JP3970292B2 - レーザ装置 - Google Patents
レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3970292B2 JP3970292B2 JP2005212678A JP2005212678A JP3970292B2 JP 3970292 B2 JP3970292 B2 JP 3970292B2 JP 2005212678 A JP2005212678 A JP 2005212678A JP 2005212678 A JP2005212678 A JP 2005212678A JP 3970292 B2 JP3970292 B2 JP 3970292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- laser element
- resin frame
- laser
- protrusions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明はレーザ装置に関する。
従来、この種の装置は、例えば特許文献１に示されている。この公報によると、リードと、リードに設けられたレーザ素子と、レーザ素子を保護する樹脂枠が示されている。そして、リードの上辺の１部と、両側面とが、リードの取付け基準部として設定されている。
特開平６−４５７０３号公報
しかし上記装置では、取付け基準部とされるリードの上辺の１部に、樹脂漏れを生じ、取付け基準部が不正確となる第１の欠点が有る。本発明者がその原因を究明したところ、樹脂枠の外形がリードの上辺よりも外側に位置しているので、プレス時に生じたリードの抜きだれに樹脂が溜るためである事が分った。
また上記装置では、レーザ光がリードの表面で反射しない様に、リードの先端にレーザ素子を配置している。そのために、このレーザ装置を取扱う時に、レーザ素子に指やピンセット等が接触し易い第２の欠点が有る。
そこで、本発明はこの様な従来の欠点を考慮し、樹脂漏れを生じにくい、かつレーザ素子に指などが接触しにくいレーザ装置を提供する。
そこで、本発明はこの様な従来の欠点を考慮し、樹脂漏れを生じにくい、かつレーザ素子に指などが接触しにくいレーザ装置を提供する。
本発明は、レーザ素子と、前記レーザ素子を配置するリードと、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記レーザ素子の光出射方向を上方向、この上方向に直角で前記リードの平面に平行な方向を左右方向とした場合に、前記リードは、上方向の端に位置する左右一対の基準部と、この一対の基準部の間に前記基準部よりも上方向に突出した一対の突起部を備え、前記左右の基準部に隣接する側の前記突起部の縁、並びに前記突起部に繋がる前記左右の基準部が見えるように前記樹脂枠が前記リード上に位置するとともに、前記一対の突出部の間のリードの上端面を前記樹脂枠が覆う事を特徴とする。前記左右の突起部の上端面は、前記樹脂枠の上端面よりも上方に位置する構成とすることができる。
樹脂漏れに起因して基準部に不所望の樹脂が付かないので、基準部の取付け基準は正確さが維持される。
以下に、図１ないし図３に従い、本発明の実施の形態に係るレーザ装置１を説明する。図１はレーザ装置１の正面図、図２はレーザ装置１の平面図、図３は図１のＡ１Ａ２断面図である。これらの図に於て、リード２は例えば、メッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚みが例えば０．２〜１．０ｍｍである。
リード２は正面から見れば（図１参照）、略Ｔ字状に形成されている。リード２は、端子部３と、基部４と、突出部５、６と、切欠部７等により、構成されている。
端子部３は平面から見れば、略長方形状のものである。基部４は端子部３につながって形成され、外形が略長方形（部分的に切欠きが有る）状のものである。
基部４の外形に於て、縦方向（Ｙ方向）に沿って、基準部８、９が形成され、横方向（Ｘ方向）に沿って、基準部１０、１１が形成されている。レーザ装置１が取付けられる相手側部品（図示せず）の内面に、上記基準部８、９、１０、１１が当接する事により、レーザ装置１は相手側部品に、正確な位置にて位置決めされる。上記理由により、基準部８、９、１０、１１は、リード２の取付け基準となる。
基準部１０、１１に各々隣接して突出部５、６が形成され、突出部５、６の間に、切欠部７が形成されている。突出部５、６は基準部１０、１１に対し、縦方向（Ｙ方向）の上側に突出したものである。即ち、突出部５、６は基準部１０、１１より外側（後述のレーザ素子から遠い側）に設けられている。
この様に、リード２のレーザ素子（後述）の取付け部前方には、切欠部７が形成され、切欠部７の両隣に、突出部５、６が形成されている。また、リード２の基部４の適所には、貫通孔１２、１３が形成されている。
受光素子１６は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造から成るシリコン系結晶に、表面電極１７、１８と、裏面電極（図示せず）が設けられたものである。表面電極１８は、Ｐ型拡散領域から成る受光部１９とオーミック接触して形成されている。受光素子１６の裏面電極は、銀ペースト等の導電性接着剤を介して、リード２の基部４上に固着されている。
レーザ素子２０は例えば、活性層とそれを挟むクラッド層から成るＧａＡｌＡｓ層からできている。レーザ素子２０は、前方（Ａ１方向）に、主出射面が位置する様に、レーザ素子２０の裏面電極（図示せず）が、受光素子１６の表面電極１７上に、銀ペースト等を介して固着されている。この様に、レーザ素子２０はリード２上に設けられている。
レーザ素子２０は、後方にモニター用の副出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面のそれよりも高い様に形成されている。
他のリード１４、１５は共に、例えば、メッキが施こされた銅等の金属材料から成る。他のリード１４、１５は、リード２の端子部３に隣接した位置に配置されている。
金属細線２１は金等から成り、レーザ素子２０の表面電極と、リード２の基部４との間を結ぶ様に配線されている。金属細線２２は金等から成り、受光素子１６の表面電極１７と、他のリード１４との間を結ぶ様に配線されている。金属細線２３は金等から成り、受光素子１６の表面電極１８と、他のリード１５との間を結ぶ様に配線されている。
樹脂枠２４は例えば、ポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠２４は、レーザ素子２０の出射面を露出する様に、例えば平面から見て、略コ字状に、かつ、リード２と、他のリード１４、１５の各表面と各裏面を挟む様に、トランスファーモールドによって形成されている。
この様に、樹脂枠２４は、レーザ素子２０を保護するものである。また、樹脂枠２４は、リード２の基部４に形成された貫通孔１２、１３を介して、リード２の表面上の部分２５と、リード２の裏面上の部分２６がつながる様に、形成されている。
樹脂枠２４の外形２７はリード２の先端より内側（レーザ素子２０に近い側）に位置する様に、即ち、リード２の突出部５、６より内側に位置する様に、設けられている。また、樹脂枠２４の外形２８、２９は、リード２の両側より内側（レーザ素子２０に近い側）に位置する様に、設けられている。
即ち、樹脂枠２４の外形２７、２８、２９は、リード２の取付け基準となる基準部８、９、１０、１１より内側（レーザ素子２０に近い側）に位置する様に、設けられている。この様に構成する事により、樹脂枠２４を成型した時に、基準部８、９、１０、１１に於ける、プレス時に生じたリード２の抜きだれ（打抜き加工時に、打抜きバリの反対側に生じる断面が少し曲面になる事）による、樹脂漏れを、防止する事ができる。
レーザ素子２０の主出射面を露出する様に（即ち、主出射光の邪魔にならない様に）、樹脂枠の前方には、窓部３１が設けられている。以上の部品により、レーザ装置１が構成されている。
上述の様に、レーザ素子２０は受光素子１６上に載置されているが、レーザ素子２０は受光素子１６の前方のリード２上に直接、又はサブマウントを介して載置されても良い。
上記実施形態は、リードと、前記リードに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記樹脂枠の外形が、前記リードの先端より内側に位置し、かつ前記リードの両側より内側に位置する様に構成する。この様に、樹脂枠の外形を、リードの先端およびリードの両側より内側に位置させる事により、上記先端および両側に於ける、プレス時に生じたリードの抜きだれによる、樹脂枠に於ける樹脂漏れを防止する事ができる。
基準部１０、１１に各々隣接して突出部５、６が形成され、突出部５、６の間に、切欠部７が形成されている。突出部５、６は基準部１０、１１に対し、縦方向（Ｙ方向）の上側に突出したものである。即ち、突出部５、６は基準部１０、１１より外側（後述のレーザ素子から遠い側）に設けられている。
この様に、リード２のレーザ素子（後述）の取付け部前方には、切欠部７が形成され、切欠部７の両隣に、突出部５、６が形成されている。また、リード２の基部４の適所には、貫通孔１２、１３が形成されている。
受光素子１６は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造から成るシリコン系結晶に、表面電極１７、１８と、裏面電極（図示せず）が設けられたものである。表面電極１８は、Ｐ型拡散領域から成る受光部１９とオーミック接触して形成されている。受光素子１６の裏面電極は、銀ペースト等の導電性接着剤を介して、リード２の基部４上に固着されている。
レーザ素子２０は例えば、活性層とそれを挟むクラッド層から成るＧａＡｌＡｓ層からできている。レーザ素子２０は、前方（Ａ１方向）に、主出射面が位置する様に、レーザ素子２０の裏面電極（図示せず）が、受光素子１６の表面電極１７上に、銀ペースト等を介して固着されている。この様に、レーザ素子２０はリード２上に設けられている。
レーザ素子２０は、後方にモニター用の副出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面のそれよりも高い様に形成されている。
他のリード１４、１５は共に、例えば、メッキが施こされた銅等の金属材料から成る。他のリード１４、１５は、リード２の端子部３に隣接した位置に配置されている。
金属細線２１は金等から成り、レーザ素子２０の表面電極と、リード２の基部４との間を結ぶ様に配線されている。金属細線２２は金等から成り、受光素子１６の表面電極１７と、他のリード１４との間を結ぶ様に配線されている。金属細線２３は金等から成り、受光素子１６の表面電極１８と、他のリード１５との間を結ぶ様に配線されている。
樹脂枠２４は例えば、ポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠２４は、レーザ素子２０の出射面を露出する様に、例えば平面から見て、略コ字状に、かつ、リード２と、他のリード１４、１５の各表面と各裏面を挟む様に、トランスファーモールドによって形成されている。
この様に、樹脂枠２４は、レーザ素子２０を保護するものである。また、樹脂枠２４は、リード２の基部４に形成された貫通孔１２、１３を介して、リード２の表面上の部分２５と、リード２の裏面上の部分２６がつながる様に、形成されている。
樹脂枠２４の外形２７はリード２の先端より内側（レーザ素子２０に近い側）に位置する様に、即ち、リード２の突出部５、６より内側に位置する様に、設けられている。また、樹脂枠２４の外形２８、２９は、リード２の両側より内側（レーザ素子２０に近い側）に位置する様に、設けられている。
即ち、樹脂枠２４の外形２７、２８、２９は、リード２の取付け基準となる基準部８、９、１０、１１より内側（レーザ素子２０に近い側）に位置する様に、設けられている。この様に構成する事により、樹脂枠２４を成型した時に、基準部８、９、１０、１１に於ける、プレス時に生じたリード２の抜きだれ（打抜き加工時に、打抜きバリの反対側に生じる断面が少し曲面になる事）による、樹脂漏れを、防止する事ができる。
レーザ素子２０の主出射面を露出する様に（即ち、主出射光の邪魔にならない様に）、樹脂枠の前方には、窓部３１が設けられている。以上の部品により、レーザ装置１が構成されている。
上述の様に、レーザ素子２０は受光素子１６上に載置されているが、レーザ素子２０は受光素子１６の前方のリード２上に直接、又はサブマウントを介して載置されても良い。
上記実施形態は、リードと、前記リードに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記樹脂枠の外形が、前記リードの先端より内側に位置し、かつ前記リードの両側より内側に位置する様に構成する。この様に、樹脂枠の外形を、リードの先端およびリードの両側より内側に位置させる事により、上記先端および両側に於ける、プレス時に生じたリードの抜きだれによる、樹脂枠に於ける樹脂漏れを防止する事ができる。
上記実施形態は、リードと、前記リードに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記樹脂枠の外形が、前記リードの取付け基準となる基準部より内側に位置する様に、構成する。この様に、樹脂枠の外形を、リードの基準部より内側に位置させる事により、上記基準部に於ける、プレス時に生じたリードの抜きだれによる、樹脂枠に於ける樹脂漏れを防止できる。その結果、基準部に不所望の樹脂が付かないので、基準部の取付け基準は正確さが維持される。
上記実施形態は、前記リードのレーザ素子取付け部前方は切欠部が形成され、前記切欠部の隣に突出部が設けられる構成とする。この様に、レーザ素子の前方に於て、リードを切欠くので、レーザ光がリードの表面で反射される事を防止できる。また、切欠部の隣に突出部を設けるので、レーザ装置を取扱う時に指やピンセット等がレーザ素子に接触しにくくなる。
上記実施形態は、前記突出部は前記基準部より外側に設けられ、前記樹脂枠の外形は、前記突出部の先端より内側に設けられる構成とする。この様に、樹脂枠の外形を、突出部の先端より内側に位置させる事により、上記先端に於ける、プレス時に生じたリードの抜きだれによる、樹脂枠に於ける樹脂漏れを防止できる。
上記実施形態は、前記リードに貫通孔が形成され、前記樹脂枠は、前記貫通孔を介して、前記リードの表面上の部分と、前記リードの裏面上の部分がつながっている構成とする。上記構成により、フレームを挟んで上下の樹脂がつながるので、リードが樹脂枠から容易に分離する事を防止できる。
フレームパッケージを用いた半導体レーザ装置に適用することができる。
２ リード
２０ レーザ素子
２４ 樹脂枠
２７、２８、２９ 樹脂枠２４の外形
２０ レーザ素子
２４ 樹脂枠
２７、２８、２９ 樹脂枠２４の外形
Claims (2)
- レーザ素子と、前記レーザ素子を配置するリードと、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記レーザ素子の光出射方向を上方向、この上方向に直角で前記リードの平面に平行な方向を左右方向とした場合に、前記リードは、上方向の端に位置する左右一対の基準部と、この一対の基準部の間に前記基準部よりも上方向に突出した一対の突起部を備え、前記左右の基準部に隣接する側の前記突起部の縁、並びに前記突起部に繋がる前記左右の基準部が見えるように前記樹脂枠が前記リード上に位置するとともに、前記一対の突出部の間のリードの上端面を前記樹脂枠が覆う事を特徴とするレーザ装置。
- 前記左右の突起部の上端面は、前記樹脂枠の上端面よりも上方に位置する事を特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005212678A JP3970292B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005212678A JP3970292B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | レーザ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000216162A Division JP3723424B2 (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005354099A JP2005354099A (ja) | 2005-12-22 |
| JP3970292B2 true JP3970292B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=35588224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005212678A Expired - Fee Related JP3970292B2 (ja) | 2005-07-22 | 2005-07-22 | レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3970292B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4935257B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-05-23 | 富士ゼロックス株式会社 | 光送信モジュールの製造方法 |
| JP4668299B2 (ja) | 2008-06-17 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-22 JP JP2005212678A patent/JP3970292B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005354099A (ja) | 2005-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100542336B1 (ko) | 반도체 레이저장치 | |
| US7859004B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6465276B2 (en) | Power semiconductor package and method for making the same | |
| JP2007207986A5 (ja) | ||
| JP2012028694A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005093975A (ja) | Ｐｃｂタイプリードフレームを有する半導体レーザーダイオード装置 | |
| JP2007012895A (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
| JP3970292B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JP2017201675A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US20060292720A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3723424B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JP2009016794A (ja) | キャップレスパッケージ及びその製造方法 | |
| JP3973348B2 (ja) | レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP7382354B2 (ja) | 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 | |
| JP5244515B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4785642B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JPS63136684A (ja) | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム | |
| JP5121421B2 (ja) | 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置 | |
| US20080303127A1 (en) | Cap-less package and manufacturing method thereof | |
| JPH0555436A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0653597A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3889742B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| EP1271648A1 (en) | Power semiconductor package and method for making the same | |
| JP3831633B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| JP2009054634A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060623 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070605 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |