JP3734017B2 - 光モジュール - Google Patents
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Description
この発明は、光素子、光導波路等がハイブリッド集積される光モジュール及びその製造方法に関する。
背景技術
光モジュールは、電気から光、又は光から電気への変換を行う装置のことである。光モジュールは、光素子、光導波路、電子回路等がハイブリッド集積された構造をしている。光モジュールは、例えば、光ファイバ通信システムにおいて使われる。従来の光モジュールとして、例えば、特開平6−237016号公報に開示された光モジュールがある。
この光モジュールは、発光素子として面発光レーザを用いている。面発光レーザは、半導体基板上に形成されている。そして、光は、この半導体基板の平面に垂直な方向に出射される。したがって、この光モジュールにおいて、面発光レーザを実装基板に実装すると、光は上方向へ出射される。このため、光ファイバは、上方向を向くように実装基板に取り付けざるをえない。したがって、光モジュールは、光ファイバが上方向を向いている分だけ、厚みが大きくなる。
電子機器には、薄型化の要請がある。よって、光モジュールにも当然薄型化の要請がある。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたものである。この発明の目的は、薄型化が可能な光モジュール及びその製造方法を提供することである。
発明の開示
この発明は、実装部材と、実装部材の平面に実装された光素子と、を備え、光素子は、半導体基板上に形成され、かつ半導体基板の平面に垂直な方向に光を出射する又半導体基板の平面に垂直な方向から光が入射される素子であり、さらに、実装部材の平面に実装され、光素子から出射された光又は光素子へ入射される光を導波する光導波路を備えた光モジュールにおいて、光素子から出射された光又は光素子へ入射する光の進行方向が、実装部材の平面に沿う方向となるように、光素子が実装され、かつ実装部材の平面に沿う方向に光導波路が実装された光モジュールである。
この発明に係る光モジュールは、光の進行方向が実装部材の平面に沿う方向となるように、光素子を配置している。このため、光導波路を実装部材の平面に沿う方向となるように、配置することができる。よって、光導波路が上方向を向いていた従来の光モジュールに比べ、この発明によれば、光モジュールを薄型化することができる。
この発明に係る光モジュールにおいて、光素子は、光が出射又は入射される光入出口を有し、光入出口は、実装部材の平面に沿う方向を向いていてもよい。このように光素子を配置すると、光の進行方向が実装部材の平面に沿う方向となるからである。
この発明に係る光モジュールは、光素子の位置決めをする位置決め部材が、実装部材の平面に実装されていてもよい。光素子と光導波路とを結合させるときに、位置決め部材がないと、光素子と光導波路との位置が合うように、光素子の寸法を設計しなければならない。位置決め部材があると、光素子を実装部材の平面に載置させる必要がない。よって、光素子の寸法の設計の自由度が大きくなる。
なお、位置決め部材の材料は、熱伝導度が大きい材料であってもよい。光素子の熱を放熱、すなわちヒートシンクすることができるからである。また、位置決め部材の材料は、電気導電性を有する材料であってもよい。電極として用いることができるからである。この場合、位置決め部材の具体的材料としては、例えば、銅等が好ましい。
この発明に係る光モジュールは、実装部材の平面に実装され、かつ光素子と電気的に接続された半導体チップを備え、位置決め部材が半導体チップの側面に取り付けられていてもよい。
この発明に係る光モジュールにおいて、位置決め部材は、半導体チップの半導体素子形成面より下に位置していてもよい。
位置決め部材を半導体チップの側面に取り付ける方法としては、接着剤を用いる方法がある。この場合、位置決め部材と半導体チップの側面との間から、接着剤がはみ出すことがある。このとき、位置決め部材が半導体チップの半導体素子形成面と同じか、又は上に位置していると、接着剤が半導体チップの半導体素子形成面に付着する可能性がある。半導体素子形成面には、半導体素子から構成される電子回路が形成されている。よって、例えば、接着剤が電気導電性を有すると、電子回路が短絡することになる。
なお、位置決め部材と半導体チップの側面との間に、必要以上の接着剤があると、位置決め部材が傾くおそれがある。このような状態だと、位置決め部材を精度よく半導体チップの側面に接着できない。よって、余分な接着剤を吸収するための空間を、位置決め部材と半導体チップの側面との間に設けてもよい。空間を形成する手段としては、位置決め部材の面のうち、半導体チップの側面と接触する面に、足部を設けることや凹部を形成することが挙げられる。
また、接着剤の材質は、接着剤に要求される特性に応じて、電気導電性、電気絶縁性、熱伝導性又は熱不伝導性を選択する。
