JP3011735B2 - 光モジュール - Google Patents
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の詳細な説明】 目次 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段及び作用 実 施 例 発明の効果 概要 波長分割多重光伝送に用いられる光モジュールに関
し、 構成が簡単な上記光モジュールの提供を目的とし、 例えば、光伝送路からの光を波長分離して複数の受光
系光半導体素子により受光するようにした波長分割多重
受信機用光モジュールにおいて、上記受光系光半導体素
子をエネルギーギャップの大きい順に上記光伝送路側か
ら同一光路上に配列して構成する。
し、 構成が簡単な上記光モジュールの提供を目的とし、 例えば、光伝送路からの光を波長分離して複数の受光
系光半導体素子により受光するようにした波長分割多重
受信機用光モジュールにおいて、上記受光系光半導体素
子をエネルギーギャップの大きい順に上記光伝送路側か
ら同一光路上に配列して構成する。
産業上の利用分野 本発明は、光信号処理、光応用計測、光通信等の分野
において、波長分割多重光伝送に用いられる光モジュー
ルに関する。
において、波長分割多重光伝送に用いられる光モジュー
ルに関する。
近年、例えば、光加入者系に波長分割多重光伝送技術
を導入して、映像情報の提供や通信等についての多岐に
渡るサービスを展開しようとする試みがなされている。
この種の光加入者系ネットワークにおいては、光伝送路
からの光を波長分離して複数の受光素子により受光する
ようにした受信機用光モジュール、複数の発光素子から
の光を合波して光伝送路に送出するようにした送信機用
光モジュール、あるいは、これら両者の機能を併せ持つ
送受信機用光モジュールが必要となる。これらの光モジ
ュールは光加入者の側においても使用されるので、構成
が簡単で低コストなものが要求されている。
を導入して、映像情報の提供や通信等についての多岐に
渡るサービスを展開しようとする試みがなされている。
この種の光加入者系ネットワークにおいては、光伝送路
からの光を波長分離して複数の受光素子により受光する
ようにした受信機用光モジュール、複数の発光素子から
の光を合波して光伝送路に送出するようにした送信機用
光モジュール、あるいは、これら両者の機能を併せ持つ
送受信機用光モジュールが必要となる。これらの光モジ
ュールは光加入者の側においても使用されるので、構成
が簡単で低コストなものが要求されている。
従来の技術 第９図に双方向波長分割多重送受信機用光モジュール
の従来の構成例を示す。この光モジュールは、0.8μｍ
帯の光を送信し、1.3μｍ帯及び1.5μｍ帯の光を受信す
る。102は石英ガラス等からなるガラスブロックであ
り、このガラスブロック102の相対する面には異なる種
類のフィルタ膜104,106が形成されている。ガラスブロ
ック102の周囲には、所定の位置関係で0.8μｍ帯で発光
するLD（半導体レーザ）等の発光系光半導体素子108
と、1.5μｍ帯の光を受光するPD（ホトダイオード）等
の受光系光半導体素子110と、1.3μｍ帯の光を受光する
PD等のもう一つの受光系光半導体素子112とがそれぞれ
コリメート又は集光用のレンズ114,116,118とともに設
けられている。発光系光半導体素子108から放射された
光は、レンズ114で概略コリメートされ、フィルタ膜104
を透過してレンズ120により収束されて光ファイバ122に
入射する。光ファイバ122は光コネクタ124により図示し
ない光伝送路に接続される。光伝送路により伝送されて
きた1.5μｍ帯の光が光ファイバ122の端面から放射され
ると、この光はレンズ120により概略コリメートされ
て、フィルタ膜104で反射され、更にフィルタ膜106で反
射されてレンズ116により収束されて受光系光半導体素
子110に入射する。又、光ファイバ122の端面から放射さ
れた1.3μｍ帯の光は、レンズ120により概略コリメート
されて、フィルタ膜104で反射され、フィルタ膜106を今
度は透過してレンズ118により収束されて受光系光半導
体素子112に入射する。
の従来の構成例を示す。この光モジュールは、0.8μｍ
帯の光を送信し、1.3μｍ帯及び1.5μｍ帯の光を受信す
る。102は石英ガラス等からなるガラスブロックであ
り、このガラスブロック102の相対する面には異なる種
類のフィルタ膜104,106が形成されている。ガラスブロ
ック102の周囲には、所定の位置関係で0.8μｍ帯で発光
するLD（半導体レーザ）等の発光系光半導体素子108
と、1.5μｍ帯の光を受光するPD（ホトダイオード）等
