JPH09258044A - 光フィルタ内蔵導波路型光デバイス - Google Patents
光フィルタ内蔵導波路型光デバイスInfo
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- JPH09258044A JPH09258044A JP6851096A JP6851096A JPH09258044A JP H09258044 A JPH09258044 A JP H09258044A JP 6851096 A JP6851096 A JP 6851096A JP 6851096 A JP6851096 A JP 6851096A JP H09258044 A JPH09258044 A JP H09258044A
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- waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィルタ実装時の過剰損失が小さく、信頼性
が高く、かつ量産性の高い光フィルタ内蔵導波路型光デ
バイスを提供する。 【解決手段】 薄膜状多層膜フィルタ４３を、ファイバ
アレイ３２の端面３２ａ又は導波路基板３０の端面に直
接蒸着して形成するか、薄膜状多層膜フィルタ４３の代
わりに市販の完成品の多層膜フィルタチップ４４を接続
することにより、導波路基板３０にフィルタを挿入する
ための溝の形成や溝の余剰間隙が不要となるので、工程
数が減少すると共に過剰損失が低減する。ファイバアレ
イ３２，３９と導波路基板３０の端面との間を接着剤に
よって接続することにより、接着剤が自由に膨張・収縮
することができるので、剥離や気泡による故障が発生し
ないので信頼性が向上する。
が高く、かつ量産性の高い光フィルタ内蔵導波路型光デ
バイスを提供する。 【解決手段】 薄膜状多層膜フィルタ４３を、ファイバ
アレイ３２の端面３２ａ又は導波路基板３０の端面に直
接蒸着して形成するか、薄膜状多層膜フィルタ４３の代
わりに市販の完成品の多層膜フィルタチップ４４を接続
することにより、導波路基板３０にフィルタを挿入する
ための溝の形成や溝の余剰間隙が不要となるので、工程
数が減少すると共に過剰損失が低減する。ファイバアレ
イ３２，３９と導波路基板３０の端面との間を接着剤に
よって接続することにより、接着剤が自由に膨張・収縮
することができるので、剥離や気泡による故障が発生し
ないので信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波路型光デバイ
スに関し、特に光フィルタ内蔵導波路型光デバイスに関
する。
スに関し、特に光フィルタ内蔵導波路型光デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】光通信技術の発展に伴い光分岐器、光分
波器等種々の光デバイスが開発されている。光フィルタ
内蔵導波路型光デバイスもその一つである。これは平面
状に光導波路が形成された導波路基板に特定の波長の信
号光のみ透過或いは反射する光フィルタを内蔵したデバ
イスである。
波器等種々の光デバイスが開発されている。光フィルタ
内蔵導波路型光デバイスもその一つである。これは平面
状に光導波路が形成された導波路基板に特定の波長の信
号光のみ透過或いは反射する光フィルタを内蔵したデバ
イスである。
【０００３】図５は光フィルタ内蔵導波路型光デバイス
の従来例を示す図であり（例えば特開昭６３−３３７１
３号公報参照）、図６は光フィルタ内蔵導波路型光デバ
イスの他の従来例を示す図である。
の従来例を示す図であり（例えば特開昭６３−３３７１
３号公報参照）、図６は光フィルタ内蔵導波路型光デバ
イスの他の従来例を示す図である。
【０００４】図５に示す光フィルタ内蔵導波路型光デバ
イスにおいて、１は基板、２は基板１上に形成された光
導波路、３は光導波路２と交差するように形成された
溝、４は溝３内に挿入される光フィルタ（干渉膜フィル
タ）、５は基板１上に形成された方向性結合器、６は基
板１の各光導波路２に接続された光ファイバである。
イスにおいて、１は基板、２は基板１上に形成された光
