CN104718672B - 光电组件 - Google Patents

光电组件 Download PDF

Info

Publication number
CN104718672B
CN104718672B CN201380051252.0A CN201380051252A CN104718672B CN 104718672 B CN104718672 B CN 104718672B CN 201380051252 A CN201380051252 A CN 201380051252A CN 104718672 B CN104718672 B CN 104718672B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoelectric
conducting element
shell
dielectric layer
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380051252.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104718672A (zh
Inventor
保罗·弗思
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Langmeitong Technology UK Ltd.
Original Assignee
Oclaro Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oclaro Technology Ltd filed Critical Oclaro Technology Ltd
Publication of CN104718672A publication Critical patent/CN104718672A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104718672B publication Critical patent/CN104718672B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0236—Fixing laser chips on mounts using an adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光电组件。所述光电组件包括一个或多个光电元件和壳体。所述壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁。所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口。所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件。所述导电元件被支撑在介电材料上，以使得所述介电材料为所述一个或多个光电元件和所述外壁之间的所述导电元件提供结构支撑。

Description

光电组件
技术领域
本发明涉及一种光电组件。特别地，本发明涉及一种在一个或多个光电元件和壳体的外壁之间提供低导热率的光电组件。
背景技术
在光网络中，将网络内的光电设备的光电元件保持在稳定的温度是理想的。通常，该所需的稳定温度低于光电设备外部的环境的温度，因此光电元件需要被冷却。
例如，高功率光纤网络激光器封装通常以高密度被布置在框架中以减少它们占用的空间。这种高密度的布置使得大量的电气元件靠近放置，从而增加了激光器封装外部的周边区域的温度。通常，该外部温度可达到85℃甚至更高。
为了确保在激光器封装内的光电元件的正确运行，这些元件的温度应该被保持在稳定的水平且远低于85℃。因此，激光器封装内的光电元件的温度要被精确地控制。
控制光电元件的温度的其中一种方法是使用热电制冷。热电冷却器(TEC)被放置成与光电元件热连通，并且利用珀尔帖效应(Peltier effect)将热量从光电元件带走。为了提供这种功能，TEC需要使用电源。
发明内容
根据本发明的第一个方面，提供了一种光电组件。该光电组件包括：一个或多个光电元件以及壳体。所述壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁。所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口。所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件。所述导电元件被支撑在介电材料上，以使得所述介电材料为所述一个或多个光电元件和所述外壁之间的所述导电元件提供结构支撑。
所述导电元件的厚度可在0.1μm至0.5μm的范围内。所述导电元件的宽度可在25μm至35μm的范围内。厚度和宽度的减小将导致导电元件的横截面的减小，并且意味着沿导电元件传递的热量减小。
可选择地，所述导电元件的横截面积在2.5×10-12m2至1.75×10-11m2的范围内。该横截面积可通过具有任何形状的横截面的导电元件来提供。示例性的横截面是矩形或圆形的。
可选择地，所述介电材料是柔性的。这使得所述光电元件能够相对于所述外壁移动，而不会损坏所述导电元件。
可选择地，所述介电材料包括第一介电层和第二介电层，所述导电元件设置在所述第一介电层和所述第二介电层之间。所述第一层和第二层可被形成为单件的介电材料，以使得所述介电材料可以侧向地包围导电元件。
可选择地，所述第一介电层和所述第二介电层的每个的厚度在4μm至8μm的范围内。如果介电材料侧向围绕导电元件，那么介电材料在导电元件的上方和下方的厚度可以在4μm至8μm的范围内。
可选择地，所述第一介电层和所述第二介电层的每个的厚度(或者介电材料在导电材料的上方和下方的厚度)在13μm至17μm的范围内。
