JPH1082930A - 光モジュール，およびその製造方法 - Google Patents

光モジュール，およびその製造方法

Info

Publication number
JPH1082930A
JPH1082930A JP8236430A JP23643096A JPH1082930A JP H1082930 A JPH1082930 A JP H1082930A JP 8236430 A JP8236430 A JP 8236430A JP 23643096 A JP23643096 A JP 23643096A JP H1082930 A JPH1082930 A JP H1082930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
block
optical
optical fiber
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8236430A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Sakaino
剛 境野
Katsuhiko Goto
勝彦 後藤
Toshitaka Aoyanagi
利隆 青柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP8236430A priority Critical patent/JPH1082930A/ja
Priority to US08/816,934 priority patent/US5909523A/en
Publication of JPH1082930A publication Critical patent/JPH1082930A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
    • G02B6/4221—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera
    • G02B6/4224—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements involving a visual detection of the position of the elements, e.g. by using a microscope or a camera using visual alignment markings, e.g. index methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、フォトダイオードの取り付けが容
易であり、しかもフォトダイオードと光ファイバとの高
さ方向の位置合わせ精度のよい光モジュールおよびその
製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の光モジュールは、フォトダイオ
ード１の受光部１１からブロック下面２１ｃまでの距離
ｔ3 が、上記光ファイバ３のコア３１から上記基板上面
８１ａまでの距離ｔ4 と一致する位置に、該フォトダイ
オード１をブロック側面に取り付け、上記ブロック２１
は、フォトダイオード１の受光面が上記光ファイバ３先
端面と対向するようにして、上記光ファイバ３を配置し
た基板上面８１ａと同じ高さの基板上面８１ｂにブロッ
ク下面２１ｃを当接させて配置したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバまた
は光導波路と，光送受信部に用いる光半導体素子とを光
結合する光モジュールおよびその製造方法に関するもの
であり、特に、光半導体素子の高さ方向の位置合わせ精
度にすぐれた光モジュールおよびその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバとレーザダイオードとを光結
合した光モジュールとしては、例えば、特開平７−４３
５６５号公報に記載されたものが知られており、この公
報に記載された光モジュールは、基板上面にＶ溝を設
け、このＶ溝内に光ファイバを配置し、一方、レーザダ
イオードは、その発光部を光ファイバのコアに向けて上
記基板上面に配置した構造を備えたものである。上記光
モジュールによれば、レーザダイオードを直接基板上面
に固定しているため、レーザダイオードの下面から発光
点までの距離が、基板上面から光ファイバのコアまでの
距離と一致するようにレーザダイオードを作製すること
により、レーザダイオードと光ファイバとの高さ方向の
位置合わせを精度よく行うことができるものである。
【０００３】一方、フォトダイオードを用いた光モジュ
ールにおいても、端面に受光部を備えた端面入射型フォ
トダイオードを用いた場合は、上記のレーザダイオード
を用いた光モジュールと同じように該フォトダイオード
を基板上面に直接固定することにより、フォトダイオー
ドと光ファイバとの高さ方向の位置合わせを精度よく行
うことができる。しかしながら、表面に受光部を備えた
表面入射型フォトダイオードの場合は、該フォトダイオ
ードの受光面を光ファイバの光軸に対して垂直，あるい
はある程度の傾きをつけて配置しなければならないた
め、通常はフォトダイオードを固定するためのブロック
が使用される。
【０００４】図１５、図１６は、表面入射型フォトダイ
オードと光ファイバとを光結合した従来の光モジュール
を示した図である。この光モジュールは、図１５、図１
６に示すように、フォトダイオード１、フォトダイオー
ドを固定するブロック２、光ファイバ３、光ファイバ固
定用Ｖ溝基板４、Ｖ溝カバー５、外装パッケージ６、お
よびパッケージカバー７を備えており、該光モジュール
は、光ファイバ３の先端面とフォトダイオード１の受光
面とが向かい合うように、フォトダイオード１を取り付
けたブロック２と，光ファイバ３を保持したＶ溝基板４
とを外装パッケージ６内に配置したものである。
【０００５】上記フォトダイオード１は、その表面の中
心部に受光部１１を有し、この受光部１１に光ファイバ
３から出射された光が入射される。このフォトダイオー
ド１は、ブロック２の側面に取り付けられ、該ブロック
２に形成された電極２ａと給電用ワイヤ２ｃで接続され
ている。また、ブロック２に形成された電極２ａは、給
電用ワイヤ２ｂによりパッケージ６の電極に接続されて
いる。
【０００６】上記光ファイバ３は、中心に形成されたコ
ア３１と該コア３１の外周に形成されたクラッド３２と
からなり、コア３１の屈折率がクラッド３２の屈折率に
比べて高く形成されているため、光ファイバ３に入射さ
れた光は、コア３１内で導波されることとなる。該光フ
ァイバ３は、Ｖ溝基板４のＶ溝４１とＶ溝カバー５のカ
バー側Ｖ溝５１内に配置されるようにしてＶ溝基板４と
Ｖ溝カバー５との間に挟持されている。該Ｖ溝基板４の
Ｖ溝４１は、写真製版により形成されるため、Ｖ溝４１
の幅および深さは、１μｍ以下の精度で形成することが
できる。そのため、Ｖ溝４１に接するように光ファイバ
３を固定すれば、光ファイバ３の中心に形成されたコア
３１とＶ溝基板４の上面との距離は、極めて正確に位置
決め固定することができる。
【０００７】次に、上記光モジュールの製造方法につい
て説明する。該光モジュールは、図２０に示した組立フ
ローに従って製造される。すなわち、まず、フォトダイ
オード１の受光部１１からブロック下面２ｃまでの距離
ｔ2が、Ｖ溝基板４の厚みｔ1 と，光ファイバ３のコア
３１から基板上面までの距離とを合わせた距離と一致す
る位置に、画像認識でフォトダイオード１の高さ方向
（ｙ方向）の位置決めをした後、Ａｕ，Ｓｎハンダ，ま
たは樹脂などでフォトダイオード１をブロック２側面に
固定する（ステップＳ１）。そして、このフォトダイオ
ード１とブロック２間においてブロック２に形成した電
極２ａに給電用ワイヤ２ｃをワイヤボンドする（ステッ
プＳ２）。つぎに、樹脂などでＶ溝基板４を外装パッケ
ージ６に固定する（ステップＳ３）。そして、ブロック
２に取り付けたフォトダイオード１の受光部１１が、Ｖ
溝基板４に設けたＶ溝４１の中心位置に合う位置に、画
像認識でブロック２の水平方向（ｘ方向）の位置決めを
した後、樹脂などで該ブロック２を外装パッケージ６に
固定する（ステップＳ４）。ついで、光ファイバ３をＶ
溝基板４のＶ溝４１内に固定する（ステップＳ５）。こ
の後、Ｖ溝カバー５に設けたカバー側Ｖ溝５１内に光フ
ァイバ３が配置されるようにしてＶ溝カバー５をＶ溝基
板４上に固定する（ステップＳ６）。そして、ブロック
２に形成した電極２ａに給電用ワイヤ２ｂを外装パッケ
ージ６の電極とワイヤボンドする（ステップＳ７）。最
後に、外装パッケージ６の上部をパッケージカバー７で
封止すると（ステップＳ８）、図１５、図１６に示した
光モジュールが完成する。
【０００８】また、図１７、図１８は、表面入射型フォ
トダイオードと光ファイバとを光結合した従来の他の光
モジュールを示した図である。この光モジュールは、19
96年電子情報通信学会総合大会予稿集（p219:C-219）
“Ｓｉプラットフォームを用いたプリアンプ内蔵ＰＤモ
ジュール”に記載されたものとほぼ同様の構造を有する
ものであり、上記の図１５、図１６に示した光モジュー
ルで用いたようなブロック２を使用せずにＶ溝基板８上
に直接フォトダイオード１を搭載し、該フォトダイオー
ド１と光ファイバ３との光結合を行う構造を有するもの
である。すなわち、この光モジュールは、図１７、図１
８に示すように、Ｖ溝基板８には、光ファイバ３の先端
付近に凹部９が形成されており、該凹部９内において光
ファイバ３を配置した側と対向する側面にフォトダイオ
ード１を実装する斜面９ａが形成されている。光ファイ
バ３は、上記Ｖ溝基板８に形成したＶ溝８ａ内に保持さ
れており、一方、フォトダイオード１は、上記凹部９内
の斜面９ａに固定され、該フォトダイオード１の受光面
が光ファイバ３の光軸に対して高さ方向に傾いた状態に
配置されている。
【０００９】次に、上記光モジュールの製造方法につい
て説明する。上記光モジュールは、図２１に示した組立
フローに従って製造される。すなわち、まず、基板上面
からフォトダイオード１の受光部１１までの距離が、基
板上面から光ファイバ３中心のコアまでの距離に一致す
る位置に画像認識でフォトダイオード１の高さ方向の位
置決めをし、かつフォトダイオード１の受光部１１がＶ
溝８ａの中心に一致する位置に画像認識でフォトダイオ
ード１の水平方向の位置決めをした後、Ａｕ，Ｓｎハン