の受光系光半導体素子110と、1.3μｍ帯の光を受光する
PD等のもう一つの受光系光半導体素子112とがそれぞれ
コリメート又は集光用のレンズ114,116,118とともに設
けられている。発光系光半導体素子108から放射された
光は、レンズ114で概略コリメートされ、フィルタ膜104
を透過してレンズ120により収束されて光ファイバ122に
入射する。光ファイバ122は光コネクタ124により図示し
ない光伝送路に接続される。光伝送路により伝送されて
きた1.5μｍ帯の光が光ファイバ122の端面から放射され
ると、この光はレンズ120により概略コリメートされ
て、フィルタ膜104で反射され、更にフィルタ膜106で反
射されてレンズ116により収束されて受光系光半導体素
子110に入射する。又、光ファイバ122の端面から放射さ
れた1.3μｍ帯の光は、レンズ120により概略コリメート
されて、フィルタ膜104で反射され、フィルタ膜106を今
度は透過してレンズ118により収束されて受光系光半導
体素子112に入射する。
この光モジュールを光加入者系に導入すると、1.3μ
ｍ帯及び1.5μｍ帯を用いて加入者への２チャネルの情
報提供が可能になり、加入者からの１チャネルの情報伝
送が可能になる。
ｍ帯及び1.5μｍ帯を用いて加入者への２チャネルの情
報提供が可能になり、加入者からの１チャネルの情報伝
送が可能になる。
発明が解決しようとする課題 このように従来技術によると、波長分割多重された異
なる波長の光を分離するために、あるいは異なる波長の
光を同一の光伝送路に送出するためにフィルタ膜その他
の波長分離手段が必要であり、且つこの種の手段は高価
であるから、光モジュールの低コスト化が困難であっ
た。
なる波長の光を分離するために、あるいは異なる波長の
光を同一の光伝送路に送出するためにフィルタ膜その他
の波長分離手段が必要であり、且つこの種の手段は高価
であるから、光モジュールの低コスト化が困難であっ
た。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、
構成が簡単で低コスト化に適した光モジュールの提供を
目的としている。
構成が簡単で低コスト化に適した光モジュールの提供を
目的としている。
課題を解決するための手段及び作用 上述した技術的課題は、第１図乃至第３図に基本構成
を示すような光モジュールにより解決される。
を示すような光モジュールにより解決される。
第１図に示された光モジュールは、光伝送路２からの
光を波長分離して複数の受光系光半導体素子４により受
光するようにした波長分割多重受信機用光モジュールに
おいて、上記受光系光半導体素子４をエネルギーギャッ
プの大きい順に上記光伝送路２側から同一光路上に配列
したものである。尚、第１図においては、複数の受光系
光半導体素子として４つの光半導体素子４が図示されて
いる。
光を波長分離して複数の受光系光半導体素子４により受
光するようにした波長分割多重受信機用光モジュールに
おいて、上記受光系光半導体素子４をエネルギーギャッ
プの大きい順に上記光伝送路２側から同一光路上に配列
したものである。尚、第１図においては、複数の受光系
光半導体素子として４つの光半導体素子４が図示されて
いる。
この構成によると、各受光系光半導体素子４をエネル
ギーギャップの大きい順に光伝送路２側から配列してい
るので、各受光系光半導体素子４が受光する光の波長を
光伝送路２の側から順にλ１、λ２、λ３、λ４、とす
ると、これらは、 λ１＜λ２＜λ３＜λ４ を満足する。ところで、一般に、光半導体素子において
は、当該光半導体素子が受光または発光する光の波長と
同等かそれよりも短い波長を有する光については高効率
で吸収し、それよりも長い波長を有する光については、
高効率で透過するという性質がある。このため、各受光
系光半導体素子４は波長選択フィルタとして機能するよ
うになる。即ち、波長λ１〜λ４の光が波長多重されて
光伝送路２により伝送されてくると、これらのうち、波
長λ１の光は一つめの素子４により受光され、波長λ２
〜λ４の光はこの一つめの素子４を透過する。同じよう
にして、二つめ以降の素子４についても該当する波長の
光のみを受光してそれ以外の光を透過する。このように
して、従来のように特にフィルタ等の波長分離手段を用
いることなしに、波長分割多重された各々の光をそれぞ
れの素子４により受光することができる。
ギーギャップの大きい順に光伝送路２側から配列してい
るので、各受光系光半導体素子４が受光する光の波長を
光伝送路２の側から順にλ１、λ２、λ３、λ４、とす
ると、これらは、 λ１＜λ２＜λ３＜λ４ を満足する。ところで、一般に、光半導体素子において