この発明に係る光モジュールにおいて、実装部材は第1の配線を備え、位置決め部材が、第1の配線と接触していてもよい。上記したように、位置決め部材は、電極として機能したり、ヒートシンクとして機能したりすることができる。位置決め部材が、第1の配線と接触していることにより、位置決め部材を電極として機能させることができる。また、位置決め部材がヒートシンクとして機能している場合、熱を、位置決め部材から、さらに、第1の配線に流すことができる。よって、放熱効果がさらに高まる。
この発明に係る光モジュールにおいて、実装部材は第2の配線を備え、光素子の上部電極が第2の配線まで延びており、かつ第2の配線と電気的に接続されていてもよい。
上部電極と第2の配線とを電気的に接続する手段としては、ワイヤボンディングが考えられる。上部電極が上方向を向いていないと、ワイヤボンディングに高度な技術が要求される。光の進行方向が実装部材の平面に沿う方向となるように、光素子を配置した結果、上部電極を上方向に向かすことができなくなる場合がある。この場合、上部電極を第2の配線まで延びている構造にすると、上部電極と第2の配線との電気的接続が容易となる。
この発明に係る光モジュールにおいて、光モジュールは、遮光性の樹脂で封止してパッケージ化された光モジュールであり、光素子と光導波路との間の光路に充填された光透過性の樹脂を備えていてもよい。光モジュールを樹脂でパッケージ化することにより、光モジュールの汎用性及び取り扱い性が向上する。遮光性の樹脂としたのは、実装部材に実装される電子回路に自然光や光素子からの光があたると、電子回路が誤動作するおそれがあるからである。ただし、光路となる場所には、光透過性の樹脂を充填することにより、光路を確保している。
この発明に係る光モジュールにおいて、光モジュールは他の実装部材に実装される実装面を有し、光導波路は、実装面に沿って延びていてもよい。
この発明は、実装部材と、実装部材の平面に実装された光素子と、を備え、光素子は、半導体基板上に形成され、かつ半導体基板の平面に垂直な方向に光を出射する又半導体基板の平面に垂直な方向から光が入射される素子であり、さらに、実装部材の平面に実装され、光素子から出射された光又は光素子へ入射される光を導波する光導波路を備えた光モジュールの製造方法であって、半導体基板の側面が実装部材の平面と面するように、光素子を配置する工程と、光素子の上部電極を、他の電極と電気的に接続する工程と、実装部材の平面に沿う方向に光導波路を配置する工程と、を含む。
光素子の上部電極は、光素子の半導体基板の平面上に位置している。したがって、光素子の半導体基板の側面が実装部材の平面と面するように、光素子を配置すると、上部電極が横方向を向く。光素子の上部電極を、例えば、ワイヤボンディングによって、他の電極と電気的に接続する場合、光導波路が既に実装されていると、接続の障害となる。この発明のように、上部電極を、他の電極と電気的に接続した後、光導波路を実装部材の平面に配置すると、このような問題が生じない。
【図面の簡単な説明】
図1は、この発明を適用した第1の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図2は、この発明を適用した第1の実施の形態に係る光モジュールの平面の模式図であり、図3は、この発明を適用した第2の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図4は、この発明を適用した第3の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図5は、この発明を適用した第4の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図6は、この発明を適用した第5の実施の形態に係る光モジュールを示す図であり、図7は、この発明に係る光モジュールを使用した光伝達装置を示す図であり、図8は、この発明に係る光モジュールを使用した光伝達装置を示す図であり、図9は、この発明に係る光モジュールを使用した光伝達装置を示す図であり、図10は、この発明に係る光モジュールの第6の実施の形態の断面の模式図であり、図11は、この発明に係る光モジュールの第6の実施の形態の平面の模式図であり、図12は、この発明に係る光モジュールの第7の実施の形態の部分断面の模式図であり、図13は、この発明に係る光モジュールの第8の実施の形態の部分断面の模式図であり、図14は、この発明に係る光モジュールの第9の実施の形態の部分断面の模式図である。
発明を実施するための最良の形態
(第1の実施の形態)
(構造の説明)
図1は、この発明に係る光モジュールの第1の実施の形態の断面の模式図である。図2は、これの平面の模式図である。
