JP2024066122A - 光デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】反射面の加工精度によらず、高いスループットで、かつ高精度に光素子とパッシブ実装することが可能な光デバイスを提供する。【解決手段】平板状の基板１０と、基板１０に形成された光導波路１３と、基板１０に形成された位置合わせ用導波路１２ａ，１２ｂと、を備え、基板１０は、光の導波方向の端面の一方の全面に一つの傾斜面Ｓ１を備え、傾斜面は、光導波路１３と交差し、光導波路１３を導波した光を基板１０の一方の面の方向へ反射する、または基板１０の先の面の方向からの光を光導波路１３の方向へ反射する反射面Ｓ１を形成し、位置合わせ用導波路１２ａ，１２ｂは、少なくとも反射面Ｓ１の近傍に形成され、光導波路１３と同一の構造を有し、反射面Ｓ１と交差し、位置合わせ用導波路１２ａ，１２ｂと反射面Ｓ１との交点の少なくとも二つが位置合わせマーカＭａ，Ｍｂとなるように光デバイスを構成する。【選択図】図１

Description

本発明は、光デバイスに関する。

近年の通信量増大を受け、通信で広く使用される光通信モジュールの高密度、高性能化が進展している。光通信モジュールに使用される光部品のひとつとして、ＰＬＣ（Planar Lightwave Circuits）が知られている。ＰＬＣは合分波、分岐、結合器の等の機能が集積可能な光部品である。また、光通信モジュール内にはフォトダイオード（ＰＤ；Photodiode）やレーザダイオード（ＬＤ；Laser Diode）等の光素子も搭載されている。現在の通信モジュールでは、これらの光素子を高密度、高精度で集積することが求められている。特許文献１には、光導波路からの出射光を反射させ、その光軸の方向を変更するＰＬＣが記載されている。非特許文献２には、１００－Ｇｂ／ｓ（４×２５Ｇｂ／ｓ）のＰＬＣに基づくアレイ導波路グレーティングデマルチプレクサを有するイーサネットのための小型の光受信モジュールが記載されている。特許文献２には、小型、高機能な集積型光デバイスを実現するためのＰＬＣにおけるヘテロジニアス集積技術の展開について開示されている。

特開２００５－７０３６５号公報

「小型高機能な集積型光デバイス実現に向けた石英系平面光波回路におけるヘテロジニアス集積技術の展開」エレクトロニクス実装学会誌 Ｖｏｌ．２０ Ｎｏ．６（２０１７） Yoshiyuki Doi, Manabu Oguma, Masayuki Ito, Ikuo Ogawa, Toshihide Yoshimatsu, Tetsuichiro Ohno, Eiji Yoshida, and Hiroshi Takahashi, "Compact ROSA for 100-Gb/s (4 × 25 Gb/s) Ethernet with a PLC-based AWG demultiplexer", OFC/NFOEC NW1J.5 , Technical Digest 2013 OSA

特許文献１、非特許文献１は、ＰＬＣに光素子を接続する際に、ＰＬＣの端面に斜めの反射面を形成し、光導波路から出射された光を反射面で反射させて光素子に入射することが記載されている。このような構造は、光素子と後段の電子部品とを同一平面上に並べることができ、公知の電子部品実装と同様の配線構造を実現することができる。一方、このような構造が無い場合、非特許文献２に記載のように、光素子と後段の電子部品が同一平面にない状態で実装が行われる。この点から、反射面を用いるこのような構造は、光素子及び高周波配線も含めた電気配線を、公知の電子部品実装と同様に行うことができるので、コストの削減や特性の安定化を図ることが期待される。

ところで、ＰＬＣとＰＤとの位置合わせは、多くの場合、アクティブ実装によって行われる。アクティブ実装は、ＰＬＣに光を入射してＰＤからの出力電流をモニターし、その位置依存性をフィードバックすることによって位置決め最適化を行う手法である。アクティブ実装は、このような位置決めを行うための配線や電源装置及び光源が必要になるため、負荷が大きく、また、出力電流の位置依存性をフィードバックするためにスループットも高くはない。一方、パッシブ実装は、マーカ等を用いてＰＬＣとＰＤとの位置決めを行うため、低コスト、かつスループットが高いという利点がある。

パッシブ実装において、上記の反射面を高い精度で作製することが困難であった。このため、ＰＬＣの端面に反射面を設けてＰＤと接続する場合、パッシブ実装を用いると位置合わせ精度が劣化し、位置ズレ損失が増加するという課題があった。以下、この課題について説明する。