導波路、３は光導波路２と交差するように形成された
溝、４は溝３内に挿入される光フィルタ（干渉膜フィル
タ）、５は基板１上に形成された方向性結合器、６は基
板１の各光導波路２に接続された光ファイバである。
【０００５】図６に示す光フィルタ内蔵導波路型光デバ
イスにおいて、１０は平面基板、ｐ1 ，ｑ1 ，ｐ2 ，ｑ
2 ，ｐ3 ，ｑ3 ，ｐ4 ，ｑ4 は平面基板１０上に形成さ
れた光導波路、１１は平面基板１０上の光導波路ｐ1 ，
ｑ1 ，ｐ2 ，ｑ2 ，ｐ3 ，ｑ3 ，ｐ4 ，ｑ4 を横切るよ
うに形成されたスリット、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 ，Ａ4 は光
分岐結合器、Ｂ1 ，Ｂ2 は目印であり、スリット１１に
は図示しない光フィルタが挿入されるようになってい
る。
イスにおいて、１０は平面基板、ｐ1 ，ｑ1 ，ｐ2 ，ｑ
2 ，ｐ3 ，ｑ3 ，ｐ4 ，ｑ4 は平面基板１０上に形成さ
れた光導波路、１１は平面基板１０上の光導波路ｐ1 ，
ｑ1 ，ｐ2 ，ｑ2 ，ｐ3 ，ｑ3 ，ｐ4 ，ｑ4 を横切るよ
うに形成されたスリット、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 ，Ａ4 は光
分岐結合器、Ｂ1 ，Ｂ2 は目印であり、スリット１１に
は図示しない光フィルタが挿入されるようになってい
る。
【０００６】これら図５及び図６に示す光デバイスは、
導波路基板上に形成された導波路を横切るようにスリッ
トを形成し、そのスリット中に光フィルタを挿入して位
置を調整した後接着剤等で固定したものである（導波路
基板スリットタイプ）。
導波路基板上に形成された導波路を横切るようにスリッ
トを形成し、そのスリット中に光フィルタを挿入して位
置を調整した後接着剤等で固定したものである（導波路
基板スリットタイプ）。
【０００７】図７は光フィルタ内蔵導波路型光デバイス
のさらに他の従来例を示す図である（例えば特開平６−
５９１４８号公報参照）。
のさらに他の従来例を示す図である（例えば特開平６−
５９１４８号公報参照）。
【０００８】同図に示す光フィルタ内蔵導波路型光デバ
イスは、基板２０上に入力導波路１ａ，１ａ´，２ａ，
２ａ´，３ａ´，３ａ，４ａ，４ａ´及び出力導波路１
ｂ，１ｂ´，２ｂ，２ｂ´，３ｂ，３ｂ´，４ｂ，４ｂ
´を形成し、これらの導波路１ａ，１ａ´，２ａ，２ａ
´，３ａ´，３ａ，４ａ，４ａ´，１ｂ，１ｂ´，２
ｂ，２ｂ´，３ｂ，３ｂ´，４ｂ，４ｂ´と接続すべき
複数の光ファイバを、基板２０のコアピッチに合わせて
Ｖ溝が形成されたＶ溝基板に配列し光ファイバ配列具
（アレイ）２１，２２を形成し、薄膜フィルタを実装す
べき光ファイバアレイ２１にスリット２３を形成し、そ
のスリット２３に共通フィルタを挿入し、接着剤等で固
定したものである。尚、Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 は導波
路型方向性結合器である（ファイバアレイスリットタイ
プ）。
イスは、基板２０上に入力導波路１ａ，１ａ´，２ａ，
２ａ´，３ａ´，３ａ，４ａ，４ａ´及び出力導波路１
ｂ，１ｂ´，２ｂ，２ｂ´，３ｂ，３ｂ´，４ｂ，４ｂ
´を形成し、これらの導波路１ａ，１ａ´，２ａ，２ａ
´，３ａ´，３ａ，４ａ，４ａ´，１ｂ，１ｂ´，２
ｂ，２ｂ´，３ｂ，３ｂ´，４ｂ，４ｂ´と接続すべき
複数の光ファイバを、基板２０のコアピッチに合わせて
Ｖ溝が形成されたＶ溝基板に配列し光ファイバ配列具
（アレイ）２１，２２を形成し、薄膜フィルタを実装す
べき光ファイバアレイ２１にスリット２３を形成し、そ
のスリット２３に共通フィルタを挿入し、接着剤等で固
定したものである。尚、Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 は導波
路型方向性結合器である（ファイバアレイスリットタイ
プ）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５及
び図６に示した従来例には以下のような問題点がある。
