JPH05226779A - 光半導体レーザモジュール - Google Patents

光半導体レーザモジュール

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JPH05226779A
JPH05226779A JP2310192A JP2310192A JPH05226779A JP H05226779 A JPH05226779 A JP H05226779A JP 2310192 A JP2310192 A JP 2310192A JP 2310192 A JP2310192 A JP 2310192A JP H05226779 A JPH05226779 A JP H05226779A
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fixed
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peltier
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JP2310192A
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Kiyoshi Ito
伊藤　　潔
Hiroshi Ono
比呂志 大野
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KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
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KYUSHU DENSHI KK
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】光半導体モジュールにおいて、温調用のペルチ
ェクーラ素子をパッケージ底板上に直接組み立てること
により冷却能力、生産安定性薄型化を目的とする。 【構成】本発明では、ペルチェ素子１２がパッケージ底
板１３上に直接組み立てられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体レーザモジュー
ルに関し、特に温調用のペルチェクーラ素子を搭載する
光半導体モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信に用いられる光半導体モ
ジュールは半導体レーザを安定動作させるために温調用
のペルチェクーラ素子を搭載するものが多い。図２は従
来の光半導体モジュールの縦断面図である。半導体レー
ザ１はレンズ６を介して光ファイバピグテール９と光軸
調整されホルダ７に固定される。ペルチェクーラはペル
チェクーラ上基板１１，ペルチェ素子１２およびペルチ
ェクーラ下基板１４とがあらかじめ組み立てられ単体の
部品として製造されている。ペルチェクーラはハンダで
パッケージ底板１３に固定され、さらに光学調整済みの
ホルダはペルチェクーラ上面にハンダで固定される。ペ
ルチェクーラとパッケージは各々単独の部分を構成して
いた。
【０００３】なおヒートシンク２，チップキャリア３，
モニタホトダイオード４，パッケージ側壁５，スライド
リング８，ハンダ１０は発明の要旨と直接関係ないので
説明は省略する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光半導体モ
ジュールではペルチェクーラとパッケージが独立した部
品であるためハンダもしくはその他の方法でペルチェク
ーラ素子とパッケージを固定しなければならないため、
放熱効果を制限する要因の１つとなる。また組立上のバ
ラツキによりペルチェクーラ素子とパッケージの間に空
気の層が生じた場合冷却効果が著しく悪いものが発生す
ることがある。またハンダで固定する場合、温度が上が
りすぎるとペルチェクーラ自体を破壊する可能性があ
る。さらにペルチェクーラ自体が一つの部品であるため
にペルチェクーラ上基板とペルチェクーラ下基板は必ず
必要で厚み方向の寸法が大きくなってしまう。このよう
に従来の光半導体モジュールでは様々の問題をかかえて
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体モジュ
ールは半導体レーザと光ファイバピグテールがレンズを
介してホルダ上で固定されペルチェクーラを搭載したパ
ッケージ内に納められた構造を持つ光半導体モジュール
においてペルチェクーラ下基板がパッケージ底板と共通
である構造を特徴としている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の光半導体モジュールの縦
断面図である。半導体レーザ１はヒートシンク２にＡｕ
Ｓｎで固定され前記ヒートシンク２はチップキャリア３
にＡｕＳｎで固定される。レンズ６はホルダ７にＡｕＳ
ｎで固定される。次にチップキャリア３はホルダ７にＰ
ｂＳｎとＹＡＧ溶接で固定されモニタホトダイオード４
もＰｂＳｎで固定される。光ファイバピグテール９はス
ライドリング８を介してホルダ７と光学調整されＹＡＧ
溶接で固定される。
【０００７】ペルチェ素子１２は、アルミナまたはＡｌ
Ｎのパッケージ底板１３とペルチェクーラ上基板１１に
はさまれ、固定はハンダで行われる。ホルダ７とペルチ
ェクーラ上基板の固定はペルチェ素子の固定に使用され
たハンダよりも低い温度の融点を持つハンダで行われ
る。ペルチェ素子の固定が融点１３８℃のＢｉＳｎで行
われた場合はホルダの固定は融点１１８℃ＩｎＳｎで行
われる。
【０００８】なお、図中５はパッケージ側壁で、１０は
光ファイバピグテールを固定する半田である。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、パッケー
ジ底板上に直接ペルチェ素子を組み立てパッケージ底板
の材料にアルミナやＡｌＮを使用したこといよりペルチ
ェ素子の吸熱能力が十分に発揮され光半導体モジュール
としての冷却能力を向上させることが可能となる。環境
温度が７０℃で比較するとペルチェクーラの消費電力が
５〜１０％減少し、冷却能力の限界は７０℃から７５℃
へ改善される。
【００１０】また、ペルチェクーラ下基板が不要になり
その厚みの０．６ｍｍ程度、光半導体モジュールを薄型
化する要求に対して有利になるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】従来の光半導体モジュールの縦断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ ２ ヒートシンク ３ チップキャリア ４ モニタホトダイオード ５ パッケージ側壁 ６ レンズ ７ ホルダ ８ スライドリング ９ 光ファイバピグテール １０ ハンダ １１ ペルチェクーラ上基板 １２ ペルチェ素子 １３ パッケージ底板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体レーザと光ファイバピグテールが
    レンズを介してホルダ上で固定されペルチェクーラを搭
    載したパッケージ内に納められた構造を持つ光半導体モ
    ジュールにおいて、ペルチェクーラ下基板がパッケージ
    底板と共通であることを特徴とする光半導体モジュー
    ル。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5974065A (en) * 1996-03-15 1999-10-26 Nec Corporation Semiconductor laser module
US6697399B2 (en) * 2000-05-26 2004-02-24 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module with peltier module for regulating a temperature of a semiconductor laser chip
KR100579880B1 (ko) * 1998-06-20 2006-05-12 칼 짜이스 에스엠테 아게 비회전 대칭인 상 오차를 보정하는 방법 및 광학소자와 온도 조절 장치를 구비하는 부품 그룹
US7078801B2 (en) 2002-04-25 2006-07-18 Yamaha Corporation Thermoelectric module package

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US7078801B2 (en) 2002-04-25 2006-07-18 Yamaha Corporation Thermoelectric module package

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