パッシブ実装によりＰＬＣとＰＤのような光素子とを接続する場合、ＰＬＣ上のマーカと、光素子上のマーカとを使って位置合わせが行われる。しかしながら、ＰＬＣ上のマーカは、チッピング、研磨前のウエハ状態でパターニングされる。一方、反射面は、チップ化された後に導波路を加工して形成される。例えば、端面処理として広く用いられている研磨による反射面形成を例に取ると、ウエハ状態の際形成されたマーカと相対位置２０μｍ以下の位置精度を出すためには、研磨速度を落としモニター頻度を上げる必要があり、加工のスループットを著しく損なう。近年、受信モジュールについては高速化が進展しており、ＰＤはその特性上小口径化が高速応答に繋がるため、ＰＤの実装においては１０μｍオーダーの実装位置決め精度は不可欠である。このようなことから、反射面の加工、ＰＤ等の光素子とのパッシブ実装のいずれのスループットをも低下させず、高精度に位置合わせを行うことが要求されていた。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、反射面の加工精度によらず、高いスループットで、かつ高精度に光素子とパッシブ実装することが可能な光デバイスに関する。

上記目的を達成するために本発明の一形態の光デバイスは、平面光波回路であって、平板状の基板と、前記基板に形成された光導波路と、前記基板に形成された位置合わせ用パターンと、を備え、前記基板は、光の導波方向の端面の一方の全面に一つの傾斜面を備え、前記傾斜面は、前記光導波路と交差し、前記光導波路を導波した光を前記基板の一方の面の方向へ反射する、または前記基板の前記面の方向からの光を前記光導波路の方向へ反射する反射面を形成し、前記位置合わせ用パターンは、少なくとも前記傾斜面の近傍に形成され、前記光導波路と同一の構造を有し、前記傾斜面と交差し、前記位置合わせ用パターンと前記傾斜面との交点の少なくとも二つが位置合わせマーカを形成する。

以上の形態によれば、反射面の加工精度によらず、高いスループットで、かつ高精度に光素子とパッシブ実装することが可能な光デバイスを提供することができる。

（ａ）は本発明の第１の実施形態の平面光波回路と光素子との実装前の状態を示す上面図、（ｂ）は断面図である。 （ａ）は平面光波回路と光素子との実装後の状態を示す上面図、（ｂ）は断面図である。 本発明の第２の実施形態を説明するための平面光波回路の縦断面図である。 本発明の第３の実施形態を説明するための平面光波回路の縦断面図である。 本発明の第４の実施形態を説明するための平面光波回路の縦断面図である。

以下、本発明の第１の実施形態から第４の実施形態を、図面を用いて説明する。図面は、本発明の構成、各構成部材の関係、効果、技術思想を説明することを目的とし、構成の具体的形状を限定するものではない。このため、図面が示す構成の縦横比は、正確であるとは限らない。

［第１の実施形態］
図１（ａ）、図１（ｂ）は、第１の実施形態の光デバイスである平面光波回路１（ＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit））を説明するための図である。図１（ａ）は、平面光波回路１と、光素子２との実装前の状態を示す上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中に示す矢線Ｉｂ、Ｉｂに沿う断面図である。図１（ａ）、図１（ｂ）において、座標軸に示すように、Ｙ方向は平面光波回路１の長手方向を示し、Ｘ方向は平面光波回路１の短手方向、すなわち幅を指す。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向と直交する方向を示し、Ｚ軸の座標が小さい側を大きい側よりも「上」、あるいは「上方」として以降の説明をする。図１（ａ）、図１（ｂ）は、平面光波回路１と光素子２との接続前の状態を示している。本明細書において、平面光波回路１は、光素子との接続の前、後共に光デバイスである。

平面光波回路１は、平板状の基板１０と、基板１０に形成された光導波路１３と、基板１０に形成された位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂと、を備えている。基板１０は、光の導波方向の端面の一方の全面に一つの傾斜面を備えている。傾斜面は、光導波路１３と交差し、光導波路１３を導波した光を基板の上面の方向へ反射する、または基板１０の上面の方向からの光を光導波路１３の方向へ反射する反射面Ｓ１を形成する。位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂは、少なくとも反射面Ｓ１の近傍に形成され、光導波路１３と同一の構造を有し、反射面Ｓ１と交差し、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂと反射面Ｓ１との交点の少なくとも二つが位置合わせマーカＭａ、Ｍｂを形成する。なお、第１の実施形態の平面光波回路１は、以上の構成がＳｉ基板１１上に形成され、光導波路１３上には光導波路保護用のリッドガラス１５が形成されている。

上記において、「反射面Ｓ１の近傍」は、例えば、上面視において視認可能な反射面Ｓ１の端部（図１（ａ）に示す線Ｌ）との距離が０から１００μｍの程度をいう。また、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂは、上記の範囲によって規定される反射面Ｓ１の近傍にあればよく、それ以上反射面Ｓ１から離れた位置にある部分は無くてもよい。換言すると、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂは、その少なくとも一部が反射面Ｓ１との距離が０から１００μｍ程度の範囲にあればよい。さらに、「光導波路１３と同一の構造」は、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂが形成されている範囲において光導波路１３と同一のパターン構造、及び層構造であることを意味している。したがって、光導波路１３が光導波路１４と接続しているのに対し、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂが光導波路１４と接続していなくてもよい。

すなわち、基板１０は、上面視において矩形形状を有し、複数（４チャネル）の光導波路１３と、複数の光導波路１３と接続する１チャネルの光導波路１４とを有している。光導波路１３と光導波路１４との間の形状は任意である。４チャネルの光受信器として用いる場合、導波路１３、１４の間に光分波器を設ける。なお、光分波器の構成は、受信側では光分波器として機能するが、送信側では光合波器として機能する。このため、両者を総称して光合分波器とも記す。また、平面光波回路１は、図１（ｂ）に示すように、平板状の基板１０を有し、基板１０において、光の導波路方向、すなわち光導波路１３の延伸方向にある二つの端面の一方に、反射面Ｓ１を有している。反射面Ｓ１は、Ｘ－Ｙ平面と斜めに交差している。ここで「斜め」は、Ｘ－Ｙ平面及び端面交差することを指さす。つまり、反射面Ｓ１は、Ｘ－Ｙ平面と交差する面のうち、端面Ｅ（Ｚ軸方向に沿う）と平行な面を除く。図１（ｂ）中に、端面と平行な面Ｅを図示し、反射面Ｓ１と光導波路１３との交点をＣとして示す。

第１の実施形態は、光導波路１３、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂの加工を研磨によって行っている。図１（ａ）に示す例では、同時に研磨された光導波路１３、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂの端面の位置が揃っていて、端面は一つの直線Ｌ上に位置するようになる。ただし、第１の実施形態は、光導波路１３の加工を研磨に限定するものでなく、エッチングによって行うものであってもよい。

このような反射面Ｓ１は、スネルの法則から全反射を満たす角度にする、または反射膜や反射防止膜を形成することで光導波路１３から出射した光を上方に反射する。位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂは、Ｘ方向に１ｍｍピッチの４ｃｈ分の光導波路１３の両脇に形成されている。

例えば、反射面Ｓ１を研磨によって形成する場合、光導波路１３と位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂが同時に研磨され、光導波路１３の研磨状態は位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂの研磨状態と一致する。このため、研磨の精度によらず、光導波路１３と位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂとにおいて、反射面Ｓ１との交点Ｃの位置、及び反射面の角度は高い精度で一致していると考えられる。本発明者は、この点に着目し、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂと反射面Ｓ１との交点の２つをマーカＭａ、Ｍｂとして利用することに想到した。

光素子２は、基板２１上に光導波路１３のチャネルに対応する数の受光素子（ＰＤ：Photo Diode）２４を備えている。また、光素子２は、平面光波回路１と位置合わせするためのマーカ２２ａ、２２ｂを備えている。平面光波回路１と光素子２との接続の位置合わせは、マーカ２２ａが位置合わせ用導波路１２ａに一致し、かつ、マーカ２２ｂが位置合わせ用導波路１２ｂに一致するように光素子２を平面光波回路１に重ねて接続することによって行われる。

すなわち、第１の実施形態は、上面視において視認できる位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂの端部（すなわち反射面との交点Ｃ）をマーカＭａ、Ｍｂとして使用する。例えば、光導波路１３の反射面Ｓ１の端部が設計通りの位置よりＸ－Ｙ平面上においてＹ方向にΔｙずれている場合、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂの反射面も同様にΔｙずれていると考えられる。このため、Δｙずれた位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂに合せて光素子２を位置合わせし、光導波路１３と受光素子２４とを接続すると、光導波路１３の反射面Ｓ１の位置がΔｙずれているにも関わらず、光導波路１３と受光素子２４とを正確に位置合わせすることができる。

