JP4573274B2 - 光表面実装用導波路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
強誘電体材料からなる基体に光導波路を設ける光導波路形成工程、
基体の光導波路側の表面にクラッド層を設けるクラッド層形成工程、
基体およびクラッド層にスリットを形成するスリット形成工程、
クラッド層を支持基板に接合する接合工程、および
基体をクラッド層とは反対側の主面から加工して薄くすることによって薄板を形成し、スリットをこの薄板に貫通させ、光導波路の端面がスリットに面するようにする薄板化工程
を備えていることを特徴とする。
本発明においては、まず、強誘電性材料からなる基体に光導波路を設ける(光導波路形成工程)。例えば、図3(a)に示すように、強誘電性材料からなる基体5に光導波路10を設ける。
、Al2O3を例示できる。
具体的には、厚さ0.5mm のニオブ酸リチウム単結晶からなるX カット基板5の表面に、Ti拡散法により幅6μm、深さ5μmの光導波路10を形成した。次に、光導波路10を作製した表面5aに、厚さ1μmのSiO2からなるクラッド層2をスパッタ法により形成した。次いで、基板表面に、幅100μm、深さ20μmのスリット6をダイサーによって形成した。
Claims (3)
- 強誘電体材料からなる基体に光導波路を設ける光導波路形成工程、
前記基体の前記光導波路側の表面にクラッド層を設けるクラッド層形成工程、
前記基体および前記クラッド層にスリットを形成するスリット形成工程、
前記クラッド層を支持基板に接合する接合工程、および
前記基体を前記クラッド層とは反対側の主面から加工して薄くすることによって薄板を形成し、前記スリットをこの薄板に貫通させ、前記光導波路の端面が前記スリットに面するようにする薄板化工程
を備えていることを特徴とする、光表面実装用導波路基板の製造方法。 - 前記スリットの深さが20μm以上であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記基体の厚さが200μm以上であることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
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JPH09258044A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Hitachi Cable Ltd | 光フィルタ内蔵導波路型光デバイス |
JPH1114845A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Nok Corp | 光分岐導波路およびその製造方法、並びに光導波路回路 |
JP2006251046A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Central Glass Co Ltd | 光導波路基板、光表面実装導波路素子およびそれらの製造方法 |
-
2007
- 2007-03-23 JP JP2007075730A patent/JP4573274B2/ja active Active
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