図1及び図2を用いて、第1の実施の形態の構造を説明する。光モジュール10は、SOP、QFP型の実装形態をしている。光モジュール10は、実装基板12の平面13上に、面発光レーザ14、半導体チップ30及び光ファイバ16を実装した構造をしている。実装基板12の平面13は、実装基板12のいずれか一方の面である。実装基板12の平面13は、パッケージの内側を向く面である。実装基板12は、リードフレームの一部、例えばダイパッド部であってもよい。実装基板12は、熱膨張率の低い材料、例えばセラミックや金属から構成されていることが好ましい。そうすることで、実装基板12の膨張収縮が少ないため、面発光レーザ14と光ファイバ16の位置ずれが生じにくくなる。特に、実装基板12が熱伝導性の高い材料、例えば金属から構成されていれば放熱性も向上する。面発光レーザ14及び光ファイバ16は、それぞれ三個ある。本実施の形態では、複数の光素子の例として、複数の面発光レーザ14が設けられているが、本発明はこれに限定されない。例えば、1つの光素子を設け、この光素子が複数の光の入射口又は出射口を有していてもよい。また、1つの光の入射口又は出射口を有している1つの光素子を設けてもよく、この点は適宜決めればよい。
面発光レーザ14の側面15すなわち光の出射口又は入射口のある面とほぼ垂直に形成された面が、実装基板12の平面13と面する(相対向する)ように、面発光レーザ14は配置されている。これにより、面発光レーザ14の光出射口17から出射された光44の進行方向は、実装基板12の平面13に沿う方向となる。
本実施の形態では、1つの半導体チップ30が取り付けられているが、複数の半導体チップ30を取り付けてもよい。例えば、複数の光素子の個々に対応するように、複数の半導体チップ30を取り付けてもよい。
半導体チップ30には、CMOS回路が形成されている。このCMOS回路から面発光レーザ14に駆動信号が送られる。半導体チップ30は、光素子の一例となる面発光レーザ14を駆動するものである。また、半導体チップ30は、光素子の駆動のための信号又は情報を制御する機能を有してもよい。なお、光素子(特に受光素子の場合)に、駆動回路が内蔵されていれば、半導体チップ30を省略してもよい。
3個の面発光レーザー14は、位置決め板20に固定されている。位置決め板20は、その文言の如く、面発光レーザー14の位置を決めるための部材である。位置を決める部材であるから、材料自体にはある程度の硬さが要求される。位置決め板20の材料としては、例えば金属やプラスチック等を用いることができる。また、位置決め板20は、熱硬化性の樹脂で封止される場合には、熱硬化のために封止材に加えられる温度以上の耐熱性を有する部材であることが好ましい。また、この位置決め板20に、例えば電極の機能及びヒートシンク(放熱部材)の機能のうち少なくとも一方を持たせても良い。この位置決め板20に例えば電極の機能を持たせるとすれば、位置決め板20の材料としては、通常電極として用いられる材料が適用できる。例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等のいずれかである。一方、ヒートシンクの機能を位置決め板20に持たせるとすれば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルやセラミック等のいずれかの放熱材料が考えられる。位置決め板20に電極の機能及びヒートシンク(放熱材)の機能を持たせたければ、金・銀・銅・ニッケルのいずれかが都合が良い。位置決め板20は、実装基板12の平面13上に実装されている。また、位置決め板20は接着剤24によって、半導体チップ30の側面に接着されている。位置決め板20と半導体チップ30との間で電気的に絶縁状態を保ちたい場合には、接着剤24として絶縁材料、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂を用いれば良い。また、位置決め板20がヒートシンクの機能を有している場合、接着剤24に熱伝導の良い材料を混合させることも可能である。例えば、エポキシ樹脂にシリカまたはアルミナ等のフィラーを混ぜることで、接着剤24としての機能に加えて熱伝導の対策もうつことができる。更に熱伝導をよくしたい場合には、銀ペーストを用いることも考えられる。なお、銀ペーストは、導電性を有することから、電気的に導通をとりたい場合には積極的に使用することが好ましい。
面発光レーザ14が光ファイバ16と結合するように、位置決め板20は配置されている。光ファイバ16の端面と面発光レーザ14とは、図1に示すようにして位置決めがされる。また、位置決め板20は、半導体チップ30の半導体素子形成面37より下に位置している。こうすることで、半導体チップ30の電極と位置決め板20との接触を防止できる。面発光レーザ14と光ファイバ16との結合部は、透明樹脂18によって、覆われている。これにより、面発光レーザ14と光ファイバ16との間の光路に透明樹脂18が充填されることになる。
面発光レーザ14は上部電極32及び下部電極34を備えている。下部電極34は、位置決め板20と接触している。位置決め板20は、ワイヤ48によって、半導体チップ30と電気的に接続されている。よって、下部電極34は、位置決め板20及びワイヤ48を介して、半導体チップ30と電気的に接続されている。また、上部電極32は、ワイヤ46によって、半導体チップ30と電気的に接続されている。光ファイバ16を実装基板12の平面13に配置した後、ワイヤボンディングをする。