可选择地，所述第一介电层和所述第二介电层的每个的宽度在35μm至55μm的范围内。
可选择地，所述介电材料的每侧比所述导电元件宽8μm至12μm。如果介电材料侧向围绕导电元件，那么介电材料的导电元件的任一侧的厚度可以在8μm至12μm的范围内。
可选择地，所述导电元件在所述介电材料上遵循一个间接的路径。
可选择地，所述电连接部包括多个导电元件，每个导电元件被布置所述介电材料上。
可选择地，所述光电元件位于芯片上，并且所述芯片位于芯片载体上。
可选择地，所述光电组件进一步包括与所述一个或多个光电元件热连通的热泵。
可选择地，所述热泵为热电冷却器。
根据本发明的第二个方面，提供了一种激光器封装，该激光器封装用于光通信网络，该激光器封装包括上述光电组件。
根据本发明的第三个方面，提供了一种光电组件，包括：一个或多个光电元件；以及壳体，该壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁，其中，所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口，并且其中，所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件，所述导电元件的横截面面积在2.5×10-12m2至1.75×10-11m2的范围内。
根据本发明的第四个方面，提供了一种光电组件，包括：一个或多个光电元件；以及壳体，该壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁，其中，所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口，并且其中，所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括具有第一导热率的导电元件，所述导电元件被支撑在具有第二导热率的材料上，所述第二导热率低于所述第一导热率。
附图说明
现在将参考附图来对本发明的示例实施方式进行描述，其中：
图1是光电组件的横截面的简化示意图；
图2是激光器封装的横截面的示意图；
图3是布置在壳体内的光电元件的平面图；
图4是电连接部的等距示意图；
图5是电连接部的横截面的示意图；
图6是接合到接合垫(bond pad)的电连接部的截面示意图；
图7是电连接部的等距示意图；以及
图8是芯片和壳体的外壁之间的电连接部的示意图。
具体实施方式
一般来说，本文公开了一种光电组件，其中，在光电元件和壳体的外壁之间的电连接部被配置为提供低导热路径。
发明人认识到，在光电组件中的光电元件和壳体之间的电连接部提供了从相对较高温度的壳体到相对较低温度的光电元件的传热路径。此外，发明人还认识到，如果沿传热路径传输的热量减少，那么光电组件的效率将可以被提升。
例如，参照上述的激光器封装，光电元件和TEC通常被封装在封装壳体内。该壳体在光电元件和任意外部电子设备之间提供光接口和电接口。因此，有必要提供从光电元件至壳体的电连接部。壳体的外壁经受外部环境的相对较高温度的影响。因此，外壁和光电元件之间的电连接部提供传热路径，导致光电元件被加热。因此，TEC需要更加努力地工作以冷却光电元件，这降低了激光器封装的效率。
在极端的情况下，TEC增加了的工作量可能会产生更多的热量，从而促进积极的热反馈，并导致热失控。
图1示出光电组件10的截面的示意图。该组件10包括电子设备，例如，安装在壳体16内的载体14上的芯片12(例如激光二极管)。芯片12与输出光导纤维(未示出)连接。热电冷却器(TEC)18与载体14以及与安装在壳体16上或与壳体16一体的散热器(heat sink)连接，以将热量从载体14(相对较冷)传递至向箱体16(相对热)。
在示例性的光学组件中，壳体由陶瓷(例如，氮化铝(AlN))制成。壳体16的外壁16a包括堆叠在彼此的顶部上的多个的AlN部分的叠层结构。在示例的光学组件的实际实施方式中，壳体16的每一个外壁都可包括叠层结构。外壁16a的叠层结构允许导电轨道沿外壁16a的长度横向/侧向布线。该轨道与组件10的输入端口和输出端口连接，输入端口和输出端口位于壳体的外壁上。通过位于该层叠外壁16a的AlN层之间的导电轨道，这些输入端口和输出端口为在芯片12和用于使组件10正常操作的任何外部电子设备之间提供接口。
电连接部20被设置在芯片12和外壁16a之间，以通过导电轨道将芯片12电连接到输入端口和输出端口。
芯片12包括多个电子元件和光电元件。特别地，芯片12可以是被配置成输出波长为1550nm的光的高功率激光二极管。通常，从激光二极管输出的光在具有例如50GHz信道间隔的多个单独的信道中传播。为了保持从激光二极管输出的光的波长的精度，可以应用一个波长参考元件。该波长参考元件可以是法布里-珀罗干涉仪(Fabry-Perotinterferometer)或校准器(etalon)。由于波长参考元件的输出是与温度相关的，因此将参考元件保持在所需的稳定操作温度是很重要的。
如上文所述，壳体16暴露于外部环境中，该外部环境的温度相对于芯片12所需的操作温度较高。通常，外部温度可达到85℃或者更高，而芯片12所需的操作温度约为25℃。
TEC 18运作以降低载体14的温度，进而降低芯片12的温度。通常，通过反馈回路来操作TEC 18，以使得载体14和芯片12的温度被保持在所需的操作温度。由于TEC使用电力来将热量从载体14和芯片12带走，因此，芯片12的温度越高，TEC 18就需要越多的电力来为芯片12降温。
图2示出了包括在适用于光网络的高功率激光器封装的光电组件的更详细的截面。壳体16包括外壁16a、基部16b和盖部16c。在图2中可以清楚的看到外壁16a的叠层结构，该叠层结构围绕壳体的周向运行。导电轨道(未示出)位于层叠外壁16a的层之间，以提供围绕外壁16a的电连接部。
