JP2868353B2 - 光半導体モジュールの製造方法 - Google Patents

光半導体モジュールの製造方法

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JP2868353B2
JP2868353B2 JP2310192A JP2310192A JP2868353B2 JP 2868353 B2 JP2868353 B2 JP 2868353B2 JP 2310192 A JP2310192 A JP 2310192A JP 2310192 A JP2310192 A JP 2310192A JP 2868353 B2 JP2868353 B2 JP 2868353B2
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optical semiconductor
peltier
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fixed
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伊藤　　潔
比呂志 大野
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KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
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KYUSHU DENSHI KK
Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体レーザモジュー
ルに関し、特に温調用のペルチェクーラ素子を搭載する
光半導体モジュールの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信に用いられる光半導体モ
ジュールは半導体レーザを安定動作させるために温調用
のペルチェクーラ素子を搭載するものが多い。図２は従
来の光半導体モジュールの縦断面図である。半導体レー
ザ１はレンズ６を介して光ファイバピグテール９と光軸
調整されホルダ７に固定される。ペルチェクーラはペル
チェクーラ上基板１１，ペルチェ素子１２およびペルチ
ェクーラ下基板１４とがあらかじめ組み立てられ単体の
部品として製造されている。ペルチェクーラはハンダで
パッケージ底板１３に固定され、さらに光学調整済みの
ホルダはペルチェクーラ上面にハンダで固定される。ペ
ルチェクーラとパッケージは各々単独の部分を構成して
いた。
【０００３】なおヒートシンク２，チップキャリア３，
モニタホトダイオード４，パッケージ側壁５，スライド
リング８，ハンダ１０は発明の要旨と直接関係ないので
説明は省略する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光半導体モ
ジュールではペルチェクーラとパッケージが独立した部
品であるためハンダもしくはその他の方法でペルチェク
ーラ素子とパッケージを固定しなければならないため、
放熱効果を制限する要因の１つとなる。また組立上のバ
ラツキによりペルチェクーラ素子とパッケージの間に空
気の層が生じた場合冷却効果が著しく悪いものが発生す
ることがある。またハンダで固定する場合、温度が上が
りすぎるとペルチェクーラ自体を破壊する可能性があ
る。さらにペルチェクーラ自体が一つの部品であるため
にペルチェクーラ上基板とペルチェクーラ下基板は必ず
必要で厚み方向の寸法が大きくなってしまう。このよう
に従来の光半導体モジュールでは様々の問題をかかえて
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はパッケージ内
に、ホルダに固定された光半導体レーザと、該光半導体
レーザの温度調節のために前記ホルダに固定されるペル
チェクーラ上基板が上端に固定されたペルチェ素子とを
収めた光半導体モジュールの製造方法において、 前記パ
ッケージの底板に前記ペルチェ素子の下端を半田で固定
し、前記ペルチェクーラ上基板と前記ホルダとを、前記
パッケージの底板と前記ペルチェ素子の下端との固定に
使用した半田よりも融点の低い半田で固定することを特
徴としている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の光半導体モジュールの縦
断面図である。半導体レーザ１はヒートシンク２にＡｕ
Ｓｎで固定され前記ヒートシンク２はチップキャリア３
にＡｕＳｎで固定される。レンズ６はホルダ７にＡｕＳ
ｎで固定される。次にチップキャリア３はホルダ７にＰ
ｂＳｎとＹＡＧ溶接で固定されモニタホトダイオード４
もＰｂＳｎで固定される。光ファイバピグテール９はス
ライドリング８を介してホルダ７と光学調整されＹＡＧ
溶接で固定される。
【０００７】ペルチェ素子１２は、アルミナまたはＡｌ
Ｎのパッケージ底板１３とペルチェクーラ上基板１１に
はさまれ、固定はハンダで行われる。ホルダ７とペルチ
ェクーラ上基板１１の固定はペルチェ素子１２の固定に
使用されたハンダよりも低い温度の融点を持つハンダで
行われる。ペルチェ素子１２の固定が融点１３８℃のＢ
ｉＳｎで行われた場合はホルダ７の固定は融点１１８℃
のＩｎＳｎで行われる。このように、パッケージ底板１
３上に直接ペルチェ素子１２を組み立て、パッケージ底
板の材料にアルミナやＡｌＮを使用したことにより、ペ
ルチェ素子１２の吸熱能力が十分に発揮され、光半導体
モジュールとしての冷却能力を向上させることが可能と
なる。環境温度が７０℃で比較すると、ペルチェクーラ
の消費電力が５〜１０％減少し、冷却能力の限界は７０
℃から７５℃へ改善される。 また、ペルチェクーラ下基
板が不用になり、その厚みの０．６ｍｍ程度、光半導体
モジュールを薄型化する要求に対して有利になる。 さら
に、ホルダ７とペルチェクーラ上基板１１との固定に、
ペルチェ素子１２とパッケージ底板１３との固定に用い
たハンダよりも融点が低いハンダを用いているので、ホ
ルダ７とペルチェクーラ上基板１１との固定の際に、ペ
ルチェ素子１２とパッケージ底板１３との固定に用いた
ハンダが溶けることがなく、ペルチェ素子１２はパッケ
ージ底板１３に確実に固定されたままとなる。
【０００８】なお、図中５はパッケージ側壁で、１０は
光ファイバピグテールを固定する半田である。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ペルチェ
素子はパッケージの底板に直接固定するので、その分だ
け薄型化を達成することができるとともに、冷却能力を
向上させることができる。しかも、ペルチェクーラ上基
板とホルダとを固定する際に、パッケージの底板とペル
チェ素子の下端との固定に使用した半田よりも融点の低
い半田で固定することにより、薄型化が達成されかつ冷
却能力が向上した光半導体モジュールを、製造歩留まり
を低下させずに安定に製造することができる。
【００１０】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】従来の光半導体モジュールの縦断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ ２ ヒートシンク ３ チップキャリア ４ モニタホトダイオード ５ パッケージ側壁 ６ レンズ ７ ホルダ ８ スライドリング ９ 光ファイバピグテール １０ ハンダ １１ ペルチェクーラ上基板 １２ ペルチェ素子 １３ パッケージ底板

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージ内に、ホルダに固定された光
    半導体レーザと、該光半導体レーザの温度調節のために
    前記ホルダに固定されるペルチェクーラ上基板が上端に
    固定されたペルチェ素子とを収めた光半導体モジュール
    の製造方法において、 前記パッケージの底板に前記ペルチェ素子の下端を半田
    で固定し、前記ペルチェクーラ上基板と前記ホルダと
    を、前記パッケージの底板と前記ペルチェ素子の下端と
    の固定に使用した半田よりも融点の低い半田で固定する
    ことを特徴とする光半導体モジュールの製造方法。
JP2310192A 1992-02-10 1992-02-10 光半導体モジュールの製造方法 Expired - Lifetime JP2868353B2 (ja)

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JPH09251120A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Nec Corp 半導体レーザモジュール
DE19827602A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Korrektur nicht-rotationssymmetrischer Bildfehler
US6697399B2 (en) * 2000-05-26 2004-02-24 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module with peltier module for regulating a temperature of a semiconductor laser chip
JP3804629B2 (ja) 2002-04-25 2006-08-02 ヤマハ株式会社 熱電装置用パッケージ

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