実装基板12の両側には、外部端子26が配置されている。実装基板12、外部端子26の一部及び光ファイバ26の一部が、遮光性の樹脂28によって封止されている。但し、図2においては、樹脂28の図示を省略している。
(効果の説明)
(a)第1の実施の形態は、光44の進行方向が実装基板12の平面に沿う方向となるように、面発光レーザ14を配置している。このため、光ファイバ16内の光44の進行方向が実装基板12の平面13に沿う方向となるように、光ファイバ16を配置することができる。よって、光モジュール10を薄型化することができる。
(b)第1の実施の形態は、面発光レーザ14の位置決めをする位置決め板20を備え、位置決め板20が、実装基板12の平面上に取り付けられている。このため、面発光レーザ14を固定するために、面発光レーザ14を実装基板12の平面に載置させる必要がなくなる。よって、面発光レーザ14の寸法の設計の自由度が大きくなる。
(c)第1の実施の形態において、位置決め板20の材料は、熱伝導度が大きい。よって、位置決め板20は、面発光レーザ14の熱をヒートシンクすることができる。
(d)第1の実施の形態において、位置決め板20の材料は、電気導電性を有する。よって、位置決め板20を電極として用いることができる。この実施の形態では、三個の面発光レーザ14の共通電極として機能している。
(e)第1の実施の形態において、位置決め板20は、半導体チップ30の側面に接着されている。そして、位置決め板20は、半導体素子形成面37より下に位置している。位置決め板20と半導体チップ30の側面との間から、接着剤24がはみ出すことがある。接着剤24が半導体素子形成面37に付着すると、半導体チップ30の回路が短絡する。このような構造だと、たとえ接着剤24がはみ出しても、接着剤24が半導体素子形成面37に付着する可能性を小さくすることができる。
(f)第1の実施の形態において、位置決め板20は、実装基板12の平面上に載置されている。上記したように、位置決め板20は、電極及びヒートシンクとして機能する。よって、位置決め板20を電源と接続又は接地することができる。また、熱を、位置決め板20から、さらに、実装基板12に流すことができる。よって、放熱効果をさらに高めることができる。
(g)上部電極32は、面発光レーザ14の半導体基板の平面上に位置している。面発光レーザ14の半導体基板の側面15が、実装基板12の平面13と面するように、面発光レーザ14は配置されている。このため、上部電極32は、横方向を向いている。したがって、ワイヤ46によって、上部電極32と半導体チップ30とを電気的に接続するとき、光ファイバ16が既に配置されていると、接続の障害となる。第1の実施の形態では、ワイヤボンディングをした後、光ファイバ16を実装基板12の平面13に配置しているので、このような問題を生じない。
(h)第1の実施の形態において、光モジュール10は、遮光性の樹脂28で封止してパッケージ化されており、面発光レーザ14と光ファイバ16との間の光路に光透過性樹脂である透明樹脂18を充填している。光モジュール10を遮光性の樹脂28でパッケージ化することにより、光モジュール10の汎用性及び取り扱い性が向上する。また、遮光性の樹脂28により、半導体チップ30の電子回路に自然光や光素子からの光があたるのを防ぐことができる。これにより、電子回路が誤動作するのを防止できる。ただし、光路となる場所には、透明樹脂18を充填することにより、光路を確保している。
(第2の実施の形態)
(構造の説明)
図3は、この発明に係る光モジュールの第2の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ14の配置場所を示している。第2の実施の形態においては、面発光レーザ14の上部電極32が、リードフレームである実装基板12の平面と、ワイヤ52によって電気的に接続されている。よって、下部電極34と上部電極32との短絡を避けるため、実装基板12の平面上に絶縁部42が形成されている。そして、位置決め板20は、絶縁部42上に載置されている。絶縁部42は、実装基板12の平面の一部を酸化することにより形成される。また、絶縁部42は、実装基板12の平面の一部に絶縁性テープを貼り付けることにより形成される。第2の実施の形態と第1の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第1の実施の形態と同じである。よって、第1の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。なお、本実施の形態では、面発光レーザ14と光ファイバ16とは、図3に示すようにして位置決めされる。
(効果の説明)
第2の実施の形態は、第1の実施の形態と同じ効果を有する。但し、(f)の効果のうち、絶縁部42があるため、位置決め板20は、実装基板12と電気的に接続することができない。
