JPH1168705A - 双方向wdm光送受信モジュール - Google Patents

双方向wdm光送受信モジュール

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JPH1168705A
JPH1168705A JP10027015A JP2701598A JPH1168705A JP H1168705 A JPH1168705 A JP H1168705A JP 10027015 A JP10027015 A JP 10027015A JP 2701598 A JP2701598 A JP 2701598A JP H1168705 A JPH1168705 A JP H1168705A
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JP
Japan
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transmission
wavelength
dielectric multilayer
multilayer filter
light
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JP10027015A
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Yasuyuki Inoue
靖之 井上
Toshikazu Hashimoto
俊和 橋本
Masahiro Yanagisawa
雅弘 柳澤
Yasubumi Yamada
泰文 山田
Yoshinori Hibino
善典 日比野
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Abstract

(57)【要約】 【課題】 双方向WDM光送受信モジュールにおいて、
LD光がPD光に漏れ込むクロストーク光を実用上問題
ないレベルにまで低減する。 【解決手段】 平面基板(Si基板)1上に形成された
光分岐導波路と、該光分岐導波路の分岐部に設けられた
溝10と、該溝に挿入されて入力光を波長に応じてその
透過方向および反射方向に分岐させる誘電体多層膜フィ
ルタ5と、前記平面基板1上で前記光分岐導波路に光結
合する送信用LD3および受信用PD6とから構成され
る双方向WDM光送受信モジュールであって、前記誘電
体多層膜フィルタ5の透過波長が前記受信用PD6の受
信波長に設定され、前記誘電体多層膜フィルタ5の阻止
波長が前記送信用LD3の発振波長に設定され、前記送
信用LD3および受信用PD6が前記誘電体多層膜フィ
ルタ5を挟んで対向する位置に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信あるいは光
情報処理などの分野で用いられる波長分割多重方式(以
下、単にWDMと称する)光送受信モジュールに関し、
特に、石英系プレーナ光波回路上にレーザダイオード
(以下、単にLDと称する)やフォトダイオード(以
下、単にPDと称する)をハイブリッド集積して構成し
たWDM光送受信モジュールにおいて、その波長合分波
器の構成がクロストーク光を抑制するよう配置されたこ
とを特徴とするWDM光送受信モジュールに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】例えば、上りに1.3μm帯の光信号を
用いて、下りに1.55μm帯の光信号を用いるような
システムが検討され、これを実現するための双方向WD
M光送受信モジュールが、文献 ”Hybrid integration
using silica-on-silicon optical motherboards”Caro
le Jones et al., Integrated Photonics Research,Tec
hnical Digest IThB1,pp.604-607,Boston,1996.に報告
されている。
【0003】前記文献に記載されるWDM光送受信モジ
ュールの概略構成を図11に示す。図11において、1
00は光ファイバ、101は基板、102は光導波路、
103は送信用LD、104はモニターPD、105は
方向性結合器、106は受信用PD、107は受信用増
幅器、108は漏れ光遮断材料、109はミラーであ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般的に上りと下りの
光信号の波長を変えた双方向システムでは、双方向の通
信を同時に送受する必要がある。このため双方向WDM
光送受信モジュールの大きな課題の一つが、発振光が自
らの受信部に漏れ込むクロストーク光を低減することで
ある。
【0005】前記の文献では受信用PD106を送信用
LD103に直交するよう配置してクロストーク光を低
減している(図11参照)。しかし、この構成では、送
信用LD103と受信用PD106を直交配置し、受信
用PD106から方向性結合器に至る導波路を90度に
曲げる必要があるので曲げ部分の占有面積が大きく、結
果的にモジュールのサイズも大きくなってしまう。
【0006】また、送信用LD103からの送出光は、
光ファイバ伝送路中の反射点によってモジュールに戻
り、そのうち一部は方向性結合器を介して受信用PD1
06に結合する。この受信用PD106への戻り光量
は、方向性結合器105の阻止性能で決まるが、一般的
には十分な阻止特性は得られないなどの問題点があっ
た。
【0007】本発明の目的は、双方向WDM光送受信モ
ジュールにおいて、LD光がPD光に漏れ込むクロスト
ーク光を実用上問題ないレベルにまで低減することが可
能な技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
にする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、平面基板上に形成された光分岐導波路
と、該光分岐導波路の分岐部に設けられた溝と、該溝に
挿入されて入力光を波長に応じてその透過方向および反
射方向に分岐させる誘電体多層膜フィルタと、前記平面
基板上で前記光分岐導波路に光結合する送信用LDおよ
び受信用PDとから構成される双方向WDM光送受信モ
ジュールであって、前記誘電体多層膜フィルタの透過波
長が前記受信用PDの受信波長に設定され、前記誘電体
多層膜フィルタの阻止波長が前記送信用LDの発振波長
に設定され、前記送信用LDと受信用PDが前記誘電体
多層膜フィルタを挟んで対向する位置に配置されてい
る。
【0010】また、前記送信用レーザダイオードと誘電
体多層膜フィルタと受信用フォトダイオードとを結ぶ光
導波路中に、前記送信用フォトダイオードの出射光のう
ち前記誘電体多層膜フィルタを透過する成分を遮断する
第2の誘電体多層膜フィルタが挿入されている。
【0011】即ち、従来の双方向WDM光送受信モジュ
ールのクロストーク光を大幅に低減する手法として、本
発明では、誘電体多層膜フィルタを用いた波長合分波器
を採用し、更に、送信用LDを誘電体多層膜フィルタに
対してその入出力ファイバ側(反射ポート側)に、受信
用PDをその反対側(透過ポート側)に配置することを
最も主要な特徴とする。
【0012】また、前記双方向WDM光送受信モジュー
ルにおいて、前記送信用レーザダイオードと誘電体多層
膜フィルタと受信用フォトダイオードとを結ぶ光導波路
中に、前記送信用フォトダイオードの出射光のうち前記
誘電体多層膜フィルタを透過する成分を遮断する第2の
誘電体多層膜フィルタが挿入されていることを特徴とす
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態(実施例)を詳細に説明する。
【0014】なお、実施形態(実施例)を説明するため
の全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【0015】(実施例1)図1は本発明の実施例1の双
方向WDM光送受信モジュールの概略構成を示す図であ
り、1はSi基板、2は光導波路、3は送信用LD、4
はモニターPD、5は誘電体多層膜フィルタ(波長合分
波器)、6は受信用PD、7は電気配線、8はSiテラ
ス、9は補強ガラス、10は光分岐導波路の分岐部に設
けられた溝、11は光ファイバである。
【0016】図2は図1のA−A’線で切った断面の拡
大断面図を、図3は図1のB−B’線で切った断面の拡
大断面図を、図4は図1のC−C’線で切った断面の拡
大断面図をそれぞれ示している。図2乃至図4におい
て、21は下部クラッド層(第1下部クラッド層)、2
2は高さ調整用クラッド層(第2下部クラッド層)、2
3は光導波路2のコア、24は上部クラッド層、25は
誘電体多層膜フィルタ5を固定するための接着剤、7A
は電気配線および半田である。
【0017】本実施例1の双方向WDM光送受信モジュ
ールは、図1乃至図4に示すように、Si基板1上に形
成された光分岐導波路の分岐部に溝10が設けられてい
る。この溝10に入力光を波長に応じてその透過方向お
よび反射方向に分岐させる誘電体多層膜フィルタ5が挿
入されている。前記Si基板1上で前記光分岐導波路に
光結合する送信用LD3および受信用PD6から構成さ
れる双方向WDM光送受信モジュールであって、前記誘
電体多層膜フィルタ5の透過波長が受信用PD6の受信
波長に設定され、前記誘電体多層膜フィルタ5の阻止波
長が送信用LD3の発振波長に設定され、前記送信用L
D3および受信用PD6が前記誘電体多層膜フィルタ5
を挟んで対向する位置に配置されている。
【0018】前記送信用LD3の発振波長は1.3μ
m、光ファイバ11の入光する光の波長は1.55μ
m、出光する光の波長は1.3μmである。誘電体多層
膜フィルタ5の透過波長は1.55μm、反射波長は1.
3μmである。
【0019】このように、本発明では、誘電体多層膜フ
ィルタ5を用いた波長合分波器を採用し、更に、送信用
LD3を誘電体多層膜フィルタ5に対してその入出力フ
ァイバ側(反射ポート側)に、受信用PD6をその反対
側(透過ポート側)に配置する構成とすることにより、
従来の双方向WDM光送受信モジュールのクロストーク
光を大幅に低減することができる。
【0020】次に、図5を用いてPLCプラットフォー
ムの作製法について簡単に説明する。まず、平坦なSi
基板1をパターン化して、送信用LD3/受信用PD6
を搭載するSiテラス8以外の部分を約30μmの深さ
エッチングする。この上に下部クラッド層21となるガ
ラス層を火炎堆積法で形成する(図5a)。この後、送
信用LD3/受信用PD6の搭載部のSiテラスが表面
に露出するまで平坦化研磨を行う(図5b)。この面が
送信用LD3/受信用PD6を実装する場合の光導波路
に対する高さ基準面になる。
【0021】続いて高さ調整層となる高さ調整用クラッ
ド層(第2下部クラッド層)22を設ける。次に、コア
23の層を約7μm堆積する(図5c)。コア層を光導
波路パターンにエッチング加工した後、上部クラッド層
24を堆積する(図5d)。ここでは全てクラッド層お
よびコア層の堆積は火炎堆積法を用いた。引き続き、送
信用LD3/受信用PD6搭載部のSiテラスが再度露
出するまで送信用LD3/受信用PD6搭載部のみエッ
チングする。最後に送信用LD3/受信用PD6の電極
配線および搭載用半田7Aを堆積する(図5e)。
【0022】送信用LD3/受信用PD6の実装は、そ
の搭載部に半田リフローにより接着固定する。その手法
に関しては、文献 T.Hashimoto et al.,”Hybrid integ
ration of spot-size converted laser diode on plana
r lightwave circuit platform by passive alignment
technique,”IEEE Photon.Techno1.Lett.,8,No.11,pp.1
504-1506,1996.に詳しく示されている。一般的に、LD
と光導波路とのモードフィールドは異なる。最近LDの
モードフィールドを拡大して光導波路との結合を改善し
たレーザの研究が進んでいる。それでも現状でLD/光
導波路間の結合率は50%程度である。このためLDか
ら出力された光のうち半分の光はクラッド層中に放出さ
れることになる。
【0023】図1に示す誘電体多層膜フィルタ5による
光分岐部の構成法については、詳しくは、文献 Y.Inoue
et al.,”Filter-embedded wavelength-division mult
iplexer for hybrid-integrated transceiver based on
silica-based PLC,”Electron.Lett.,Vol.32,no.9,pp,
847-848,1996.に示されている。
【0024】前記誘電体多層膜フィルタ5の誘電体多層
膜を挿入する溝10は、幅20μm、深さ150μmの
ものをダイシングソーにより形成した。誘電体多層膜フ
ィルタ5としては、例えば、ポリイミドを基板とした厚
さ14μmのものを使用した。この誘電体多層膜フィル
タ5のフィルタ反射型波長合分波器の波長特性を図6に
示す。図6に示すように、誘電体多層膜フィルタ5は透
過ポートにおいて50dBにも及ぶ高いアイソレーショ
ンを示す。
【0025】図1中に示すように、この優れた誘電体多
層膜フィルタ5が送信用LD3と受信用PD6の間に存
在するため、送信用LD3からクラッド層中に放出され
た1.3μm光が受信用PD6に結合することはなくな
る。具体的に送信用LD3の出力が受信用PD6に漏れ
込むクロストーク光は約−70dBであった。このため
1.3μm送信信号に比べて相対的にレベルの低い1.5
5μm光を、感度よく受信用PD6にて検出することが
可能であった。
【0026】また、図1に示す本実施形態の双方向WD
M光送受信モジュールでは、光ファイバ伝送路に送出さ
れた1.3μm光が伝送路中で反射されてモジュールに
戻る場合にも、誘電体多層膜フィルタ5の優れた阻止域
特性により、受信用PD6への結合を十分に抑制するこ
とができる。例えば、伝送路中の反射点における反射減
衰量を30dBとして場合、受信用PD6へ結合するク
ロストーク光は−80dB以下である。
【0027】図1の双方向WDM光送受信モジュール
は、図11の従来技術のWDM光送受信モジュールに比
較して、送信用LD3と受信用PD6を距離的に離すこ
とができる。このため送信用LD3の駆動電流が、受信
用PD6の光電流に電気的に漏れ込まないという特長も
有する。
【0028】比較のため、図1の回路構成を図7のよう
に置き換えた場合を想定してみる。この場合、送信用L
D3からクラッド層中に出射した光が誘電体多層膜フィ
ルタ5を透過して受信用PD6に結合する。この1.3
μm光は受信すべき1.55μm光に比較してそのレベ
ルが高いため、受信用PD6は精度よく1.55μmを
受信できなくなる。
【0029】図1では、1.3μm光を送信し1.55μ
m光を受信する双方向WDM光送受信モジュールの回路
構成を示したが、反対に1.55μm光を送信し1.3μ
m光を受信する双方向WDM光送受信モジュールに関し
ては、図8のように、その誘電体多層膜フィルタ5の透
過波長と阻止波長を反対にすることによって実現するこ
とができる。
【0030】(実施例2)図9は本発明の実施例2の双
方向WDM光送受信モジュールの概略構成を示す図であ
る。
【0031】本実施例2の双方向WDM光送受信モジュ
ールは、送信用LD3の発振光が受信用PD6に漏れ込
むことが大きな問題となる。図1に示す前記実施例1で
は、送信用LD3(1.3μm光)を反射する第1の誘
電体多層膜フィルタ5を送信用LD3と受信用PD6の
間に挿入した回路構成をとることにより、送信用LD3
(1.3μm光)が受信用PD6に漏れ込むことを防い
でいる。しかし、送信用LD3の光源によっては、1.
3μm発振の光になっていてもわずかに1.55μm帯
にまでスペクトルが裾を引いている場合がある。
【0032】この場合、図1に示す回路構成では送信用
LD3から出力された光のうち、第1の誘電体多層膜フ
ィルタ5を透過してしまう1.45μm〜1.55μm帯
の光が受信用PD6に結合することを防ぐことができな
い。そこで、図9に示すように、送信用LD3と前述の
第1の誘電体多層膜フィルタ5(1.3μm反射、1.
55μm透過)との間に1.55μm光を除去する第2
の誘電体多層膜フィルタ12(1.55μm反射、1.
3μm透過)が導波路に対して2〜10°傾けて挿入さ
れた回路構成にする。ここで第2の誘電体多層膜フィル
タ12を導波路に対して傾けた理由は、第2の誘電体多
層膜フィルタ12で反射された光が送信用LD3に再結
合してその動作が不安定になることを防ぐためである。
【0033】前記図9に示す構成にすることにより、送
信用LD3から出力されたわずかな1.45μm〜1.5
5μm帯の光が受信用PD6に結合するのを防ぐことが
可能になった。具体的には第2の誘電体多層膜フィルタ
12の挿入前の送信用LD3の発振光が受信用PD6に
結合する効率は−40dBであった。その値が、誘電体
多層膜フィルタ12を送信用LD3と第1の誘電体多層
膜フィルタ5の間に挿入することにより、−75dBに
まで低減することができた。
【0034】本実施例2では、送信用LD3(光源)の
発振光波長が1.3μm、受信用PD6の受信光波長が
1.55μmの場合を説明したが、送信用LD3の発振
光波長が1.55μm、受信用PD6の受信光波長が1.
3μmの場合は、図10に示す回路構成にすることによ
り同様の効果を得ることができる。すなわち、1.3μ
m光を除去する第2の誘電体多層膜フィルタ12A
(1.3μm反射、1.55μm透過)を導波路に対し
て2〜10°傾けて挿入し、第1の誘電体多層膜フィル
タ5A(1.55μm反射、1.3μm透過)を挿入す
る。
【0035】前記図9及び図10に示す回路構成にする
ことにより、更にクロストークを低減することができ
る。
【0036】以上、本発明者によってなされた発明を前
記実施形態(実施例)に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記実施形態(実施例)に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることは勿論である。
【0037】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、双方向WDM光送受信モジュールにおいて、LD出
射光が受信用PDに漏れ込むクロストーク光が−70d
Bと極めて低いので、LD光がPD光に漏れ込むクロス
トーク光を実用上問題ないレベルにまで低減することが
できる。これにより、受信感度の高い双方向WDM光送
受信モジュールを得ることができる。
【0038】また、前記送信用LDと第1の誘電体多層
膜フィルタと受信用PDとを結ぶ光導波路中に、前記送
信用LDの出射光のうち前記第1の誘電体多層膜フィル
タを透過する成分を遮断する第2の誘電体多層膜フィル
タを挿入することにより、更にクロストークを低減する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の双方向WDM光送受信モジ
ュールの概略構成を示す図である。
【図2】図1のA−A’線で切った断面の拡大断面図で
ある。
【図3】図1のB−B’線で切った断面の拡大断面図で
ある。
【図4】図1のC−C’線で切った断面の拡大断面図で
ある。
【図5】PLCプラットフォームの作製法を説明するた
めの図である。
【図6】本実施例1の誘電体多層膜フィルタのフィルタ
反射型波長合分波器の波長特性を示す図である。
【図7】本実施例1の双方向WDM光送受信モジュール
(図1)の作用と各装置の配置を置き換えた場合の作用
とを比較するための図である。
【図8】本実施例1の双方向WDM光送受信モジュール
の作用を説明するための図である。
【図9】本発明の実施例2の双方向WDM光送受信モジ
ュールの概略構成を示す図である。
【図10】本発明の実施例2の別の双方向WDM光送受
信モジュールの概略構成を示す図である。
【図11】従来のWDM光送受信モジュールの概略構成
を示す図である。
【符号の説明】
1…Si基板、2…光導波路、3…送信用LD、4…モ
ニターPD、5…第1の誘電体多層膜フィルタ、6…受
信用PD、7…電気配線、7A…電気配線および半田、
8…Siテラス、9…補強ガラス、10…溝、11…光
ファイバ、12…第2の誘電体多層膜フィルタ、21…
下部クラッド層、22…高さ調整用クラッド層、23…
光導波路のコア、24…上部クラッド層、25…接着
剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/14 10/04 10/06 (72)発明者 山田 泰文 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 日比野 善典 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平面基板上に形成された光分岐導波路
    と、該光分岐導波路の分岐部に設けられた溝と、該溝に
    挿入されて入力光を波長に応じてその透過方向および反
    射方向に分岐させる誘電体多層膜フィルタと、前記平面
    基板上で前記光分岐導波路に光結合する送信用レーザダ
    イオードおよび受信用フォトダイオードとから構成され
    る双方向WDM光送受信モジュールであって、前記誘電
    体多層膜フィルタの透過波長が前記受信用フォトダイオ
    ードの受信波長に設定され、前記誘電体多層膜フィルタ
    の阻止波長が前記送信用レーザダイオードの発振波長に
    設定され、前記送信用レーザダイオードと受信用フォト
    ダイオードが前記誘電体多層膜フィルタを挟んで対向す
    る位置に配置されていることを特徴とする双方向WDM
    光送受信モジュール。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の双方向WDM光送受信
    モジュールにおいて、前記送信用レーザダイオードと誘
    電体多層膜フィルタと受信用フォトダイオードとを結ぶ
    光導波路中に、前記送信用フォトダイオードの出射光の
    うち前記誘電体多層膜フィルタを透過する成分を遮断す
    る第2の誘電体多層膜フィルタが挿入されていることを
    特徴とする双方向WDM光送受信モジュール。
JP10027015A 1997-06-10 1998-02-09 双方向wdm光送受信モジュール Pending JPH1168705A (ja)

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Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002131586A (ja) * 2000-10-23 2002-05-09 Nec Corp 光通信モジュールとその製造方法
US6480647B1 (en) 1998-06-04 2002-11-12 Nec Corporation Waveguide-type wavelength multiplexing optical transmitter/receiver module
EP1312960A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Optical transmitting/receiving module and optical transmitting/receiving device comprising the same
JP2004020978A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信用素子と光通信用素子の製造方法
US6684012B2 (en) 2000-09-13 2004-01-27 Nec Corporation Optical communication module and process for producing the same
US6748143B2 (en) 2002-05-10 2004-06-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transceiver module and optical communications system using the same
US6793410B2 (en) 2001-12-25 2004-09-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications module
US6798932B2 (en) 2002-02-13 2004-09-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Parallel light emitting device—photosensitive device module
US6819840B2 (en) 2001-06-25 2004-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical transmitting/receiving module and method for manufacturing the same
US6859601B2 (en) 2001-09-20 2005-02-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical waveguide-integrated substrate, method for producing the substrate, and optical transceiver using the substrate
US6863449B2 (en) 2002-02-08 2005-03-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Parallel light emitting device—photosensitive device module
US6870595B1 (en) 1998-09-22 2005-03-22 Minolta Co., Ltd. Optical filter device and method of making same
US6882763B2 (en) 2002-04-03 2005-04-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multichannel optical communications module
US6886996B2 (en) 2002-06-19 2005-05-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide, optical module, and method for producing the same module
US6904209B2 (en) 2002-04-26 2005-06-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communication module
US6937779B2 (en) 2000-12-01 2005-08-30 Nec Corporation Optical module
JP2005532592A (ja) * 2002-07-03 2005-10-27 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 真位置ベンチ
US6973239B2 (en) 2001-02-14 2005-12-06 Nec Corporation Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element
US7142740B2 (en) 2004-09-09 2006-11-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Planar lightwave circuit type optical transceiver module
JP2008209904A (ja) * 2007-01-30 2008-09-11 Nec Corp 双方向光送受信モジュール、光送受信器、及び双方向光送受信モジュール製造方法
US7486846B2 (en) 2004-02-17 2009-02-03 Hammatsu Photonics K.K. Optical transmitting /receiving module
US8049159B2 (en) 2007-07-31 2011-11-01 Nec Corporation Optical transmitter-receiver subassembly and optical transmitter-receiver module
US8532494B2 (en) 2009-09-29 2013-09-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical bidirectional communication module and optical bidirectional communication apparatus
CN104065417A (zh) * 2014-07-02 2014-09-24 潘国新 一体式光收发组件
CN104092500A (zh) * 2014-07-13 2014-10-08 潘国新 一体式光收发组件
US20160291268A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Oki Electric Industry Co., Ltd. Bidirectional optical communication module

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6480647B1 (en) 1998-06-04 2002-11-12 Nec Corporation Waveguide-type wavelength multiplexing optical transmitter/receiver module
US6870595B1 (en) 1998-09-22 2005-03-22 Minolta Co., Ltd. Optical filter device and method of making same
US6684012B2 (en) 2000-09-13 2004-01-27 Nec Corporation Optical communication module and process for producing the same
US6853776B2 (en) 2000-10-23 2005-02-08 Nec Corporation Optical communication module and manufacturing method thereof
JP2002131586A (ja) * 2000-10-23 2002-05-09 Nec Corp 光通信モジュールとその製造方法
US7140131B2 (en) 2000-10-23 2006-11-28 Nec Corporation Optical communication module and manufacturing method thereof
US6937779B2 (en) 2000-12-01 2005-08-30 Nec Corporation Optical module
US6973239B2 (en) 2001-02-14 2005-12-06 Nec Corporation Optical semiconductor module equipped with a light monitor for monitoring signal light emitted from a light emitting element
US6819840B2 (en) 2001-06-25 2004-11-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical transmitting/receiving module and method for manufacturing the same
US6859601B2 (en) 2001-09-20 2005-02-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical waveguide-integrated substrate, method for producing the substrate, and optical transceiver using the substrate
EP1312960A1 (en) * 2001-11-19 2003-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Optical transmitting/receiving module and optical transmitting/receiving device comprising the same
US6793410B2 (en) 2001-12-25 2004-09-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications module
US6863449B2 (en) 2002-02-08 2005-03-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Parallel light emitting device—photosensitive device module
US6798932B2 (en) 2002-02-13 2004-09-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Parallel light emitting device—photosensitive device module
US7153037B2 (en) 2002-04-03 2006-12-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multichannel optical communications module
US6882763B2 (en) 2002-04-03 2005-04-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multichannel optical communications module
US6904209B2 (en) 2002-04-26 2005-06-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communication module
US6748143B2 (en) 2002-05-10 2004-06-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transceiver module and optical communications system using the same
US6877914B2 (en) 2002-06-18 2005-04-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications module and method for producing the module
US7044659B2 (en) 2002-06-18 2006-05-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications module and method for producing the module
JP2004020978A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信用素子と光通信用素子の製造方法
US6904220B2 (en) 2002-06-19 2005-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide, optical module, and method for producing same module
US6886996B2 (en) 2002-06-19 2005-05-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide, optical module, and method for producing the same module
JP2005532592A (ja) * 2002-07-03 2005-10-27 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 真位置ベンチ
US7486846B2 (en) 2004-02-17 2009-02-03 Hammatsu Photonics K.K. Optical transmitting /receiving module
US7142740B2 (en) 2004-09-09 2006-11-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Planar lightwave circuit type optical transceiver module
JP2008209904A (ja) * 2007-01-30 2008-09-11 Nec Corp 双方向光送受信モジュール、光送受信器、及び双方向光送受信モジュール製造方法
US8049159B2 (en) 2007-07-31 2011-11-01 Nec Corporation Optical transmitter-receiver subassembly and optical transmitter-receiver module
US8532494B2 (en) 2009-09-29 2013-09-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Optical bidirectional communication module and optical bidirectional communication apparatus
CN104065417A (zh) * 2014-07-02 2014-09-24 潘国新 一体式光收发组件
CN104092500A (zh) * 2014-07-13 2014-10-08 潘国新 一体式光收发组件
US20160291268A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Oki Electric Industry Co., Ltd. Bidirectional optical communication module
US9726839B2 (en) 2015-03-30 2017-08-08 Oki Electric Industry Co., Ltd. Bidirectional optical communication module

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