は、当該光半導体素子が受光または発光する光の波長と
同等かそれよりも短い波長を有する光については高効率
で吸収し、それよりも長い波長を有する光については、
高効率で透過するという性質がある。このため、各受光
系光半導体素子４は波長選択フィルタとして機能するよ
うになる。即ち、波長λ１〜λ４の光が波長多重されて
光伝送路２により伝送されてくると、これらのうち、波
長λ１の光は一つめの素子４により受光され、波長λ２
〜λ４の光はこの一つめの素子４を透過する。同じよう
にして、二つめ以降の素子４についても該当する波長の
光のみを受光してそれ以外の光を透過する。このように
して、従来のように特にフィルタ等の波長分離手段を用
いることなしに、波長分割多重された各々の光をそれぞ
れの素子４により受光することができる。
第２図に示された光モジュールは、複数の発光系光半
導体素子６からの光を合波して光伝送路２に送出するよ
うにした波長分割多重送信機用光モジュールにおいて、
上記発光系光半導体素子６をエネルギーギャップの大き
い順に上記光伝送路２側から同一光路上に配列したもの
である。この図においても複数の発光系光半導体素子と
して四つの素子６が図示されている。
導体素子６からの光を合波して光伝送路２に送出するよ
うにした波長分割多重送信機用光モジュールにおいて、
上記発光系光半導体素子６をエネルギーギャップの大き
い順に上記光伝送路２側から同一光路上に配列したもの
である。この図においても複数の発光系光半導体素子と
して四つの素子６が図示されている。
この場合、各素子６が出力する光の波長を光伝送路２
の側からλ11、λ12、λ13、λ14とすると、これらは、 λ11＜λ12＜λ13＜λ14 の関係を満足する。従って、第２図において各素子６か
ら出力された光はそれよりも左側に図示されている素子
６を良好に透過して光伝送路２に入力することになる。
このようにして、複数の発光系光半導体素子６からの光
を合波することができるようになり、波長分割多重光伝
送が可能になる。
の側からλ11、λ12、λ13、λ14とすると、これらは、 λ11＜λ12＜λ13＜λ14 の関係を満足する。従って、第２図において各素子６か
ら出力された光はそれよりも左側に図示されている素子
６を良好に透過して光伝送路２に入力することになる。
このようにして、複数の発光系光半導体素子６からの光
を合波することができるようになり、波長分割多重光伝
送が可能になる。
第３図に示された光モジュールは、光伝送路２からの
光を必要に応じて波長分離して単一又は複数の受光系光
半導体素子４により受光し、単一又は複数の発光系光半
導体素子６からの光を必要に応じて合波して上記光伝送
路２に送出するようにした双方向波長分割多重送受信機
用光モジュールにおいて、上記受光系及び発光系光半導
体素子4,6をエネルギーギャップの大きい順に上記光伝
送路２側から同一光路上に配列したものである。第３図
においては、便宜上光伝送路２の側から二つの発光系光
半導体素子６と二つの受光系光半導体素子４とがこの順
に配列されている。各素子が発光しあるいは受光する光
の波長をλ21、λ22、λ23、λ24とすると、これらは、 λ21＜λ22＜λ23＜λ24 の関係を満足する。
光を必要に応じて波長分離して単一又は複数の受光系光
半導体素子４により受光し、単一又は複数の発光系光半
導体素子６からの光を必要に応じて合波して上記光伝送
路２に送出するようにした双方向波長分割多重送受信機
用光モジュールにおいて、上記受光系及び発光系光半導
体素子4,6をエネルギーギャップの大きい順に上記光伝
送路２側から同一光路上に配列したものである。第３図
においては、便宜上光伝送路２の側から二つの発光系光
半導体素子６と二つの受光系光半導体素子４とがこの順
に配列されている。各素子が発光しあるいは受光する光
の波長をλ21、λ22、λ23、λ24とすると、これらは、 λ21＜λ22＜λ23＜λ24 の関係を満足する。
このように構成された送受信機用光モジュールにおい
ても、これまでに説明した作用と同様の作用により、波
長λ21、λ22の光の合波と波長λ23、λ24の光の波長分
離とがなされる。尚、発光系光半導体素子６の数が１で
ある場合には合波はなされず、又、受光系光半導体素子
４の数が１の場合には波長分離はなされない。
ても、これまでに説明した作用と同様の作用により、波
長λ21、λ22の光の合波と波長λ23、λ24の光の波長分
離とがなされる。尚、発光系光半導体素子６の数が１で
ある場合には合波はなされず、又、受光系光半導体素子
４の数が１の場合には波長分離はなされない。
各受光系光半導体素子４又は発光系光半導体素子６を
同一光路上に配列する場合における上記光路は、レンズ