TEC 18被放置在基部16b上。载体14位于TEC的顶部。芯片12位于载体14上。图2示出了一般位于芯片12上的光电和电子元件。
图3示出了光电组件10的平面图，其中，盖部16c被移除以露出芯片12。封装的外壁16a通过电连接部20与芯片12上的多种元件连接。一种示例性的电连接部20在图2中的虚线圆圈区域中示出。
本申请的发明人意识到，壳体16和芯片12之间的主要传热路径是由电连接部20提供的。通常，在公知的光电组件中，电连接部包括八个平行的直径为25μm的引线键合/丝键合(wire bonds)。引线键合通常由金或者铝制成，这些材料具有良好的导电性和导热性。因此，从温度较高的壳体16流向温度较低的芯片12的热量使得芯片12的温度升高。使用八个平行的引线键合是可取的，以提供在芯片12和壳体16之间的低电感耦合。
在本文所公开的示例性光电组件中，电连接部20由介电基片上的导电元件提供。介电基片的使用允许使用更薄的电连接部，同时降低导体被损坏的风险。因此，介电基片为导电元件提供结构支撑。
图4示出了示例性的电连接部20的透视示意图。电连接部20包括设置在介电基片42内的导电元件40。图5示出电连接部20的截面图。如图5所示，电连接部20包括三层：第一介电层42a；支撑在第一介电层42a上的导电材料层40；以及第二介电层42b，该第二介电层42b位于导电材料40上以覆盖导电材料40。
在示例性的电连接部20中，第一和/或第二介电层42a，42b可以是聚酰亚胺材料。导电元件可以包括金，铝或铜。
第一和第二介电层42a，42b有利地是柔性的，因为这可以允许芯片12和外壳16之间的相对运动，降低了电连接件20断裂或破裂的风险。在TEC18操作时，它可能会在壳体16内向上或向下移动。由于芯片12和载体14位于TEC 18的顶部，这导致芯片12和壳体16之间的相对运动，并使得电连接件20经受应变(strain)。如果第一和第二介电层42a，42b是柔性的话，那么由芯片12在壳体16内的运动而引起的大部分的应变可以被柔性的电连接部20吸收。
电连接部20的导电元件40提供具有小的横截面面积的高带宽连接。该高带宽连接可以是在15GHz至25GHz的范围内的，更具体的，它可以是20GHz。该小的横截面面积减少了通过导电元件40传递的热量的量。在示例性的电连接部20中，导电元件40的厚度可在0.1μm至0.5μm的范围内。在具体的示例性电连接部20中，导电元件40的厚度可以是0.3μm。在其他示例性的电连接部中，导电元件的厚度可以小于0.3μm。导电元件40的宽度可以在25μm至35μm的范围内，具体的，导电元件的宽度可以为30μm。
第一和第二介电层42a，42b中的每一个的厚度可以在4μm至20μm之间。在具体的示例性电连接部20中，第一和第二介电层42a，42b中的每一个的厚度可以在4μm至8μm之间，或者在13μm至17μm之间。在另一个具体的示例性电连接部20中，第一和第二介电层42a，42b中的每一个的厚度可以是6μm或15μm。
第一和第二介电层42a，42b中的每一个的宽度可以在35μm至55μm之间。在具体的示例性电连接部20中，第一和第二介电层42a，42b的宽度可以为50μm。在示例性的组装的电连接部20中，第一和第二介电层42a，42b的每一侧的宽度可以比导电元件40宽8μm至12μm。
示例性的导电元件被布置为传输线，因此可以具有适于光电组件的任何长度。在包括引线接合的示例性的导电元件，引线接合的电感是以每单位长度和长度作单位的。因此，引线接合越长，引线接合的带宽就越小。因此，这种导电元件的长度受限于带宽限制。
通常，在约10Gb/s下操作的设备可能要求壳体和芯片之间的距离为0.3mm或更小。当使用本申请所公开的导电元件时，壳体和芯片之间的距离可以被扩展到大于0.3mm的距离。在特定的设备中，外壳和芯片之间的距离可以是0.5mm或更大，或者1mm或更大。这增加了外壳和芯片之间的热隔离，并要求较少的精细的零件，这是由于较大的间隙可以吸收相对于芯片封装和/或壳体的较大的公差。
电连接部20可以与在壳体16和芯片12的每个上的金接合垫(bond pad)连接以在壳体16和芯片12之间提供电连接。图6示出用于将电连接部20连接至形成在壳体16的层叠外壁16a的层之间的金接合垫60的示例性方法。
电连接部20的一端的第一介电层42a被去掉以暴露出导电元件40的下表面。第二介电层42b形成有第一通道62以暴露出导电元件40的上表面。导电元件40形成有第二通道64，该第二通道64小于第一通道62且与第一通道62同心。然后，金键合球(bond ball)66被放置在第二通道64上，且在金键合球66上施加压力，以迫使金键合球64通过第二通道64。由此，金键合球66变形以使得其扁平的边缘接触导电元件40的上表面，并且，迫使金键合球66的一部分穿过第二通道64而接触金接合垫60。
图7示出了另一个示例性的电连接部70，其包括保持在介电材料72中的多个导电元件72a-c。如图8所示，电连接部70可用于在芯片12和壳体(未示出)之间提供位于一条带上多个电连接部。在图8中，多个导电元件72a-72c是分散布置的，以使得它们间隔开以对应于芯片12上的电连接点。
图7所示的实施例中仅有三个导电元件70a-c，但是其他数量的导电元件也是可以应用的。此外，图4和图7示出直的导电元件40,70a-c。但是，任意形式的导电元件都是可以应用的。例如，导电元件可被设计为采取所要求的弯曲或成角度的路径。此外，导电元件可包括多个方向的变化。
应该注意的是，虽然图4和图7示出的导电元件40，70a-c被介电材料42，72包围，但是，示例性的电连接部可以包括支撑在单层介电材料上的导电元件。
另外，需要指出，虽然上述示例性的导电元件具有矩形的横截面，但是在不脱离所附权利要求的范围的情况下，导电元件可以具有得其它形状的横截面。例如，导电元件可具有环形的横截面。
本领域技术人员可以在不脱离所附权利要求书的范围的情况下想到其他实施例。