ダ，または樹脂などでフォトダイオード１を斜面９ａに
固定する（ステップＳ１）。そして、このフォトダイオ
ード１とＶ溝基板８間においてＶ溝基板８に形成した電
極２ａに給電用ワイヤ２ｃをワイヤボンドする（ステッ
プＳ２）。つぎに、樹脂などでＶ溝基板８をパッケージ
にダイボンド固定する（ステップＳ３）。そして、Ｖ溝
基板８に形成した電極２ａからパッケージの電極に給電
用ワイヤ２ｂをワイヤボンドする（ステップＳ４）。こ
の後、光ファイバ３をＶ溝基板８のＶ溝８ａ内に固定す
る（ステップＳ５）。最後に、Ｖ溝カバーを光ファイバ
３の上からＶ溝基板８上に固定した後、パッケージの上
部をパッケージカバーで封止することにより（ステップ
Ｓ６）、図１７、図１８に示した光モジュールが完成す
る。
【００１０】なお、特開平２−１４９８０５号公報に
は、光導波路を形成した導波路基板と，光ファイバを取
り付けた連結部材とを当接した状態で、これら導波路基
板および連結部材を，その表面を下面側にして基板上面
に設置して、光ファイバと光導波路とを結合する方法が
記載されているが、この結合方法は、光ファイバまたは
光導波路と，ブロックに取り付けたフォトダイオードと
の光結合を行う光モジュールとは構成が異なるものであ
り、後述する本発明の光モジュールに関連するとは言い
難いものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】つぎに、光ファイバと
フォトダイオードとの光軸ずれ量に対する結合効率の関
係について説明する。図１９は、光ファイバとフォトダ
イオード間の距離が５０μｍの場合、光ファイバとフォ
トダイオードとの光結合に許容される光軸ずれ量を示す
グラフである。
【００１２】図１９において、縦軸は結合効率（％）、
横軸は光軸ずれ量（μｍ）をそれぞれ示し、実線、点
線、および一点鎖線は、フォトダイオード受光部の受光
径がそれぞれ２０μｍ、３０μｍ、および４０μｍの場
合の計算値を示し、また、黒丸、黒三角、および黒四角
は、フォトダイオードの受光径がそれぞれ２０μｍ、３
０μｍ、および４０μｍの場合の測定値を示す。
【００１３】図１９に示すように、例えば、フォトダイ
オード受光径が２０μｍの場合、光ファイバとフォトダ
イオード間の距離が５０μｍで結合効率９０％を得よう
とすると、光軸ずれの許容量は約５μｍとなる。
【００１４】ところで、図１５、図１６に示した従来の
光モジュールの場合、Ｖ溝基板４の上面と光ファイバ３
の中心との距離を正確に決定できていたとしても、 光ファイバを保持するＶ溝基板の厚み、 フォトダイオードをブロックに固定するときの高さ位
置精度、 ブロックをパッケージに固定するときの位置決め精
度、により、光ファイバ３の中心のコア３１とフォトダ
イオード１の受光部１１との結合効率が左右される。す
なわち、Ｖ溝基板４の厚みは、±１０μｍのばらつきが
あり、また、フォトダイオード１のブロック２への取り
付け精度は、±５μｍのばらつきがあるため、光ファイ
バ３とフォトダイオード１との高さ方向（ｙ方向）につ
いては、±１５μｍ程度の光軸ずれ量が生じる。また、
ブロック２のパッケージ６への取り付け精度は、±５μ
ｍのばらつきがあるため、光ファイバ３とフォトダイオ
ード１との水平方向（ｘ方向）についても、±５μｍ程
度の光軸ずれ量が生じる。したがって、上記光モジュー
ルでは、フォトダイオード１と光ファイバ３との高さ方
向（ｙ方向）の光軸ずれ量が±１５μｍ程度あるので、
例えば、光ファイバ３とフォトダイオード１間の距離が
５０μｍのものでは、フォトダイオード受光径が２０μ
ｍ，３０μｍのものを用いた場合、図１９から明らかな
ように結合効率が９０％以上となるものを得ることが困
難であった。すなわち、光軸ずれ量を±５μｍ以内にす
れば、結合効率９０％以上のものを得ることができ、上
記フォトダイオードをブロックに固定するときの高さ
位置精度、および上記ブロックをパッケージに固定す
るときの位置決め精度、に関しては、画像認識を高精度
に行うことにより、これらのばらつきを±５μｍ以内に
抑えることが可能である。しかるに、上記光ファイバ
を保持するＶ溝基板の厚み、に関しては、通常は、所定
の規格内にある既製のＳｉ基板などが用いられるため、
基板厚自体のばらつきを±５μｍ以内に抑えることがほ
とんど不可能である。したがって、上記光モジュールで
は、フォトダイオード１と光ファイバ３との高さ方向の
位置合わせを精度よく行うことが困難であるという問題
があった。
【００１５】一方、図１７、図１８に示した従来の他の
光モジュールの場合、Ｖ溝基板８の厚みに左右されるこ
となく、フォトダイオード１と光ファイバ３との光結合
を行うことができるが、フォトダイオード１を取り付け
る基板面が傾斜しているため、フォトダイオード固定部
の斜面９ａへの電極形成、該斜面９ａへのフォトダイオ
ード固定、フォトダイオード１と基板８との間における
給電用ワイヤ２ｃのワイヤボンドなどが困難であるとい
う問題があった。
【００１６】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、フォトダイオードの取り付けが容
易であり、しかもフォトダイオードと光ファイバとの高
さ方向の位置合わせ精度のよい光モジュールおよびその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明による光モジュ
ール（請求項１）は、光ファイバ固定用の溝を上面に形
成してなる基板と、上記基板上面に形成された光ファイ
バ固定用の溝内に配置してなる光ファイバと、上記光フ
ァイバと光結合される受光部または発光部を表面に形成
してなる光半導体素子と、上記光半導体素子の受光部ま
たは発光部からブロック下面までの距離が上記光ファイ
バのコアから上記基板上面までの距離と一致する位置に
該光半導体素子をブロック側面に取り付けてなるブロッ
クとを備え、上記ブロックは、光半導体素子の受光面ま
たは発光面が上記光ファイバ先端面と対向するようにし
て、上記光ファイバを配置した基板上面と同じ高さの基
板上面にブロック下面を当接させて配置してなることを
特徴とする。
【００１８】この発明による光モジュール（請求項２）
は、上記の光モジュール（請求項１）において、上記基
板には、光ファイバの先端付近に、光ファイバの長さ方
向に対して垂直方向に溝を形成してなり、上記光半導体
素子を取り付けたブロックは、その下面より突出した突
出部を有するＬ字型に形成され、かつ該突出部を形成し
た側のブロック側面に上記光半導体素子を取り付けてな
り、上記ブロックの突出部が上記基板の溝内に配置さ
れ、かつ該突出部の内側面が上記溝の側面に当接するよ
うに、該ブロックを基板上面に配置してなることを特徴
とする。
【００１９】この発明による光モジュール（請求項３）
は、上記の光モジュール（請求項１）において、上記基
板には、光ファイバの先端付近に凹部を形成してなり、
上記フォトダイオードを取り付けたブロックは、その下
面より突出した突出部を有する凸型に形成してなり、上
記ブロックの突出部が上記基板の凹部内に配置されるよ
うに、上記ブロックを基板上面に配置してなることを特
徴とする。
【００２０】この発明による光モジュール（請求項４）
は、上記の光モジュール（請求項１）において、上記基
板には、光ファイバの先端付近に凹部を形成してなり、
上記光半導体素子を取り付けたブロックは、矩形形状に
形成されてなり、かつ該ブロック下面より光半導体素子
の一部が突出するようにブロック側面に光半導体素子を
取り付けられてなり、上記ブロック下面より突出した光
半導体素子の部分が上記基板の凹部内に配置されるよう
に、上記ブロックを基板上面に配置してなることを特徴
とする。
【００２１】この発明による光モジュール（請求項５）
は、上記の光モジュール（請求項１）において、上記基
板には、光ファイバの先端付近に、傾斜面を有する凹部
を形成してなり、上記光半導体素子を取り付けたブロッ
クは、その下面より突出した突出部を有し、かつ該突出
部には、上記基板に形成された凹部の傾斜面の傾きと一
致する傾斜面が形成されてなり、上記ブロックの突出部
が上記基板の凹部内に配置されるように、上記ブロック
を基板上面に配置してなることを特徴とする。
【００２２】この発明による光モジュール（請求項６）
は、光導波路と光半導体素子を取り付けたブロックとを
配置する基板と、上記基板上面に配置してなる光導波路
と、上記光導波路と光結合される受光部または発光部を
表面に形成してなる光半導体素子と、上記光半導体素子
の受光部または発光部からブロック下面までの距離が上
記光導波路のコアから上記基板上面までの距離と一致す
る位置に該光半導体素子をブロック側面に取り付けてな
るブロックとを備え、上記ブロックは、光半導体素子の
受光面または発光面が上記光導波路の先端面と対向する
ようにして、上記光導波路を配置した基板上面と同じ高
さの基板上面にブロック下面を当接させて配置してなる
ことを特徴とする。
【００２３】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項７）は、光半導体素子の受光部または発光部か
らブロック下面までの距離が基板上面に形成された光フ
ァイバ固定用の溝内に光ファイバを配置したとき光ファ
イバのコアから基板上面までの距離と一致する位置に光
半導体素子の高さ方向の位置決めをして該光半導体素子
をブロックの側面に取り付け、上記光半導体素子の受光
部または発光部が基板上面に形成した光ファイバ固定用
の溝の中心と一致する位置にブロックの水平方向の位置
決めをして該ブロックを基板上面に取り付け、この後、
基板上面に形成された光ファイバ固定用の溝内に光ファ
イバを固定することを特徴とする。
【００２４】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項８）は、基板上面に形成された光ファイバ固定
用の溝内に光ファイバを配置し、光半導体素子の受光部
または発光部からブロック下面までの距離が上記光ファ
イバのコアから上記基板上面までの距離と一致する位置
に光半導体素子の高さ方向の位置決めをして該光半導体
素子をブロックの側面に取り付け、上記光半導体素子の
受光部または発光部が光ファイバ固定用の溝内に配置し
た光ファイバのコアと一致する位置にブロックの水平方
向の位置決めをして該ブロックを基板上面に取り付ける
ことを特徴とする。
【００２５】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項９）は、光半導体素子の受光部または発光部か