等を用いて平行光ビーム系を形成し、あるいは光ファイ
バを用い、あるいは光導波路を用いて実現することがで
きる。
同一光路上に配列する場合における上記光路は、レンズ
等を用いて平行光ビーム系を形成し、あるいは光ファイ
バを用い、あるいは光導波路を用いて実現することがで
きる。
実 施 例 以下、本発明の実施例を説明する。
第４図に本発明の実施に使用することができるサブセ
ットの斜視図を示す。このサブセット24は、セラミック
基板、半導体サブストレート等からなるカード状の基板
12に受光系又は発光系光半導体素子4,6をこれが基板12
の表面及び裏面に表出するように埋め込んで構成されて
いる。10は受光系又は発光系光半導体素子4,6の受光面
又発光面である。受光系光半導体素子としては、透過形
に構成されたホトダイオード等を用いることができ、発
光系光半導体素子としては面発光形の半導体レーザを用
いることができる。受光面又は発光面の周囲に設けられ
たリング状の電極11は、ボンディングワイヤ18により基
板12の表面及び裏面に設けられた導体パターン14,16に
それぞれ接続されており、裏面側の導体パターン16はバ
イアホール20により表面側の導体パターン22に接続され
ている。このような配線形態を採用することによって、
基板12の表面側に設けられた導体パターン14,22を介し
て受光信号の取出し又は発光駆動電力の供給を行うこと
ができる。受光系又は発光系光半導体素子4,6の高速動
作性を確保することを目的として配線を短く行おうとす
る場合には、受光系素子に対するフロントエンド増幅器
や発光系素子に対する駆動回路等の電子回路を基板12上
又は基板12の内部に形成してもよい。又、素子の受光面
又は発光面を保護するために、受光面又は発光面を覆う
ように気密窓を形成してもよい。発光系光半導体素子が
搭載されるサブセットにあっては、出力光を効率的に取
り出すために、一方の発光面に出力光の波長の光のみを
反射する反射膜を形成してもよい。この場合、反射膜が
形成された側を光伝送路と反対の側に配置して双方向波
長分割多重送受信機用光モジュールを構成することによ
って、送信と受信を同時に行うことができるようにな
る。反射膜は誘電体多層膜をコーティングする等により
形成することができる。単体の光フィルタを発光系光半
導体素子の一方の面に固着して反射膜としてもよい。
ットの斜視図を示す。このサブセット24は、セラミック
基板、半導体サブストレート等からなるカード状の基板
12に受光系又は発光系光半導体素子4,6をこれが基板12
の表面及び裏面に表出するように埋め込んで構成されて
いる。10は受光系又は発光系光半導体素子4,6の受光面
又発光面である。受光系光半導体素子としては、透過形
に構成されたホトダイオード等を用いることができ、発
光系光半導体素子としては面発光形の半導体レーザを用
いることができる。受光面又は発光面の周囲に設けられ
たリング状の電極11は、ボンディングワイヤ18により基
板12の表面及び裏面に設けられた導体パターン14,16に
それぞれ接続されており、裏面側の導体パターン16はバ
イアホール20により表面側の導体パターン22に接続され
ている。このような配線形態を採用することによって、
基板12の表面側に設けられた導体パターン14,22を介し
て受光信号の取出し又は発光駆動電力の供給を行うこと
ができる。受光系又は発光系光半導体素子4,6の高速動
作性を確保することを目的として配線を短く行おうとす
る場合には、受光系素子に対するフロントエンド増幅器
や発光系素子に対する駆動回路等の電子回路を基板12上
又は基板12の内部に形成してもよい。又、素子の受光面
又は発光面を保護するために、受光面又は発光面を覆う
ように気密窓を形成してもよい。発光系光半導体素子が
搭載されるサブセットにあっては、出力光を効率的に取
り出すために、一方の発光面に出力光の波長の光のみを
反射する反射膜を形成してもよい。この場合、反射膜が
形成された側を光伝送路と反対の側に配置して双方向波
長分割多重送受信機用光モジュールを構成することによ
って、送信と受信を同時に行うことができるようにな
る。反射膜は誘電体多層膜をコーティングする等により
形成することができる。単体の光フィルタを発光系光半
導体素子の一方の面に固着して反射膜としてもよい。
第４図に示されたサブセットを用いて構成される双方
向波長分割多重送受信機用光モジュールの一例を第５図
により説明する。第５図はこの光モジュールの斜視図で
ある。この実施例では光伝送路との接続用の光コネクタ
26に接続された光ファイバ28をスリーブ状の保持部材30
の細孔に挿入固定し、この保持部材30に光ファイバ28に