(第3の実施の形態)
(構造の説明)
図4は、この発明に係る光モジュールの第3の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ14の配置場所を示している。第3の実施の形態においては、面発光レーザ14の上部電極38が、リードフレームである実装基板12まで延びており、かつ実装基板12と電気的に接続されている。第3の実施の形態と第2の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第2の実施の形態と同じである。よって、第2の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。なお、本実施の形態では、面発光レーザ14と光ファイバ16とは、図4に示すようにして位置決めされる。
(効果の説明)
第3の実施の形態は、第2の実施の形態と同じ効果を有する。この他、以下の特有の効果を有する。上部電極38は、横方向を向いている。ワイヤボンディングを用いて、上部電極38と実装基板12との電気的接続をする場合、このような構造だと、ワイヤボンディングには高度な技術が要求される。第3の実施の形態のように、上部電極38が実装基板12まで延びている構造にすると、上部電極38と実装基板12との電気的接続が容易となる。
(第4の実施の形態)
(構造の説明)
図5は、この発明に係る光モジュールの第4の実施の形態の部分断面の模式図である。光モジュール60は、BGA、CSP型の実装形態をしている。実装基板62の平面63上に、面発光レーザ64、半導体チップ80及び光ファイバ66を実装した構造をしている。図示はしていないが、第1の実施の形態と同様に、面発光レーザ64、半導体チップ80及び光ファイバ66は、それぞれ、三個ある。面発光レーザ64の半導体基板の側面69が、実装基板62の平面63と面するように、面発光レーザ64は配置されている。これにより、面発光レーザ64の光出射口67から出射された光86の進行方向は、実装基板62の平面63に沿う方向となる。半導体チップ80には、CMOS回路が形成されている。このCMOS回路から面発光レーザ64に駆動信号が送られる。
実装基板62の平面63には、配線部88、90、92が形成され、裏面65には、配線部94、96、98が形成されている。裏面65は、他の実装基板に実装される実装面となる。配線部88は配線部94と、配線部90は配線部96と、配線部92は配線部98と電気的に接続されている。配線部94、96、98には、バンプ電極89が形成されている。なお、バンプ電極89を省略したランドグリッドアレイの形態を採用してもよい。
面発光レーザ64は、例えば銅からなる位置決め板70に固定されている。位置決め板70は、電極及びヒートシンクとしての機能を有する。位置決め板70は、配線部90上に載置されている。また、位置決め板70は、例えば、銀ペースト74によって、半導体チップ80の側面に接着されている。
面発光レーザ64が光ファイバ66と結合するように、位置決め板70は配置されている。また、位置決め板70は、半導体チップ80の半導体素子形成面81より下に位置している。面発光レーザ64と光ファイバ66との結合部は、透明樹脂68によって、覆われている。
面発光レーザ64は上部電極82及び下部電極84を備えている。下部電極84は、位置決め板70と接触している。位置決め板70は、配線部90、96を介して、電源と接続又は接地されている。上部電極82は、ワイヤ99によって、配線部88、94と電気的に接続されている。駆動信号は、配線部94を通って上部電極82に送られる。なお、ワイヤ99の代わりに、第3の実施の形態のように、上部電極82が配線部88まで延びている構造としてもよい。
半導体チップ80には、バンプ電極95、97が形成されている。バンプ電極95は、配線部90と、バンプ電極97は、配線部92と電気的に接続されている。光ファイバ66の一部、半導体チップ80及び面発光レーザ64は、遮光性の樹脂28によって封止されている。なお、本実施の形態では、面発光レーザ64と光ファイバ66とは、図5に示すようにして位置決めされる。
(効果の説明)
第4の実施の形態は、第1の実施の形態と同じ効果を有する。また、ワイヤ99の代わりに、第3の実施の形態のように、上部電極82が配線部88まで延びている構造にすると、第3の実施の形態と同じ効果を有する。
なお、第1〜4の実施の形態において、光ファイバ16、66を用いた。しかしながら、ガラス基板、プラスチックフィルム等を用いた光導波路にも、この発明を適用できる。
また、第1〜4の実施の形態において、面発光レーザ14、64を用いた。しかしながら、LD等の発光素子やPD等の受光素子にも、この発明を適用できる。
(第5の実施の形態)