Claims (17)

1.一种光电组件，包括：
一个或多个光电元件；以及
壳体，该壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁，其中，所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口，
其中，所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件，所述导电元件被支撑在介电材料上，以使得所述介电材料为所述一个或多个光电元件和所述外壁之间的所述导电元件提供结构支撑；
并且其中，所述介电材料为柔性的使得所述一个或多个光电元件和所述壳体之间的相对运动是可能的。
2.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述导电元件的厚度在0.1μm至0.5μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述导电元件的宽度在25μm至35μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述导电元件的横截面面积在2.5×10-12m2至1.75×10-11m2的范围内。
5.根据上述权利要求1所述的光电组件，其中，所述介电材料包括第一介电层和第二介电层，所述导电元件设置在所述第一介电层和所述第二介电层之间。
6.根据权利要求5所述的光电组件，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的每个的厚度在4μm至8μm的范围内。
7.根据权利要求5所述的光电组件，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的每个的厚度在13μm至17μm的范围内。
8.根据权利要求5所述的光电组件，其中，每个所述第一介电层和所述第二介电层的宽度在35μm至55μm的范围内。
9.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述介电材料的每侧比所述导电元件宽8μm至12μm。
10.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述导电元件在所述介电材料上遵循一个间接的路径，所述间接的路径包括多个方向的变化。
11.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述电连接部包括多个导电元件，每个导电元件被布置所述介电材料上。
12.根据权利要求1所述的光电组件，其中，所述光电元件位于芯片上，并且其中，所述芯片位于芯片载体上。
13.根据权利要求1所述的光电组件，进一步包括与所述一个或多个光电元件热连通的热泵。
14.根据权利要求13所述的光电组件，其中，所述热泵为热电冷却器。
15.一种激光器封装，该激光器封装用于光通信网络，该激光器封装包括上述任意一项权利要求所述的光电组件。
16.一种光电组件，包括：
一个或多个光电元件；以及
壳体，该壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁，其中，所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口，
并且其中，所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件，所述导电元件的横截面面积在2.5×10-12m2至1.75×10-11m2的范围内。
17.一种光电组件，包括：
一个或多个光电元件；以及
壳体，该壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁，其中，所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口，
并且其中，所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括具有第一导热率的导电元件，所述导电元件被支撑在具有第二导热率的柔性的材料上，所述第二导热率低于所述第一导热率，使得所述一个或多个光电元件和所述壳体之间的相对运动是可能的。
CN201380051252.0A 2012-10-09 2013-09-27 光电组件 Active CN104718672B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1218066.7 2012-10-09
GB1218066.7A GB2506861A (en) 2012-10-09 2012-10-09 Optoelectronic assembly
PCT/EP2013/070293 WO2014056745A1 (en) 2012-10-09 2013-09-27 Optoelectronic assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104718672A CN104718672A (zh) 2015-06-17
CN104718672B true CN104718672B (zh) 2018-09-11

Family

ID=47294497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380051252.0A Active CN104718672B (zh) 2012-10-09 2013-09-27 光电组件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9509118B2 (zh)
EP (1) EP2907204B1 (zh)
JP (1) JP2015532538A (zh)
CN (1) CN104718672B (zh)
GB (1) GB2506861A (zh)
WO (1) WO2014056745A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6570976B2 (ja) * 2015-11-12 2019-09-04 日本ルメンタム株式会社 光モジュール
DE102018127977A1 (de) * 2018-11-08 2020-05-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Diodenlaser und verfahren zum betreiben eines diodenlasers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4989930A (en) * 1988-01-28 1991-02-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optoelectronics package

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59196272A (ja) * 1983-04-22 1984-11-07 Ricoh Co Ltd 光書込みヘツド
JPH02197185A (ja) * 1989-01-26 1990-08-03 Fujitsu Ltd 電子式冷却素子内蔵半導体レーザアセンブリ
JPH09148675A (ja) * 1995-11-21 1997-06-06 Oki Electric Ind Co Ltd 光モジュールの実装構造
JPH10223988A (ja) * 1997-02-10 1998-08-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高速光電子素子モジュール
JP2001068778A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2001284697A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュールおよびその製造方法
JP4756769B2 (ja) * 2001-05-09 2011-08-24 三菱電機株式会社 光モジュール
JP2003264331A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Opnext Japan Inc 光モジュール
JP3936925B2 (ja) * 2003-06-30 2007-06-27 日本オプネクスト株式会社 光伝送モジュール
WO2011037185A1 (ja) * 2009-09-24 2011-03-31 京セラ株式会社 実装用基板、発光体、および実装用基板の製造方法
JP5454154B2 (ja) * 2010-01-13 2014-03-26 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
CN201732811U (zh) * 2010-06-23 2011-02-02 游文贤 一种无焊金线的led封装结构

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4989930A (en) * 1988-01-28 1991-02-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optoelectronics package

Also Published As

Publication number Publication date
US20150263483A1 (en) 2015-09-17
EP2907204B1 (en) 2017-07-19
US9509118B2 (en) 2016-11-29
JP2015532538A (ja) 2015-11-09
CN104718672A (zh) 2015-06-17
GB2506861A (en) 2014-04-16
EP2907204A1 (en) 2015-08-19
WO2014056745A1 (en) 2014-04-17
GB201218066D0 (en) 2012-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11973311B2 (en) To package for DFB laser with TEC vertically mounted in groove of heatsink
US20030142712A1 (en) Small-sized light source of laser diode modules
US20150116809A1 (en) Optical module
US20200091677A1 (en) Optical power transfer devices with an embedded active cooling chip
CN102570293A (zh) 高热负载大功率半导体激光器
CN114514663B (zh) 具有用于高频信号传输的电子部件的壳体的基座
JP2007019411A (ja) 光−電気変換装置
CN111694112A (zh) 一种光模块
US6948864B2 (en) Optoelectronic component with thermoelectric temperature control
US20100270580A1 (en) Substrate based light source package with electrical leads
CN104718672B (zh) 光电组件
US20230305245A1 (en) Techniques for optical sub-assembly and packaging
JP3885536B2 (ja) 熱電装置
JP2010199324A (ja) 半導体レーザ素子アレイの実装構造
JP6260167B2 (ja) 光電融合モジュール
US9678289B1 (en) Thermal management of optical coupling systems
CN114530757A (zh) 光半导体模块
US20220077656A1 (en) Thermal management for hybrid lasers
US11561353B2 (en) Optical circuit
JP2002094170A (ja) 光モジュール
KR101897304B1 (ko) 파워 모듈
CN220553017U (zh) 一种双发光组件及一种光模块
US20240267125A1 (en) Optical transmission module
CN117117627B (zh) 一种激光单元和激光器
CN101556034A (zh) 光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: The British county of Northampton

Patentee after: Langmeitong Technology UK Ltd.

Address before: The British county of Northampton

Patentee before: Oclaro Technology Limited

CP01 Change in the name or title of a patent holder