れ、電子冷却器６の放熱側に放熱板７が配置された構造
となっている。
【０００８】
【実施例】本発明について図面を参照して説明する。本
発明の第１の実施例を図１に示す。この半導体レーザー
装置は、金属製基板４の上面にレンズを収納したレンズ
ホルダ２、半導体レーザーダイオードチップ１、モニタ
用フォトダイオード３がこの順序で１列に設置され、さ
らに半導体レーザーダイオードチップ１に隣接してサー
ミスタ５が設置され、モニタ用フォトダイオード後方に
電子冷却器６が設置されている。電子冷却器６は吸熱側
を金属製基板４に接着・固定され、上方の放熱側に放熱
板７が接着・固定されている。放熱板７は、図１に示す
ように、放熱フィンが電子冷却器後方に位置するように
設置され、半導体レーザー装置の高さが低くなるよう配
慮されている。
発明の第１の実施例を図１に示す。この半導体レーザー
装置は、金属製基板４の上面にレンズを収納したレンズ
ホルダ２、半導体レーザーダイオードチップ１、モニタ
用フォトダイオード３がこの順序で１列に設置され、さ
らに半導体レーザーダイオードチップ１に隣接してサー
ミスタ５が設置され、モニタ用フォトダイオード後方に
電子冷却器６が設置されている。電子冷却器６は吸熱側
を金属製基板４に接着・固定され、上方の放熱側に放熱
板７が接着・固定されている。放熱板７は、図１に示す
ように、放熱フィンが電子冷却器後方に位置するように
設置され、半導体レーザー装置の高さが低くなるよう配
慮されている。
【０００９】このように本発明の半導体レーザー装置は
金属製基板の同一面上にレンズホルダ、半導体レーザー
ダイオードチップ、モニタ用フォトダイオード、電子冷
却器が配置されているため、従来に比べて薄型化が実現
できる。
金属製基板の同一面上にレンズホルダ、半導体レーザー
ダイオードチップ、モニタ用フォトダイオード、電子冷
却器が配置されているため、従来に比べて薄型化が実現
できる。
【００１０】第２の実施例を図３（ａ），（ｂ），
（ｃ）に示す。同図（ｂ）は側面透過図を示し、同図
（ａ）は電子冷却器６からファイバー９の方向にみた透
過図を示し、同図（ｃ）は同図（ａ）の逆方向からみた
透過図である。この実施例は、金属製基板とレンズホル
ダとが一体に構成されたモジュール型の半導体レーザー
装置の例である。図３の半導体レーザー装置に用いてい
る金属製基板４の詳細図を図２（ａ），（ｂ），（ｃ）
に示す。図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は側面図、図
２（ｃ）は下面図である。金属製基板４は、図２に示す
ように、レンズホルダ２と一体に形成され、半導体レー
ザー装置の構成要素である半導体レーザーダイオードチ
ップ１と、モニタ用フォトダイオード３と、サーミスタ
５とが金属製基板下面（レンズホルダが形成されている
面）に配置され、更にモニタ用フォトダイオード設置領
域後方の同下面に電子冷却器搭載部１１を有している。
図３に示すように、金属製基板４の電子冷却搭載部１１
の面に、電子冷却器６の吸熱側を接着固定させ、電子冷
却器６の放熱側をパッケージの放熱板７に接着固定させ
ることにより、本発明の半導体レーザー装置が実現でき
る。金属製基板下面に配置された半導体レーザーダイオ
ードチップ１と、モニタ用フォトダイオード３と、サー
ミスタ５の電極は、金属製基板４にろう付によって取付
けられたセラミック基板１０の配線パターン１２上に引
き出されるようになっている。従って、図３のモジュー
ル型の半導体レーザー装置は、放熱板７の厚さ０．５ｍ
ｍ、電子冷却器６の高さ１．６５ｍｍ、金属製基板厚を
放熱性を考慮して２〜３ｍｍにすれば、全体の高さは
５．５ｍｍ以下にすることができる。又、電子冷却器６
の高信頼性及び高冷却能力を確保するため、電子冷却器
６の高さを２．１ｍｍ程度にまで高くしても、半導体レ
ーザー装置全体の高さは６ｍｍ以下にすることができ、
従来に比べ薄型化される。
（ｃ）に示す。同図（ｂ）は側面透過図を示し、同図
（ａ）は電子冷却器６からファイバー９の方向にみた透
過図を示し、同図（ｃ）は同図（ａ）の逆方向からみた
透過図である。この実施例は、金属製基板とレンズホル
ダとが一体に構成されたモジュール型の半導体レーザー
装置の例である。図３の半導体レーザー装置に用いてい
る金属製基板４の詳細図を図２（ａ），（ｂ），（ｃ）
に示す。図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は側面図、図
２（ｃ）は下面図である。金属製基板４は、図２に示す
ように、レンズホルダ２と一体に形成され、半導体レー
ザー装置の構成要素である半導体レーザーダイオードチ
ップ１と、モニタ用フォトダイオード３と、サーミスタ
５とが金属製基板下面（レンズホルダが形成されている
面）に配置され、更にモニタ用フォトダイオード設置領
域後方の同下面に電子冷却器搭載部１１を有している。
図３に示すように、金属製基板４の電子冷却搭載部１１
の面に、電子冷却器６の吸熱側を接着固定させ、電子冷
却器６の放熱側をパッケージの放熱板７に接着固定させ
ることにより、本発明の半導体レーザー装置が実現でき
る。金属製基板下面に配置された半導体レーザーダイオ
ードチップ１と、モニタ用フォトダイオード３と、サー
ミスタ５の電極は、金属製基板４にろう付によって取付
けられたセラミック基板１０の配線パターン１２上に引
き出されるようになっている。従って、図３のモジュー
ル型の半導体レーザー装置は、放熱板７の厚さ０．５ｍ
ｍ、電子冷却器６の高さ１．６５ｍｍ、金属製基板厚を
放熱性を考慮して２〜３ｍｍにすれば、全体の高さは
５．５ｍｍ以下にすることができる。又、電子冷却器６
の高信頼性及び高冷却能力を確保するため、電子冷却器
６の高さを２．１ｍｍ程度にまで高くしても、半導体レ
ーザー装置全体の高さは６ｍｍ以下にすることができ、
従来に比べ薄型化される。
【００１１】本発明の半導体レーザー装置の第３の実施
例を図４（ａ），（ｂ）に示す。図４（ａ）は側板を取
りはずして見た後面図、図４（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′
線で切断した断面図である。図３のモジュール型半導体
レーザー装置では、電子冷却器６にて冷却すべき半導体
レーザーダイオードチップ１が電子冷却器６の吸熱側面
の真上に位置していないため、半導体レーザーダイオー
ドチップ１−金属製基板４−電子冷却器６の吸熱側面間
の熱抵抗が大きくなり、放熱性がやや劣るために、全体
としての冷却能力がやや低下してしまう。そこで、第３
の実施例は、図４に示す如く、電子冷却器６を２個用い
て、その間に半導体レーザーダイオードチップ１を各々
の電子冷却器に最も近い位置（２つの電子冷却器の中
央）である金属製基板４の下面に配置して、図３に示す
モジュール型半導体レーザー装置と同じ高さでさらに冷
却能力を上げた構造となっている。この他の部分は第２
の実施例と同じである。
例を図４（ａ），（ｂ）に示す。図４（ａ）は側板を取
りはずして見た後面図、図４（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′
線で切断した断面図である。図３のモジュール型半導体
レーザー装置では、電子冷却器６にて冷却すべき半導体
レーザーダイオードチップ１が電子冷却器６の吸熱側面
の真上に位置していないため、半導体レーザーダイオー
ドチップ１−金属製基板４−電子冷却器６の吸熱側面間
の熱抵抗が大きくなり、放熱性がやや劣るために、全体
としての冷却能力がやや低下してしまう。そこで、第３
の実施例は、図４に示す如く、電子冷却器６を２個用い
て、その間に半導体レーザーダイオードチップ１を各々
の電子冷却器に最も近い位置（２つの電子冷却器の中
央）である金属製基板４の下面に配置して、図３に示す
モジュール型半導体レーザー装置と同じ高さでさらに冷
却能力を上げた構造となっている。この他の部分は第２
の実施例と同じである。
【００１２】又、本発明の半導体レーザー装置は、上記
実施例以外にも、表面実装型の半導体レーザー装置とし
ての実施も可能である。
実施例以外にも、表面実装型の半導体レーザー装置とし
ての実施も可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザー装置は、半導体レーザーダイオードチップと、半
導体レーザーダイオードチップからの発振光を光ファイ
バに光学結合させるためのレンズを有したレンズホルダ
と、モニタ用フォトダイオードと、温度センサとしての
サーミスタ素子と、温度制御用の電子冷却器とが、同一
の金属基板面側に配置した構造になっているので薄型化
できるという効果を有する。
ーザー装置は、半導体レーザーダイオードチップと、半
導体レーザーダイオードチップからの発振光を光ファイ
バに光学結合させるためのレンズを有したレンズホルダ
と、モニタ用フォトダイオードと、温度センサとしての
サーミスタ素子と、温度制御用の電子冷却器とが、同一
の金属基板面側に配置した構造になっているので薄型化
できるという効果を有する。
【図１】本発明の半導体レーザー装置の第１の実施例の
斜視図。
斜視図。
【図２】本発明の第２の実施例に使用する金属製基板を
示す図。
示す図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図。
【図４】本発明の第３の実施例を示す図。
【図５】従来の半導体レーザー装置の斜視図。
【図６】従来のモジュール型半導体レーザー装置に使用
する金属製基板を示す図。
する金属製基板を示す図。
【図７】従来のモジュール型半導体レーザー装置を示す
図。
図。
【図８】特開平２−２９９２８１号公報記載の半導体レ
ーザー装置を示す図。
ーザー装置を示す図。
【図９】特開平２−２９９２９１号公報記載の半導体レ
ーザー装置に使用する金属製基板の斜視図。
ーザー装置に使用する金属製基板の斜視図。
１ 半導体レーザーダイオードチップ ２ レンズホルダ ３ モニタ用フォトダイオード ４ 金属製基板 ５ サーミスタ ６ 電子冷却器 ７ 放熱板 ８ 光アイソレータ ９ ファイバー １０ セラミック基板 １１ 電子冷却器搭載部 １２ 配線パターン １３ パッケージリード
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザーダイオードチップと、該
半導体レーザーダイオードチップからの発振光を光ファ
イバに光学結合させるためのレンズを有したレンズホル
ダと、半導体レーザーダイオードチップからの後方出射
光を受光するモニタ様フォトダイオードと、温度センサ
としてのサーミスタと、温度制御用の電子冷却器とが、
金属基板の同一面上に配置された構造を少なくとも有す
ることを特徴とする半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5152548A JP2546146B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5152548A JP2546146B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715091A JPH0715091A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2546146B2 true JP2546146B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=15542875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5152548A Expired - Fee Related JP2546146B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546146B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104216077A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-17 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光电互联装置及其装配方法 |
| CN104216077B (zh) * | 2014-09-22 | 2017-01-04 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光电互联装置及其装配方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252726B1 (en) * | 1999-09-02 | 2001-06-26 | Lightlogic, Inc. | Dual-enclosure optoelectronic packages |
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