図6は、第5の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。同図に示す光モジュールは、図2に示す光モジュールと比べて外部端子26の位置が異なる。すなわち、図2に示す例では、光ファイバ16が導き出される方向と、外部端子26が導き出される方向が同じである。これに対して、図6に示す例では、光ファイバ16が導き出される方向と、外部端子100が導き出される方向が異なる。例えば、光素子の例である面発光レーザ14等がパッケージされた本体が、平面的にみて矩形をなす場合に、図2に示す例では、光ファイバ16と外部端子26とが同じ辺から導き出される。これに対して、図6に示す例では、光ファイバ16と外部端子100とが異なる辺から導き出される。具体的には、図6に示す例では、1つの辺から光ファイバ16が導き出され、この辺と直角に接続される隣の2辺から外部端子100が導き出されている。こうすることで、多数の光ファイバ16及び外部端子100を設けることができる。なお、光ファイバ16は、平行な2辺から導き出してもよい。なお、本実施の形態では、面発光レーザ64と光ファイバ66とは、図6に示すようにして位置決めされる。
(光伝達装置)
上述した光モジュールは、光伝達装置を構成するために使用することができる。例えば、図7に示す光伝達装置は、光モジュール110と、ケーブル112と、コネクタ114と、を含む。ケーブル112は、光モジュール110から導き出された少なくとも1本(多くの場合複数本)の光ファイバ(図示せず)が束ねられてなる。
図8に示す光伝達装置は、少なくとも1つの光モジュール120と、少なくとも1つの光モジュール130とが、ケーブル122の両端部に取り付けられてなる。ケーブル122は、少なくとも1本(多くの場合複数本)の光ファイバ(図示せず)が束ねられてなる。
図9は、本発明を適用した実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。光伝達装置140は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器142を相互に接続するものである。電子機器142は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置140は、ケーブル144の両端にプラグ146が設けられたものであってもよい。ケーブル144は、1つ又は複数(少なくとも一つ)の光ファイバ16(図1参照)を含む。光ファイバ16の両端部には、光素子が設けられている。プラグ146は、光素子を内蔵し、半導体チップ30を内蔵してもよい。
光ファイバ16の一方の端部に光学的に接続される光素子は、発光素子である。一方の電子機器142から出力された電気信号は、発光素子によって光信号に変換される。光信号は光ファイバを伝わり、光ファイバ16の他方の端部に光学的に接続される光素子に入力される。この光素子は、受光素子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。電気信号は、他方の電子機器142に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置140によれば、光信号によって、電子機器142の情報伝達を行うことができる。
(第6の実施の形態)
(構造の説明)
図10は、この発明に係る光モジュールの第6の実施の形態の断面の模式図である。図11は、これの平面の模式図である。
図10及び図11を用いて、第6の実施の形態の構造を説明する。光モジュール210は、SOP、QFP型の実装形態をしている。光モジュール210は、実装基板212の平面213上に、面発光レーザ214、半導体チップ230及び光ファイバ216を実装した構造をしている。実装基板212は、リードフレームである。面発光レーザ214、半導体チップ230及び光ファイバ216は、それぞれ、三個ある。面発光レーザ214の半導体基板の側面215が、実装基板212の平面213と面するように、面発光レーザ214は配置されている。これにより、面発光レーザ214の光出射口217から出射された光244の進行方向は、実装基板212の平面213に沿う方向となる。半導体チップ230には、CMOS回路が形成されている。このCMOS回路から面発光レーザ214に駆動信号が送られる。
三個の面発光レーザ214は、例えば、銅からなる位置決め板220に固定されている。位置決め板220は、電極及びヒートシンクとしての機能を有する。位置決め板220は、実装基板212の平面213上に実装されている。また、位置決め板220は、例えば、接着剤224によって、半導体チップ230の側面に接着されている。
面発光レーザ214が光ファイバ216と結合するように、位置決め板220は配置されている。また、位置決め板220は、半導体チップ230の半導体素子形成面237より下に位置している。面発光レーザ214と光ファイバ216との結合部は、透明樹脂218によって、覆われている。これにより、面発光レーザ214と光ファイバ216との間の光路に透明樹脂218が充填されることになる。
