JP2003004992A - 光送受信モジュールとその製造方法 - Google Patents
光送受信モジュールとその製造方法Info
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複雑なプロセス及び大きな面積を必要とする
光導波路を不要にして小型で低価格な光送受信モジュー
ルを提供する。 【解決手段】 基板２上に直線状のＶ溝３とＶ溝の終端
で斜めに交差する垂直溝４を形成し、光ファイバコア１
をＶ溝の終端まで配置するとともに波長選択性フィルタ
５を垂直溝に配置し、波長選択性フィルタの透過方向と
反射方向にそれぞれ発光素子６と受光素子９を配置す
る。
光導波路を不要にして小型で低価格な光送受信モジュー
ルを提供する。 【解決手段】 基板２上に直線状のＶ溝３とＶ溝の終端
で斜めに交差する垂直溝４を形成し、光ファイバコア１
をＶ溝の終端まで配置するとともに波長選択性フィルタ
５を垂直溝に配置し、波長選択性フィルタの透過方向と
反射方向にそれぞれ発光素子６と受光素子９を配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信に
利用される光送受信モジュールとその製造方法に関す
る。
利用される光送受信モジュールとその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、メタリックケーブルに代わって高
速大容量の情報を低損失で伝送できる光ファイバ通信が
注目され、光デバイスの低価格化と高速化と共に高機能
化がますます求められている。一例として１本の光ファ
イバを用いて、上りと下りの光双方向伝送を異なる波長
λ１、λ２で実現する光通信方式の開発などが進められ
ているが、本方式の光モジュールには、発光素子と受光
素子と波長分離と合波機能部品などを集積化する技術が
必要である。
速大容量の情報を低損失で伝送できる光ファイバ通信が
注目され、光デバイスの低価格化と高速化と共に高機能
化がますます求められている。一例として１本の光ファ
イバを用いて、上りと下りの光双方向伝送を異なる波長
λ１、λ２で実現する光通信方式の開発などが進められ
ているが、本方式の光モジュールには、発光素子と受光
素子と波長分離と合波機能部品などを集積化する技術が
必要である。
【０００３】以下に、従来の光双方向モジュールの代表
例について説明する。従来は、受信波長λ１の信号を送
信波長λ２と分離するために、光導波路とＷＤＭ（波長
多重）フィルタを組み合わせた構造が一般的である。図
１１は特開平１１−６８７０５号公報に記載されてい
る、光導波路を用いたＷＤＭ光双方向モジュールの従来
構造を示す。Ｓｉ基板１０３上には光導波路１０２（１
０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）がＷＤＭフィルタ１０７
を中心としてスター状に形成され、光導波路１０２ａ、
１０２ｂ、１０２ｃの各一端に対してそれぞれ発光素子
１０５、受光素子１０６、光ファイバ１０１を、入出射
光を光結合できるように２次元の高精度な位置合わせ
（アラインメント）により実装する。発光素子１０５と
受光素子１０６の位置合わせは、Ｓｉ基板上１０３にあ
らかじめ高精度に形成したアライメントマーカ１０８を
用いて行うのが一般的である。
例について説明する。従来は、受信波長λ１の信号を送
信波長λ２と分離するために、光導波路とＷＤＭ（波長
多重）フィルタを組み合わせた構造が一般的である。図
１１は特開平１１−６８７０５号公報に記載されてい
る、光導波路を用いたＷＤＭ光双方向モジュールの従来
構造を示す。Ｓｉ基板１０３上には光導波路１０２（１
０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）がＷＤＭフィルタ１０７
を中心としてスター状に形成され、光導波路１０２ａ、
１０２ｂ、１０２ｃの各一端に対してそれぞれ発光素子
１０５、受光素子１０６、光ファイバ１０１を、入出射
光を光結合できるように２次元の高精度な位置合わせ
（アラインメント）により実装する。発光素子１０５と
受光素子１０６の位置合わせは、Ｓｉ基板上１０３にあ
らかじめ高精度に形成したアライメントマーカ１０８を
用いて行うのが一般的である。
【０００４】発光素子１０５の波長λ２の出力光は、光
導波路１０２ａを介して伝送されてＷＤＭフィルタ１０
７で反射された後、光導波路１０２ｃを通って光ファイ
バ１０１へと導入される。ここで、光ファイバ１０１の
コアと光導波路１０２ｃの各先端面を光学的に結合でき
るように、光導波路１０２ｃの位置に対してＳｉ基板１
０３上に高精度にＶ形状の溝を加工しておき、Ｖ溝に沿
って光ファイバ１０１を位置合わせして固定するという
方法が一般的である。一方、光ファイバ１０１から伝送
されてきた波長λ１の光信号は、光導波路１０２ｃを介
して伝送されてＷＤＭフィルタ１０７を透過し、光導波
路１０２ｂを介して受光素子１０６で受光する。受光素
子１０６はチップの側面方向から光入射することで受光
できる構造を有している。
導波路１０２ａを介して伝送されてＷＤＭフィルタ１０
７で反射された後、光導波路１０２ｃを通って光ファイ
バ１０１へと導入される。ここで、光ファイバ１０１の
コアと光導波路１０２ｃの各先端面を光学的に結合でき
るように、光導波路１０２ｃの位置に対してＳｉ基板１
０３上に高精度にＶ形状の溝を加工しておき、Ｖ溝に沿
って光ファイバ１０１を位置合わせして固定するという
方法が一般的である。一方、光ファイバ１０１から伝送
されてきた波長λ１の光信号は、光導波路１０２ｃを介
して伝送されてＷＤＭフィルタ１０７を透過し、光導波
路１０２ｂを介して受光素子１０６で受光する。受光素
子１０６はチップの側面方向から光入射することで受光
できる構造を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例は以下の
問題を有していた。光導波路１０２を有する従来例は、
Ｓｉ基板１０３上にＶ溝や位置合わせ用マーカ１０８だ
けでなく光導波路１０２を高精度に形成するための複雑
なプロセスが必要な上、Ｓｉ基板１０３上に光導波路１
０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃをＷＤＭフィルタ１０７を
中心としてスター状に形成するので、Ｓｉ基板１０３の
サイズが大きくなり、Ｓｉ基板１０３自体の低価格化が
困難であるとともに、モジュールの小型化が困難であっ
た。
問題を有していた。光導波路１０２を有する従来例は、
Ｓｉ基板１０３上にＶ溝や位置合わせ用マーカ１０８だ
けでなく光導波路１０２を高精度に形成するための複雑
なプロセスが必要な上、Ｓｉ基板１０３上に光導波路１
０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃをＷＤＭフィルタ１０７を
中心としてスター状に形成するので、Ｓｉ基板１０３の
サイズが大きくなり、Ｓｉ基板１０３自体の低価格化が
困難であるとともに、モジュールの小型化が困難であっ
た。
【０００６】また、受光素子１０６は、光導波路１０２
ｂからの光をチップの素子側面に入射する構造であるの
で、光導波路１０２ｂと受光素子１０６の位置合わせを
するために１〜２μｍ程度の高精度の実装が必要とな
る。また、受光素子１０６や発光素子１０５などをＳｉ
基板１０３上に効率的に実装するには、高温半田リフロ
ープロセスなどが必要のため、光学系の固定には耐熱性
に優れた樹脂を採用するとともに、リフロー実装を可能
とするため、高価なフェルール付きのモジュール構造に
する必要があった。
ｂからの光をチップの素子側面に入射する構造であるの
で、光導波路１０２ｂと受光素子１０６の位置合わせを
するために１〜２μｍ程度の高精度の実装が必要とな
る。また、受光素子１０６や発光素子１０５などをＳｉ
基板１０３上に効率的に実装するには、高温半田リフロ
ープロセスなどが必要のため、光学系の固定には耐熱性
に優れた樹脂を採用するとともに、リフロー実装を可能
とするため、高価なフェルール付きのモジュール構造に
する必要があった。
【０００７】本発明は上記従来例の課題を解決するもの
で、複雑なプロセス及び大きな面積を必要とする光導波
路を不要にして小型で低価格な光送受信モジュールを提
供することを目的とする。本発明はまた、製造工程を簡
略化することができる光送受信モジュールの製造方法を
提供することを目的とする。
で、複雑なプロセス及び大きな面積を必要とする光導波
路を不要にして小型で低価格な光送受信モジュールを提
供することを目的とする。本発明はまた、製造工程を簡
略化することができる光送受信モジュールの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光送受信モジュ
ールは上記目的を達成するために、基板上に直線状のＶ
溝と前記Ｖ溝の終端で斜めに交差する溝を形成し、光フ
ァイバコアを前記Ｖ溝の終端まで配置するとともに波長
選択性フィルタ又はハーフミラーを前記溝に配置し、前
記波長選択性フィルタ又はハーフミラーの透過方向と反
射方向にそれぞれ発光素子と受光素子を配置した構成と
した（請求項１）。上記構成により、製造工程が複雑な
光導波路が不要であり、小型で低価格な波長多重光送受
信モジュールや１波長送受信モジュールを実現すること
ができる。
ールは上記目的を達成するために、基板上に直線状のＶ
溝と前記Ｖ溝の終端で斜めに交差する溝を形成し、光フ
ァイバコアを前記Ｖ溝の終端まで配置するとともに波長
選択性フィルタ又はハーフミラーを前記溝に配置し、前
記波長選択性フィルタ又はハーフミラーの透過方向と反
射方向にそれぞれ発光素子と受光素子を配置した構成と
した（請求項１）。上記構成により、製造工程が複雑な
光導波路が不要であり、小型で低価格な波長多重光送受
信モジュールや１波長送受信モジュールを実現すること
ができる。
【０００９】本発明の光送受信モジュールは、前記溝の
側面が垂直の溝であって、前記受光素子が端面入射型で
ある構成とした（請求項２）。上記構成により、受光素
子と光ファイバとの光結合を向上させることができる。
側面が垂直の溝であって、前記受光素子が端面入射型で
ある構成とした（請求項２）。上記構成により、受光素
子と光ファイバとの光結合を向上させることができる。
【００１０】本発明の光送受信モジュールは、前記溝の
側面が斜めの溝であって、前記受光素子と前記波長選択
性フィルタの間に、前記発光素子の波長のみを遮断する
第２の波長選択性フィルタを配置する構成とした（請求
項３）。上記構成により、発光素子から受光素子の光漏
れこみを小さくすることができる。また、導波路型では
ない表面又は裏面入射タイプの受光素子を利用すること
ができる。
側面が斜めの溝であって、前記受光素子と前記波長選択
性フィルタの間に、前記発光素子の波長のみを遮断する
第２の波長選択性フィルタを配置する構成とした（請求
項３）。上記構成により、発光素子から受光素子の光漏
れこみを小さくすることができる。また、導波路型では
ない表面又は裏面入射タイプの受光素子を利用すること
ができる。
【００１１】本発明の光送受信モジュールは、前記波長
選択性フィルタ又はハーフミラーの光反射面を前記光フ
ァイバコアの先端面に対向する前記側面側に固定した構
成とした（請求項４）。上記構成により、波長選択性フ
ィルタ又はハーフミラーの位置を正確に規定でき、受光
素子への光結合効率を向上させることできる。また、垂
直溝や斜め溝の幅をフィルタなどの厚さより大きくする
ことができ、フィルタなどの挿入が容易になる。
選択性フィルタ又はハーフミラーの光反射面を前記光フ
ァイバコアの先端面に対向する前記側面側に固定した構
成とした（請求項４）。上記構成により、波長選択性フ
ィルタ又はハーフミラーの位置を正確に規定でき、受光
素子への光結合効率を向上させることできる。また、垂
直溝や斜め溝の幅をフィルタなどの厚さより大きくする
ことができ、フィルタなどの挿入が容易になる。
【００１２】本発明の光送受信モジュールは、前記波長
選択性フィルタ又はハーフミラーの光反射面を前記光フ
ァイバコアの先端面に対向する前記溝の側面に接触させ
て固定した構成とした（請求項５）。上記構成により、
波長選択性フィルタ又はハーフミラーの厚さのばらつき
の影響を受けずに、反射面の位置を正確に規定でき、受
光素子への光結合効率を向上させることができる。
選択性フィルタ又はハーフミラーの光反射面を前記光フ
ァイバコアの先端面に対向する前記溝の側面に接触させ
て固定した構成とした（請求項５）。上記構成により、
波長選択性フィルタ又はハーフミラーの厚さのばらつき
の影響を受けずに、反射面の位置を正確に規定でき、受
光素子への光結合効率を向上させることができる。
【００１３】本発明の光送受信モジュールは、前記光フ
ァイバの先端面を前記波長選択性フィルタ又はハーフミ
ラーの面と略平行になるように斜めに形成した構成とし
た（請求項６）。上記構成により、ファイバ端面とフィ
ルタなどの間の距離を小さくして光結合効率を向上させ
ることができる。
ァイバの先端面を前記波長選択性フィルタ又はハーフミ
ラーの面と略平行になるように斜めに形成した構成とし
た（請求項６）。上記構成により、ファイバ端面とフィ
ルタなどの間の距離を小さくして光結合効率を向上させ
ることができる。
【００１４】本発明の光送受信モジュールは、前記波長
選択性フィルタ又はハーフミラーに対向する前記発光素
子の面を斜めに形成した構成とした（請求項７）。上記
構成により、発光素子の光結合効率が大きくなる。
選択性フィルタ又はハーフミラーに対向する前記発光素
子の面を斜めに形成した構成とした（請求項７）。上記
構成により、発光素子の光結合効率が大きくなる。
【００１５】本発明の光送受信モジュールは、前記発光
素子の活性層が露出していない面を斜めに形成した構成
とした（請求項８）。上記構成により、発光素子をフィ
ルタなどに近づけることができ、光結合効率が大きくな
る。
素子の活性層が露出していない面を斜めに形成した構成
とした（請求項８）。上記構成により、発光素子をフィ
ルタなどに近づけることができ、光結合効率が大きくな
る。
【００１６】本発明の光送受信モジュールは、前記発光
素子の活性層が光軸と直交する方向に変位して形成さ
れ、前記活性層と前記波長選択性フィルタ又はハーフミ
ラーの間の距離が近くなるように前記発光素子を配置し
た構成とした（請求項９）。上記構成により、発光素子
の斜め加工を必要とせずに、発光素子の光結合効率を大
きくすることができる。
素子の活性層が光軸と直交する方向に変位して形成さ
れ、前記活性層と前記波長選択性フィルタ又はハーフミ
ラーの間の距離が近くなるように前記発光素子を配置し
た構成とした（請求項９）。上記構成により、発光素子
の斜め加工を必要とせずに、発光素子の光結合効率を大
きくすることができる。
【００１７】本発明の光送受信モジュールは、前記波長
選択性フィルタ又はハーフミラーに対向する前記受光素
子の面を斜めに形成した構成とした（請求項１０）。上
記構成により、受光素子の光結合効率を大きくすること
ができる。
選択性フィルタ又はハーフミラーに対向する前記受光素
子の面を斜めに形成した構成とした（請求項１０）。上
記構成により、受光素子の光結合効率を大きくすること
ができる。
【００１８】本発明は、請求項１から１０のいずれか１
つに記載の光送受信モジュールを製造する方法であっ
て、前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーを前記溝
に挿入して固定する工程と、前記光ファイバ芯線の先端
部を前記Ｖ溝に沿って前記フィルタ又はハーフミラーに
到達するまで前進させることにより、前記光ファイバ芯
線の先端面と前記フィルタ又はハーフミラーを位置決め
する工程とを、有するようにした（請求項１１）。上記
方法により、波長選択性フィルタ又はハーフミラーの位
置決めをファイバの固定工程を利用して、しかも正確に
行うことができる。
つに記載の光送受信モジュールを製造する方法であっ
て、前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーを前記溝
に挿入して固定する工程と、前記光ファイバ芯線の先端
部を前記Ｖ溝に沿って前記フィルタ又はハーフミラーに
到達するまで前進させることにより、前記光ファイバ芯
線の先端面と前記フィルタ又はハーフミラーを位置決め
する工程とを、有するようにした（請求項１１）。上記
方法により、波長選択性フィルタ又はハーフミラーの位
置決めをファイバの固定工程を利用して、しかも正確に
行うことができる。
【００１９】本発明は、請求項１から１０のいずれか１
つに記載の光送受信モジュールを製造する方法であっ
て、前記光ファイバの先端面にファイバと屈折率が等し
い樹脂を付着させる工程と、未硬化の前記樹脂の粘着力
を利用して前記光ファイバの先端面を前記波長選択性フ
ィルタ又はハーフミラーに仮固定する工程と、前記光フ
ァイバ先端部を前記Ｖ溝に位置合わせした状態で前記樹
脂を硬化させて固定する工程とを、有するようにした
（請求項１２）。上記方法により、波長選択性フィルタ
又はハーフミラーのサイズが非常に小さくても、ファイ
バと垂直溝や斜め溝の間に正確に、かつ容易に固定する
ことができる。また、フィルタなどのサイズを小さくで
きるので、フィルタなどの低価格化が可能となる。
つに記載の光送受信モジュールを製造する方法であっ
て、前記光ファイバの先端面にファイバと屈折率が等し
い樹脂を付着させる工程と、未硬化の前記樹脂の粘着力
を利用して前記光ファイバの先端面を前記波長選択性フ
ィルタ又はハーフミラーに仮固定する工程と、前記光フ
ァイバ先端部を前記Ｖ溝に位置合わせした状態で前記樹
脂を硬化させて固定する工程とを、有するようにした
（請求項１２）。上記方法により、波長選択性フィルタ
又はハーフミラーのサイズが非常に小さくても、ファイ
バと垂直溝や斜め溝の間に正確に、かつ容易に固定する
ことができる。また、フィルタなどのサイズを小さくで
きるので、フィルタなどの低価格化が可能となる。
【００２０】本発明は、請求項１から１０のいずれか１
つに記載の光送受信モジュールを製造する方法であっ
て、前記光ファイバ芯線の先端部を前記Ｖ溝に沿って、
先端面のエッジが前記溝の側面に達するまで前進させる
工程と、前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーを前
記溝に沿って、先端が前記光ファイバ芯線の先端面に当
接するまで前進させて前記光ファイバ芯線と前記波長選
択性フィルタ又はハーフミラーを位置合わせする工程と
を、有するようにした（請求項１３）。上記方法によ
り、ファイバ端部と発光素子間の距離を短くすることが
でき、発光素子の光結合効率が向上する。
つに記載の光送受信モジュールを製造する方法であっ
て、前記光ファイバ芯線の先端部を前記Ｖ溝に沿って、
先端面のエッジが前記溝の側面に達するまで前進させる
工程と、前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーを前
記溝に沿って、先端が前記光ファイバ芯線の先端面に当
接するまで前進させて前記光ファイバ芯線と前記波長選
択性フィルタ又はハーフミラーを位置合わせする工程と
を、有するようにした（請求項１３）。上記方法によ
り、ファイバ端部と発光素子間の距離を短くすることが
でき、発光素子の光結合効率が向上する。
【００２１】本発明は、前記光ファイバ先端部周辺の光
路を前記光ファイバと屈折率が等しい樹脂で充填し硬化
させることにより、前記光ファイバ及び前記波長選択性
フィルタ又はハーフミラーを同時に固定するようにした
（請求項１４）。上記方法により、ファイバと空気層間
での反射損失を低減することができる。
路を前記光ファイバと屈折率が等しい樹脂で充填し硬化
させることにより、前記光ファイバ及び前記波長選択性
フィルタ又はハーフミラーを同時に固定するようにした
（請求項１４）。上記方法により、ファイバと空気層間
での反射損失を低減することができる。
【００２２】本発明は、前記基板が半導体材料であって
前記Ｖ溝及び溝を異方性ウェットエッチングプロセス又
はドライエッチングプロセスにより同時に形成するか、
又はダイシングソーにより同時に形成するようにした
（請求項１５）。上記方法により、垂直溝や斜め溝をＶ
溝と同時に形成することができるので、容易に形成する
ことができる。
前記Ｖ溝及び溝を異方性ウェットエッチングプロセス又
はドライエッチングプロセスにより同時に形成するか、
又はダイシングソーにより同時に形成するようにした
（請求項１５）。上記方法により、垂直溝や斜め溝をＶ
溝と同時に形成することができるので、容易に形成する
ことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、図面を参
照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本
発明の実施の形態１における波長多重光送受信モジュー
ルの構成図、図２は図１のＶ溝と垂直溝及びその形成方
法を示す図である。
照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本
発明の実施の形態１における波長多重光送受信モジュー
ルの構成図、図２は図１のＶ溝と垂直溝及びその形成方
法を示す図である。
【００２４】図１において、Ｓｉ基板２には、光ファイ
バ１を位置合わせして収納するためにアライメントマー
カ８ａ、８ｂに対して精度よく位置合わせされたＶ溝３
と、そのＶ溝３の終端で斜めに交差する垂直溝４が形成
されている。Ｓｉ基板２上には、Ｖ溝３の方向の延長線
上に発光素子６とモニタ用受光素子７がアライメントマ
ーカ８ａ、８ｂを用いて精度よく位置合わせされて実装
されている。Ｓｉ基板２上にはまた、光ファイバ１の出
射光が波長選択性フィルタ５で反射する方向の延長線上
に受光素子９が同様にアライメントマーカ８を用いて位
置合わせされて実装されている。この受光素子９は端面
入射構造をしたものを利用する。
バ１を位置合わせして収納するためにアライメントマー
カ８ａ、８ｂに対して精度よく位置合わせされたＶ溝３
と、そのＶ溝３の終端で斜めに交差する垂直溝４が形成
されている。Ｓｉ基板２上には、Ｖ溝３の方向の延長線
上に発光素子６とモニタ用受光素子７がアライメントマ
ーカ８ａ、８ｂを用いて精度よく位置合わせされて実装
されている。Ｓｉ基板２上にはまた、光ファイバ１の出
射光が波長選択性フィルタ５で反射する方向の延長線上
に受光素子９が同様にアライメントマーカ８を用いて位
置合わせされて実装されている。この受光素子９は端面
入射構造をしたものを利用する。
【００２５】波長選択性フィルタ５は垂直溝４のＶ溝３
から遠い方の垂直な側面に固定される。波長選択性フィ
ルタ５は垂直溝４の片側の垂直な側面で位置が規定され
るため、垂直溝４の幅は波長選択性フィルタ５が挿入し
やすいように、大きくすることができる。受光素子９の
入射部及び発光素子６の出射部の高さ、波長選択性フィ
ルタ５の高さ及びＶ溝３に固定された光ファイバ１のコ
アの高さは、Ｓｉ基板２の表面に対してすべて同じにな
るように設計されている。
から遠い方の垂直な側面に固定される。波長選択性フィ
ルタ５は垂直溝４の片側の垂直な側面で位置が規定され
るため、垂直溝４の幅は波長選択性フィルタ５が挿入し
やすいように、大きくすることができる。受光素子９の
入射部及び発光素子６の出射部の高さ、波長選択性フィ
ルタ５の高さ及びＶ溝３に固定された光ファイバ１のコ
アの高さは、Ｓｉ基板２の表面に対してすべて同じにな
るように設計されている。
【００２６】図１に示すように光ファイバ１を介して伝
送されてきた波長λ１の光は波長選択性フィルタ５で反
射した後、受光素子９に入射する。また、発光素子６の
波長λ２の光は、波長選択性フィルタ５を透過して光フ
ァイバ１内へ注入される。したがって、従来の光導波路
を用いないで、部品点数も少なく小型な光送受信モジュ
ールが実現できる。また、Ｓｉ基板２上のアライメント
マーカ８を基準にして各部品が精度よく位置合わせして
実装することができる。
送されてきた波長λ１の光は波長選択性フィルタ５で反
射した後、受光素子９に入射する。また、発光素子６の