らブロック下面までの距離が基板上面に光導波路を配置
したときに光導波路のコアから基板上面までの距離と一
致する位置に光半導体素子の高さ方向の位置決めをして
該光半導体素子をブロックの側面に取り付け、上記光半
導体素子の受光部または発光部が基板上面に光導波路を
配置したときに光導波路のコアと一致する位置にブロッ
クの水平方向の位置決めをして該ブロックを基板上面に
取り付け、この後、基板上面に光導波路を固定すること
を特徴とする。
【００２６】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項１０）は、基板上面に光導波路を配置し、光半
導体素子の受光部または発光部からブロック下面までの
距離が上記光導波路のコアから上記基板上面までの距離
と一致する位置に光半導体素子の高さ方向の位置決めを
して該光半導体素子をブロックの側面に取り付け、上記
光半導体素子の受光部または発光部が基板上面に配置し
た光導波路のコアと一致する位置にブロックの水平方向
の位置決めをして該ブロックを基板上面に取り付けるこ
とを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１による
光モジュールの斜視図を示し、図４は、該光モジュール
の側面図を示す。この実施の形態１による光モジュール
は、図１、図４に示すように、光ファイバ固定用のＶ溝
８１ｃを上面８１ａに形成したＶ溝基板８１と、該基板
上面８１ａに形成された光ファイバ固定用のＶ溝８１ｃ
内に配置した光ファイバ３と、該光ファイバ３と光結合
される受光部１１を表面に形成したフォトダイオード１
と、該フォトダイオード１の受光部１１からブロック下
面２１ｃまでの距離ｔ3 が上記光ファイバ３のコア３１
から上記基板上面８１ａまでの距離ｔ4 と一致する位置
に該フォトダイオード１をブロック側面に取り付けたブ
ロック２１とを備えており、上記ブロック２１は、フォ
トダイオード１の受光面が上記光ファイバ３先端面と対
向するようにして、上記光ファイバ３を配置した基板上
面８１ａと同じ高さの基板上面８１ｂにブロック下面２
１ｃを当接させて配置したものである。また、該光モジ
ュールでは、フォトダイオード１の受光部１１と光ファ
イバ３の先端との間の距離は、５０μｍに設定されてい
る。
【００２８】上記構造を備えた光モジュールの動作とし
ては、光ファイバ３により導波されてきた光が光ファイ
バ３の先端から出射されて、該出射光がフォトダイオー
ド１の受光部１１に入射されると、該フォトダイオード
１が該受光部１１に入射された光の強度に応じて電圧を
発生させるものである。
【００２９】上記光ファイバ３は、その先端をＶ溝基板
８１の溝９１に突出するようにしてＶ溝基板８１の基板
上面８１ａに形成されたＶ溝８１ｃ内に固定されてい
る。上記光ファイバ３は、その中心に形成されたコア３
１と，該コア３１の外周に形成されたクラッド３２とを
備えており、ガラスファイバ、プラスチック光ファイバ
など種々のものが使用される。該光ファイバ３のサイズ
としては、外径が約１２５μｍ、コア３１の直径が約１
０μｍである。上記コア３１の屈折率は、上記クラッド
３２の屈折率に比べて高く形成されているため、該光フ
ァイバ３に入射された光は、コア３１内で導波されるこ
ととなる。
【００３０】上記フォトダイオード１は、Ｌ字型ブロッ
ク２１の側面のうち突出部２１ｂが形成された側面に固
定されている。このとき、フォトダイオード１の高さ方
向の位置は、受光部１１からブロック下面２１ｃまでの
距離が上記光ファイバ３のコア３１から基板上面８１ａ
までの距離と一致する位置に設定される。該フォトダイ
オード１は、ブロック２１に形成された電極２ａと給電
用ワイヤ２ｃで接続されている。また、該ブロック２１
に形成された電極２ａは、給電用ワイヤ２ｂでパッケー
ジの電極と接続されている。上記フォトダイオード１
は、その表面の中心部に受光部１１を有し、該受光部１
１に光ファイバ３から発射された光が入射されると、該
光の強度に応じた電圧を発生する。該フォトダイオード
１のサイズとしては、外径が約３００×３００μｍ、受
光部１１の受光径が約３０μｍである。上記フォトダイ
オード１を取り付けたＬ字型ブロック２１は、その突出
部２１ｂが上記基板８１の溝９１内に配置され、かつ突
出部２１ｂの内側面が溝９１の側面９１ａに接するよう
にして、Ｖ溝８１ｃが形成されていない側の基板上面８
１ｂに配置されている。このとき、ブロック２１の水平
方向の位置は、フォトダイオード１の受光部１１の位置
が光ファイバ３のコア３１と一致する位置に設定され
る。
【００３１】次に、上記光モジュールにおける、フォト
ダイオード１を取り付けたＬ字型のブロック２１につい
て説明する。図２は、上記Ｌ字型ブロック２１の裏面図
を示す。
【００３２】上記Ｌ字型ブロック２１は、図２に示すよ
うに、ほぼ矩形形状をしたブロック本体２１ａと、該ブ
ロック本体２１ａの下面２１ｃに形成した突出部２１ｂ
とを備えており、セラミックなどを機械加工して製造さ
れる。また、上記突出部２１ｂが形成されたブロック側
面にフォトダイオード１が固定されており、該フォトダ
イオード１が固定された側面は、その対向面に対して横
方向に少し傾けるようにして形成されている。このよう
にフォトダイオード１が固定される側面を傾けて形成し
ているのは、光モジュールとして組み立てた場合に、図
１に示すように、フォトダイオード１の受光面が光ファ
イバ３の光軸に対してある程度傾いて配置されるように
するためであり、これにより、フォトダイオード１の受
光面によって反射された光が再び光ファイバ３に入射さ
れることを防止することができる。
【００３３】次に、上記光モジュールにおけるＶ溝基板
８１について説明する。図３は、上記Ｖ溝基板８１の平
面図を示す。
【００３４】上記Ｖ溝基板８１は、厚みは約５００μｍ
であり、Ｓｉ，ＧａＡｓなどの半導体材料からなるもの
である。該Ｖ溝基板８１は、図３に示すように、該基板
８１の光ファイバ３先端付近に、該光ファイバ３の長さ
方向に対して垂直方向に溝９１が形成されている。ま
た、該溝９１を挟んで一方の基板上面８１ａには、光フ
ァイバ３固定用のＶ溝８１ｃが形成されており、光ファ
イバ３は、該Ｖ溝８１ｃ内に配置されている。該Ｖ溝８
１ｃは、写真製版により形成されるため、Ｖ溝８１ｃの
幅および深さは、１μｍ以下の精度で形成される。すな
わち、Ｖ溝基板８１としてＳｉ基板を用いた場合、Ｓｉ
基板の（１００）面に、Ｖ溝を形成する部分以外にマス
クを形成してエッチングすると、（１１１）面を有する
エッチング面が形成されるため正確に７０．５２°の角
度を有するＶ溝が形成される。そのため、Ｖ溝８１ｃに
接するようにして光ファイバ３を固定すれば、光ファイ
バ３の中心に形成されたコア３１と基板上面８１ａとの
間の距離は、極めて正確に決定することができる。ま
た、上記Ｌ字型ブロック２１が配置される側の溝９１の
側面９１ａは、その対向面に対して横方向に傾けて形成
されており、この側面９１ａの傾きは上記ブロック２１
の突出部２１ｂを形成した側の側面の傾きと一致するよ
うに形成されている。すなわち、溝９１は、Ｌ字型ブロ
ック２１を基板上面８１ｂに配置したとき、ブロック２
１の突出部２１ｂの内側面が溝９１の側面９１ａにぴっ
たり接するように形成されている。
【００３５】なお、上記Ｌ字型ブロック２１は、その突
出部２１ｂを形成した側面を傾斜させたものを用いてい
るが、このような傾斜を付けることなく矩形形状に形成
したＬ字型ブロックを用いることも可能である。
【００３６】次に、上記光モジュールの製造方法につい
て説明する。まず、フォトダイオード１の受光部１１中
心からブロック下面２１ｃまでの距離ｔ3 が、図４に示
すように、基板上面８１ａに形成された光ファイバ固定
用のＶ溝８１ｃ内に光ファイバ３を配置したときに該光
ファイバ３のコア３１中心から基板上面８１ａまでの距
離ｔ4 と一致する位置に画像認識などの方法によりフォ
トダイオード１の高さ方向の位置決めをし、かつ上記ブ
ロック２１を基板上面８１ｂの所定位置に配置したと
き、該ブロック２１のエッジに対してフォトダイオード
１の受光部１１の位置が光ファイバ３を固定するＶ溝８
１ｃの中心に一致する位置にフォトダイオード１の横方
向の位置決めをして、該フォトダイオード１を突出部２
１ｂが形成されたブロック２１の側面に、Ａｕ，Ｓｎの
ハンダまたは樹脂などで取り付ける。そして、該フォト
ダイオード１とブロック２１間においてブロック２１の
電極２ａに給電用ワイヤ２ｃをワイヤボンドする。
【００３７】ついで、上記フォトダイオード１の受光部
１１が、基板上面８１ａに形成した光ファイバ固定用の
Ｖ溝８１ｃの中心と一致する位置に画像認識などの方法
によりブロック２１の水平方向の位置決めをして、該ブ
ロック２１を基板上面８１ｂに取り付ける。このとき、
ブロック２１に形成した突出部２１ｂをＶ溝基板８１の
溝９１内に配置し、かつ該突出部２１ｂの内側面を上記
溝９１の側面９１ａに当接するようにしてブロック２１
を取り付ける。
【００３８】つぎに、Ｖ溝基板８１の基板上面８１ａに
形成されたＶ溝８１ｃ内に光ファイバ３を樹脂などで固
定する。このとき、光ファイバ３の先端がＶ溝基板８１
の溝９１内に少し突出するように配置する。なお、基板
上面８１ａから光ファイバ３のコア３１の中心までの距
離ｔ4 は、Ｖ溝８１ｃが写真製版により１μｍ以下の精
度で形成されるため光ファイバ３をＶ溝８１ｃに当接さ
せて固定することにより極めて正確に決定されることと
なる。
【００３９】最後に、上記Ｖ溝基板８１をパッケージに
固定し、ついで、ブロック２１の電極２ａに給電用ワイ
ヤ２ｂをパッケージの電極にワイヤボンドした後、該パ
ッケージの上部をパッケージカバーで封止することによ
り、上記実施の形態１による光モジュールが完成する。
【００４０】なお、上記製造方法では、フォトダイオー
ド１を取り付けたブロック２１をＶ溝基板８１に取り付
けた後に、光ファイバ３をＶ溝８１ｃ内に固定するよう
にしているが、まず最初に、光ファイバ３をＶ溝８１ｃ
内に固定し、この後、上記ブロック２１をＶ溝基板８１
に取り付けるようにしても良い。
【００４１】このように上記実施の形態１による光モジ
ュールによれば、光ファイバ固定用のＶ溝８１ｃの深さ
は、エッチング時のマスク幅（Ｖ溝幅）を調整すること
により精密に決められるため、光ファイバ３のコア３１
の中心から基板上面８１ａまでの距離ｔ4 が精密に決め
られ、また、フォトダイオード１の受光部１１中心から
基板上面８１ｂに接するブロック下面２１ｃまでの距離
ｔ3 は、光ファイバ３のコア３１の中心から基板上面８
１ａまでの距離ｔ4 と一致する位置に、画像認識などの
方法により正確に位置決めすることができ、したがっ
て、光ファイバ３を固定する部分の基板上面８１ａの高
さとブロック２１を配置する基板上面８１ｂの高さが等
しいため、ブロック２１をＶ溝基板上面８１ｂに固定す
ることにより、Ｖ溝基板８１の厚みに左右されることな
くＶ溝基板８１の上面を基準にして、光ファイバ３のコ
ア３１とフォトダイオード１の受光部１１との高さ方向
の位置合わせを精度良く行うことができ、その結果、光
ファイバ３とフォトダイオード１の結合効率の高いもの
が得られる。
【００４２】実施の形態２．図５は、この発明の実施の
形態２による光モジュールの斜視図を示し、図６は、該
光モジュールにおける凸型ブロック２２の裏面図を示
し、図７は、該光モジュールにおけるＶ溝基板８２の平
面図を示す。
【００４３】この実施の形態２による光モジュールは、
図５に示すように、フォトダイオード１を取り付けるブ
ロック２２として凸型形状のものが用いられ、また、Ｖ
溝基板８２には該凸型ブロック２２の突出部２２ｂを収
容し得る凹部９２を形成したものが用いられている。上
記凸型ブロック２２は、光ファイバ３の光軸に対して横
方向に約８°傾くようにしてＶ溝基板８２の上面８２ａ
に配置されている。このようにブロック２２を傾けて基
板上面８２ａに配置するのは、上記実施の形態１の光モ
ジュールの場合と同様にフォトダイオード１の受光面に
よって反射された光が再び光ファイバ３に入射されるの
を防ぐためである。
【００４４】上記凸型ブロック２２は、図６に示すよう
に、矩形形状をしたブロック本体２２ａと、該ブロック
本体２２ａの下面２２ｃに形成した矩形形状の突出部２
２ｂとを備えており、該凸型ブロック２２は、セラミッ
クなどを機械加工して製造される。また、ブロック２２
の側面にはフォトダイオード１が固定されている。
【００４５】上記Ｖ溝基板８２は、図７に示すように、
光ファイバ３の先端付近に、上記凸型ブロック２２の突
出部２２ｃを収容可能な凹部９２が形成されている。ま
た、上記Ｖ溝基板８２の上面８２ａには、光ファイバ３
を配置するＶ溝８２ｃが形成されており、Ｖ溝８２ｃは
上記凹部９２に達している。該Ｖ溝８２ｃは、上記実施
の形態１の光モジュールにおけるＶ溝基板８１のＶ溝８
１ｃと同様に写真製版により形成されるため、Ｖ溝８２
ｃの幅および深さは、１μｍ以下の精度で形成される。
【００４６】次に、上記光モジュールの製造方法につい
て説明する。まず、フォトダイオード１を凸型ブロック
２２の側面に取り付ける。このとき、上記実施の形態１
の光モジュールの場合と同様に、画像認識などの方法に
より、フォトダイオード１の受光部１１中心からブロッ
ク下面２２ｃまでの距離が、基板上面８２ａに形成され
た光ファイバ固定用のＶ溝８２ｃ内に光ファイバ３を配
置したとき、該光ファイバ３のコア３１中心から基板上
面８２ａまでの距離と一致する位置にフォトダイオード
１の高さ方向の位置決めをし、かつ上記ブロック２２を
基板上面８２ａの所定位置に配置したとき、該ブロック
２２のエッジに対してフォトダイオード１の受光部１１
の位置が光ファイバ３を固定するＶ溝８２ｃの中心に一
致する位置にフォトダイオード１の横方向の位置決めを
した後、該フォトダイオード１を凸型ブロック２２の側
面に、Ａｕ，Ｓｎのハンダまたは樹脂などで取り付け
る。そして、該フォトダイオード１とブロック２２間に
おいてブロック２２の電極２ａに給電用ワイヤ２ｃをワ
イヤボンドする。
【００４７】つぎに、上記凸型ブロック２２をＶ溝基板
８２の上面８２ａに取り付ける。この凸型ブロック２２
の取り付け方法について説明する。図８は、上記凸型ブ
ロック２２の水平方向の位置合わせ，およびその取り付
け方法を説明するための平面図を示す。
【００４８】凸型ブロック２２の水平方向の位置合わせ
は、図８に示すように、光ファイバ３を保持するＶ溝８
２ｃの位置に対して精度よくＶ溝基板８２の上面８２ａ
に４つ形成されたマーカ１２，１３，１４，１５を用い
て画像認識により行われる。すなわち、３つのマーカ１
２，１５，１３により形成される角度が８°に設定され
ているので、上記のマーカ１２，１３，１４，１５とブ
ロック２２のエッジ２２ｄ，２２ｅとを画像認識し、該
ブロック２２の位置および傾きを計算することにより、
凸型ブロック２２の水平方向の位置合わせが行われる。
この後、該ブロック２２に形成した突出部２２ｂがＶ溝
基板８１の凹部９２内に配置されるようにして該ブロッ
ク２２を基板上面８２ａに取り付ける。
【００４９】つぎに、Ｖ溝基板８２の基板上面８２ａに
形成されたＶ溝８２ｃ内に光ファイバ３を樹脂などで固
定する。このとき、光ファイバ３の先端がＶ溝基板８２
の凹部９２内に少し突出するように配置する。なお、基
板上面８２ａから光ファイバ３のコア３１の中心までの
距離は、Ｖ溝８２ｃが写真製版により１μｍ以下の精度
で形成されるため光ファイバ３をＶ溝８２ｃに当接させ
て固定することにより極めて正確に決定されることとな
る。
【００５０】最後に、上記Ｖ溝基板８２をパッケージに
固定し、ついで、ブロック２２の電極２ａに給電用ワイ
ヤ２ｂをパッケージの電極にワイヤボンドした後、該パ
ッケージの上部をパッケージカバーで封止することによ
り、上記実施の形態２による光モジュールが完成する。
【００５１】なお、上記製造方法では、フォトダイオー
ド１を取り付けたブロック２２をＶ溝基板８２に取り付
けた後に、光ファイバ３をＶ溝８２ｃ内に固定するよう
にしているが、まず最初に、光ファイバ３をＶ溝８２ｃ
内に固定し、この後、上記ブロック２２をＶ溝基板８２
に取り付けるようにしても良い。
【００５２】このように上記実施の形態２による光モジ
ュールでは、凸型ブロック２２と光ファイバ３の先端付
近に凹部９２を設けたＶ溝基板８２を用いることによ
り、上記実施の形態１のものと同様に、Ｖ溝基板８２の
厚みに左右されることなくＶ溝基板８２の上面８２ａを
基準にしてフォトダイオード１の受光部１１中心と光フ
ァイバ３のコア３１中心の高さ方向の位置合わせを精度
よく行えるものが得られ、しかも、凸型ブロック２２
は、矩形形状の突出部２２ｂを形成したものであるため
上記実施の形態１におけるＬ字型ブロック２１に比べて
加工が容易で、その寸法精度もよいため、結合効率のす
ぐれたものを容易に得ることができる。
【００５３】実施の形態３．図９は、この発明の実施の
形態３による光モジュールの斜視図を示す。この実施の
形態３による光モジュールは、図９に示すように、フォ
トダイオード１を取り付けるブロック２３として矩形形
状のものが用いられており、該ブロック２３は、光ファ
イバ３の光軸に対して横方向に約８°傾くようにしてＶ
溝基板８３の上面８３ａに配置されている。このように
ブロック２３を傾けて基板上面８３ａに配置するのは、
上記実施の形態１の光モジュールの場合と同様にフォト
ダイオード１の受光面によって反射された光が再び光フ
ァイバ３に入射されるのを防ぐためである。
【００５４】上記ブロック２３として、図９に示すよう
な矩形形状にすることにより、その作製が容易で加工精
度も向上するので、ブロック２３のＶ溝基板８３への固
定精度も向上することができる。また、フォトダイオー
ド１の一部が上記ブロック下面２３ｃより突出するよう
にブロック側面に取り付けられるため、フォトダイオー
ド１のサイズ、光ファイバ３の位置によっては、ブロッ
ク側面にフォトダイオード１をより確実に固定するため
にブロック側面にのりしろ部分が設けられている。
【００５５】このように上記実施の形態３による光モジ
ュールでは、矩形形状のブロック２３を用いることによ
り、上記実施の形態１のものと同様に、Ｖ溝基板８３の
厚みに左右されることなくＶ溝基板８３の基板上面８３
ａを基準にしてフォトダイオード１の受光部１１中心と
光ファイバ３のコア３１中心の高さ方向の位置合わせを
精度よく行うことができ、しかも、矩形形状ブロック２
３は、上記実施の形態１におけるＬ字型ブロック２１
や、上記実施の形態２における凸型ブロック２２に比べ
て加工し易く、その寸法精度もよいため、結合効率のす
ぐれたものを容易に得ることができる。
【００５６】実施の形態４．図１０は、この発明の実施
の形態４による光モジュールの斜視図を示し、図１１
は、該光モジュールにおける凸型のブロックの裏面図を
示し、図１２は、該光モジュールにおけるＶ溝基板の平
面図を示す。
【００５７】この実施の形態４による光モジュールは、
図１０に示すように、フォトダイオード１を取り付ける
ブロック２４として凸型形状のものが用いられ、また、
Ｖ溝基板８４には該凸型ブロック２４の凸部２４ｂと嵌
合し得る凹部９４を形成したものが用いられている。上
記凸型ブロック２４は、光ファイバ３の光軸に対して横
方向に約８°傾くようにしてＶ溝基板８４の上面８４ａ
に配置されている。このようにブロック２４を傾けて基
板上面８４ａに配置するのは、上記実施の形態１の光モ
ジュールの場合と同様にフォトダイオード１の受光面に
よって反射された光が再び光ファイバ３に入射されるの
を防ぐためである。
【００５８】上記凸型ブロック２４は、Ｓｉなどからな
り、図１１に示すように、矩形形状をしたブロック本体
２４ａと、該ブロック本体２４ａの下面２４ｃに形成し
た凸部２４ｂとを備えている。該凸部２４ｂは、斜面２
４ｄ，２４ｅを備えた台形形状に形成されている。該凸
部２４ｂの幅や斜面２４ｅ，２４ｄの角度などはエッチ
ングにより正確に形成される。そして、フォトダイオー
ド１は、該凸部２４ｂの位置に対して受光部１１の中心
がＶ溝８４ｃの中心に合うように上記ブロック２４の側
面に固定される。
【００５９】上記Ｖ溝基板８４は、図１２に示すよう
に、光ファイバ３の先端付近に、上記凸型ブロック２４
の凸部２４ｃと嵌合可能な凹部９４が形成されている。
すなわち、該凹部９４は、上記凸型ブロック２４の凸部
２４ｃに形成された斜面２４ｄ，２４ｅと対応する斜面
９４ｄ，９４ｅが形成されている。
【００６０】このように上記実施の形態４による光モジ
ュールでは、凸型ブロック２４と光ファイバ３の先端付
近に凹部９４を設けたＶ溝基板８４を用いることによ
り、上記実施の形態１のものと同様に、Ｖ溝基板８４の
厚みに左右されることなくＶ溝基板８４の基板上面８４
ａを基準にしてフォトダイオード１の受光部１１中心と
光ファイバ３のコア３１中心の高さ方向の位置合わせを