さらに、第１の実施形態は、光導波路１３の反射面Ｓ１の端部がＸ－Ｙ平面上で回転方向にずれている場合（つまり図１（ａ）に示した直線Ｌが上面視において斜めになっている場合）であっても、２つの位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂが形成されていることによって対応が可能である。すなわち、マーカ２２ａ、２２ｂと位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂとがそれぞれ一致するように接続すれば、回転方向に端部がずれた光導波路１３に合わせて受光素子２４を接続することができる。このような第１の実施形態は、反射面Ｓ１の研磨の精度によらず、実装の精度の低下を回避することができる。

次に、平面光波回路１と光素子２との実装について説明する。図２（ａ）は、平面光波回路１と、光素子２との実装後の状態を示す上面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）中に示す矢線ＩＩｂ、ＩＩｂに沿う断面図である。図２（ｂ）には、図１（ａ）、図２（ａ）に示す直線Ｌを断面方向から見た位置を直線Ｌとして示す。平面光波回路１への光素子２の実装は、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂと、マーカ２２ａ、２２ｂと、を画像認識し、ダイボンダ等で合わせることによって行われる。なお、図１（ａ）、図２（ａ）に示すように、受光素子２４とマーカ２２ａ、２２ｂがｘ軸に沿う一直線上に配置されていない場合、マーカ２２ａ、２２ｂと位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂとを位置合わせした後、基板２１上のマーカ２２ａ、２２ｂと受光素子２４とのＹ方向の距離に応じてオフセットをかけて実装する。

以上のように実装された平面光波回路１から出射した光は、反射面Ｓ１で上方に反射されて受光素子２４に入射する。なお、第１の実施形態は、光素子２が受光素子２４である例について説明した。ただし、第１の実施形態は、光素子２が受光素子２４を備えるものに限定されず、レーザダイオード、マイクロエレクトリックメカニカルシステムミラー等の他の光素子を備えるものであってもよい。また、光素子２が平面光波回路であってもよい。光素子２がレーザダイオードの場合、レーザダイオードから出射した光が反射面Ｓ１で反射され、光導波路１３に入射する。

また、受光素子２４は、上面入射型でも裏面入射型でもよい。受光素子２４が上面入射型の場合、フリップチップ実装することによって平面光波回路１と光接続することができる。また、第１の実施形態は、光導波路１３が４チャネルＸ軸方向に並ぶ例を示したが、用途に応じて他のチャネル数であってもよく、１チャネルであってもよい。

なお図１においては、光素子と光結合させる光導波路１３と、位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂとが別々である例を示したが、光導波路１３をそのまま位置合わせ用導波路として用いることも可能である。さらに光回路としては任意のものに応用することが可能であり、例えば光分波器に限定されることはなく、光導波路１４も１チャネルに限定されるものでもない。例えば、４チャネルの光導波路がそのまま、４チャネルの光素子に光結合される、４チャネルアレイの光素子であってもよいし、より高機能な回路であってもよい。

さらに、実装される光素子は、第１の実施形態に限定されるものではなく、例えば、図３の基板２１のようなレンズ単体を実装したものでもよい。その時には、光導波路１４から入力された光を、例えばコリメート光ビームとして出射させ、空間系をより長距離伝搬させることが可能になり、出射後に他の光素子と組み合わせて用いることが可能になる。

平面光波回路１は、Ｓｉ基板１１上に形成されることに限定されず、石英ガラス等、他の基板材料であってもよい。また、光導波路１３のコアは、石英ガラスでもＳｉ導波路でも他材料でもよい。さらに、リッドガラス１５は、研磨の際鋭角先端の欠けが発生した場合、平面光波回路１の光学品質の劣化を防ぎ、反射面Ｓ１が形成された構成の歩留まりを向上させることが可能である。また、平面光波回路１と光素子２の距離の調整も、リッドガラス１５の厚みにより調整することが可能となり光素子２にスペーサ等の追加が不要になる。さらに、反射面Ｓ１で反射されて受光素子２４に入射する際の角度は、受光素子２４からの戻り光抑制のためＸ－Ｙ平面と垂直でなくてもよい。

以上説明したように、第１の実施形態は、これにより、反射面Ｓ１によって形成された光導波路１３の端面をマーカとすることにより、反射面Ｓ１の位置精度に左右されずに平面光波回路１と光素子２とをパッシブ実装することができる。

［第２の実施形態］
図３は、本発明の第２の実施形態を説明するための平面光波回路１及び光素子４の縦断面図である。第２の実施形態は受光素子（光受信素子）２４がレンズ２５を有し、レンズ２５を用いて平面光波回路１と受光素子２４とを接続する。なお、第２の実施形態は、受光素子２４を用いた例を挙げるが、第２実施形態は受光素子２４を用いることに限定されず、第１の実施形態と同様に、他の光素子にも適用することができる。図３に示すように、Ｓｉ基板１１の上に形成された光導波路１３を透過した光は、反射面Ｓ１によって上方に反射される。反射された光は、平面光波回路１１の上方に実装されたレンズ２５を透過した後に受光素子２４に入射する。

なお、第２の実施形態は、上記のように、レンズが受光素子に作り込まれている構成に限定されず、他の光素子を別デバイスとしてレンズにアセンブリするようにしてもよい。

第２の実施形態の実装は、第１の実施形態と同様に、反射面Ｓ１によって形成された位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂの端面と、光素子４上のマーカ２２ａ、２２ｂを画像認識によってそれぞれ２点以上検出し、ダイボンダまたはフリップチップにより行われる。第２実施形態においては、マーカ２２ａ、２２ｂはレンズ２５の側に形成してもよく、受光素子２４が形成された基板２１に形成してもよい。この点により、第2の実施形態の位置精度に差異はない。

レンズ２５の側にマーカ２２ａ、２２ｂを作りこむ場合、平面光波回路１にレンズ２５を上記方法で実装してから受光素子２４をレンズ２５に実装しても、先にレンズ２５と受光素子２４とを組み合わせてから平面光波回路１に実装してもよい。受光素子２４の側にマーカ２２ａ、２２ｂを形成する場合、先に受光素子２４にレンズ２５を実装し、さらに平面光波回路１に実装してもよい。なお、図３においては、光導波路１３上にリッドガラス１５を設けているが、リッドガラス１５は、光学設計や研磨の都合上不要であればなくてもよい。

平面光波回路１からの出射光は一般的に拡がり角が大きく、短距離でも伝搬中にビームが広がるため、レンズがない場合、受光素子の口径を大型化するか、出射光の出射口に極力近づけて受光素子を実装することが光学特性上望ましい。しかし、第１の実施形態のようにレンズ２５を設ければ、小口径の受光素子でも高感度な光受信器を実現することができる。レンズ２５と他の光学部材間距離の調節は、リッドガラス１５の厚みによって調整することが可能である。

［第３の実施形態］
図４は、本発明の第３の実施形態を説明するための平面光波回路３の縦断面図である。第３の実施形態は、Ｓｉ基板１１に代えてガラス基板１７を用いる。このときには、図５のように光導波路の下側、上側に、それぞれオーバークラッド、アンダークラッドを形成してもよい。あるいは、図４のように、光導波路１３の上側に、アンダークラッドの代わりに、ガラス基板１７をそのまま用い、下側にオーバークラッド１８を用いてもよい。第３の実施形態においても、光導波路１３から出射した光は、反射面Ｓ１で反射されてガラス基板１７を透過した後、受光素子２４に入射する。なお、ガラス基板１７を用いる第３の実施形態は、受光素子２４が、平面光波回路１の上面ではなく、裏面の側に実装される。実装は、平面光波回路１の反射面Ｓ１により形成された位置合わせ用導波路１２ａ、１２ｂをマーカとして行われる。ガラス基板１７を用いる第３の実施形態は、リッドガラスを設けることなく、ガラス基板１７によって光導波路１３と受光素子２４の距離の調整が可能である。また、研磨時に基板１０の先端の欠けが発生したとしても、光学品質を損うことがなく、加工スループットに優れた光デバイスが実現可能となる。

［第４の実施形態］
第４の実施形態は、オーバークラッド、またはアンダークラッドに層側マーカとなるパターンを形成する点で第１の実施形態から第３の実施形態と相違する。図５は、第４の実施形態の平面光波回路５を説明するための縦断面図である。図５は、位置合わせ用導波路１２ａの縦断面図である。平面光波回路３は、Ｓｉ基板１１と、光導波路１３と、リッドガラス１５と、を備えている。光導波路１３は、オーバークラッド１３ｃ、コア１３ｂ及びアンダークラッド１３ａを含んでいる。層側マーカは、例えば、オーバークラッドまたはアンダークラッドへのエッチングパターンや、平面光波回路３の上面またはＳｉ基板１１に形成されたメタルのパターンであってもよい。

パターンは、アンダークラッド、あるいはリッドガラス１５といった被パターン形成層の形成直後に形成される。このようなパターンを含む基板を研磨等して反射面Ｓ１を形成すると、反射面Ｓ１に露出するパターンが位置合わせマーカとして機能し、位置合わせマーカの視認性を高めることができる。

公知の平面光波回路においては、オーバークラッド１３ｃ及びアンダークラッド１３ａの厚さは３０μｍ程度、コア１３ｂは８μｍ程度である。図５に示すように、オーバークラッド１３ｃに設けたパターンをリッドガラス１５の上方から見た場合、パターンは、位置Ｐｏにおいてマーカとして視認される。また、アンダークラッド１３ａに設けたパターンをリッドガラス１５の上方から見た場合、パターンは、位置Ｐｕにおいてマーカとして視認される。つまり、導波路（コア）の上または下に設けられたパターンは、Ｘ－Ｙ平面上で光導波路１３の端部とＸ軸方向の一直線上に配置されないことになる。この点は、光導波路１３とマーカとの相対位置に応じて実装時にオフセットをかければよい。光導波路１３とマーカとの相対位置は、研磨角度が決まれば事前に算出可能である。

なお、第１の実施形態のように、コア自体をマーカとして用いるときも、実際には光導波路コア端面よりも、光導波路コアと位置Ｐｏの交点、あるいは位置Ｐｕとの交点の方が、認識しやすい時もあり、現実に上記のような、別レイヤに追加のマーカを形成していない図１のような構造の時も、位置Ｐｏ、Ｐｕと光導波路コアとの交点を、受光素子を実装すべき位置を認識するマーカとして用いても何ら差し支えない。

なお、第４実施形態のマーカは、以上の構成に限定されるものでなく、端面が反射面に現れるものであって、上方から見て形状が認識でき、光導波路１３とのＸ－Ｙ平面における位置関係が把握できるものであって、かつ、反射面Ｓ１の加工の状態を反映して位置が決定されるものであればよい。以上説明した第１の実施形態から第４の実施形態においては、いずれもマーカを２点形成する例を挙げて説明したが、マーカは２点以上であってもよく、数が多い方が実装時の画像認識に有利である。

１、３、５ 平面光波回路
２、４ 光素子
１０，２１ 基板
１１ Ｓｉ基板
１２ａ，１２ｂ 位置合わせ用導波路
１３，１４ 光導波路
１３ａ アンダークラッド
１３ｂ コア
１３ｃ、１８ オーバークラッド
１５ リッドガラス
１７ ガラス基板
２２ａ，２２ｂ マーカ
２４ 受光素子
２５ レンズ
Ｓ１ 反射面

Claims (8)

1. 平面光波回路であって、
   平板状の基板と、
   前記基板に形成された光導波路と、
   前記基板に形成された位置合わせ用パターンと、
   を備え、
   前記基板は、光の導波方向の端面の一方の全面に一つの傾斜面を備え、
   前記傾斜面は、前記光導波路と交差し、前記光導波路を導波した光を前記基板の一方の面の方向へ反射する、または前記基板の前記面の方向からの光を前記光導波路の方向へ反射する反射面を形成し、
   前記位置合わせ用パターンは、少なくとも前記傾斜面の近傍に形成され、前記光導波路と同一の構造を有し、前記傾斜面と交差し、
   前記位置合わせ用パターンと前記傾斜面との交点の少なくとも一つ、あるいは二つ以上の位置合わせマーカを形成する、光デバイス。
2. 前記平面光波回路の上面にリッドガラスが設けられている、請求項１に記載の光デバイス。
3. 前記平面光波回路に光合分波器を備えることを特徴とする、請求項１に記載の光デバイス。
4. 前記光導波路に接続される光素子をさらに備え、前記光素子は、１チャネル、または２アレイ以上の光受信素子、レーザダイオード、マイクロエレクトリックメカニカルシステムミラー、レンズが用いられていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
5. 前記光素子は、前記光導波路の側にレンズを備えた光受信素子である、請求項４に記載の光デバイス。
6. 前記光素子は、少なくとも１つの他の光素子とアセンブリされていることを特徴とする、請求項４に記載の光デバイス。
7. 前記基板に形成された前記光導波路は、コアと、当該コアを覆うオーバークラッド及びアンダークラッドから構成され、
   前記基板、または、前記コア、オーバークラッド、またはアンダークラッドのいずれかに、前記位置合わせ用パターンを含む、請求項１に記載の光デバイス。
8. 前記基板がガラス基板であって、前記ガラス基板に前記光素子が実装される、請求項４に記載の光デバイス。

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