達する三つの切り込み32を形成して光ファイバ28を三箇
所で切断し、サブセットの発光面又は受光面が光軸上に
位置するように三つのサブセット24a,24b,24cをそれぞ
れ切り込み32に嵌合して光モジュールを構成している。
各切り込み32内に嵌合されたサブセット24a,24b,24c
は、光ファイバの材質である石英の屈折率と同等の屈折
率を有する接着剤により保持部材30に固定されており、
各発光又は受光素子の発光又は受光面にはこの接着剤に
対して低反射となるような誘電体膜等の膜が形成されて
いる。こうすることにより、素子の発光面は受光面での
不所望な反射を防止することができる。このような反射
を更に効果的に防止するために、発光面又は受光面が光
軸に垂直な面に対して斜めになるように切り込み32を形
成してもよい。この場合、発光面又は受光面が光軸に垂
直な面に対してなす角度を60゜以下に設定することによ
って、素子と光ファイバとの間の高い光結合効率を維持
することができる。受光系光半導体素子が搭載されるサ
ブセットにおける受光径は光ファイバ28のスポットサイ
ズよりも大きくしておき、高い光結合効率を得ることが
できるようにする。又、回折による透過損失を低減する
ために、各サブセットの厚み及び切り込み32の幅はでき
るだけ小さくしておく。
向波長分割多重送受信機用光モジュールの一例を第５図
により説明する。第５図はこの光モジュールの斜視図で
ある。この実施例では光伝送路との接続用の光コネクタ
26に接続された光ファイバ28をスリーブ状の保持部材30
の細孔に挿入固定し、この保持部材30に光ファイバ28に
達する三つの切り込み32を形成して光ファイバ28を三箇
所で切断し、サブセットの発光面又は受光面が光軸上に
位置するように三つのサブセット24a,24b,24cをそれぞ
れ切り込み32に嵌合して光モジュールを構成している。
各切り込み32内に嵌合されたサブセット24a,24b,24c
は、光ファイバの材質である石英の屈折率と同等の屈折
率を有する接着剤により保持部材30に固定されており、
各発光又は受光素子の発光又は受光面にはこの接着剤に
対して低反射となるような誘電体膜等の膜が形成されて
いる。こうすることにより、素子の発光面は受光面での
不所望な反射を防止することができる。このような反射
を更に効果的に防止するために、発光面又は受光面が光
軸に垂直な面に対して斜めになるように切り込み32を形
成してもよい。この場合、発光面又は受光面が光軸に垂
直な面に対してなす角度を60゜以下に設定することによ
って、素子と光ファイバとの間の高い光結合効率を維持
することができる。受光系光半導体素子が搭載されるサ
ブセットにおける受光径は光ファイバ28のスポットサイ
ズよりも大きくしておき、高い光結合効率を得ることが
できるようにする。又、回折による透過損失を低減する
ために、各サブセットの厚み及び切り込み32の幅はでき
るだけ小さくしておく。
光コネクタ26の側から順に設けられるサブセット24a,
24b,24cは具体的には次のようなものである。即ち、サ
ブセット24aには発光系光半導体素子４として波長0.8μ
ｍ帯の面発光半導体レーザが搭載されており、サブセッ
ト24bには波長1.3μｍ帯のホトダイオードが受光系光半
導体素子４として搭載されており、サブセット24cには
波長1.5μｍ帯のホトダイオードが受光系光半導体素子
４として搭載されている。サブセット24aに搭載された
半導体レーザのファブリペロ共振器を構成する反射鏡と
しては、波長0.8μｍ帯でのみ高い反射率を有するもの
を使用する。
24b,24cは具体的には次のようなものである。即ち、サ
ブセット24aには発光系光半導体素子４として波長0.8μ
ｍ帯の面発光半導体レーザが搭載されており、サブセッ
ト24bには波長1.3μｍ帯のホトダイオードが受光系光半
導体素子４として搭載されており、サブセット24cには
波長1.5μｍ帯のホトダイオードが受光系光半導体素子
４として搭載されている。サブセット24aに搭載された
半導体レーザのファブリペロ共振器を構成する反射鏡と
しては、波長0.8μｍ帯でのみ高い反射率を有するもの
を使用する。
第６図に、各サブセットに搭載される素子の光透過率
の波長依存性を示す。縦軸は光透過率、横軸は波長であ
る。A,B,Cで示される曲線はそれぞれサブセット24a,24
b,24cに搭載される素子の特性を表している。各素子
は、当該素子が発光又は受光する光の波長と同等又はそ
れよりも小さい波長の光についてはこれを良好に吸収
し、それよりも大きい波長の光についてはこれを良好に
透過させるものである。このため、第５図に示された構
成において、図示しない光伝送路から伝送されてきた波
長1.3μｍ帯の光はサブセット24aの発光系光半導体素子
６を透過してサブセット24bの受光系光半導体素子４で
受光されることになる。光伝送路からの波長1.5μｍ帯
の光は、同じようにしてサブセット24a,24bの各素子を
透過してサブセット24cの受光系光半導体素子４により
受光される。一方、サブセット24aに搭載された発光系
光半導体素子６から放射された光は、この実施例ではサ
ブセット24aのサブセット24b側に反射膜が形成されてい
るので、光ファイバ28を介して良好に光伝送路に結合さ
れる。このようにして双方向波長分割多重光伝送が可能
になる。
の波長依存性を示す。縦軸は光透過率、横軸は波長であ
る。A,B,Cで示される曲線はそれぞれサブセット24a,24
b,24cに搭載される素子の特性を表している。各素子
は、当該素子が発光又は受光する光の波長と同等又はそ
れよりも小さい波長の光についてはこれを良好に吸収
し、それよりも大きい波長の光についてはこれを良好に
透過させるものである。このため、第５図に示された構
成において、図示しない光伝送路から伝送されてきた波
長1.3μｍ帯の光はサブセット24aの発光系光半導体素子
６を透過してサブセット24bの受光系光半導体素子４で
受光されることになる。光伝送路からの波長1.5μｍ帯
の光は、同じようにしてサブセット24a,24bの各素子を
透過してサブセット24cの受光系光半導体素子４により
受光される。一方、サブセット24aに搭載された発光系
光半導体素子６から放射された光は、この実施例ではサ
ブセット24aのサブセット24b側に反射膜が形成されてい
るので、光ファイバ28を介して良好に光伝送路に結合さ
れる。このようにして双方向波長分割多重光伝送が可能
になる。
保持部材30としては、アルミナセラミクス等からなる
光コネクタ用フェルールを用いることができる。この場
合光コネクタ26におけるフェルールと保持部材30とを共
通化して光コネクタ形の光モジュールを構成してもよ
い。
光コネクタ用フェルールを用いることができる。この場
合光コネクタ26におけるフェルールと保持部材30とを共
通化して光コネクタ形の光モジュールを構成してもよ
い。
この実施例では各サブセットを保持部材30の切り込み
32に嵌合させているが、いずれか一つのサブセットを保
持部材30の光コネクタ26と反対の側の端面に装着して、
切り込み32を一つ減らして製造を容易化するようにして
もよい。この場合、保持部材30の端面に設けられたサブ
セットの発光面又は受光面における反射を低減するため
に、保持部材30の端面を予め光軸に垂直な面に対して斜
めに形成しておくとよい。
32に嵌合させているが、いずれか一つのサブセットを保
持部材30の光コネクタ26と反対の側の端面に装着して、
切り込み32を一つ減らして製造を容易化するようにして
もよい。この場合、保持部材30の端面に設けられたサブ
セットの発光面又は受光面における反射を低減するため
に、保持部材30の端面を予め光軸に垂直な面に対して斜
めに形成しておくとよい。
第７図は第５図に示された光モジュールと同等の機能
を有する光モジュールの斜視図である。この実施例で
は、直方体形状の保持部材30′を用い、その一側面にサ
ブセットの位置決め用の側板34を設け、側板34が設けら
れた面に対向する面に配線用のブロック36を設けてい
る。各サブセットの導体パターン14,22はそれぞれボン
ディングワイヤ42によりブロック36上に形成された導体
パターン38,40に接続されている。
を有する光モジュールの斜視図である。この実施例で
は、直方体形状の保持部材30′を用い、その一側面にサ
ブセットの位置決め用の側板34を設け、側板34が設けら
れた面に対向する面に配線用のブロック36を設けてい
る。各サブセットの導体パターン14,22はそれぞれボン
ディングワイヤ42によりブロック36上に形成された導体
パターン38,40に接続されている。
この実施例によると、側板34を設けているので、各サ
ブセットの形状及び保持部材30′の形状を特定しておく
とともに、各サブセットの装着に際して各サブセットが
側板34に当接するように製造作業を行うことによって、
各サブセットについての光軸調整が不要になる。図示は
しないがブロック36上にフロントエンド増幅器や駆動回
路等の電子回路を搭載することによって、配線長さを短
くして高速動作性を確保することができる。
ブセットの形状及び保持部材30′の形状を特定しておく
とともに、各サブセットの装着に際して各サブセットが
側板34に当接するように製造作業を行うことによって、
各サブセットについての光軸調整が不要になる。図示は
しないがブロック36上にフロントエンド増幅器や駆動回
路等の電子回路を搭載することによって、配線長さを短
くして高速動作性を確保することができる。
第８図は本発明の更に他の実施例を示す光モジュール
の側面図である。この実施例では、導波路基板42上にリ
ッジ形光導波路等の光導波路44を形成し、この光導波路
44を切断するような二つの切り込み46を導波路基板42に
形成し、これらの切り込み46にサブセット24a,24bを装
着し、残ったサブセット24cについては導波路基板42の
端面に貼着している。各サブセットの発光面又は受光面
は光導波路光軸上に位置するようにされている。図示し
ない光伝送路に接続される光ファイバ28は、リング状の
サファイヤ等からなるホルダ48を介して光導波路44に接
続されている。このような構成によっても、これまでに
説明した実施例と同様に双方向波長分割多重光伝送が可
能になる。
の側面図である。この実施例では、導波路基板42上にリ
ッジ形光導波路等の光導波路44を形成し、この光導波路
44を切断するような二つの切り込み46を導波路基板42に
形成し、これらの切り込み46にサブセット24a,24bを装
着し、残ったサブセット24cについては導波路基板42の
端面に貼着している。各サブセットの発光面又は受光面
は光導波路光軸上に位置するようにされている。図示し
ない光伝送路に接続される光ファイバ28は、リング状の
サファイヤ等からなるホルダ48を介して光導波路44に接
続されている。このような構成によっても、これまでに
説明した実施例と同様に双方向波長分割多重光伝送が可
能になる。
以上説明した実施例によると、各サブセットの発光面
又は受光面については容易に気密封止を行うことができ
るので、対環境性に優れた光モジュールを容易に提供す
ることができる。
又は受光面については容易に気密封止を行うことができ
るので、対環境性に優れた光モジュールを容易に提供す
ることができる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によると、波長分離又は
合波のためのフィルタ膜等が不要になるので、構成が簡
単で低コストな光モジュールの提供が可能になるという
効果を奏する。
合波のためのフィルタ膜等が不要になるので、構成が簡
単で低コストな光モジュールの提供が可能になるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】 第１図は波長分割多重受信機用光モジュールの基本構成
を示す図、 第２図は波長分割多重送信機用光モジュールの基本構成
を示す図、 第３図は双方向波長分割多重送受信機用光モジュールの
基本構成を示す図、 第４図は本発明の実施に使用するサブセットの斜視図、 第５図は本発明の実施例を示す双方向波長分割多重送受
信機用光モジュールの斜視図、 第６図は本発明の実施例における光半導体素子の光透過
率の波長依存性を示す図、 第７図は本発明の他の実施例を示す双方向波長分割多重
送受信機用光モジュールの斜視図、 第８図は本発明の更に他の実施例を示す双方向波長分割
多重送受信機用光モジュールの側面図、 第９図は従来技術の説明図である。 ２……光伝送路、 ４……受光系光半導体素子、 ６……発光系光半導体素子、 28……光ファイバ、 30,30′……保持部材、 42……導波路基板、 44……光導波路
を示す図、 第２図は波長分割多重送信機用光モジュールの基本構成
を示す図、 第３図は双方向波長分割多重送受信機用光モジュールの
基本構成を示す図、 第４図は本発明の実施に使用するサブセットの斜視図、 第５図は本発明の実施例を示す双方向波長分割多重送受
信機用光モジュールの斜視図、 第６図は本発明の実施例における光半導体素子の光透過
率の波長依存性を示す図、 第７図は本発明の他の実施例を示す双方向波長分割多重
送受信機用光モジュールの斜視図、 第８図は本発明の更に他の実施例を示す双方向波長分割
多重送受信機用光モジュールの側面図、 第９図は従来技術の説明図である。 ２……光伝送路、 ４……受光系光半導体素子、 ６……発光系光半導体素子、 28……光ファイバ、 30,30′……保持部材、 42……導波路基板、 44……光導波路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｓ 5/30 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｃ Ｈ０４Ｂ 10/02 Ｈ０１Ｓ 3/18 Ｈ０４Ｊ 14/00 14/02
Claims (5)
- 【請求項１】複数の発光系光半導体素子からの光を合波
して光伝送路に送出するようにした波長分割多重送信機
用光モジュールにおいて、 上記発光系光半導体素子をエネルギーギャップの大きい