精度よく行えるものが得られ、しかも、凸型ブロック２
４に形成した凸部２４ｂがＶ溝基板８４の凹部９４に嵌
合可能に形成されているため、画像認識などでブロック
２４の水平方向の位置合わせを行うことなく精度よくブ
ロック２４をＶ溝基板８４に取り付けることができる。
【００６１】実施の形態５．図９は、この発明の実施の
形態５による光モジュールの斜視図を示す。この実施の
形態５による光モジュールは、上記の実施の形態１〜４
のものとは異なり光ファイバに代えて光導波路とフォト
ダイオードとを光結合したものであり、光導波路を配置
する基板にはＶ溝を形成することなく該基板上面に直接
光導波路が配置される。
【００６２】すなわち、この実施の形態５による光モジ
ュールは、図１３に示すように、光導波路３０とフォト
ダイオード１を取り付けたブロック２３とを配置する基
板８３と、該基板上面８３ａに配置した光導波路３０
と、該光導波路３０と光結合される受光部１１を表面に
形成したフォトダイオード１と、該フォトダイオード１
の受光部１１からブロック下面までの距離が、上記光導
波路のコアから上記基板上面８３ａまでの距離と一致す
る位置に、該フォトダイオード１をブロック側面に取り
付けたブロック２３とを備えており、上記ブロック２３
は、フォトダイオード１の受光面が上記光導波路３０の
先端面と対向するように、上記光導波路３０を配置した
基板上面８３ａと同じ高さの基板上面８３ａにブロック
下面を当接させて配置したものである。また、上記光モ
ジュールでは、フォトダイオード１の受光部１１と光導
波路３０の先端との間の距離は、５０μｍに設定されて
いる。
【００６３】このように上記実施の形態５による光モジ
ュールでは、矩形形状のブロック２３を用いることによ
り、上記実施の形態１のものと同様に、Ｖ溝基板８３の
厚みに左右されることなく、基板８３の上面８３ａを基
準にしてフォトダイオード１の受光部１１中心と光導波
路３０のコア中心の高さ方向の位置合わせを精度よく行
えるものが得られ、しかも、光導波路３０を用いること
により、基板８３上にハイブリッド集積化した状態で使
用することもできる。
【００６４】実施の形態６．図１４は、この発明の実施
の形態６による光モジュールの斜視図を示す。この実施
の形態６による光モジュールは、上記の実施の形態１〜
５のものとは異なり、表面に発光部１１ａを形成した面
発光型半導体レーザ（ＬＤ），または面発光型フォトダ
イオード（ＬＥＤ）と，光ファイバとを光結合したもの
である。
【００６５】すなわち、この実施の形態６による光モジ
ュールは、図１４に示すように、光ファイバ固定用のＶ
溝８２ｃを上面８２ａに形成したＶ溝基板８２と、該基
板上面８２ａに形成された光ファイバ固定用のＶ溝８２
ｃ内に配置した光ファイバ３と、該光ファイバ３と光結
合される発光部１１ａを表面に形成した面発光ＬＤまた
は面発光ＬＥＤ１ａと、該面発光ＬＤ１ａの発光部１１
ａからブロック下面２２ｃまでの距離が上記光ファイバ
３のコアから上記基板上面８２ａまでの距離と一致する
位置に該面発光ＬＤ１ａをブロック側面に取り付けたブ
ロック２２と、上記面発光ＬＤ１ａから出射される光を
集光するレンズ１６とを備えたものである。
【００６６】上記Ｖ溝基板８２は、上記ブロック２２の
突出部２２ｂを収容する凹部９２と、該凹部９２とＶ溝
８２ｃ間に形成され，上記レンズ１６を配置するレンズ
配置用凹部９２ａとを備える。また、上記面発光ＬＤ１
ａを取り付けたブロック２２は、その下面２２ｃより突
出した突出部２２ｂを有する凸型に形成されている。
【００６７】そして、該ブロック２２は、その突出部２
２ｂがＶ溝基板８２の凹部９２内に収容されるように基
板上面８２ａにブロック下面２２ｃを当接させて配置さ
れ、面発光ＬＤ１ａの発光面１１ａが上記光ファイバ３
先端面と対向するようにされている。
【００６８】このように上記実施の形態６による光モジ
ュールによれば、凸型ブロック２２と該凸型ブロック２
２の突出部２２ｃを収容し得る凹部９２を設けたＶ溝基
板８２を用いることにより、上記実施の形態１〜５のも
のと同様に、Ｖ溝基板８２の厚みに左右されることな
く、Ｖ溝基板８２の上面８２ａを基準にして面発光ＬＤ
１ａの発光部１１ａ中心と光ファイバ３のコア中心の高
さ方向の位置合わせを精度良く行うことができ、その結
果、光ファイバ３と面発光ＬＤ１ａとの結合効率の高い
ものが得られる。
【００６９】
【発明の効果】この発明による光モジュール（請求項
１）によれば、光ファイバ固定用の溝を上面に形成して
なる基板と、上記基板上面に形成された光ファイバ固定
用の溝内に配置してなる光ファイバと、上記光ファイバ
と光結合される受光部または発光部を表面に形成してな
る光半導体素子と、上記光半導体素子の受光部または発
光部からブロック下面までの距離が上記光ファイバのコ
アから上記基板上面までの距離と一致する位置に該光半
導体素子をブロック側面に取り付けてなるブロックとを
備え、上記ブロックは、光半導体素子の受光面または発
光面が上記光ファイバ先端面と対向するようにして、上
記光ファイバを配置した基板上面と同じ高さの基板上面
にブロック下面を当接させて配置してなるので、光ファ
イバを固定する部分の基板上面の高さとブロックを配置
する基板上面の高さが等しいため、ブロックを基板上面
に固定することにより、基板の厚みに左右されることな
く該基板の上面を基準にして、光ファイバのコアと光半
導体素子の受光部または発光部との高さ方向の位置合わ
せを精度良く行うことができ、その結果、光ファイバと
光半導体素子の結合効率の高いものが得られるという効
果がある。
【００７０】この発明による光モジュール（請求項２）
によれば、上記の光モジュール（請求項１）において、
上記基板には、光ファイバの先端付近に、光ファイバの
長さ方向に対して垂直方向に溝を形成してなり、上記光
半導体素子を取り付けたブロックは、その下面より突出
した突出部を有するＬ字型に形成され、かつ該突出部を
形成した側のブロック側面に上記光半導体素子を取り付
けてなり、上記ブロックの突出部が上記基板の溝内に配
置され、かつ該突出部の内側面が上記溝の側面に当接す
るように、該ブロックを基板上面に配置してなるので、
Ｌ字型ブロックを基板上面に固定することにより、上記
光モジュールと同様に、基板の厚みに左右されることな
く該基板の上面を基準にして、光ファイバのコアと光半
導体素子の受光部または発光部との高さ方向の位置合わ
せを精度良く行うことができ、その結果、光ファイバと
光半導体素子の結合効率の高いものが得られるという効
果がある。
【００７１】この発明による光モジュール（請求項３）
によれば、上記の光モジュール（請求項１）において、
上記基板には、光ファイバの先端付近に凹部を形成して
なり、上記フォトダイオードを取り付けたブロックは、
その下面より突出した突出部を有する凸型に形成してな
り、上記ブロックの突出部が上記基板の凹部内に配置さ
れるように、上記ブロックを基板上面に配置してなるの
で、凸型ブロックを基板上面に固定することにより、上
記光モジュールと同様に、基板の厚みに左右されること
なく該基板の上面を基準にして、光ファイバのコアと光
半導体素子の受光部または発光部との高さ方向の位置合
わせを精度良く行うことができ、その結果、光ファイバ
と光半導体素子の結合効率の高いものが得られるという
効果がある。
【００７２】この発明による光モジュール（請求項４）
は、上記の光モジュール（請求項１）において、上記基
板には、光ファイバの先端付近に凹部を形成してなり、
上記光半導体素子を取り付けたブロックは、矩形形状に
形成されてなり、かつ該ブロック下面より光半導体素子
の一部が突出するようにブロック側面に光半導体素子を
取り付けられてなり、上記ブロック下面より突出した光
半導体素子の部分が上記基板の凹部内に配置されるよう
に、上記ブロックを基板上面に配置してなるので、矩形
形状のブロックを用いることにより、上記光モジュール
と同様に、基板の厚みに左右されることなく該基板の基
板上面を基準にして光半導体素子の受光部または発光部
と光ファイバのコアとの高さ方向の位置合わせを精度よ
く行うことができ、しかも、矩形形状ブロックは、上記
光モジュールにおけるＬ字型ブロックや凸型ブロックに
比べて加工し易く、かつその寸法精度もよいため、結合
効率のすぐれたものを容易に得ることができるという効
果がある。
【００７３】この発明による光モジュール（請求項５）
によれば、上記の光モジュール（請求項１）において、
上記基板には、光ファイバの先端付近に、傾斜面を有す
る凹部を形成してなり、上記光半導体素子を取り付けた
ブロックは、その下面より突出した突出部を有し、かつ
該突出部には、上記基板に形成された凹部の傾斜面の傾
きと一致する傾斜面が形成されてなり、上記ブロックの
突出部が上記基板の凹部内に配置されるように、上記ブ
ロックを基板上面に配置してなるので、凸型ブロックと
光ファイバの先端付近に凹部を設けた基板とを用いるこ
とにより、上記光モジュールと同様に、基板の厚みに左
右されることなく該基板の基板上面を基準にして光モジ
ュールの受光部または発光部と光ファイバのコアの高さ
方向の位置合わせを精度よく行えるものが得られ、しか
も、凸型ブロックに形成した凸部が上記基板の凹部に嵌
合可能に形成されているため、画像認識などで該ブロッ
クの水平方向の位置合わせを行うことなく精度よく水平
方向の位置合わせを行えるものが得られるという効果が
ある。
【００７４】この発明による光モジュール（請求項６）
によれば、光導波路と光半導体素子を取り付けたブロッ
クとを配置する基板と、上記基板上面に配置してなる光
導波路と、上記光導波路と光結合される受光部または発
光部を表面に形成してなる光半導体素子と、上記光半導
体素子の受光部または発光部からブロック下面までの距
離が上記光導波路のコアから上記基板上面までの距離と
一致する位置に該光半導体素子をブロック側面に取り付
けてなるブロックとを備え、上記ブロックは、光半導体
素子の受光面または発光面が上記光導波路の先端面と対
向するようにして、上記光導波路を配置した基板上面と
同じ高さの基板上面にブロック下面を当接させて配置し
てなるので、上記光モジュールと同様に、基板の厚みに
左右されることなく該基板の上面を基準にして光半導体
素子の受光部または発光部と光導波路のコアとの高さ方
向の位置合わせを精度よく行えるものが得られ、しか
も、光導波路を用いることにより、基板上にハイブリッ
ド集積化した状態で使用できるものが得られるという効
果がある。
【００７５】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項７）によれば、光半導体素子の受光部または発
光部からブロック下面までの距離が基板上面に形成され
た光ファイバ固定用の溝内に光ファイバを配置したとき
光ファイバのコアから基板上面までの距離と一致する位
置に光半導体素子の高さ方向の位置決めをして該光半導
体素子をブロックの側面に取り付け、上記光半導体素子
の受光部または発光部が基板上面に形成した光ファイバ
固定用の溝の中心と一致する位置にブロックの水平方向
の位置決めをして該ブロックを基板上面に取り付け、こ
の後、基板上面に形成された光ファイバ固定用の溝内に
光ファイバを固定するようにしてなるので、ブロックを
基板上面に固定することにより、基板の厚みに左右され
ることなく該基板の上面を基準にして、光ファイバのコ
アと光半導体素子の受光部または発光部との高さ方向の
位置合わせを精度良く行うことができ、その結果、光フ
ァイバと光半導体素子の結合効率の高いものを製造する
ことができるという効果がある。
【００７６】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項８）によれば、基板上面に形成された光ファイ
バ固定用の溝内に光ファイバを配置し、光半導体素子の
受光部または発光部からブロック下面までの距離が上記
光ファイバのコアから上記基板上面までの距離と一致す
る位置に光半導体素子の高さ方向の位置決めをして該光
半導体素子をブロックの側面に取り付け、上記光半導体
素子の受光部または発光部が光ファイバ固定用の溝内に
配置した光ファイバのコアと一致する位置にブロックの
水平方向の位置決めをして該ブロックを基板上面に取り
付けるようにしてなるので、ブロックを基板上面に固定
することにより、基板の厚みに左右されることなく該基
板の上面を基準にして、光ファイバのコアと光半導体素
子の受光部または発光部との高さ方向の位置合わせを精
度良く行うことができ、その結果、光ファイバと光半導
体素子の結合効率の高いものを製造することができると
いう効果がある。
【００７７】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項９）によれば、光半導体素子の受光部または発
光部からブロック下面までの距離が基板上面に光導波路
を配置したときに光導波路のコアから基板上面までの距
離と一致する位置に光半導体素子の高さ方向の位置決め
をして該光半導体素子をブロックの側面に取り付け、上
記光半導体素子の受光部または発光部が基板上面に光導
波路を配置したときに光導波路のコアと一致する位置に
ブロックの水平方向の位置決めをして該ブロックを基板
上面に取り付け、この後、基板上面に光導波路を固定す
るようにしてなるので、ブロックを基板上面に固定する
ことにより、基板の厚みに左右されることなく該基板の
上面を基準にして、光導波路のコアと光半導体素子の受
光部または発光部との高さ方向の位置合わせを精度良く
行うことができ、その結果、光導波路と光半導体素子の
結合効率の高いものを製造することができるという効果
がある。
【００７８】この発明による光モジュールの製造方法
（請求項１０）によれば、基板上面に光導波路を配置
し、光半導体素子の受光部または発光部からブロック下
面までの距離が上記光導波路のコアから上記基板上面ま
での距離と一致する位置に光半導体素子の高さ方向の位
置決めをして該光半導体素子をブロックの側面に取り付
け、上記光半導体素子の受光部または発光部が基板上面
に配置した光導波路のコアと一致する位置にブロックの
水平方向の位置決めをして該ブロックを基板上面に取り
付けるようにしてなるので、ブロックを基板上面に固定
することにより、基板の厚みに左右されることなく該基
板の上面を基準にして、光導波路のコアと光半導体素子
の受光部または発光部との高さ方向の位置合わせを精度
良く行うことができ、その結果、光導波路と光半導体素
子の結合効率の高いものを製造することができるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明による実施の形態１の光モジュール
を示す斜視図である。
【図２】 実施の形態１の光モジュールにおけるブロッ
クの裏面図である。
【図３】 実施の形態１の光モジュールにおける基板の
平面図である。
【図４】 実施の形態１の光モジュールを示す側面図で
ある。
【図５】 この発明による実施の形態２の光モジュール
を示す斜視図である。
【図６】 実施の形態２の光モジュールにおけるブロッ
クの裏面図である。
【図７】 実施の形態２の光モジュールにおける基板の
平面図である。
【図８】 実施の形態２の光モジュールにおけるブロッ
クの横方向の位置合わせ，および取り付け方法を説明す
るための模式図である。
【図９】 この発明による実施の形態３の光モジュール
を示す斜視図である。
【図１０】 この発明による実施の形態４の光モジュー
ルを示す斜視図である。
【図１１】 実施の形態４の光モジュールにおけるブロ
ックの裏面図である。
【図１２】 実施の形態４の光モジュールにおける基板
の平面図である。
【図１３】 この発明による実施の形態５の光モジュー
ルを示す斜視図である。
【図１４】 この発明による実施の形態６の光モジュー
ルを示す斜視図である。
【図１５】 従来例１の光モジュールを示す斜視図であ
る。
【図１６】 従来例１の光モジュールを示す側面図であ
る。
【図１７】 従来例２の光モジュールを示す斜視図であ
る。
【図１８】 従来例２の光モジュールを示す側面図であ
る。
【図１９】 光軸ずれ量と結合効率の関係を示すグラフ
である。
【図２０】 従来例１の組立フローを示す組立フロー図
である。
【図２１】 従来例２の組立フローを示す組立フロー図
である。
【符号の説明】
１ フォトダイオード、１ａ 面発光ＬＤ（面発光ＬＥ
Ｄ）、２ ブロック、２ａ 電極、２ｂ 給電用ワイヤ
（ブロック／パッケージ間）、２ｃ 給電用ワイヤ（ブ
ロック／ＰＤ間）、２ｄ ブロック下面、３ 光ファイ
バ、４ Ｖ溝基板、５ Ｖ溝カバー、６ パッケージ、
７ パッケージカバー、８ Ｖ溝基板、８ａ Ｖ溝、９
基板凹部、９ａ ＰＤ実装斜面、１１ 受光部、１１
ａ 発光部、１２，１３，１４，１５ マーカ、１６
レンズ、２１ Ｌ字型ブロック、２１ａ ブロック本
体、２１ｂ ブロック突出部、２１ｃ ブロック下面、
２２凸型ブロック、２２ａ ブロック本体、２２ｂ ブ
ロック突出部、２２ｃ ブロック下面、２２ｄ，２２ｅ
エッジ、２３ 矩形型ブロック、２３ｃ ブロック下
面、２４ 凸型ブロック、２４ａ ブロック本体、２４
ｂ ブロック凸部、２４ｃ ブロック下面、２４ｄ，２
４ｅ 凸部傾斜面、３０ 光導波路、３１コア、３２
クラッド、４１ Ｖ溝、５１ カバー側Ｖ溝、８１ Ｖ
溝基板、８１ａ 基板上面（光ファイバ側）、８１ｂ
基板上面（ＰＤ側）、８１ｃ Ｖ溝、８２ Ｖ溝基板、
８２ａ 基板上面、８２ｃ Ｖ溝、８３ Ｖ溝基板、８
３ａ 基板上面、８３ｃ Ｖ溝、８４ Ｖ溝基板、８４
ａ 基板上面、８４ｃＶ溝、９１ 溝、９１ａ 溝の側
面、９２ 基板凹部、９２ａ レンズ配置用凹部、９３
基板凹部、９４ 基板凹部、９４ｄ，９４ｅ 凹部傾
斜面、ｔ1 Ｖ溝基板厚み、ｔ2 受光部からブロック下
面までの距離、ｔ3 ブロック下面（基板上面）から受
光部の中心までの距離、ｔ4 基板上面からコアの中心
までの距離。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光ファイバ固定用の溝を上面に形成して
    なる基板と、 上記基板上面に形成された光ファイバ固定用の溝内に配
    置してなる光ファイバと、 上記光ファイバと光結合される受光部または発光部を表
    面に形成してなる光半導体素子と、 上記光半導体素子の受光部または発光部からブロック下
    面までの距離が上記光ファイバのコアから上記基板上面
    までの距離と一致する位置に該光半導体素子をブロック
    側面に取り付けてなるブロックとを備え、 上記ブロックは、光半導体素子の受光面または発光面が
    上記光ファイバ先端面と対向するようにして、上記光フ
    ァイバを配置した基板上面と同じ高さの基板上面にブロ
    ック下面を当接させて配置してなることを特徴とする光
    モジュール。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光モジュールにおい
    て、 上記基板には、光ファイバの先端付近に、光ファイバの
    長さ方向に対して垂直方向に溝を形成してなり、 上記光半導体素子を取り付けたブロックは、その下面よ
    り突出した突出部を有するＬ字型に形成され、かつ該突
    出部を形成した側のブロック側面に上記光半導体素子を
    取り付けてなり、 上記ブロックの突出部が上記基板の溝内に配置され、か
    つ該突出部の内側面が上記溝の側面に当接するように、
    該ブロックを基板上面に配置してなることを特徴とする
    光モジュール。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の光モジュールにおい
    て、 上記基板には、光ファイバの先端付近に凹部を形成して
    なり、 上記フォトダイオードを取り付けたブロックは、その下
    面より突出した突出部を有する凸型に形成してなり、 上記ブロックの突出部が上記基板の凹部内に配置される
    ように、上記ブロックを基板上面に配置してなることを
    特徴とする光モジュール。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の光モジュールにおい
    て、 上記基板には、光ファイバの先端付近に凹部を形成して
    なり、 上記光半導体素子を取り付けたブロックは、矩形形状に
    形成されてなり、かつ該ブロック下面より光半導体素子
    の一部が突出するようにブロック側面に光半導体素子を
    取り付けられてなり、 上記ブロック下面より突出した光半導体素子の部分が上
    記基板の凹部内に配置されるように、上記ブロックを基
    板上面に配置してなることを特徴とする光モジュール。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の光モジュールにおい
    て、 上記基板には、光ファイバの先端付近に、傾斜面を有す
    る凹部を形成してなり、 上記光半導体素子を取り付けたブロックは、その下面よ
    り突出した突出部を有し、かつ該突出部には、上記基板
    に形成された凹部の傾斜面の傾きと一致する傾斜面が形
    成されてなり、 上記ブロックの突出部が上記基板の凹部内に配置される
    ように、上記ブロックを基板上面に配置してなることを
    特徴とする光モジュール。
  6. 【請求項６】 光導波路と光半導体素子を取り付けたブ
    ロックとを配置する基板と、 上記基板上面に配置してなる光導波路と、 上記光導波路と光結合される受光部または発光部を表面
    に形成してなる光半導体素子と、 上記光半導体素子の受光部または発光部からブロック下
    面までの距離が上記光導波路のコアから上記基板上面ま
    での距離と一致する位置に該光半導体素子をブロック側
    面に取り付けてなるブロックとを備え、 上記ブロックは、光半導体素子の受光面または発光面が
    上記光導波路の先端面と対向するようにして、上記光導
    波路を配置した基板上面と同じ高さの基板上面にブロッ
    ク下面を当接させて配置してなることを特徴とする光モ
    ジュール。
  7. 【請求項７】 光半導体素子の受光部または発光部から
    ブロック下面までの距離が基板上面に形成された光ファ
    イバ固定用の溝内に光ファイバを配置したとき光ファイ
    バのコアから基板上面までの距離と一致する位置に光半
    導体素子の高さ方向の位置決めをして該光半導体素子を
    ブロックの側面に取り付け、 上記光半導体素子の受光部または発光部が基板上面に形
    成した光ファイバ固定用の溝の中心と一致する位置にブ
    ロックの水平方向の位置決めをして該ブロックを基板上
    面に取り付け、 この後、基板上面に形成された光ファイバ固定用の溝内
    に光ファイバを固定することを特徴とする光モジュール
    の製造方法。
  8. 【請求項８】 基板上面に形成された光ファイバ固定用
    の溝内に光ファイバを配置し、 光半導体素子の受光部または発光部からブロック下面ま
    での距離が上記光ファイバのコアから上記基板上面まで
    の距離と一致する位置に光半導体素子の高さ方向の位置
    決めをして該光半導体素子をブロックの側面に取り付
    け、 上記光半導体素子の受光部または発光部が光ファイバ固
    定用の溝内に配置した光ファイバのコアと一致する位置
    にブロックの水平方向の位置決めをして該ブロックを基
    板上面に取り付けることを特徴とする光モジュールの製
    造方法。
  9. 【請求項９】 光半導体素子の受光部または発光部から
    ブロック下面までの距離が基板上面に光導波路を配置し
    たときに光導波路のコアから基板上面までの距離と一致
    する位置に光半導体素子の高さ方向の位置決めをして該
    光半導体素子をブロックの側面に取り付け、 上記光半導体素子の受光部または発光部が基板上面に光
    導波路を配置したときに光導波路のコアと一致する位置
    にブロックの水平方向の位置決めをして該ブロックを基
    板上面に取り付け、 この後、基板上面に光導波路を固定することを特徴とす
    る光モジュールの製造方法。
  10. 【請求項１０】 基板上面に光導波路を配置し、 光半導体素子の受光部または発光部からブロック下面ま
    での距離が上記光導波路のコアから上記基板上面までの
    距離と一致する位置に光半導体素子の高さ方向の位置決
    めをして該光半導体素子をブロックの側面に取り付け、 上記光半導体素子の受光部または発光部が基板上面に配
    置した光導波路のコアと一致する位置にブロックの水平
    方向の位置決めをして該ブロックを基板上面に取り付け
    ることを特徴とする光モジュールの製造方法。
JP8236430A 1996-09-06 1996-09-06 光モジュール，およびその製造方法 Pending JPH1082930A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8236430A JPH1082930A (ja) 1996-09-06 1996-09-06 光モジュール，およびその製造方法
US08/816,934 US5909523A (en) 1996-09-06 1997-03-14 Optical module and method of fabricating optical module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8236430A JPH1082930A (ja) 1996-09-06 1996-09-06 光モジュール，およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1082930A true JPH1082930A (ja) 1998-03-31

Family

ID=17000645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8236430A Pending JPH1082930A (ja) 1996-09-06 1996-09-06 光モジュール，およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5909523A (ja)
JP (1) JPH1082930A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134761A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Hamamatsu Photonics Kk 受光装置
US6894269B2 (en) 2001-04-30 2005-05-17 Optun (Bvi) Ltd. Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration
JP3734017B2 (ja) * 1998-08-05 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 光モジュール
CN102346046A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 日东电工株式会社 光传感器组件
WO2015098854A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 株式会社フジクラ 光学装置の製造方法
US10290603B2 (en) 2016-11-10 2019-05-14 Mitsubishi Electric Corporation High-frequency circuit

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7147911B2 (en) * 1996-11-12 2006-12-12 Solidawater Holdings Waterproof/breathable technical apparel
JPH10303466A (ja) 1997-04-28 1998-11-13 Nec Corp 光半導体装置及び製造方法
JP3042453B2 (ja) * 1997-07-02 2000-05-15 日本電気株式会社 受光モジュール
JP3064969B2 (ja) * 1997-07-03 2000-07-12 日本電気株式会社 受光モジュールとその製造方法
FR2777662B1 (fr) * 1998-04-16 2001-11-30 Alsthom Cge Alkatel Procede d'assemblage d'un module optique
EP1788416B1 (en) * 1998-09-24 2008-03-05 LG Cable & Machinery Ltd. Method for manufacturing laser diode chip
US6169833B1 (en) * 1999-01-22 2001-01-02 Lucent Technologies Inc. CMOS-compatible optical bench
JP2001074982A (ja) * 1999-09-08 2001-03-23 Nec Corp 光モジュールの光結合装置及びその光結合方法
US7046868B2 (en) * 2000-03-28 2006-05-16 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical waveguide transmitter-receiver module
FR2809826B1 (fr) * 2000-05-31 2002-08-30 Cit Alcatel Procede d'alignement d'un composant optique a guide incline monte sur une embase et dispositif optique associe
US6917056B2 (en) 2001-01-31 2005-07-12 Shipley Company, L.L.C. Optoelectronic submount having an on-edge optoelectronic device
WO2002079812A2 (en) * 2001-03-28 2002-10-10 Iljin Corporation Small-formed optical module
WO2002079843A1 (en) * 2001-03-28 2002-10-10 Iljin Corporation Plug-in type optical module
JP2003004992A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光送受信モジュールとその製造方法
US6634802B2 (en) 2001-08-09 2003-10-21 International Business Machines Corporation Optical-electronic array module and method therefore
JP2003084175A (ja) * 2001-09-14 2003-03-19 Mitsubishi Electric Corp 光モジュールおよび光モジュールの生産方法
US6636670B2 (en) * 2001-09-20 2003-10-21 Gould Optronics, Inc. Device for generating electrical signal that is a function of the optical power in optical fiber, and method of forming the same
KR100400081B1 (ko) * 2001-11-24 2003-09-29 한국전자통신연구원 광전 모듈용 서브마운트 및 이를 이용한 실장 방법
JP4240890B2 (ja) * 2002-02-06 2009-03-18 沖電気工業株式会社 光学素子の製造方法および光学素子
US6901201B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-31 Intel Corporation Fiber-flexure-substrate production tray
US6907178B2 (en) * 2002-06-13 2005-06-14 Steve Lerner Optoelectronic assembly with embedded optical and electrical components
JP2004088046A (ja) * 2002-06-25 2004-03-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信器及びその製造方法
US7805037B1 (en) 2003-08-19 2010-09-28 Kotura, Inc. Multiplexer having improved efficiency
US20050201668A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Avi Neta Method of connecting an optical element at a slope
US20060204182A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-14 Applied Optoelectronics, Inc. Apparatus and method for coupling a fiber to a photodetector
JP2009122451A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd 光学接続構造
JP2011033876A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Nitto Denko Corp 光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュール
JP2011186036A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Nitto Denko Corp 光センサモジュールの製法およびそれによって得られた光センサモジュール
JP5325184B2 (ja) * 2010-08-31 2013-10-23 日東電工株式会社 光センサモジュール
JP5693986B2 (ja) 2011-02-03 2015-04-01 日東電工株式会社 光センサモジュール
US8705983B2 (en) * 2011-03-25 2014-04-22 Emcore Corporation Radio frequency optical communication system
CN103217750A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 环隆科技股份有限公司 光学机械组件及光电封装
TWI550262B (zh) * 2012-11-08 2016-09-21 鴻海精密工業股份有限公司 用於光纖檢測的固定裝置
US10444445B2 (en) * 2017-02-10 2019-10-15 Ciena Corporation Optically isolated photodiode for high sensitivity application
JP2022124177A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社日本マイクロニクス 接続装置及び集光基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2786213B2 (ja) * 1988-11-30 1998-08-13 古河電気工業株式会社 光ファイバと光導波路の結合方法
JP2546506B2 (ja) * 1993-07-27 1996-10-23 日本電気株式会社 光半導体素子と光導波路の結合構造およびその結合方法
US5420953A (en) * 1994-02-17 1995-05-30 The Whitaker Corporation Optoelectronic integration of holograms using (110) oriented silicon on (100) oriented silicon waferboard
JP3658426B2 (ja) * 1995-01-23 2005-06-08 株式会社日立製作所 光半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3734017B2 (ja) * 1998-08-05 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 光モジュール
JP2002134761A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Hamamatsu Photonics Kk 受光装置
US6894269B2 (en) 2001-04-30 2005-05-17 Optun (Bvi) Ltd. Configuration for detecting optical signals in at least one optical channel in a planar light circuit, attenuator including the configuration, and method for manufacturing the configuration
CN102346046A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 日东电工株式会社 光传感器组件
WO2015098854A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 株式会社フジクラ 光学装置の製造方法
JPWO2015098854A1 (ja) * 2013-12-27 2017-03-23 株式会社フジクラ 光学装置の製造方法
US10290603B2 (en) 2016-11-10 2019-05-14 Mitsubishi Electric Corporation High-frequency circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US5909523A (en) 1999-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1082930A (ja) 光モジュール，およびその製造方法
US8827572B2 (en) Side coupling optical fiber assembly and fabrication method thereof
US6491447B2 (en) Optical device module
JP4582489B2 (ja) 発光装置
US6217231B1 (en) Optical fiber assembly, optical module including an optical fiber assembly, and a manufacturing process thereof
US6517257B2 (en) Optical transmitter/receiver apparatus, method for fabricating the same and optical semiconductor module
EP0652454A1 (en) Optical module having a reflective optical waveguide
US20060251362A1 (en) Subassembly and optical module
US20120183269A1 (en) Cover for optical path changing member
US6985647B2 (en) Optical module
JPH07146424A (ja) 光電子サブモジュールおよびその製造方法
JPH07110420A (ja) 半導体レーザ素子モジュール，およびその組立方法
JPWO2002089274A1 (ja) 光通信装置
JPH10206698A (ja) 光モジュール
JP3731754B2 (ja) 構成要素に導波管を結合するための方法および装置
JPH1114860A (ja) 光結合構造
JPH10170765A (ja) 光導波路
JPH07199006A (ja) 光サブアセンブリ及び光モジュール
JP2004233687A (ja) 光導波路基板および光モジュール
JPS6360413A (ja) 発光素子と光フアイバの結合方法および光導波型結合装置
JP2007178578A (ja) 光送受信器
JP2001343559A (ja) 光モジュール
JP2017203793A (ja) 電気光変換モジュール
JP2006039255A (ja) 光結合装置及びその製造方法
JP3090335B2 (ja) 光半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041221

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050412