波長λ２の光は、波長選択性フィルタ５を透過して光フ
ァイバ１内へ注入される。したがって、従来の光導波路
を用いないで、部品点数も少なく小型な光送受信モジュ
ールが実現できる。また、Ｓｉ基板２上のアライメント
マーカ８を基準にして各部品が精度よく位置合わせして
実装することができる。
【００２７】図２を参照して本発明の実施の形態１にお
けるＳｉ基板２のＶ溝３と垂直溝４の形成方法を説明す
る。図２（ａ）は左側面図、図２（ｂ）は平面図、図２
（ｃ）は正面図である。Ｖ溝３と垂直溝４の平面形状が
開口したマスクを用いてエッチング用レジストパターン
１１を形成して異方性ウェットエッチングにより、Ｖ形
状の溝３とそれに対して４５度斜めの垂直溝４が形成さ
れる。垂直溝４に関してはウェットエッチングの代わり
にドライエッチングにより、垂直に加工することも可能
である。ドライエッチングを用いたときは、Ｖ溝３との
角度は４５度に限らず、自由な角度に設定できる。ま
た、垂直溝４をエッチングの代わりに、ダイシングによ
るＳｉ基板の分割工程で形成することもできる。
けるＳｉ基板２のＶ溝３と垂直溝４の形成方法を説明す
る。図２（ａ）は左側面図、図２（ｂ）は平面図、図２
（ｃ）は正面図である。Ｖ溝３と垂直溝４の平面形状が
開口したマスクを用いてエッチング用レジストパターン
１１を形成して異方性ウェットエッチングにより、Ｖ形
状の溝３とそれに対して４５度斜めの垂直溝４が形成さ
れる。垂直溝４に関してはウェットエッチングの代わり
にドライエッチングにより、垂直に加工することも可能
である。ドライエッチングを用いたときは、Ｖ溝３との
角度は４５度に限らず、自由な角度に設定できる。ま
た、垂直溝４をエッチングの代わりに、ダイシングによ
るＳｉ基板の分割工程で形成することもできる。
【００２８】図３は本発明の実施の形態１における光フ
ァイバ先端の拡大図である。波長選択性フィルタ５の反
射膜１２が形成されている面を垂直溝４の側面に接する
ように固定する。また、光ファイバ１は先端面をあらか
じめ斜めに加工しておき、ファイバ先端面を波長選択性
フィルタ５に接するように固定する。これにより、波長
選択性フィルタ５の厚さのばらつきによらず、垂直溝４
の側面の位置精度で光信号λ１の反射光の位置が決ま
る。また光ファイバ１のコアと波長選択性フィルタ５の
距離を極力短くすることが可能となり、受光素子９への
光結合効率が大きくなる。
ァイバ先端の拡大図である。波長選択性フィルタ５の反
射膜１２が形成されている面を垂直溝４の側面に接する
ように固定する。また、光ファイバ１は先端面をあらか
じめ斜めに加工しておき、ファイバ先端面を波長選択性
フィルタ５に接するように固定する。これにより、波長
選択性フィルタ５の厚さのばらつきによらず、垂直溝４
の側面の位置精度で光信号λ１の反射光の位置が決ま
る。また光ファイバ１のコアと波長選択性フィルタ５の
距離を極力短くすることが可能となり、受光素子９への
光結合効率が大きくなる。
【００２９】図４（１）〜（３）は本発明の実施の形態
１における光ファイバ１と波長選択性フィルタ５の固定
方法を示している。この固定方法によれば、薄くて小さ
い波長選択性フィルタ５を挿入しやすくなる。まず、図
４（１）に示すように、光ファイバ１の先端面に光ファ
イバ１と屈折率が等しい紫外線硬化樹脂などの樹脂１３
を塗布する。次いで図４（２）に示すように、樹脂１３
を硬化しないで樹脂１３の先端を波長選択性フィルタ５
に触れることにより、微小な波長選択性フィルタ５を先
端部に仮固定できる。その後、図４（３）に示すように
光ファイバ１及び先端をそれぞれＶ溝３、垂直溝４に挿
入した後、紫外線を照射して樹脂１３を硬化させること
によって波長選択性フィルタ５と光ファイバ１を固定す
る。
１における光ファイバ１と波長選択性フィルタ５の固定
方法を示している。この固定方法によれば、薄くて小さ
い波長選択性フィルタ５を挿入しやすくなる。まず、図
４（１）に示すように、光ファイバ１の先端面に光ファ
イバ１と屈折率が等しい紫外線硬化樹脂などの樹脂１３
を塗布する。次いで図４（２）に示すように、樹脂１３
を硬化しないで樹脂１３の先端を波長選択性フィルタ５
に触れることにより、微小な波長選択性フィルタ５を先
端部に仮固定できる。その後、図４（３）に示すように
光ファイバ１及び先端をそれぞれＶ溝３、垂直溝４に挿
入した後、紫外線を照射して樹脂１３を硬化させること
によって波長選択性フィルタ５と光ファイバ１を固定す
る。
【００３０】図５は本発明の実施の形態の変形例の光フ
ァイバ先端近傍の拡大図である。まず、光ファイバ１を
Ｖ溝３に沿って前進させて、光ファイバ１の垂直に加工
された先端面のエッジを垂直溝４の側面に押し当てる。
その後、波長選択性フィルタ５を垂直溝４に沿って前進
させて、光ファイバ１と垂直溝４の隙間においてその反
射膜１２の反射面が垂直溝４の側面に接するように、ま
た、反射膜１２の反射面の反対側の面が光ファイバ１の
先端面に接するように挿入する。図３では、波長選択性
フィルタ５が厚いと反射光λ２の光路が長くなってしま
うが、図５では波長選択性フィルタ５の厚さの影響を小
さくすることができる。
ァイバ先端近傍の拡大図である。まず、光ファイバ１を
Ｖ溝３に沿って前進させて、光ファイバ１の垂直に加工
された先端面のエッジを垂直溝４の側面に押し当てる。
その後、波長選択性フィルタ５を垂直溝４に沿って前進
させて、光ファイバ１と垂直溝４の隙間においてその反
射膜１２の反射面が垂直溝４の側面に接するように、ま
た、反射膜１２の反射面の反対側の面が光ファイバ１の
先端面に接するように挿入する。図３では、波長選択性
フィルタ５が厚いと反射光λ２の光路が長くなってしま
うが、図５では波長選択性フィルタ５の厚さの影響を小
さくすることができる。
【００３１】図６は本発明の実施の形態１のさらに他の
変形例の光ファイバ先端近傍の拡大図である。発光素子
６の波長選択性フィルタ５に近い方の端面１４を斜めに
加工し、図のように発光素子６を配置する。発光素子６
の活性層１５の端面と波長選択性フィルタ５の距離が短
くなるので、発光素子６の光結合効率が大きくなる。な
お、発光素子６として、ファブリーペロー（ＦＰ）レー
ザのような垂直端面を利用するものは使用できないが、
端面を斜めに加工してもよい、例えば分布帰還型（ＤＦ
Ｂ）レーザを用いることができる。
変形例の光ファイバ先端近傍の拡大図である。発光素子
６の波長選択性フィルタ５に近い方の端面１４を斜めに
加工し、図のように発光素子６を配置する。発光素子６
の活性層１５の端面と波長選択性フィルタ５の距離が短
くなるので、発光素子６の光結合効率が大きくなる。な
お、発光素子６として、ファブリーペロー（ＦＰ）レー
ザのような垂直端面を利用するものは使用できないが、
端面を斜めに加工してもよい、例えば分布帰還型（ＤＦ
Ｂ）レーザを用いることができる。
【００３２】図７は本発明の実施の形態１のさらに他の
変形例の光ファイバ先端近傍の拡大図である。活性層１
５は斜めに加工しないように、発光素子６の波長選択性
フィルタ５に近い方の端面を部分的に斜めに加工し、光
ファイバ１と活性層１５を位置合わせして発光素子６を
配置することにより、活性層１５の端面と波長選択性フ
ィルタ５の距離を短くする。すなわち、活性層１５の平
坦性を確保するために、発光素子６の端面の一部のみを
斜めに加工する。図６とは異なり、活性層１５を斜めに
加工しないので、ＦＰレーザにも適用可能である。
変形例の光ファイバ先端近傍の拡大図である。活性層１
５は斜めに加工しないように、発光素子６の波長選択性
フィルタ５に近い方の端面を部分的に斜めに加工し、光
ファイバ１と活性層１５を位置合わせして発光素子６を
配置することにより、活性層１５の端面と波長選択性フ
ィルタ５の距離を短くする。すなわち、活性層１５の平
坦性を確保するために、発光素子６の端面の一部のみを
斜めに加工する。図６とは異なり、活性層１５を斜めに
加工しないので、ＦＰレーザにも適用可能である。
【００３３】図８は本発明の実施の形態１のさらに他の
変形例の光ファイバ先端近傍の拡大図である。発光素子
６の活性層１５を発光素子６の中心から離れた側面に近
い方に形成しておくか、又はチップ分離の際に活性層１
５が側面に近くなるように加工する。そして、光ファイ
バ１と活性層１５を位置合わせして発光素子６を配置す
る。これにより、斜め加工が不要であるにも関わらず、
図６、図７と同様の効果が得られる。
変形例の光ファイバ先端近傍の拡大図である。発光素子
６の活性層１５を発光素子６の中心から離れた側面に近
い方に形成しておくか、又はチップ分離の際に活性層１
５が側面に近くなるように加工する。そして、光ファイ
バ１と活性層１５を位置合わせして発光素子６を配置す
る。これにより、斜め加工が不要であるにも関わらず、
図６、図７と同様の効果が得られる。
【００３４】図９は本発明の実施の形態１における光フ
ァイバ先端の受光部近傍の拡大図である。図６と同様
に、受光素子９の端面を斜めに加工することにより、受
光素子９と波長選択性フィルタ５の距離を短くすること
で、受光素子９の光結合効率が大きくなる。
ァイバ先端の受光部近傍の拡大図である。図６と同様
に、受光素子９の端面を斜めに加工することにより、受
光素子９と波長選択性フィルタ５の距離を短くすること
で、受光素子９の光結合効率が大きくなる。
【００３５】（実施の形態２）図１０（１）、（２）は
それぞれ、本発明の実施の形態２における波長多重光送
受信モジュールの構造図及び受光素子部の断面図であ
る。基本構成は、上記実施の形態１と同様であるが、垂
直溝４の代わりに側面を斜めに加工した溝４ａをダイシ
ングなどを利用して形成し、波長選択性フィルタ５を基
板２に対して斜めに配置することによって波長λ２を斜
め上方向に反射する。また、図１０（２）に示すように
受光部１６が上部に形成された、表面又は裏面入射型の
受光素子９に受光できるようにする。
それぞれ、本発明の実施の形態２における波長多重光送
受信モジュールの構造図及び受光素子部の断面図であ
る。基本構成は、上記実施の形態１と同様であるが、垂
直溝４の代わりに側面を斜めに加工した溝４ａをダイシ
ングなどを利用して形成し、波長選択性フィルタ５を基
板２に対して斜めに配置することによって波長λ２を斜
め上方向に反射する。また、図１０（２）に示すように
受光部１６が上部に形成された、表面又は裏面入射型の
受光素子９に受光できるようにする。
【００３６】実施の形態１では、受光素子９の最下面端
部から光を注入するために、導波路タイプ又は、端面を
加工した表面又は裏面入射型受光素子の特殊な構造の受
光素子を利用する必要があったが、上記実施の形態２で
は従来よく使用される受光素子で代用が可能となる。ま
た、図１０（１）に示すように、発光素子６からの波長
λ２の光のみを遮断する第２の波長選択性フィルタ１７
を受光素子９と波長選択性フィルタ５の間に挿入するこ
とにより、送受信間の光アイソレーションを改善するこ
とができる。
部から光を注入するために、導波路タイプ又は、端面を
加工した表面又は裏面入射型受光素子の特殊な構造の受
光素子を利用する必要があったが、上記実施の形態２で
は従来よく使用される受光素子で代用が可能となる。ま
た、図１０（１）に示すように、発光素子６からの波長
λ２の光のみを遮断する第２の波長選択性フィルタ１７
を受光素子９と波長選択性フィルタ５の間に挿入するこ
とにより、送受信間の光アイソレーションを改善するこ
とができる。
【００３７】上記の実施形態では、２波長を透過、分波
する波長多重モジュールを実現するために、スリット１
６に波長選択性フィルタ２を挿入した構成について説明
したが、波長選択性フィルタ２の代わりにハーフミラー
を挿入することにより、１波長を透過、反射する光送受
信モジュールにも適用することができる。
する波長多重モジュールを実現するために、スリット１
６に波長選択性フィルタ２を挿入した構成について説明
したが、波長選択性フィルタ２の代わりにハーフミラー
を挿入することにより、１波長を透過、反射する光送受
信モジュールにも適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載の発
明によれば、Ｖ溝の終端で斜めに交差する溝に波長選択
性フィルタ又はハーフミラーを配置して波長選択性フィ
ルタ又はハーフミラーの透過方向と反射方向にそれぞれ
発光素子と受光素子を配置したので、製造工程が複雑な
光導波路が不要であり、小型で低価格な波長多重光送受
信モジュールや、１波長を透過、反射する光送受信モジ
ュールを実現することができる。請求項２に記載の発明
によれば、前記溝の側面が垂直の溝であって、受光素子
が端面入射型である構成としたので、受光素子と光ファ
イバとの光結合を向上させることができる。請求項３に
記載の発明によれば、前記溝の側面が斜めの溝であっ
て、受光素子と前記波長選択性フィルタの間に、発光素
子の波長のみを遮断する第２の波長選択性フィルタを配
置したので、発光素子から受光素子の光漏れこみを小さ
くすることができ、また、導波路型ではない表面又は裏
面入射タイプの受光素子を利用することができる。請求
項４に記載の発明によれば、波長選択性フィルタ又はハ
ーフミラーの位置を正確に規定でき、受光素子への光結
合効率を向上させることできる。また、垂直溝又は斜め
溝の幅をフィルタなどの厚さより大きくすることがで
き、フィルタなどの挿入が容易になる。請求項５に記載
の発明によれば、波長選択性フィルタ又はハーフミラー
の厚さのばらつきの影響を受けずに、反射面の位置を正
確に規定でき、受光素子への光結合効率を向上させるこ
とができる。請求項６、７、８に記載の発明によれば、
ファイバ端面とフィルタなどの間の距離を小さくして光
結合効率を向上させることができる。請求項９に記載の
発明によれば、発光素子の斜め加工を必要とせずに、発
光素子の光結合効率を大きくすることができる。請求項
１０に記載の発明によれば、受光素子の光結合効率を大
きくすることができる。請求項１１に記載の発明によれ
ば、波長選択性フィルタ又はハーフミラーの位置決めを
ファイバの固定工程を利用して、しかも正確に行うこと
ができる。請求項１２に記載の発明によれば、波長選択
性フィルタ又はハーフミラーのサイズが非常に小さくて
も、ファイバと垂直溝や斜め溝の間に正確に、かつ容易
に固定することができる。また、フィルタなどのサイズ
を小さくできるので、フィルタなどの低価格化が可能と
なる。請求項１３に記載の発明によれば、ファイバ端部
と発光素子間の距離を短くすることができ、発光素子の
光結合効率が向上する。請求項１４に記載の発明によれ
ば、ファイバと空気層間での反射損失を低減することが
できる。請求項１５に記載の発明によれば、垂直溝や斜
め溝をＶ溝と同時に形成することができるので、容易に
形成することができる。
明によれば、Ｖ溝の終端で斜めに交差する溝に波長選択
性フィルタ又はハーフミラーを配置して波長選択性フィ
ルタ又はハーフミラーの透過方向と反射方向にそれぞれ
発光素子と受光素子を配置したので、製造工程が複雑な
光導波路が不要であり、小型で低価格な波長多重光送受
信モジュールや、１波長を透過、反射する光送受信モジ
ュールを実現することができる。請求項２に記載の発明
によれば、前記溝の側面が垂直の溝であって、受光素子
が端面入射型である構成としたので、受光素子と光ファ
イバとの光結合を向上させることができる。請求項３に
記載の発明によれば、前記溝の側面が斜めの溝であっ
て、受光素子と前記波長選択性フィルタの間に、発光素
子の波長のみを遮断する第２の波長選択性フィルタを配
置したので、発光素子から受光素子の光漏れこみを小さ
くすることができ、また、導波路型ではない表面又は裏
面入射タイプの受光素子を利用することができる。請求
項４に記載の発明によれば、波長選択性フィルタ又はハ
ーフミラーの位置を正確に規定でき、受光素子への光結
合効率を向上させることできる。また、垂直溝又は斜め
溝の幅をフィルタなどの厚さより大きくすることがで
き、フィルタなどの挿入が容易になる。請求項５に記載
の発明によれば、波長選択性フィルタ又はハーフミラー
の厚さのばらつきの影響を受けずに、反射面の位置を正
確に規定でき、受光素子への光結合効率を向上させるこ
とができる。請求項６、７、８に記載の発明によれば、
ファイバ端面とフィルタなどの間の距離を小さくして光
結合効率を向上させることができる。請求項９に記載の
発明によれば、発光素子の斜め加工を必要とせずに、発
光素子の光結合効率を大きくすることができる。請求項
１０に記載の発明によれば、受光素子の光結合効率を大
きくすることができる。請求項１１に記載の発明によれ
ば、波長選択性フィルタ又はハーフミラーの位置決めを
ファイバの固定工程を利用して、しかも正確に行うこと
ができる。請求項１２に記載の発明によれば、波長選択
性フィルタ又はハーフミラーのサイズが非常に小さくて
も、ファイバと垂直溝や斜め溝の間に正確に、かつ容易
に固定することができる。また、フィルタなどのサイズ
を小さくできるので、フィルタなどの低価格化が可能と
なる。請求項１３に記載の発明によれば、ファイバ端部
と発光素子間の距離を短くすることができ、発光素子の
光結合効率が向上する。請求項１４に記載の発明によれ
ば、ファイバと空気層間での反射損失を低減することが
できる。請求項１５に記載の発明によれば、垂直溝や斜
め溝をＶ溝と同時に形成することができるので、容易に
形成することができる。
【図１】本発明の実施の形態１における波長多重光送受
信モジュールを示す構成図
信モジュールを示す構成図
【図２】図１に示すＶ溝と垂直溝及びその形成方法を示
す図 （ａ）左側面図 （ｂ）平面図 （ｃ）正面図
す図 （ａ）左側面図 （ｂ）平面図 （ｃ）正面図
【図３】本発明の実施の形態１における光ファイバ先端
近傍を示す拡大図
近傍を示す拡大図
【図４】本発明の実施の形態１におけるフィルタ固定方
法を示す工程図 （１）接着剤塗布工程 （２）フィルタ仮固定工程 （２）フィルタ固定工程
法を示す工程図 （１）接着剤塗布工程 （２）フィルタ仮固定工程 （２）フィルタ固定工程
【図５】本発明の実施の形態１における他の光ファイバ
先端近傍を示す拡大図
先端近傍を示す拡大図
【図６】本発明の実施の形態１におけるさらに他の光フ
ァイバ先端近傍を示す拡大図
ァイバ先端近傍を示す拡大図
【図７】本発明の実施の形態１におけるさらに他の光フ
ァイバ先端近傍を示す拡大図
ァイバ先端近傍を示す拡大図
【図８】本発明の実施の形態１におけるさらに他の光フ
ァイバ先端近傍を示す拡大図
ァイバ先端近傍を示す拡大図
【図９】本発明の実施の形態１における光ファイバ先端
の受光部側を示す拡大図
の受光部側を示す拡大図
【図１０】本発明の実施の形態２における波長多重光送
受信モジュールを示す構成図 （１）斜視図 （２）受光部を示す正面図
受信モジュールを示す構成図 （１）斜視図 （２）受光部を示す正面図
【図１１】従来の波長多重光送受信モジュールを示す構
成図
成図
１ 光ファイバ
２ Ｓｉ基板
３ Ｖ溝
４ 垂直溝
５ 波長選択性フィルタ
６ 発光素子
７ モニタ用受光素子
８ａ、８ｂ アラインメントマーカ
９ 受光素子
１０ ボンディングワイヤ
１１ エッチング用レジストパターン
１２ 反射膜
１３ 樹脂
１４ 斜め加工面
１５ 活性層
１６ 受光部
１７ 第２の波長選択性フィルタ
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 CA37 DA04
DA06 DA12
5F088 BB01 GA04 HA05 HA09 JA13
JA14
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上に直線状のＶ溝と前記Ｖ溝の終端
で斜めに交差する溝を形成し、光ファイバコアを前記Ｖ
溝の終端まで配置するとともに波長選択性フィルタ又は
ハーフミラーを前記溝に配置し、前記波長選択性フィル
タ又はハーフミラーの透過方向と反射方向にそれぞれ発
光素子と受光素子を配置した光送受信モジュール。 - 【請求項２】 前記溝の側面が垂直の溝であって、前記
受光素子が端面入射型である請求項１に記載の光送受信
モジュール。 - 【請求項３】 前記溝の側面が斜めの溝であって、前記
受光素子と前記波長選択性フィルタの間に、前記発光素
子の波長のみを遮断する第２の波長選択性フィルタを配
置した請求項１に記載の光送受信モジュール。 - 【請求項４】 前記波長選択性フィルタ又はハーフミラ
ーの光反射面を前記光ファイバコアの先端面に対向する
前記溝の側面側に固定した請求項１から３のいずれか１
つに記載の光送受信モジュール。 - 【請求項５】 前記波長選択性フィルタ又はハーフミラ
ーの光反射面を前記光ファイバコアの先端面に対向する
前記溝の側面に接触させて固定した請求項１から３のい
ずれか１つに記載の光送受信モジュール。 - 【請求項６】 前記光ファイバの先端面を前記波長選択
性フィルタ又はハーフミラーの面と略平行になるように
斜めに形成した請求項１から５のいずれか１つに記載の
光送受信モジュール。 - 【請求項７】 前記波長選択性フィルタ又はハーフミラ
ーに対向する前記発光素子の面を斜めに形成した請求項
１から６のいずれか１つに記載の光送受信モジュール。 - 【請求項８】 前記発光素子の活性層が露出していない
面を斜めに形成した請求項１から６のいずれか１つに記
載の光送受信モジュール。 - 【請求項９】 前記発光素子の活性層が光軸と直交する
方向に変位して形成され、前記活性層と前記波長選択性
フィルタ又はハーフミラーの間の距離が近くなるように
前記発光素子を配置した請求項１から６のいずれか１つ
に記載の光送受信モジュール。 - 【請求項１０】 前記波長選択性フィルタ又はハーフミ
ラーに対向する前記受光素子の面を斜めに形成した請求
項１から９のいずれか１つに記載の光送受信モジュー
ル。 - 【請求項１１】 請求項１から１０のいずれか１つに記
載の光送受信モジュールを製造する方法であって、 前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーを前記溝に挿
入して固定する工程と、 前記光ファイバ芯線の先端部を前記Ｖ溝に沿って前記フ
ィルタ又はハーフミラーに到達するまで前進させること
により、前記光ファイバ芯線の先端面と前記フィルタ又
はハーフミラーを位置決めする工程とを、 有する光送受信モジュールの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１から１０のいずれか１つに記
載の光送受信モジュールを製造する方法であって、 前記光ファイバの先端面にファイバと屈折率が等しい樹
脂を付着させる工程と、 未硬化の前記樹脂の粘着力を利用して前記光ファイバの
先端面を前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーに仮
固定する工程と、 前記光ファイバ先端部を前記Ｖ溝に位置合わせした状態
で前記樹脂を硬化させて固定する工程とを、 有する光送受信モジュールの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１から１０のいずれか１つに記
載の光送受信モジュールを製造する方法であって、 前記光ファイバ芯線の先端部を前記Ｖ溝に沿って、先端
面のエッジが前記溝の側面に達するまで前進させる工程
と、 前記波長選択性フィルタ又はハーフミラーを前記溝に沿
って、先端が前記光ファイバ芯線の先端面に当接するま
で前進させて前記光ファイバ芯線と前記波長選択性フィ
ルタ又はハーフミラーを位置合わせする工程とを、 有する光送受信モジュールの製造方法。 - 【請求項１４】 前記光ファイバ先端部周辺の光路を前
記光ファイバと屈折率が等しい樹脂で充填し硬化させる
ことにより、前記光ファイバ及び前記波長選択性フィル
タ又はハーフミラーを同時に固定する請求項１１又は１
３に記載の光送受信モジュールの製造方法。 - 【請求項１５】 前記基板が半導体材料であって前記Ｖ
溝及び溝を異方性ウェットエッチングプロセス又はドラ
イエッチングプロセスにより同時に形成するか、又はダ
イシングソーにより同時に形成する請求項１１から１４
のいずれか１つに記載の光送受信モジュールの製造方
法。
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