面発光レーザ214は上部電極232及び下部電極234を備えている。下部電極234は、位置決め板220と接触している。位置決め板220は、ワイヤ248によって、半導体チップ230と電気的に接続されている。よって、下部電極234は、位置決め板220及びワイヤ248を介して、半導体チップ230と電気的に接続されている。また、上部電極232は、ワイヤ246によって、半導体チップ230と電気的に接続されている。光ファイバ216を実装基板212の平面に配置した後、ワイヤボンディングをする。
実装基板212の両側には、外部端子226が配置されている。実装基板212、外部端子226の一部及び光ファイバ226の一部が、遮光性の樹脂228によって封止されている。但し、図11においては、樹脂228の図示を省略している。
本実施の形態の効果は、第1の実施の形態の効果と同様である。なお、本実施の形態には、第1の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
(第7の実施の形態)
(構造の説明)
図12は、この発明に係る光モジュールの第7の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ214の配置場所を示している。第7の実施の形態においては、面発光レーザ214の上部電極232が、リードフレームである実装基板212の平面と、ワイヤ252によって電気的に接続されている。よって、下部電極234と上部電極232との短絡を避けるため、実装基板212の平面上に絶縁部242が形成されている。そして、位置決め板220は、絶縁部242上に載置されている。絶縁部242は、実装基板212の平面の一部を酸化することにより形成される。また、絶縁部242は、実装基板212の平面の一部に絶縁性テープを貼り付けることにより形成される。第7の実施の形態と第6の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第6の実施の形態と同じである。よって、第6の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。
(効果の説明)
第7の実施の形態は、第1の実施の形態と同じ効果を有する。なお、本実施の形態には、第2の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
(第8の実施の形態)
(構造の説明)
図13は、この発明に係る光モジュールの第8の実施の形態の部分断面の模式図である。面発光レーザ214の配置場所を示している。第8の実施の形態においては、面発光レーザ214の上部電極238が、リードフレームである実装基板212まで延びており、かつ実装基板212と電気的に接続されている。第8の実施の形態と第7の実施の形態との違いは、以上の点である。それ以外の構造については、第7の実施の形態と同じである。よって、第7の実施の形態と同じ部分については、同一符号を付すことにより、その説明を省略する。
(効果の説明)
第8の実施の形態は、第7の実施の形態と同じ効果を有する。この他、以下の特有の効果を有する。上部電極238は、横方向を向いている。ワイヤボンディングを用いて、上部電極238と実装基板212との電気的接続をする場合、このような構造だと、ワイヤボンディングに高度な技術が要求される。第8の実施の形態のように、上部電極238が実装基板212まで延びている構造にすると、上部電極238と実装基板212との電気的接続が容易となる。
なお、本実施の形態には、第3の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
(第9の実施の形態)
(構造の説明)
図14は、この発明に係る光モジュールの第9の実施の形態の部分断面の模式図である。光モジュール260は、BGA、CSP型の実装形態をしている。実装基板262の平面263上に、面発光レーザ264、半導体チップ280及び光ファイバ266を実装した構造をしている。図示はしていないが、第6の実施の形態と同様に、面発光レーザ264、半導体チップ280及び光ファイバ266は、それぞれ、三個ある。面発光レーザ264の半導体基板の側面269が、実装基板262の平面263と面するように、面発光レーザ264は配置されている。これにより、面発光レーザ264の光出射口267から出射された光286の進行方向は、実装基板262の平面263に沿う方向となる。半導体チップ280には、CMOS回路が形成されている。このCMOS回路から面発光レーザ264に駆動信号が送られる。
実装基板262の平面263には、配線部288、290、292が形成され、裏面265には、配線部294、296、298が形成されている。裏面265は、他の実装基板に実装される実装面となる。配線部288は配線部294と、配線部290は配線部296と、配線部292は配線部298と電気的に接続されている。配線部294、296、298には、バンプ電極289が形成されている。
面発光レーザ264は、例えば銅からなる位置決め板270に固定されている。位置決め板270は、電極及びヒートシンクとしての機能を有する。位置決め板270は、配線部290上に載置されている。また、位置決め板270は、例えば、銀ペースト274によって、半導体チップ280の側面に接着されている。
面発光レーザ264が光ファイバ266と結合するように、位置決め板270は配置されている。また、位置決め板270は、半導体チップ280の半導体素子形成面281より下に位置している。面発光レーザ264と光ファイバ266との結合部は、透明樹脂268によって、覆われている。
面発光レーザ264は上部電極282及び下部電極284を備えている。下部電極284は、位置決め板270と接触している。位置決め板270は、配線部290、296を介して、電源と接続又は接地されている。上部電極282は、ワイヤ299によって、配線部288、294と電気的に接続されている。駆動信号は、配線部294を通って上部電極282に送られる。なお、ワイヤ299の代わりに、第8の実施の形態のように、上部電極282が配線部288まで延びている構造としてもよい。
半導体チップ280には、バンプ電極295、297が形成されている。バンプ電極295は、配線部290と、バンプ電極297は、配線部292と電気的に接続されている。光ファイバ266の一部、半導体チップ280及び面発光レーザ264は、遮光性の樹脂228によって封止されている。
(効果の説明)
第9の実施の形態は、第6の実施の形態と同じ効果を有する。また、ワイヤ299の代わりに、第8の実施の形態のように、上部電極282が配線部288まで延びている構造にすると、第8の実施の形態と同じ効果を有する。
なお、第6〜9の実施の形態において、光ファイバ216、266を用いた。しかしながら、ガラス基板、プラスチックフィルム等を用いた光導波路にも、この発明を適用できる。
また、第6〜9の実施の形態において、面発光レーザ214、264を用いた。しかしながら、LD等の発光素子やPD等の受光素子にも、この発明を適用できる。
なお、本実施の形態には、第4の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
Claims (7)
- 実装部材と、
前記実装部材の平面に実装された光素子と、
前記実装部材に実装されて前記光素子の位置決めをする位置決め部材と、
前記実装部材に実装された半導体チップと、
前記実装部材の前記平面に実装され、前記光素子から出射された光又は前記光素子へ入射される光を導波する光導波路と、
を備え、
前記位置決め部材は、電極として用いられる材料で形成され、絶縁材料を介して前記半導体チップの側面に取り付けられており、
前記光素子は、前記位置決め部材を介して、前記半導体チップと電気的に接続され、
前記光素子から出射された光又は前記光素子へ入射する光の進行方向が、前記実装部材の前記平面に沿う方向となるように、前記光素子が実装され、かつ、前記実装部材の前記平面に沿う方向に前記光導波路が実装され、
前記光素子は、半導体基板上に形成され、かつ、前記半導体基板の平面に垂直な方向に光を出射する、又は、前記半導体基板の平面に垂直な方向から光が入射される素子である光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールにおいて、
前記光素子は、光が出射又は入射される光入出口を有し、
前記光入出口は、前記実装部材の前記平面に沿う方向を向いている光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールにおいて、
前記半導体チップは、半導体素子形成面が上になるように前記実装部材に実装され、
前記位置決め部材は、前記半導体チップの前記半導体素子形成面より下に位置している光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールにおいて、
前記実装部材は、第1の配線を備え、
前記位置決め部材が、前記第1の配線と接触している光モジュール。 - 請求項4に記載の光モジュールにおいて、
前記実装部材は、第2の配線を備え、
前記光素子の電極が、前記第2の配線と電気的に接続されている光モジュール。 - 請求項1から5のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記光モジュールは、遮光性の樹脂で封止してパッケージ化された光モジュールであり、
前記光素子と前記光導波路との間の光路に充填された光透過性の樹脂を備えた光モジュール。 - 請求項1から6のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記位置決め部材は、前記光素子からの熱を放熱する機能を有する光モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
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