び図６に示した従来例には以下のような問題点がある。
【００１０】(1) スリットを回転刃によりダイサー加工
する場合、スリット周辺の欠け、クラック等が発生し、
導波路コアにかかると導波路損失の増加或いは反射戻り
光が発生することがある。
する場合、スリット周辺の欠け、クラック等が発生し、
導波路コアにかかると導波路損失の増加或いは反射戻り
光が発生することがある。
【００１１】(2) スリット幅がフィルタ厚よりも大きい
ためスリット通過時の回折損失が発生する。また、フィ
ルタ不要ポートにも一括してスリットを形成するため同
時に回折損失が発生する。
ためスリット通過時の回折損失が発生する。また、フィ
ルタ不要ポートにも一括してスリットを形成するため同
時に回折損失が発生する。
【００１２】(3) スリット内にフィルタを配置した後で
位置調整が必要である。
位置調整が必要である。
【００１３】(4) フィルタ固定用接着剤が高弾性の場
合、導波路基板のスリット線端部にクラックが発生する
ことがある。
合、導波路基板のスリット線端部にクラックが発生する
ことがある。
【００１４】(5) フィルタ固定用接着剤が低弾性の場
合、接着剤内部で剥離或いは気泡が発生することがあ
る。
合、接着剤内部で剥離或いは気泡が発生することがあ
る。
【００１５】また、図７に示した従来例には以下のよう
な問題点がある。
な問題点がある。
【００１６】(6) 長さ数ｍｍから数十ｍｍと短いファイ
バアレイの中で、一部のファイバを切断分割しているた
め、ファイバ固定が不十分となり、機械的信頼性、温度
サイクル、高温高湿等の対環境信頼性が低下する。
バアレイの中で、一部のファイバを切断分割しているた
め、ファイバ固定が不十分となり、機械的信頼性、温度
サイクル、高温高湿等の対環境信頼性が低下する。
【００１７】(7) 構成部品点数が多く、構造も複雑なた
め製造コストが高い。
め製造コストが高い。
【００１８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、フィルタ実装時の過剰損失が小さく、信頼性が高
く、かつ量産性の高い光フィルタ内蔵導波路型光デバイ
スを提供することにある。
し、フィルタ実装時の過剰損失が小さく、信頼性が高
く、かつ量産性の高い光フィルタ内蔵導波路型光デバイ
スを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、平面状の光導波路が形成された導波路基板
に、光フィルタを内蔵すると共に複数の光ファイバを接
続した光フィルタ内蔵導波路型光デバイスにおいて、光
フィルタを、導波路基板と光ファイバとの接続面に形成
したものである。
に本発明は、平面状の光導波路が形成された導波路基板
に、光フィルタを内蔵すると共に複数の光ファイバを接
続した光フィルタ内蔵導波路型光デバイスにおいて、光
フィルタを、導波路基板と光ファイバとの接続面に形成
したものである。
【００２０】上記構成に加え本発明は、光フィルタを、
導波路基板端面或いは光ファイバ端面にフィルタ材料の
蒸着により形成してもよい。
導波路基板端面或いは光ファイバ端面にフィルタ材料の
蒸着により形成してもよい。
【００２１】上記構成に加え本発明は、光フィルタとし
て多層膜フィルタチップを用い、導波路基板端面と光フ
ァイバ端面との間に接着固定してもよい。
て多層膜フィルタチップを用い、導波路基板端面と光フ
ァイバ端面との間に接着固定してもよい。
【００２２】すなわち本発明は、薄膜状多層膜フィルタ
を、ファイバアレイ端面又は導波路基板端面に直接蒸着
して形成するか、市販の完成品のフィルタを接続するも
のである。
を、ファイバアレイ端面又は導波路基板端面に直接蒸着
して形成するか、市販の完成品のフィルタを接続するも
のである。
【００２３】(1) 過剰損失が低減する理由 従来技術の場合、導波路基板或いはファイバアレイに形
成するスリット幅はより狭い方が好ましいが、フィルタ
挿入時の作業性を考慮すると、フィルタ厚に数μｍから
２０μｍ程度の余剰間隙が必要であった。本発明によれ
ば、この余剰間隙が不要となるので、デバイスの過剰損
失は０．１〜０．５ｄＢ程度まで低減できるのである。
成するスリット幅はより狭い方が好ましいが、フィルタ
挿入時の作業性を考慮すると、フィルタ厚に数μｍから
２０μｍ程度の余剰間隙が必要であった。本発明によれ
ば、この余剰間隙が不要となるので、デバイスの過剰損
失は０．１〜０．５ｄＢ程度まで低減できるのである。
【００２４】また、通常の多層膜フィルタは、厚さ数μ
ｍの基板（例えばポリイミド）の上に形成されているの
で、チップ化して実装した場合は基板の損失（光透過性
ポリイミドの場合約０．１ｄＢ）も付加される。よって
導波路基板端面に多層膜を直接蒸着する場合には０．１
ｄＢ程度の過剰損失の低減が見込まれる。
ｍの基板（例えばポリイミド）の上に形成されているの
で、チップ化して実装した場合は基板の損失（光透過性
ポリイミドの場合約０．１ｄＢ）も付加される。よって
導波路基板端面に多層膜を直接蒸着する場合には０．１
ｄＢ程度の過剰損失の低減が見込まれる。
【００２５】(2) 信頼性が向上する理由 従来技術では、線膨張係数の小さいＳｉＯ2 か或いはＳ
ｉ等からなる導波路等にスリット状の溝を形成し、その
中に接着剤を充填していた。接着剤の線膨張係数は、基
板材に比べはるかに大きいため、高弾性タイプ接着剤で
は高温時の膨張によって、スリット溝を広げる力が作用
し、基板が割れることがあった。一方、低弾性タイプ接
着剤では、低温時に接着剤内部に収縮応力が発生し、剥
離や気泡が発生することがあった。
ｉ等からなる導波路等にスリット状の溝を形成し、その
中に接着剤を充填していた。接着剤の線膨張係数は、基
板材に比べはるかに大きいため、高弾性タイプ接着剤で
は高温時の膨張によって、スリット溝を広げる力が作用
し、基板が割れることがあった。一方、低弾性タイプ接
着剤では、低温時に接着剤内部に収縮応力が発生し、剥
離や気泡が発生することがあった。
【００２６】しかし本発明では、ファイバアレイと導波
路基板端面との間を接着剤によって接続した場合でも、
接着剤が自由に膨張・収縮することができるので、上述
したような剥離や気泡による故障は発生しないから信頼
性が向上するのである。但し、多層膜フィルタの線膨張
係数に近い線膨張係数を有する接着剤を用いることが望
ましい。
路基板端面との間を接着剤によって接続した場合でも、
接着剤が自由に膨張・収縮することができるので、上述
したような剥離や気泡による故障は発生しないから信頼
性が向上するのである。但し、多層膜フィルタの線膨張
係数に近い線膨張係数を有する接着剤を用いることが望
ましい。
【００２７】(3) 工程数が減少する理由 従来技術で必須だったスリット形成工程が不要となる。
蒸着によって多層膜を形成する場合には、一度に数百個
の処理を行うことができるからである。
蒸着によって多層膜を形成する場合には、一度に数百個
の処理を行うことができるからである。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２９】図１は本発明の光フィルタ内蔵導波路型光
デバイスの一実施の形態を示す拡散分解図であり、図２
（ａ）、（ｂ）は図１に示した光フィルタ内蔵導波路型
光デバイスに用いられる光フィルタの工程図である。
デバイスの一実施の形態を示す拡散分解図であり、図２
（ａ）、（ｂ）は図１に示した光フィルタ内蔵導波路型
光デバイスに用いられる光フィルタの工程図である。
【００３０】図１において、３０は平面状の基板に光導
波路３１が形成された導波路基板としての４回路集積型
光合分岐導波路基板である。これは石英基板に、火炎堆
積法によって４回路のカプラを形成したものであり、入
出射端面におけるコアピッチＰｃは約２５０μｍとなっ
ている。
波路３１が形成された導波路基板としての４回路集積型
光合分岐導波路基板である。これは石英基板に、火炎堆
積法によって４回路のカプラを形成したものであり、入
出射端面におけるコアピッチＰｃは約２５０μｍとなっ
ている。
【００３１】３２は入射側ファイバアレイであり、石英
板の表面にコアピッチＰｃと同様の２５０μｍピッチで
８個の平行なＶ溝３３を形成したＶ溝ブロック３４に、
テープファイバ３５の被覆を剥いだ光ファイバ３６を載
せて押し板３７を荷重しながらＵＶ接着剤３８で一体化
させた後その端面３２ａを研磨したものである（図２
（ａ））。尚、ファイバアレイ３２の端面３２ａは反射
防止のため鉛直方向に対して約８°傾けて研磨されてい
る。また、テープファイバ３５は心線着色の異なる４心
テープファイバを２本用い、先端部２０〜４０ｍｍを単
心分離し、４心×２段の縦積み状態からファイバ心線を
交互に配列し、扇状に広げて８心１列に形成したもので
ある。
板の表面にコアピッチＰｃと同様の２５０μｍピッチで
８個の平行なＶ溝３３を形成したＶ溝ブロック３４に、
テープファイバ３５の被覆を剥いだ光ファイバ３６を載
せて押し板３７を荷重しながらＵＶ接着剤３８で一体化
させた後その端面３２ａを研磨したものである（図２
（ａ））。尚、ファイバアレイ３２の端面３２ａは反射
防止のため鉛直方向に対して約８°傾けて研磨されてい
る。また、テープファイバ３５は心線着色の異なる４心
テープファイバを２本用い、先端部２０〜４０ｍｍを単
心分離し、４心×２段の縦積み状態からファイバ心線を
交互に配列し、扇状に広げて８心１列に形成したもので
ある。
【００３２】３９は出射側ファイバアレイであり、入射
側ファイバアレイ３２と同様に、石英板の表面にコアピ
ッチＰｃと同様の２５０μｍピッチで８個の平行なＶ溝
を形成したＶ溝ブロック４０に、テープファイバ４１の
被覆を剥いだ光ファイバを載せて押し板４２を荷重しな
がらＵＶ接着剤で一体化させた後その端面を研磨したも
のである。
側ファイバアレイ３２と同様に、石英板の表面にコアピ
ッチＰｃと同様の２５０μｍピッチで８個の平行なＶ溝
を形成したＶ溝ブロック４０に、テープファイバ４１の
被覆を剥いだ光ファイバを載せて押し板４２を荷重しな
がらＵＶ接着剤で一体化させた後その端面を研磨したも
のである。
【００３３】出射側ファイバアレイ３９の端面は研磨さ
れたままであるが、入射側ファイバアレイ３２の端面３
２ａ側の一部の光ファイバ３６には、薄膜状多層膜フィ
ルタ４３が形成されている。この薄膜状多層膜フィルタ
４３は、奇数番目の光ファイバ３６を除いてマスキング
し、電子ビーム蒸着法によってフィルタ材料としてのＴ
ｉＯ2 ／ＳｉＯ2 の薄膜を交互に約３０層積層したもの
であり（厚さ約１０μｍ）、例えば１．５μｍ帯の波長
の光を遮断するようになっている（図２（ｂ））。
れたままであるが、入射側ファイバアレイ３２の端面３
２ａ側の一部の光ファイバ３６には、薄膜状多層膜フィ
ルタ４３が形成されている。この薄膜状多層膜フィルタ
４３は、奇数番目の光ファイバ３６を除いてマスキング
し、電子ビーム蒸着法によってフィルタ材料としてのＴ
ｉＯ2 ／ＳｉＯ2 の薄膜を交互に約３０層積層したもの
であり（厚さ約１０μｍ）、例えば１．５μｍ帯の波長
の光を遮断するようになっている（図２（ｂ））。
【００３４】これら両ファイバアレイ３２，３９と４回
路集積型光合分岐導波路基板３０とを直交３軸回転３軸
可能な精密アライメントステージ（図示せず）で両端
（Ｎｏ．１、Ｎｏ．８）の光ファイバ３６のみ光軸調整
し、各端面間をＵＶ接着剤で接続することにより光フィ
ルタ内蔵導波路型光デバイスが形成される。尚、４回路
集積型光合分岐導波路基板３０とファイバアレイ３２，
３９との接続方法・手段はＵＶ接着剤に限定されず、他
の接着剤、或いは嵌合ピンによるガイド接続等も可能で
ある。
路集積型光合分岐導波路基板３０とを直交３軸回転３軸
可能な精密アライメントステージ（図示せず）で両端
（Ｎｏ．１、Ｎｏ．８）の光ファイバ３６のみ光軸調整
し、各端面間をＵＶ接着剤で接続することにより光フィ
ルタ内蔵導波路型光デバイスが形成される。尚、４回路
集積型光合分岐導波路基板３０とファイバアレイ３２，
３９との接続方法・手段はＵＶ接着剤に限定されず、他
の接着剤、或いは嵌合ピンによるガイド接続等も可能で
ある。
【００３５】このように構成したことで、導波路基板に
フィルタを挿入するための溝の形成や溝の余剰間隙が不
要となるので、工程数が減少すると共に過剰損失が低減
する。また、ファイバアレイ３２，３９と導波路基板３
０の端面との間を接着剤によって接続することにより、
接着剤が自由に膨張・収縮することができるので、剥離
や気泡による故障が発生しないので信頼性が向上する。
フィルタを挿入するための溝の形成や溝の余剰間隙が不
要となるので、工程数が減少すると共に過剰損失が低減
する。また、ファイバアレイ３２，３９と導波路基板３
０の端面との間を接着剤によって接続することにより、
接着剤が自由に膨張・収縮することができるので、剥離
や気泡による故障が発生しないので信頼性が向上する。
【００３６】図３は本発明の光フィルタ内蔵導波路型光
デバイスの他の実施の形態を示す拡散分解図であり、図
４（ａ）、（ｂ）は図３に示した光フィルタ内蔵導波路
型光デバイスに用いられる光フィルタの工程図である。
尚、図１及び図２に示した実施の形態と同様の部材には
共通の符号を用いた。
デバイスの他の実施の形態を示す拡散分解図であり、図
４（ａ）、（ｂ）は図３に示した光フィルタ内蔵導波路
型光デバイスに用いられる光フィルタの工程図である。
尚、図１及び図２に示した実施の形態と同様の部材には
共通の符号を用いた。
【００３７】図１及び図２（ａ）、（ｂ）に示した実施
の形態との相違点は、薄膜状多層膜フィルタが電子ビー
ム蒸着法により直接光ファイバの端面に形成されたもの
ではなく、市販の多層膜フィルタチップを用いた点にあ
る。
の形態との相違点は、薄膜状多層膜フィルタが電子ビー
ム蒸着法により直接光ファイバの端面に形成されたもの
ではなく、市販の多層膜フィルタチップを用いた点にあ
る。
【００３８】図３に示すファイバアレイ３２，３９の
内、出射側ファイバアレイ３９の端面は研磨が施された
ままであり、入射側ファイバアレイ３２の端面には多層
膜フィルタチップ４４が接着されている。
内、出射側ファイバアレイ３９の端面は研磨が施された
ままであり、入射側ファイバアレイ３２の端面には多層
膜フィルタチップ４４が接着されている。
【００３９】この多層膜フィルタチップ４４は、例えば
厚さ約１０μｍの光透過型特殊ポリイミドフィルム上に
Ｔｉ／ＳｉＯ2 薄膜が積層されたものである。予め切削
加工により、ファイバピッチに合わせたスリット４４ａ
を有する櫛歯状に形成されている（図４（ａ））。この
多層膜フィルタチップ４４を、研磨後の入射側ファイバ
アレイ３２の端面に奇数番目の光ファイバ３６が覆われ
るように光学系ＵＶ接着剤で接着する（図４（ｂ））。
厚さ約１０μｍの光透過型特殊ポリイミドフィルム上に
Ｔｉ／ＳｉＯ2 薄膜が積層されたものである。予め切削
加工により、ファイバピッチに合わせたスリット４４ａ
を有する櫛歯状に形成されている（図４（ａ））。この
多層膜フィルタチップ４４を、研磨後の入射側ファイバ
アレイ３２の端面に奇数番目の光ファイバ３６が覆われ
るように光学系ＵＶ接着剤で接着する（図４（ｂ））。
【００４０】以後のデバイス化プロセスは図１に示した
実施の形態と同様である。
実施の形態と同様である。
【００４１】以上において本光フィルタ内蔵導波路型光
デバイスは、 1)フィルタ実装による過剰損失が従来に比べ０．１〜
０．５ｄＢ低減できる。蒸着によって多層膜のみを導波
路基板に直接形成する場合は、さらに０．１ｄＢ低減す
ることが可能である。これはフィルタ前後に余剰間隙が
無いためである。
デバイスは、 1)フィルタ実装による過剰損失が従来に比べ０．１〜
０．５ｄＢ低減できる。蒸着によって多層膜のみを導波
路基板に直接形成する場合は、さらに０．１ｄＢ低減す
ることが可能である。これはフィルタ前後に余剰間隙が
無いためである。
【００４２】2)フィルタを接着固定した場合、接着剤が
自由に膨張・収縮できるので、導波路基板の割れや接着
剤剥離による損失増加がない。また、ダイサー等による
スリット溝加工が無いため、コアのチッピングによる損
失増加も無い。
自由に膨張・収縮できるので、導波路基板の割れや接着
剤剥離による損失増加がない。また、ダイサー等による
スリット溝加工が無いため、コアのチッピングによる損
失増加も無い。
【００４３】3)スリット溝加工が不要なので、加工工数
が低減する。
が低減する。
【００４４】4)蒸着によってファイバアレイ又は導波路
基板の端面に直接フィルタを形成する場合、フィルタの
製造と実装とを同時に行うことができる。またバッチ処
理が可能なため大幅なコスト低減が可能である。
基板の端面に直接フィルタを形成する場合、フィルタの
製造と実装とを同時に行うことができる。またバッチ処
理が可能なため大幅なコスト低減が可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００４６】平面状に光導波路が形成された導波路基板
に、光フィルタを内蔵すると共に複数の光ファイバを接
続した光フィルタ内蔵導波路型光デバイスにおいて、光
フィルタを、導波路基板と光ファイバとの接続面に形成
された薄膜状多層膜フィルタとしたので、フィルタ実装
時の過剰損失が小さく、信頼性が高く、かつ量産性の高
い光フィルタ内蔵導波路型光デバイスを実現することが
できる。
に、光フィルタを内蔵すると共に複数の光ファイバを接
続した光フィルタ内蔵導波路型光デバイスにおいて、光
フィルタを、導波路基板と光ファイバとの接続面に形成
された薄膜状多層膜フィルタとしたので、フィルタ実装
時の過剰損失が小さく、信頼性が高く、かつ量産性の高
い光フィルタ内蔵導波路型光デバイスを実現することが
できる。
【図１】本発明の光フィルタ内蔵導波路型光デバイスの
一実施の形態を示す拡散分解図である。
一実施の形態を示す拡散分解図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は図１に示した光フィルタ内蔵
導波路型光デバイスに用いられる光フィルタの工程図で
ある。
導波路型光デバイスに用いられる光フィルタの工程図で
ある。
【図３】本発明の光フィルタ内蔵導波路型光デバイスの
他の実施の形態を示す拡散分解図である。
他の実施の形態を示す拡散分解図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は図３に示した光フィルタ内蔵
導波路型光デバイスに用いられる光フィルタの工程図で
ある。
導波路型光デバイスに用いられる光フィルタの工程図で
ある。
【図５】光フィルタ内蔵導波路型光デバイスの従来例を
示す図である。
示す図である。
【図６】光フィルタ内蔵導波路型光デバイスの他の従来
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】光フィルタ内蔵導波路型光デバイスのさらに他
の従来例を示す図である。
の従来例を示す図である。
３０ 導波路基板（４回路集積型光合分岐導波路基板、
基板） ３２ 入射側ファイバアレイ（ファイバアレイ） ３９ 出射側ファイバアレイ（ファイバアレイ） ４３ 薄膜状多層膜フィルタ ４４ 多層膜フィルタチップ
基板） ３２ 入射側ファイバアレイ（ファイバアレイ） ３９ 出射側ファイバアレイ（ファイバアレイ） ４３ 薄膜状多層膜フィルタ ４４ 多層膜フィルタチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹谷 則明 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 平面状の光導波路が形成された導波路基
板に、光フィルタを内蔵すると共に複数の光ファイバを
接続した光フィルタ内蔵導波路型光デバイスにおいて、
上記光フィルタを、上記導波路基板と上記光ファイバと
の接続面に形成したことを特徴とする光フィルタ内蔵導
波路型光デバイス。 - 【請求項２】 上記光フィルタを、導波路基板端面或い
は光ファイバ端面にフィルタ材料の蒸着により形成した
請求項１記載の光フィルタ内蔵導波路型光デバイス。 - 【請求項３】 上記光フィルタとして多層膜フィルタチ
ップを用い、導波路基板端面と光ファイバ端面との間に
接着固定した請求項１記載の光フィルタ内蔵導波路型光
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6851096A JPH09258044A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 光フィルタ内蔵導波路型光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6851096A JPH09258044A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 光フィルタ内蔵導波路型光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258044A true JPH09258044A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13375792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6851096A Pending JPH09258044A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 光フィルタ内蔵導波路型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09258044A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0935149A2 (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-11 | Hewlett-Packard Company | Switching element having an expanding waveguide core |
| JP2002305049A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多心同軸電線の接続端末とその製造方法 |
| KR100393622B1 (ko) * | 2001-10-06 | 2003-08-02 | 삼성전자주식회사 | 평면 도파로 소자 모듈 |
| JP2008233700A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Ngk Insulators Ltd | 光表面実装用導波路基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP6851096A patent/JPH09258044A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0935149A2 (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-11 | Hewlett-Packard Company | Switching element having an expanding waveguide core |
| EP0935149B1 (en) * | 1998-02-04 | 2003-05-07 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Switching element having an expanding waveguide core |
| JP2002305049A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多心同軸電線の接続端末とその製造方法 |
| JP4492773B2 (ja) * | 2001-04-04 | 2010-06-30 | 住友電気工業株式会社 | 多心同軸電線の接続端末とその製造方法 |
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| JP2008233700A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Ngk Insulators Ltd | 光表面実装用導波路基板の製造方法 |
| JP4573274B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2010-11-04 | 日本碍子株式会社 | 光表面実装用導波路基板の製造方法 |
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