順に上記光伝送路側から同一光路上に配列したことを特
徴とする波長分割多重送信機用光モジュール。 - 【請求項２】光伝送路からの光を必要に応じて波長分離
して単一又は複数の受光系光半導体素子により受光し、
単一又は複数の発光系光半導体素子からの光を必要に応
じて合波して上記光伝送路に送出するようにした双方向
波長分割多重送受信機用光モジュールにおいて、 上記受光系及び発光系光半導体素子をエネルギーギャッ
プの大きい順に上記光伝送路側から同一光路上に配列し
たことを特徴とする双方向波長分割多重送受信機用光モ
ジュール。 - 【請求項３】請求項２に記載の光モジュールにおいて、 上記発光系光半導体素子の上記光伝送路と反対側の面
に、当該発光波長の光を選択的に反射する反射膜を形成
したことを特徴とする送方向波長分割多重送受信機用光
モジュール。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジ
ュールにおいて、 上記光伝送路に接続される光ファイバを保持部材の細孔
に挿入固定し、 該保持部材に上記光ファイバに達する切り込みを形成し
て上記光ファイバを切断し、 上記光半導体素子を上記切り込み内に装着したことを特
徴とする光モジュール。 - 【請求項５】請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジ
ュールにおいて、 上記光伝送路を導波路基板上に形成された光導波路に接
続し、 上記導波路基板に上記光導波路を切断するような切り込
みを形成し、 上記光半導体素子を上記切り込み内に装着したことを特
徴とする光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6691690A JP3011735B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6691690A JP3011735B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268523A JPH03268523A (ja) | 1991-11-29 |
| JP3011735B2 true JP3011735B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=13329777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6691690A Expired - Fee Related JP3011735B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011735B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114580A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Seiko Epson Corp | フォトダイオードおよび光通信システム |
| JP2003195125A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Seiko Epson Corp | 光モジュールおよび光通信システム |
| JP2004191392A (ja) | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Seiko Epson Corp | 波長多重チップ内光インターコネクション回路、電気光学装置および電子機器 |
| KR100594096B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 통신/방송 융합 ｆｔｔｈ에서의 가입자 정합 장치 |
| JP4873153B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュールおよび光通信システム |
| JP4555880B2 (ja) | 2008-09-04 | 2010-10-06 | 株式会社沖データ | 積層半導体発光装置及び画像形成装置 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6691690A patent/JP3011735B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03268523A (ja) | 1991-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |