JP2003338654A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージ底板の熱的あるいは物理的変形や
ベースとパッケージとの位置関係のずれに起因した光軸
ずれなどの影響を回避し、光ファイバ出力端の光出力を
安定化すること。 【解決手段】 パッケージ１１内部に少なくとも半導体
レーザ素子１３が搭載されたベース１２を収容し、半導
体レーザ素子１３から出力されるレーザ光を、パッケー
ジ１１に設けられた開口部１１ｆから外部に導出する半
導体レーザモジュール１０であって、ベース１２は、開
口部１１ｆを形成した壁面１１ｂに固定される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、パッケージ内部
に少なくとも半導体レーザ素子が搭載されたベースを収
容し、前記半導体レーザ素子から出力されるレーザ光
を、レンズ系によって光ファイバへ光結合させてパッケ
ージ外部へ導出させる、あるいはレーザ光と光結合され
たレンズ付光ファイバによりパッケージ外部へ導出させ
る半導体レーザモジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体レーザモジュールは、
半導体レーザ素子（以下、単に「ＬＤ素子」という）を
搭載したベースがパッケージの底板上に配置され、ＬＤ
素子から出射されたレーザ光を光ファイバに光結合さ
れ、このレーザ光は光通信における信号用の光源や光増
幅用の光源に使用されている。

【０００３】この半導体レーザモジュールには、パッケ
ージの底板にフランジ状の取付部が設けられるのが一般
的である。この半導体レーザモジュールは、ねじなどの
固定手段を用いてこの取付部を固定することによって、
光通信器や光増幅器に設けられた回路基板やヒートシン
クなどに取り付けられる。

【０００４】また、半導体レーザモジュールには、環境
温度の変化や、駆動電流の大きさに伴って発熱するＬＤ
素子の温度変動特性を安定化させるため、パッケージの
底板に設置したペルチェ素子などからなるサーモモジュ
ール上に上述したベースを配置し、主としてＬＤ素子を
所定温度にするようにサーモモジュールで制御するもの
がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の半導体レーザモジュールには、ベース表面に搭載し
たベース表面実装型や、ＬＤ素子を搭載したステム、レ
ンズホルダ及びＬＤ素子から出射されたレーザ光を結合
させる光ファイバを保持したフェルールのスリーブを同
軸上に一体に連結した同軸一体型がある。そして、ベー
ス表面実装型や同軸一体型いずれのタイプの半導体レー
ザモジュールも、ＬＤ素子から出射されたレーザ光を光
ファイバに光結合させる手段として、レンズ系が使用さ
れるが、光ファイバの端部にレンズ部を一体に形成した
光ファイバ（レンズドファイバ）を使用するものもあ
る。また、上記半導体レーザモジュールは、サーモモジ
ュールを備えたものや備えないものなど、使用環境や用
途に応じて適宜使い分けている。

【０００６】上記種々のタイプの半導体レーザモジュー
ルのうち、ＬＤ素子から出射されたレーザ光をレンズ系
によって光ファイバに結合させるものには、レンズが１
つである１レンズ系型のものと、レンズが２つの２レン
ズ系型などがある。

【０００７】例えば、１レンズ系型の半導体レーザモジ
ュールは、図１１に示す半導体レーザモジュール１のよ
うに、パッケージ２内に収容されるサーモモジュール
３、ベース４、ＬＤ素子６及びレンズホルダ７を有して
いる。

【０００８】パッケージ２は、底板２ａ、側壁２ｂおよ
び側壁２ｂの上部に被着されるカバー２ｃを有してい
る。また、パッケージ２は、側壁２ｂに外方へ突出させ
て設けた筒状部２ｄによって開口部２ｅが形成され、開
口部２ｅの外側にはハーメチックガラス２ｆが取り付け
られている。そして、パッケージ２は、筒状部２ｄにス
リーブ９が取り付けられている。

【０００９】サーモモジュール３は、底板２ａに設置さ
れ、その上にベース４が配置されている。ベース４は、
一方にヒートシンク５を介してＬＤ素子６が、他方にレ
ンズ７ａを保持したレンズホルダ７が、それぞれ搭載さ
れている。スリーブ９は、光ファイバ９ａの先端に取り
付けたフェルール９ｂを保持している。

【００１０】これに対し、２レンズ系型の半導体レーザ
モジュールは、図１２に示す半導体レーザモジュール１
のように、パッケージ２の筒状部２ｄにレンズ８ａを保
持したレンズホルダ８を介してスリーブ９が取り付けら
れ、２つのレンズ７ａ，８ａを有している。

【００１１】ここで、１レンズ系型の半導体レーザモジ
ュールは、低光出力で、低コストなうえ小型化が可能と
いう特徴を有し、２レンズ系型の半導体レーザモジュー
ルは、レンズを２つ使用することで結合効率が高いこと
から、高出力用のモジュールに適しているという特徴を
有している。

【００１２】一方、レンズドファイバを使用した半導体
レーザモジュールは、図１３に示すように、ベース４の
他方に、レンズホルダ７に代えて、光ファイバＦopを保
持したフェルールＦが固定部材４ａによって支持されて
いる。光ファイバＦopは、先端に球形状あるいは楔形状
等のレンズ部Ｐlsが形成され、筒状部２ｄからパッケー
ジ２の外部へ延出している。筒状部２ｄは、光ファイバ
Ｆopが延出する部分が半田Ｓdで封止されている。

【００１３】ところで、上述したように光増幅器等の回
路基板等に固定する構造を有した半導体レーザモジュー
ルでは、この固定に伴う応力が直接作用する。このた
め、半導体レーザモジュールは、固定の際の応力が過剰
であると、パッケージの底板が変形することがある。

【００１４】また、サーモモジュール３を備えた半導体
レーザモジュール１では、ＬＤ素子６の駆動に伴うＬＤ
素子６の発熱による熱を、ＬＤ素子６の近傍、または、
ベース４やサーモモジュール３上に設置されたサーミス
タにより感知する。そして、ＬＤ素子６を所望の温度に
制御するため、ＬＤ素子６等を搭載したベ―ス４を介し
て吸熱するようにサーモモジュール３を作動させ、ま
た、パッケージ２の底板２ａを介して放熱している。そ
のため、半導体レーザモジュール１は、図１１〜１３に
示すように、熱によってパッケージ２の底板２ａに反り
などの熱変形を生じる場合がある。

【００１５】ここで、半導体レーザモジュール１は、パ
ッケージ２の底板２ａに矢印で示す方向に上述した物理
的な変形や熱変形（図１１，１２の点線参照）が生じる
と、ＬＤ素子６、レンズ７ａ（８ａ）及び光ファイバ９
ａに至るレーザ光の光軸がずれ、光結合効率の劣化によ
って光ファイバの出力端における光出力が低下するとい
う問題があった。また、図１３に示した半導体レーザモ
ジュール１においては、パッケージ２の底板２ａに上述
した物理的な変形や熱変形が発生した場合、フェルール
Ｆから延出した光ファイバＦopが図中円で囲んだＣ部で
多少変形する。このとき、ベース４に設置されたＬＤ素
子６と光ファイバＦopとの光結合状態に大きな影響はな
いが、これらにも僅かながら影響が生ずる。

【００１６】更に、温度制御素子を備えた半導体レーザ
モジュールは、ＬＤ素子６を冷却するときには、サーモ
モジュール３のベース４側が吸熱（冷却）するように電
流を流し、裏面のパッケージ底板２ａ側では放熱させる
必要がある。このとき、半導体レーザモジュール１で
は、サーモモジュール３のＬＤ素子６側が所望の温度よ
りも低かったり、電気的トラブルなどによってサーモモ
ジュール３に過剰電流が流れたり、あるいはベース４側
が発熱する方向に電流（逆方向電流）が流れて発熱する
場合もある。このような発熱によって、半導体レーザモ
ジュール１では、パッケージ２の底板２ａに反りなどの
熱変形が生じる場合がある。あるいは、半導体レーザモ
ジュール１では、サーモモジュール３のベース４側が発
熱する方向に流れる電流により、サーモモジュール３と
ベース４とを固定する半田が溶融する温度となり、ベー
ス４の位置がずれてしまう場合もある。

【００１７】サーモモジュール３駆動時の発熱や吸熱
（冷却）側と発熱側の温度差により、サーモモジュール
３自体に変形が生じる場合があり、ベース４の位置がず
れてしまう場合もある。

【００１８】このような場合に、半導体レーザモジュー
ル１は、サーモモジュール３の上に配置されたベース４
とパッケージ２との位置関係がずれ、この結果、ＬＤ素
子６と光ファイバ９ａとの光軸がずれ、光ファイバ９ａ
出力端における光出力が低下してしまうという問題があ
った。

【００１９】この発明は、上述した従来技術による問題
点を解消するため、パッケージ底板の熱的あるいは物理
的変形や、ベースとパッケージとの位置関係のずれに起
因した光軸ずれに伴う光ファイバ出力端における光出力
の低下を防止し、安定した光出力を得ることができる半
導体レーザモジュールを提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１にかかる半導体レーザモジュールは、パッ
ケージ内部に少なくとも半導体レーザ素子が搭載された
ベースを収容し、前記半導体レーザ素子から出力される
レーザ光を、前記パッケージに設けられた開口部から外
部に導出する半導体レーザモジュールであって、前記ベ
ースは、前記開口部を形成した壁面に固定されているこ
とを特徴とする。

【００２１】この請求項１の発明によれば、パッケージ
内部に少なくとも半導体レーザ素子が搭載されたベース
を収容し、前記半導体レーザ素子から出力されるレーザ
光を、前記パッケージに設けられた開口部から外部に導
出する半導体レーザモジュールであって、前記ベース
を、前記開口部を形成した壁面に固定し、このベースと
開口部を形成しないパッケージの底板などの壁面との関
係が切り離され、開口部を形成しない壁面の熱的あるい
は物理的な変形や、ベースとパッケージとの位置関係の
ずれに起因した光軸ずれなどによる光出力低下等の影響
が回避される。このとき、半導体レーザ素子から出力さ
れるレーザ光は、レンズ系によって光ファイバへ光結合
されるか、あるいは、レンズ付光ファイバに光結合され
て、パッケージから外部へ導出される。

【００２２】また、請求項２にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記レーザ光が光学部
品を介して、あるいは、直接光ファイバに光結合され、
前記パッケージ外部に導出されることを特徴とする。

【００２３】この請求項２の発明によれば、前記レーザ
光が光学部品、例えば、レンズ系によって光ファイバ
に、あるいは、レンズ付光ファイバに光結合されて外部
に導出され、前記レーザ光と光ファイバとの光結合を高
い効率で行えるようにしている。

【００２４】また、請求項３にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記ベースと前記開口
部を形成した壁面との間に固定部材を介在させたことを
特徴とする。

【００２５】この請求項３の発明によれば、前記ベース
と前記開口部を形成した壁面との間に固定部材を介在さ
せて、ベースと開口部を形成した壁面との間の接合を容
易に行えるようにしている。

【００２６】また、請求項４にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記ベースまたは前記
固定部材と前記開口部を形成した壁面との接合面に凹部
を設けたことを特徴とする。

【００２７】この請求項４の発明によれば、前記ベース
または前記固定部材と前記開口部を形成した壁面との接
合面に凹部を設け、ベースまたは固定部材と開口部を形
成した壁面との間における熱伝導を小さくし、壁面の熱
変形を防止して光軸ずれが生じないようにしている。さ
らに、パッケージ底板から側壁を介したベースへの伝
熱、特に、サーモモジュールを備えた場合における、サ
ーモモジュールからパッケージ底板に放熱された熱の、
側壁を介したベースへの伝導を抑制している。

【００２８】また、請求項５にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記固定部材は、前記
ベースの熱伝導率に比して小さい熱伝導率をもつ材料に
よって形成されていることを特徴とする。

【００２９】この請求項５の発明によれば、前記固定部
材は、前記ベースの熱伝導率に比して小さい熱伝導率を
もつ材料によって形成し、固定部材と開口部を形成した
壁面との間における熱伝導を小さくし、壁面の熱変形を
防止して光軸ずれが生じないようにしている。さらに、
パッケージ底板から側壁を介したベースへの伝熱、特
に、サーモモジュールを備えた場合における、サーモモ
ジュールからパッケージ底板に放熱された熱の、側壁を
介したベースへの伝導をより一層抑制している。

【００３０】また、請求項６にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記開口部を形成した
壁面を形成する材料の熱伝導率は、前記ベースの熱伝導
率に比して小さいことを特徴とする。

【００３１】この請求項６の発明によれば、前記開口部
を形成した壁面を形成する材料の熱伝導率は、前記ベー
スの熱伝導率に比して小さくし、壁面の熱変形を防止し
て光軸ずれが生じないようにしている。さらに、パッケ
ージ底板から側壁を介したベースへの伝熱、特に、サー
モモジュールを備えた場合における、サーモモジュール
からパッケージ底板に放熱された熱の、側壁を介したベ
ースへの伝導を抑制している。

【００３２】また、請求項７にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記ベースあるいは前
記固定部材と前記開口部を形成した壁面との間は、半田
材によって固定されることを特徴とする。

【００３３】また、請求項８にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記ベースあるいは前
記固定部材と前記開口部を形成した壁面との間は、ＹＡ
Ｇレーザ溶接によって固定されることを特徴とする。

【００３４】また、請求項９にかかる半導体レーザモジ
ュールは、上記の発明において、前記ベースと前記パッ
ケージの底板との間を板状あるいは面状の伝熱体によっ
て接合したことを特徴とする。

【００３５】この請求項９の発明によれば、前記ベース
と前記パッケージの底板との間を板状あるいは面状の伝
熱体によって接合し、ベースと前記パッケージの底板と
の位置関係がずれた場合であっても、板状あるいは面状
の伝熱体が変形することにより、このような位置関係の
ずれがベースと開口部を形成した壁面との位置関係に影
響を及ぼさないようにするとともに、伝熱体を介して熱
をパッケージの底板へ放出可能で、かつ、開口部を形成
した壁面への熱伝達を低減できるので、熱変形を防止
し、光軸ずれが生じないようにしている。

【００３６】また、請求項１０にかかる半導体レーザモ
ジュールは、上記の発明において、前記ベースと前記パ
ッケージの底板との間にサーモモジュールが介在されて
いることを特徴とする。

【００３７】この請求項１０の発明によれば、前記ベー
スと前記パッケージの底板との間にサーモモジュールを
介在させ、ＬＤ素子を所定温度に制御することが可能に
なる。

【００３８】また、請求項１１にかかる半導体レーザモ
ジュールは、上記の発明において、前記サーモモジュー
ルと前記パッケージの底板との間が、熱伝導性を有する
接合材で接合されていることを特徴とする。

【００３９】この請求項１１の発明によれば、前記ベー
スと前記パッケージの底板との間の接合材が熱伝導性を
有するので、前記サーモモジュールで発生する熱を前記
パッケージの底板を介して放出することができる。

【００４０】また、請求項１２にかかる半導体レーザモ
ジュールは、上記の発明において、前記サーモモジュー
ルと前記パッケージの底板との間を接合する前記接合材
の塑性変形能が、前記ベースと前記開口部を形成した壁
面あるいは前記ベースと前記固定部材を介した前記開口
部を形成した壁面との間を接合する接合材の塑性変形能
に比して大きいことを特徴とする。

【００４１】この請求項１２の発明によれば、前記サー
モモジュールと前記パッケージの底板との間を接合する
前記接合材の塑性変形能が、前記ベースと前記開口部を
形成した壁面あるいは前記ベースと前記固定部材を介し
た前記開口部を形成した壁面との間を接合する接合材の
塑性変形能に比して大きくすることで、前記パッケージ
の底板の熱による変形、あるいは、ねじ締め時の応力等
による物理的変形の影響が、ベースと開口部を形成した
壁面との間の位置関係に影響を与え難くくし、光軸ずれ
などが生じ難くしている。このとき、前記接合材は、ヤ
ング率が前記パッケージの底板のヤング率よりも小さい
ものを使用するのが好ましい。

【００４２】また、請求項１３にかかる半導体レーザモ
ジュールは、上記の発明において、前記サーモモジュー
ルと前記パッケージの底板との間を接合する接合材の厚
みは、前記ベースと前記開口部を形成した壁面あるいは
前記ベースと前記固定部材を介した前記開口部を形成し
た壁面との間を接合する接合材の厚みに比して厚いこと
を特徴とする。

【００４３】この請求項１３の発明によれば、前記サー
モモジュールと前記パッケージの底板との間を接合する
接合材の厚みは、前記ベースと前記開口部を形成した壁
面あるいは前記ベースと前記固定部材を介した前記開口
部を形成した壁面との間を接合する接合材の厚みに比し
て厚くし、接合材の変形を生じやすいようにし、塑性変
形能を大きく設定している。このとき、前記接合材は、
弾性変形域においてはパッケージの底板に作用する応力
を弾性変形によっても緩和している。

【００４４】また、請求項１４にかかる半導体レーザモ
ジュールは、上記の発明において、前記接合材が半田で
あることを特徴とする。

【００４５】この請求項１４の発明によれば、半田のヤ
ング率がパッケージの底板に関するヤング率よりも小さ
いので、弾性変形域においてはパッケージの底板に作用
する応力を半田で緩和している。

【００４６】また、請求項１５にかかる半導体レーザモ
ジュールは、上記の発明において、前記サーモモジュー
ルと前記パッケージの底板との間を接合する前記半田の
厚みが５０μｍ以上、１２０μｍ以下であることを特徴
とする。

【００４７】この請求項１５の発明によれば、パッケー
ジの底板の変形に伴って作用する応力を半田の弾性変形
や塑性変形によって緩和している。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、この発明
にかかる半導体レーザモジュールの好適な実施の形態に
ついて説明する。

【００４９】（実施の形態１）まず、この発明の実施の
形態１について説明する。図１は、この発明の実施の形
態１である半導体レーザモジュール１０の構成を示す縦
断面図である。この実施の形態１では、パッケージ１１
の底板１１ａにフランジ状の取付部１１ｄが設けられて
いる半導体レーザモジュールである。図１において、半
導体レーザモジュール１０は、パッケージ１１と、パッ
ケージ１１内に収容されるベース１２、ＬＤ素子１３、
フォトダイオード１４、レンズホルダ１５および光ファ
イバ１６を有している。

【００５０】パッケージ１１は、図１に示すように、底
板１１ａ、側壁１１ｂおよび側壁１１ｂの上部に被着さ
れる蓋体１１ｃを有する。底板１１ａは、フランジ状に
延出し、光増幅器等の回路基板やヒートシンクなどに対
してねじによって固定される取付部１１ｄが、長手方向
両側に設けられている。取付部１１ｄには、ねじ孔１１
ｅが形成されている。パッケージ１１は、側壁１１ｂに
ＬＤ素子１３から出射されるレーザ光をパッケージ１１
の外部へ導く開口部１１ｆが形成され、内部にハーメチ
ックガラス１１ｇを設けた取付け筒１１ｈが開口部１１
ｆに取り付けられている。取付け筒１１ｈには、図示の
ように、スリーブ１７が取り付けられている。

【００５１】このとき、パッケージ１１は、ベース１２
を形成する素材（Ｃｕ−Ｗ合金，ＡｌＮ）の熱伝導率に
比して小さい熱伝導率を有するＫＯＶＡＲ（Ｒ）すなわ
ち鉄−コバルト−ニッケル合金（Ｆe: ５３ｗｔ％，Ｃ
o: １８ｗｔ％，Ｎi: ２８ｗｔ％）などによって形成す
る。このような素材を使用すると、パッケージ１１は、
側壁１１ｂの熱変形が防止され、ＬＤ素子１３から光フ
ァイバ１６に至るレーザ光の光軸ずれが生じなくなる。

【００５２】ベース１２は、Ｃｕ−Ｗ合金やＡｌＮなど
によって、図１に示すように、長手方向中央に台座１２
ａが、台座１２ａの両側に搭載部１２ｂ，１２ｃが、そ
れぞれ設けられ、搭載部１２ｃに隣接して取付壁１２ｄ
が垂直に形成されている。台座１２ａには、キャリア１
２ｆを介してＬＤ素子１３が、搭載部１２ｂにはキャリ
ア１２ｇを介してフォトダイオード１４が、それぞれ対
向する位置に搭載されている。また、搭載部１２ｃに
は、レンズ１５ａを保持したレンズホルダ１５が搭載さ
れている。取付壁１２ｄは、開口部１１ｆに臨んで凹部
１２ｈが形成されている。凹部１２ｈは、側壁１１ｂと
の接触面積を小さくし、ＬＤ素子１３の発熱に伴うベー
ス１２から側壁１１ｂへの熱の移動量を少なく抑えるた
めに形成する。そして、ベース１２は、取付壁１２ｄを
複数の溶接点でＹＡＧレーザ溶接したり、半田付けする
ことで、開口部１１ｆを形成した側の側壁１１ｂに固定
される。

【００５３】ＬＤ素子１３は、空間を介して光ファイバ
１６と対向配置され、その前端面から出射される所定波
長のレーザ光を、取付け筒１１ｈを介してパッケージ１
１の外部へ光ファイバ１６を通して出射する。

【００５４】フォトダイオード１４は、ＬＤ素子１３の
後端面からモニタ用のレーザ光を受光し、外部からモニ
タする。

【００５５】光ファイバ１６は、先端にフェルール１６
ａが取り付けられ、ＬＤ素子１３の前端面から出射され
る所定波長のレーザ光をパッケージ１１の開口部１１ｆ
に取り付けた取付け筒１１ｈから外部へ導出する。スリ
ーブ１７は、取付け筒１１ｈに取り付けられ、フェルー
ル１６ａを保持している。

【００５６】ここで、半導体レーザモジュール１は、各
取付部１１ｄで回路基板やヒートシンクなどに、ねじに
よって固定される。そして、半導体レーザモジュール１
０において、ＬＤ素子１３から出射されたレーザ光は、
レンズホルダ１５に保持されたレンズ１５ａで集光され
て、光ファイバ１６に光結合され、光ファイバ１６によ
ってパッケージ１１の外部へと伝送されて行く。このと
き、半導体レーザモジュール１０は、回路基板などへの
取り付けに際し、取付部１１ｄに作用するねじ止めの際
の応力によって底板１１ａが変形することがある。

【００５７】しかし、半導体レーザモジュール１０は、
ベース１２が側壁１１ｂに固定されているため、底板１
１ａの変形による影響を殆ど受けることがない。このた
め、半導体レーザモジュール１０では、ＬＤ素子１３と
光ファイバ１６との光軸がずれることはなく、ＬＤ素子
１３から出射されたレーザ光は、高い結合効率の下の光
ファイバ１６に光結合される。従って、半導体レーザモ
ジュール１０は、光結合効率の劣化がなく、安定した光
出力が得られる。

【００５８】また、半導体レーザモジュール１０は、発
振動作に伴ってＬＤ素子１３が発熱する。この熱は、ベ
ース１２の取付壁１２ｄからパッケージ１１の側壁１１
ｂに伝わる。

【００５９】しかし、半導体レーザモジュール１０は、
取付壁１２ｄに凹部１２ｈが形成され、側壁１１ｂとの
接触面積が小さいので、ベース１２からパッケージ１１
に伝わる熱量が少ない。このため、半導体レーザモジュ
ール１０は、側壁１１ｂが殆ど熱変形を受けることがな
く、ＬＤ素子１３から出射されるレーザ光の光軸のずれ
はほとんどないと言える。

【００６０】ここで、ベースが、Ｃｕ−Ｗ合金等のよう
に熱伝導率の比較的大きな素材からなる場合、半導体レ
ーザモジュール１０は、図２に示すように、固定部材２
２を介してベース２１を開口部１１ｆが形成された側壁
１１ｂに固定する。なお、図２〜図１０に示す半導体レ
ーザモジュールにおいて、同一構成部分には同一符号を
付している。

【００６１】図２において、ベース２１は、長手方向中
央に台座２１ａが形成され、台座２１ａの両側に搭載部
２１ｂ，２１ｃがそれぞれ形成されている。台座２１ａ
には、キャリア２１ｄを介してＬＤ素子１３が搭載され
る。

【００６２】ここで、図２，図３に示すベース２１おい
ては、搭載部２１ｂに搭載されるキャリアとフォトダイ
オード１４並びに搭載部２１ｃに搭載されるレンズホル
ダ１５が省略されている。

【００６３】固定部材２２は、側壁１１ｂとの接触面積
を低減するため、側壁１１ｂとの接触面積を小さくし、
ＬＤ素子１３の発熱に伴うベース２１から側壁１１ｂへ
の熱の移動量を少なく抑える凹部２２ａが側壁１１ｂ側
に形成されている。固定部材２２は、Ｃｕ−Ｗ合金など
によって形成されるベース２１の熱伝導率に比して小さ
い熱伝導率を有する前記鉄−コバルト−ニッケル合金な
どの素材が用いられる。固定部材２２は、半田あるいは
ろう付け等によってベース２１の両側に取り付けられ、
ＹＡＧレーザ溶接により溶接点Ｐwで側壁１１ｂに固定
される。

【００６４】このようなベース２１を用いた半導体レー
ザモジュール１０は、凹部２２ａが存在することによっ
て、固定部材２２と側壁１１ｂとの接触面積が小さく抑
えられる。このため、半導体レーザモジュール１０は、
ベース２１から固定部材２２を介して側壁１１ｂに伝わ
るＬＤ素子１３からの熱量が抑制され、結果としてパッ
ケージ１１に伝わるＬＤ素子１３からの熱量が抑制され
る。

【００６５】この結果、固定部材２２を介してベース２
１を側壁１１ｂに固定する半導体レーザモジュール１０
は、パッケージ１１の熱変形が抑制され、ＬＤ素子１３
から出射されるレーザ光の光軸のずれに起因した光結合
効率の劣化が発生せず、光出力が一層安定する。

【００６６】ここで、固定部材２２は、ベース２１と比
較した熱伝導率の大小ではなく、熱膨張率ができるだけ
近いものを使用することで、ベース２１と固定部材２２
との熱膨張の相違に基づく熱変形を低減し、光軸のずれ
を抑制してもよい。

【００６７】また、ベース２１は、固定部材と一体に形
成してもよいが、その場合には、前記鉄−コバルト−ニ
ッケル合金のような熱伝導率の小さい素材を用いる。た
だし、Ｃｕ−Ｗ合金等のように熱伝導率の大きな素材
は、熱伝導性が良く、放熱性に優れるため、一般的にＹ
ＡＧレーザ溶接のようなレーザ溶接による固定が難し
い。このため、ベース２１が、Ｃｕ−Ｗ合金等を用い、
図３に示すように、両側に配置される側板２１ｅを含め
た一体型の構成とした場合、固定部材２３を介して側壁
１１ｂに固定する。

【００６８】固定部材２３は、側壁１１ｂとの接触面積
を低減するため、図３に示すように、開口部１１ｆが形
成された側壁１１ｂ側に凹部２３ａが形成され、素材と
しては、ベース２１の熱伝導率に比して小さい熱伝導率
を有する前記鉄−コバルト−ニッケル合金やセラミック
スを用いてもよい。この場合、固定部材２３は、半田Ｓ
dやろう付け（たとえば、銀ろう付け）によって側壁１
１ｂに固定される。ただし、固定部材２３は、ベース２
１の側板２１ｅに半田やろう付け（たとえば、銀ろう付
け）によって固定される。

【００６９】なお、実施の形態１の半導体レーザモジュ
ールは、図４に示す半導体レーザモジュール２０のよう
に、取付け筒１１ｈとスリーブ１７との間にレンズ２４
ａを保持したレンズホルダ２４を配置した２レンズ系型
としても、ＬＤ素子１３と光ファイバ１６との光軸がず
れることがなく、光ファイバ１６の出力端における光出
力の低下を防止し、安定した光出力が得られるという半
導体レーザモジュール１０と同じ効果を得ることができ
る。

【００７０】（実施の形態２）つぎに、この発明の実施
の形態２について説明する。図５は、この発明の実施の
形態２である半導体レーザモジュールの構成を示す縦断
面図である。この実施の形態２の半導体レーザモジュー
ルでは、光ファイバに先端に球形状あるいは楔形状等の
レンズ部が形成されたレンズドファイバを使用した構成
としている。図５において、半導体レーザモジュール２
５は、パッケージ１１と、パッケージ１１内に収容され
るベース２６、ＬＤ素子１３、フォトダイオード１４お
よび光ファイバ２７を有している。

【００７１】ベース２６は、ベース１２と同じ素材を用
いて基板２６ａの一端に取付壁２６ｂが垂直に形成さ
れ、キャリア２６ｃを介してＬＤ素子１３が、キャリア
２６ｄを介してフォトダイオード１４が、それぞれ対向
配置させて設けられている。取付壁２６ｂは、開口部１
１ｆに臨んで側壁１１ｂとの接触面積を小さくし、ＬＤ
素子１３の発熱に伴うベース２６から側壁１１ｂへの熱
の移動量を少なく抑える凹部２６ｅが形成されている。
そして、ベース２６は、取付壁２６ｂを複数の溶接点で
ＹＡＧレーザ溶接したり、半田付けすることで、取付け
筒１１ｈを設けた側の側壁１１ｂに固定されている。

【００７２】光ファイバ２７は、先端に球形状あるいは
楔形状等のレンズ部２７ａが形成されたレンズドファイ
バで、一端を突出させてフェルール２８に挿通固定され
ている。フェルール２８は、取付け筒１１ｈに挿通さ
れ、半田や接着剤などで固定されるとともに、取付け筒
１１ｈから延出した部分がベース２６に設けた固定部品
２９にＹＡＧレーザ溶接などによって固定されている。
そして、光ファイバ２７の他端は、取付け筒１１ｈを通
ってパッケージ１１の外部へ延出している。

【００７３】ここで、半導体レーザモジュール２５は、
各取付部１１ｄで回路基板やヒートシンクなどに、ねじ
によって固定される。半導体レーザモジュール２５で
は、ＬＤ素子１３から出射されたレーザ光は、レンズ部
２７ａで集光され、光ファイバ２７によってパッケージ
１１の外部へと伝送されて行く。このとき、半導体レー
ザモジュール２５は、回路基板などへの取り付けに際
し、取付部１１ｄに作用するねじ止めの際の応力によっ
て底板１１ａが変形することがある。

【００７４】しかし、半導体レーザモジュール２５は、
ベース２６が側壁１１ｂに固定されているため、底板１
１ａの変形による影響を殆ど受けることがない。このた
め、半導体レーザモジュール２５では、ＬＤ素子１３と
光ファイバ２７との光軸がずれることはなく、ＬＤ素子
１３から出射されたレーザ光は、レンズ部２７ａで集光
されて光ファイバ２７に入射する。従って、半導体レー
ザモジュール２５は、光結合効率の劣化がなく、安定し
た光出力が得られる。

【００７５】ここで、半導体レーザモジュール２５で
は、発振動作に伴ってＬＤ素子１３が発熱する。この熱
は、ベース２６の取付壁２６ｂからパッケージ１１の側
壁１１ｂに伝わる。

【００７６】しかし、半導体レーザモジュール２５は、
取付壁２６ｂに凹部２６ｅが形成され、側壁１１ｂとの
接触面積が小さいので、ベース２６からパッケージ１１
に伝わる熱量が少ない。このため、半導体レーザモジュ
ール２５は、側壁１１ｂが殆ど熱変形を受けることがな
く、ＬＤ素子１３から出射されるレーザ光の光軸のずれ
はほとんどないと言える。

【００７７】（実施の形態３）つぎに、この発明の実施
の形態３について説明する。この実施の形態３の半導体
レーザモジュールでは、サーモモジュール１８上にベー
ス１２を配置した構成としている。図６において、半導
体レーザモジュール３０は、パッケージ１１と、パッケ
ージ１１内に収容されるベース１２、ＬＤ素子１３、フ
ォトダイオード１４、レンズホルダ１５およびサーモモ
ジュール１８等を有する。

【００７８】サーモモジュール１８は、ベース１２と底
板１１ａとの間に配置され、ベース１２や底板１１ａと
の間を半田で接合されている。このとき、サーモモジュ
ール１８と底板１１ａやベース１２との間を接合する半
田ＳdMの厚みを、開口部１１ｆを形成した側壁１１ｂと
ベース１２との間を接合する半田ＳdBの厚みに比して厚
くするか、あるいはＳn−Ｚn，Ｐb−Ｓn等の比較的軟質
な低融点半田を使用する。

【００７９】ベース１２をサーモモジュール１８に組み
付けるときは、先ず、予め底板１１ａに固定されたサー
モモジュール１８の上で半田を溶融させ、図７に矢印Ａ
yで示すように、溶融状態でベース１２を押し付ける。
その後、図７に矢印Ａxで示すように、ベース１２を側
壁１１ｂ側へ押圧し、取付壁１２ｄを適宜の溶接点Ｐw
でＹＡＧレーザ溶接して側壁１１ｂに固定する。半田付
けならば、たとえば、取付壁１２ｄを側壁１１ｂに押し
付けながらＡｕ−Ｓｎ半田を局部加熱し、半田付けす
る。このとき、ベース１２は、サーモモジュール１８へ
固定するのと同じ半田を用い、側壁１１ｂおよびサーモ
モジュール１８に同時に半田付けしてもよい。

【００８０】あるいは、図８（ａ）に示すように、サー
モモジュール１８の上に置いた所定の大きさの半田シー
ト上にベース１２を配置し、ベース１２をサーモモジュ
ール１８に押し付けると共に矢印方向に押圧しながら、
取付壁１２ｄを適宜の溶接点ＰwでＹＡＧレーザ溶接し
て側壁１１ｂに固定する。その後、図８（ｂ）に示すよ
うに、ベース１２とサーモモジュール１８の間の半田シ
ートを溶かしてベース１２をサーモモジュール１８に固
定する。

【００８１】半導体レーザモジュール３０は、以上のよ
うに構成され、開口部１１ｆが形成された側壁１１ｂが
ベース１２を固定し、ＬＤ素子１３から出射されるレー
ザ光の光軸がずれないように保持する役割を、底板１１
ａやサーモモジュール１８がベース１２から放熱する役
割を、主として発揮する領域となる。そして、ＬＤ素子
１３から出射されたレーザ光は、レンズホルダ１５のレ
ンズ１５ａで集光されて光ファイバ１６へ入射し、光フ
ァイバ１６によって外部へ伝送されて行く。

【００８２】このとき、半導体レーザモジュール３０
は、サーモモジュール１８のＬＤ素子１３側が所望の温
度よりも低い、あるいは電気的トラブルなどによってサ
ーモモジュール１８に過剰電流や、ベース１２側が発熱
する方向の電流（逆方向電流）が流れて発熱する場合が
ある。このような発熱によって、半導体レーザモジュー
ル３０では、パッケージ１１の底板１１ａに反りなどの
熱変形が生じたり、サーモモジュール１８とベース１２
あるいは底板１１ａとの間の半田が溶融することがあ
る。また、サーモモジュール１８駆動時の発熱や吸熱
（冷却）側と発熱側の温度差によりサーモモジュール１
８自体に変形が生じ、ベース４の位置がずれてしまうこ
とがある。

【００８３】しかし、半導体レーザモジュール３０は、
ベース１２が開口部１１ｆが形成された側壁１１ｂに固
定されている。このため、半導体レーザモジュール３０
は、サーモモジュール１８とベース１２あるいは底板１
１ａとの間の半田の溶融よってベース１２と開口部１１
ｆが形成された側壁１１ｂとの位置関係が変化すること
はなく、ＬＤ素子１３から出射されるレーザ光の光軸の
ずれに起因した光結合効率の劣化が発生せず、安定した
光出力が得られる。また、サーモモジュール１８駆動時
の発熱や吸熱（冷却）側と発熱側の温度差によりサーモ
モジュール自体に変形が生じた場合においても、レーザ
光の光軸ずれに起因した光結合効率の劣化が発生しな
い、又は、発生し難くなる。

【００８４】しかも、半導体レーザモジュール３０は、
サーモモジュール１８と底板１１ａやベース１２との間
を接合している半田の厚みが、ベース１２と開口部１１
ｆを形成した側壁１１ｂとの間を接合している半田の厚
みに比して厚いか、軟質な半田を使用している。このた
め、半導体レーザモジュール３０は、回路基板などに例
えば、ねじによって固定する際に底板１１ａが物理的に
変形しても、厚い半田や軟質な半田の弾性変形や塑性変
形により、ねじ固定や熱によって変形した底板１１ａか
ら作用する応力が緩和されるので、ベース１２と側壁１
１ｂとの間には何ら応力が作用することはない。従っ
て、半導体レーザモジュール３０においては、ベース１
２に光結合効率の劣化を招来するような大きな問題は生
じ難くなる。以上のような変形をするうえで、半田ＳdM
の厚みは、例えば、６３ｗｔ％Ｓｎ−３７ｗｔ％Ｐｂか
らなる半田では５０μｍ以上、１２０μｍ以下とする。
但し、Ｓｎ−ＡｇやＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなど、その他の半
田であってもよい。

【００８５】ここで、上記半田は、少なくともサーモモ
ジュール１８と底板１１ａとの間で使用すればよい。ま
た、サーモモジュール１８とベース１２や底板１１ａと
の間を接合することができれば、上記した半田ＳdMの他
に、伝熱性のシリコーングリースあるいは伝熱性の合成
樹脂を、変形による応力の緩和を利用するため使用して
もよい。

【００８６】また、半導体レーザモジュール３０は、図
９に示すように、固定部材３１を介してベース３２を開
口部１１ｆを形成した側壁１１ｂに取り付けてもよい。

【００８７】固定部材３１は、側壁１１ｂとの接触面積
を低減するため、図示のように、側壁１１ｂ側に開口を
有する凹部３１ａが形成され、ベース３２と側壁１１ｂ
との間の熱伝導を抑えるため、熱伝導率の小さい前記鉄
−コバルト−ニッケル合金やセラミックスを用いる。固
定部材３１は、Ａｎ−Ｓｎ半田やろう付け（たとえば、
銀ろう付け）によって側壁１１ｂに固定される。

【００８８】ベース３２は、長手方向中央に設けられた
台座３２ａの両側に搭載部３２ｂ，３２ｃがそれぞれ形
成されている。台座３２ａには、キャリア３２ｆを介し
てＬＤ素子１３が、搭載部３２ｂにはキャリア３２ｇを
介してフォトダイオード１４が、それぞれ対向する位置
に搭載されている。また、搭載部３２ｃには、レンズ１
５ａを保持したレンズホルダ１５が搭載されている。

【００８９】固定部材３１を介してベース３２を側壁１
１ｂに取り付けると、図９に矢印で示すように、底板１
１ａから側壁１１ｂへと伝導してくるサーモモジュール
１８下面から放出される熱が、接触面積が小さく、熱伝
導率か小さいことから固定部材３１の部分で伝導し難
く、主にパッケージ１１を取り付けた回路基板やヒート
シンク側へと伝導される。

【００９０】このため、半導体レーザモジュール３０に
おいては、固定部材３１を介してベース３２を側壁１１
ｂに取り付けると、開口部１１ｆが形成された側壁１１
ｂがベース３２を固定し、ＬＤ素子１３から出射される
レーザ光の光軸がずれないように保持する役割が十分に
発揮される。

【００９１】なお、半導体レーザモジュール３０は、１
レンズ系型であるが、２レンズ系型のものにも適用可能
なことは言うまでもない。

【００９２】（実施の形態４）つぎに、この発明の実施
の形態４について説明する。この実施の形態４の半導体
レーザモジュールは、サーモモジュールの代替機能を有
する伝熱体をベースとパッケージの底板との間に配置し
た構成としている。図１０において、半導体レーザモジ
ュール３５は、パッケージ１１と、パッケージ１１内に
収容されるベース３６、ＬＤ素子１３、レンズホルダ１
５、固定部材３７および伝熱体３８等を有している。

【００９３】ベース３６は、ベース１２と同じ素材を用
いて長手方向一方に台座３６ａが、他方に搭載部３６ｂ
が、それぞれ形成されている。台座３６ａには、キャリ
ア３６ｃを介してＬＤ素子１３が、搭載部３６ｂには、
レンズ１５ａを保持したレンズホルダ１５が、それぞれ
搭載されている。

【００９４】固定部材３７は、ベース３６と側壁１１ｂ
との間に配置され、ＬＤ素子１３から出射されるレーザ
光をパッケージ１１の外部へ導く側壁１１ｂに形成され
た開口部（図示せず）に臨んで凹部３７ａが形成されて
いる。

【００９５】伝熱体３８は、ＬＤ素子１３の発振に伴っ
てキャリア３６ｃを介してベース３６に伝わる熱を吸収
して底板１１ａに放熱し、パッケージ１１の外部に放出
する。このような伝熱体３８としては、例えば、マイク
ロヒートパイプ（文献「アルミ製平面型ヒートパイプの
開発」，志村ら著，古河時報 第１０６号，平成１２年
７月 参照）や、熱伝導率が比較的大きい金，アルミニ
ウム，銅などの薄板あるいはカーボンシートなどの面状
の伝熱体を使用することができる。

【００９６】ここで、伝熱体３８は、金属や伝熱性樹
脂、たとえば、熱伝導性のペーストや熱伝導樹脂シート
等の伝熱性の接着剤等を利用してベース３６やパッケー
ジ１１の底板１１ａに固定する。また、固定の際、パッ
ケージ１１の底板１１ａやベース３６と伝熱体３８との
間に伝熱性グリースを注入し、ベース３６から底板１１
ａへの熱伝導性を向上させる手段もある。

【００９７】このような伝熱体３８を設けると、半導体
レーザモジュール３５は、固定部材３７と側壁１１ｂと
の接触面積が小さいため、発振動作に伴って発熱するＬ
Ｄ素子１３の熱が、キャリア３６ｃから主に伝熱体３８
を介してパッケージ１１の底板１１ａに伝導されてゆ
く。

【００９８】このとき、半導体レーザモジュール３５
は、ＬＤ素子１３から伝わる熱によって底板１１ａが変
形しても、ベース３６が固定部材３７を介して側壁１１
ｂに固定されているため、底板１１ａの変形による影響
は殆どない。従って、半導体レーザモジュール３５は、
安定した光出力が保証される。また、半導体レーザモジ
ュール３５は、底板１１ａが熱変形しても、伝熱体３８
がその変形に伴う応力を吸収、あるいは、シート状の伝
熱体３８であれば、殆ど底板１１ａの熱変形による影響
を受けないので、変形に伴う応力が直接ベース３６に作
用することもない。

【００９９】なお、この発明の半導体レーザモジュール
は、上述した実施の形態１〜４のみに限定されるもので
はなく、半導体レーザ素子を搭載したベースがパッケー
ジの光ファイバ導出側の側壁に固定されているものであ
ればよい。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ベースあるいはベースを接続する固定部材を、前記
開口部を形成した壁面に固定するので、このベースと開
口部を形成しないパッケージの底板などの壁面との関係
が切り離され、開口部を形成しない壁面の熱的あるいは
物理的な変形や、ベースとパッケージとの位置関係のず
れによって生じる光軸ずれをなくし、この光軸ずれに起
因した光結合効率の劣化を防止し、安定した光出力を得
ることができるという効果を奏する。

【０１０１】特に、前記ベースまたは前記固定部材と前
記開口部を形成した壁面との接合面に凹部を設け、ある
いは固定部材または開口部を形成する材料の熱伝導率を
ベースの熱伝導率に比して小さい熱伝導率をもつ材料に
よって形成し、逆に、前記ベースとパッケージ底板との
間を板状あるいは面状の伝熱体によって接合し、ベース
の熱をパッケージ底板を介して放熱することにより、あ
る程度の温度に保つことが可能になる。また、前記開口
部を形成した壁面の熱変形も小さくできるため、変形に
よる光軸ずれに起因した光結合効率の劣化を抑制し、よ
り安定した光出力を得ることができるという効果を奏す
る。

【０１０２】また、半田の接合厚みを厚くすることなど
によってパッケージの底板の変形による応力を吸収して
ベースの位置に影響を与えないようにし、これによって
も、光軸ずれに起因した光結合効率の劣化を防止し、一
層安定した光出力を得ることができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１である半導体レーザモ
ジュールの構成を示す縦断面図である。

【図２】ベースと側壁との固定状態を示す半導体レーザ
モジュールの斜めからみた破断図である。

【図３】ベースと側壁との他の固定状態を示す半導体レ
ーザモジュールの斜めからみた破断図である。

【図４】この発明の実施の形態１の変形例である半導体
レーザモジュールの構成を示す縦断面断図である。

【図５】この発明の実施の形態２である半導体レーザモ
ジュールの構成を示す縦断面断図である。

【図６】この発明の実施の形態３である半導体レーザモ
ジュールの構成を示す縦断面断図である。

【図７】ベースをサーモモジュールに設置する第一の方
法を示す模式図である。

【図８】ベースをサーモモジュールに設置する第二の方
法を示す模式図である。

【図９】この発明の実施の形態３の変形例と、この変形
例におけるパッケージ底板におけるサーモモジュールか
ら放出された熱の流れを示す部分拡大縦断面図である。

【図１０】この発明の実施の形態４である半導体レーザ
モジュールの構成を示す縦断面断図である。

【図１１】ベース実装型で、１レンズ系型からなる従来
の半導体レーザモジュールの構成を示す縦断面図であ
る。

【図１２】ベース実装型で、２レンズ系型からなる従来
の半導体レーザモジュールの構成を示す縦断面図であ
る。

【図１３】ベース実装型で、レンズドファイバ型からな
る従来の半導体レーザモジュールの構成を示す縦断面図
である。

【符号の説明】

１０，２０，２５，３０，３５ 半導体レーザモジュー
ル １１ パッケージ １１ａ 底板 １１ｂ 側壁 １１ｃ カバー １１ｆ 開口部 １２，２１，２６，３２，３６ ベース １２ｈ，２６ｅ 凹部 １３ ＬＤ素子 １４ フォトダイオード １５，２４ レンズホルダ １６ 光ファイバ １８ サーモモジュール ２２，２３，３１，３７ 固定部材 ２２ａ，２３ａ，３１ａ，３７ａ 凹部 ２７ 光ファイバ ２７ａ レンズ部 ２８ フェルール ３８ 伝熱体 Ｐw 溶接点 ＳdM 半田 ＳdB 半田

フロントページの続き (72)発明者 福島 徹 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 FA02 FA07 FA08 FA15 FA16 FA21 FA25 FA30

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケージ内部に少なくとも半導体レー
   ザ素子が搭載されたベースを収容し、前記半導体レーザ
   素子から出力されるレーザ光を、前記パッケージに設け
   られた開口部から外部に導出する半導体レーザモジュー
   ルであって、 前記ベースは、前記開口部を形成した壁面に固定されて
   いることを特徴とする半導体レーザモジュール。
2. 【請求項２】 前記レーザ光が光学部品を介して、ある
   いは、直接光ファイバに光結合され、前記パッケージ外
   部に導出されることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体レーザモジュール。
3. 【請求項３】 前記ベースと前記開口部を形成した壁面
   との間に固定部材を介在させたことを特徴とする請求項
   １または２に記載の半導体レーザモジュール。
4. 【請求項４】 前記ベースまたは前記固定部材と前記開
   口部を形成した壁面との接合面に凹部を設けたことを特
   徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体レ
   ーザモジュール。
5. 【請求項５】 前記固定部材は、前記ベースの熱伝導率
   に比して小さい熱伝導率をもつ材料によって形成されて
   いることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体
   レーザモジュール。
6. 【請求項６】 前記開口部を形成した壁面を形成する材
   料の熱伝導率は、前記ベースの熱伝導率に比して小さい
   ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の
   半導体レーザモジュール。
7. 【請求項７】 前記ベースあるいは前記固定部材と前記
   開口部を形成した壁面との間は、半田材によって固定さ
   れることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記
   載の半導体レーザモジュール。
8. 【請求項８】 前記ベースあるいは前記固定部材と前記
   開口部を形成した壁面との間は、レーザ溶接によって固
   定されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つ
   に記載の半導体レーザモジュール。
9. 【請求項９】 前記ベースと前記パッケージの底板との
   間を板状あるいは面状の伝熱体によって接合したことを
   特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体
   レーザモジュール。
10. 【請求項１０】 前記ベースと前記パッケージの底板と
    の間にサーモモジュールが介在されていることを特徴と
    する請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体レーザ
    モジュール。
11. 【請求項１１】 前記サーモモジュールと前記パッケー
    ジの底板との間が、熱伝導性を有する接合材で接合され
    ていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レー
    ザモジュール。
12. 【請求項１２】 前記サーモモジュールと前記パッケー
    ジの底板との間を接合する前記接合材の塑性変形能が、
    前記ベースと前記開口部を形成した壁面あるいは前記ベ
    ースと前記固定部材を介した前記開口部を形成した壁面
    との間を接合する接合材の塑性変形能に比して大きいこ
    とを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザモジュ
    ール。
13. 【請求項１３】 前記サーモモジュールと前記パッケー
    ジの底板との間を接合する接合材の厚みは、前記ベース
    と前記開口部を形成した壁面あるいは前記ベースと前記
    固定部材を介した前記開口部を形成した壁面との間を接
    合する接合材の厚みに比して厚いことを特徴とする請求
    項１１または１２に記載の半導体レーザモジュール。
14. 【請求項１４】 前記接合材が半田であることを特徴と
    する請求項１３に記載の半導体レーザモジュール。
15. 【請求項１５】 前記サーモモジュールと前記パッケー
    ジの底板との間を接合する前記半田の厚みが５０μｍ以
    上、１２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１４
    に記載の半導体レーザモジュール。