JP4785642B2 - レーザ装置 - Google Patents

レーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4785642B2
JP4785642B2 JP2006173376A JP2006173376A JP4785642B2 JP 4785642 B2 JP4785642 B2 JP 4785642B2 JP 2006173376 A JP2006173376 A JP 2006173376A JP 2006173376 A JP2006173376 A JP 2006173376A JP 4785642 B2 JP4785642 B2 JP 4785642B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
tie bar
laser element
laser
bar cutting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006173376A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006270129A (ja
Inventor
泰弘 渡部
靖之 別所
正治 本多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2006173376A priority Critical patent/JP4785642B2/ja
Publication of JP2006270129A publication Critical patent/JP2006270129A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4785642B2 publication Critical patent/JP4785642B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明はレーザ装置に関する。
従来、この種の装置は、例えば特許文献1に示されている。上記装置の製造過程に於ける状態を図5に示す。図5に於て、第1リード100と、第2リード101と、第3リード102は主リード103に1端が接続されている。タイバー104は、第1リード100と、第2リード101と、第3リード102の各中間点に接続されている。
受光素子105が第1リード100の先端近傍に載置され、レーザ素子106が受光素子105上に載置され、配線(図示せず)が施こされている。樹脂枠107は、レーザ素子106を囲む様に、第1リード100と、第2リード101と第3リード102の他端を一体的に固定している。そして、タイバー104のa、b、c、d、e部分に於て切断され、レーザ装置108が得られる。
特開平6−45703号公報
しかし上記レーザ装置108は、上述の様に、基準部109の対向部110にタイバー切断痕111が生じ、基準部112の対向部113にタイバー切断痕114が生じる。そして、このレーザ装置108を受け具(図示せず)内に挿入する時、治具等にて、対向部110、113を押すが、タイバー切断痕111、114が有るため、取付け精度が悪化する第1の欠点が有る。
この欠点を解消するために、本発明者はaとeの部分のタイバーを無くした。しかし、タイバー切断する前に、主リード103を機械で所定距離だけ送る時に送りの振動等により、第1リード100等の先端がG1又はG2方向に傾く。その結果、通電試験の時に、プローブが所定位置から外れる第2の欠点が有る。
また、レーザ素子106の前方には、樹脂枠107に窓115が設けられているため、指やピンセットがレーザ素子106に接触し易い第3の欠点が有る。
そこで本発明は、この様な従来の欠点を考慮し、リードの先端が傾きにくいレーザ装置を提供する。
本発明のレーザ装置は、複数のリードと、前記リードの1つに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記レーザ素子を配置するリードは、前記レーザ素子を配置する基部と端子部の間にタイバー切断痕を有するとともに、前記基部と前記タイバー切断痕の間に前記端子部よりも幅の広い連結部を有し、前記連結部の幅は、前記リードの肉厚の1.3倍以上であり、樹脂枠は、前記レーザ素子を配置するリードに形成された貫通孔を介して表と裏の部分がつながっている事を特徴とする。前記レーザ素子を配置する前記リードの前記タイバー切断痕から当該リードの先端までの長さは、3mm以上で10mm以下とする事ができる。
外力が加わった時、リードの先端の傾きを防止することができる。
以下に、図1と図2に従い、本発明の実施の形態に係るレーザ装置1の製造を説明する。図1はレーザ装置1がタイバー切断される前の状態を示し、図2は図1のA1A2断面を示す。
これらの図に於て、リードフレーム2は例えば、メッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚みFが例えば0.2〜1.0mmである。リードフレーム2を構成する第1リード3と、第2リード4と、第3リード5は主リード6に1端が接続されている。
タイバー7は、第1リード3と、第2リード4と、第3リード5の各中間点に接続されている。第1リード3と、第2リード4と、第3リード5と同一形状をした複数組の第1リードと、第2リードと、第3リード(共に図示せず)は、1端が主リード6に接続され、中間点がタイバー7に接続されている。これらの第1リード3と、第2リード4と、第3リード5と、主リード6と、タイバー7等により、リードフレーム2が構成されている。
第1リード3は、端子部8と、連結部9と、基部10と、突出部11、12と切欠部13等により構成されている。端子部8は正面から見れば、略長方形状のものであり、主リード6とタイバー7との間に設けられている。
連結部9は、タイバー7と、基部10をつなぐ部分である。基部10は外形が略長方形(部分的に切欠きが有る)状のものである。
基部10の外形に於て、縦方向に沿って、基準部14、15が形成され、横方向に沿って、基準部16、17が形成されている。即ち、基準部14、15は、第1リード3の両側部であり、基準部16、17は第1リード3の上辺である。基準部16と対向する対向部18はタイバー7と接続していなく、基準部17と対向する対向部19はタイバー7と接続していない。
このレーザ装置1が取付けられる相手側部品(図示せず)の内面に、上記基準部14、15、16、17が当接する事により、レーザ装置1は相手側部品に、正確な位置にて位置決めされる。
基準部16、17に各々隣接して、突出部11、12が形成され、突出部11と12の間に、切欠部13が形成されている。突出部11、12は、基準部16と17および切欠部13に対し、外側に突出したものである。
この様に、第1リード3のレーザ素子(後述)の取付け部前方には、切欠部13が形成されている。また基部10の適所には、貫通孔20、21が形成されている。切欠部13の両隣に、突出部11、12が形成されている。
受光素子22は例えばP−I−N構造から成るシリコン系結晶に、表面電極23、24と、裏面電極(図示せず)が設けられたものである。表面電極24は、P型拡散領域から成る受光部25とオーミック接触して形成されている。受光素子16の裏面電極は、銀ペースト等を介して、第1リード3の基部10上に固着されている。
レーザ素子26は例えば、活性層と、それを挟むクラッド層から成るGaAlAs層からできている。レーザ素子26は、前方に主出射面が位置する様に、レーザ素子26の裏面電極(図示せず)が、受光素子22の表面電極23上に、銀ペースト等を介して固着されている。この様に、レーザ素子26は、第1リード3上に設けられている。
レーザ素子26は、後方にモニター用の副出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面のそれよりも高い様に形成されている。
金属細線27は金等から成り、レーザ素子26の表面電極と、第1リード3の基部10との間を結ぶ様に配線されている。金属細線28は金等から成り、受光素子22の表面電極23と第2リード4との間を結ぶ様に配線されている。金属細線29は金等から成り、受光素子22の表面電極24と、第3リード5との間を結ぶ様に配線されている。
樹脂枠30は例えば、ポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠30は、レーザ素子26の出射面を露出する様に、例えば正面から見て(図1参照)、略コ字状に、かつ、第1リード3と、第2リード4と、第3リード5の各表面と各裏面を挟む様に、トランスファーモールドにより形成されている。
この様に、樹脂枠30は、レーザ素子26を保護するものである。また、樹脂枠30は、第1リード3の基部10に形成された貫通孔20、21を介して、第1リード3の表面上の部分31と、第1リード3の裏面上の部分32がつながる様に、形成されている。
レーザ素子26の主出射面を露出する様に(即ち、主出射光の邪魔にならない様に)、樹脂枠30の前方には、窓部33が設けられている。この様にして、このレーザ装置1がタイバー切断される前のレーザ装置セット37は、上記部品により構成されている。
次に、通電試験のために、主リード6は機械(図示せず)により、水平方向(例えばD2方向)に、所定距離だけ送られる。この時、送りの振動等により、第1リード3等の先端近傍は、殆んど(即ち、実用上、差しつかえない程度に)、D1方向又はD2方向へ傾かない。その結果、通電試験の様に、機械が自動的にプローブを表面電極23、24等に押し当てた時、所定の正しい位置に接続できる。
この様に、送りの振動等により、第1リード3の先端近傍がD1方向又はD2方向へ傾かないために、以下の構成がなされている。即ち、第1リード3のタイバー切断痕34(後述)の上部に位置する連結部9の幅B(例えば0.9mm)は、第1リード3の肉厚F(例えば0.6mm)の1.3倍以上に設けられている。そして、タイバー切断痕34の上辺から、第1リード3の先端(突出部11の先端)までの距離Cは3mm以上、かつ10mm以下に設けられている。
上記構成により、主リード6が送られている時、又は送られた後、又は第1リード3の先端に指等による外力が加わった時、第1リード3の先端近傍はD1方向又はD2方向に殆んど傾かない。これは、上記構成により、第1リード3の連結部9がタイバー7に対し、強固に接続されているので、第1リード3が殆んど傾かないためである。
次に、第1リード3、第2リード4、第3リード5の裏面側に下金型(図示せず)が設置され、第1リード3、第2リード4、第3リード5の表面側から上金型(図示せず)がプレスする事により、第1リード3と、第2リード4と、第3リード5は、主リード6から切り離される。
この時、タイバー7は切断され、第1リード3と第2リード4と第3リード5には各々、タイバー切断痕34、35、36が形成される。また、H1H2(図1参照)は、第1リード3と第2リード4と第3リード5の外形切断線を示す。上記工程により、レーザ装置1が完成される。
次に、図3と図4に従い、このレーザ装置1を説明する。図3はレーザ装置1の正面図、図4は図3のE1E2断面図である。
これらの図に於て、リード3aは、図1に示した第1リード3を、タイバー切断し、H1H2線に沿って、外形を切断されたものである。リード3aは例えばメッキ処理された銅等の金属材料から成り、厚みFが例えば0.2〜1.0mmである(上述の説明では、F=0.6mmを例示)。
リード3aは正面から見れば(図3参照)、略T字状に形成されている。リード3aは、端子部8aと、タイバー切断痕34と、連結部9と、基部10と、突出部11、12と、切欠部13等により構成されている。端子部8aは正面から見れば、略長方形状のものであり、図1に示した端子部8がH1H2線に沿って切断されたものである。連結部9は、タイバー切断痕34と、基部10をつなぐ部分である。
基部10の外形に於て、縦方向に沿って、基準部14、15が形成され、横方向に沿って、基準部16、17が形成されている。即ち、基準部14、15は、リード3aの両側部であり、基準部16、17は、リード3aの上辺である。
基準部16と対向する対向部18はタイバー7と接続していないので、タイバー切断痕がなく、基準部17と対向する対向部19はタイバー7と接続していないので、タイバー切断痕がない。この様に、リード3aのタイバー切断痕34はリード3aの基準部14、15、16、17を除き、かつ基準部16の対向部18を除き、かつ基準部17の対向部19を除いた1ヶ所の部分にて、形成されている。
このレーザ装置1が取付けられる相手側部品(図示せず)の内面に、上記基準部14、15、16、17が当接する事により、レーザ装置1は相手側部品に、正確な位置にて位置決めされる。何故ならば、レーザ装置1を相手側部品に挿入する時、治具等にて、対向部18、19を押すが、対向部18、19にはタイバー切断痕がないので、所定の位置に、レーザ装置1を挿入できるからである。
基準部16、17に各々隣接し、突出部11、12が形成され、突出部11と12の間に、切欠部13が形成されている。突出部11、12は、基準部16と17および切欠部13に対し、外側に突出したものである。
この様に、リード3aのレーザ素子26の取付け部前方には、切欠部13が形成されている。また基部10の適所には、貫通孔20、21が形成されている。切欠部13の両隣に、突出部11、12が形成されている。この構成により、レーザ装置1を取扱う時、突出部11、12がガードとなって、指等がレーザ素子26に接触しにくくなる。
受光素子22は例えばP−I−N構造から成るシリコン系結晶に、表面電極23、24と、裏面電極(図示せず)が設けられたものである。表面電極24は、P型拡散領域から成る受光部25とオーミック接触して形成されている。受光素子16の裏面電極は、銀ペースト等を介して、リード3aの基部10上に固着されている。
レーザ素子26は例えば、活性層と、それを挟むクラッド層から成るGaAlAs層からできている、レーザ素子26は、前方に主出射面が位置する様に、レーザ素子26の裏面電極(図示せず)が、受光素子22の表面電極23上に、銀ペースト等を介して固着されている。この様に、レーザ素子26は、リード3a上に設けられている。
金属細線27は金等から成り、レーザ素子26の表面電極と、リード3aの基部10との間を結ぶ様に配線されている。金属細線28は金等から成り、受光素子22の表面電極23と、他のリード4a(図1に示した第2リード4をH1H2線にて切断したもの)との間を結ぶ様に配線されている。金属細線29は金等から成り、受光素子22の表面電極24と、他のリード5a(図1に示した第3リード5をH1H2線にて切断したもの)との間を結ぶ様に配線されている。
樹脂枠30は例えば、ポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂等から成る。樹脂枠30は、レーザ素子26の出射面を露出する様に、例えば正面から見て(図3参照)、略コ字状に、かつリード3aと、他のリード4aと、他のリード5aの各表面と各裏面を挟む様に、トランスファーモールドにより形成されている。この様に、樹脂枠30は、レーザ素子26を保護するものである。
レーザ素子26の主出射面を露出する様に(即ち、主出射光の邪魔にならない様に)、樹脂枠30の前方には、窓部33が設けられている。この様にして、このレーザ装置1は、上記部品により構成されている。
このレーザ装置1に於て、リード3aのタイバー切断痕34の上部に位置する連結部9の幅B(例えば0.9mm)は、リード3aの肉厚F(例えば0.6mm)の1.3倍以上に設けられている。そして、タイバー切断痕34の上辺からリード3aの先端(突出部11の先端)までの距離Cは、3mm以上、かつ10mm以下に設けられている。
上記構成により、主リード6(図1参照)が送られている時、又は送られた後又は第1リード3の先端に指等による外力が加わった時、リード3の先端近傍はD1方向又はD2方向に殆んど傾かない。これは、上記構成により、第1リード3の連結部9がタイバー7に対し、強固に接続されているので、第1リード3が殆んど傾かないためである。
上記の実施形態によれば、リードと、前記リードに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記リードのタイバー切断痕は、前記リードの基準部および前記基準部の対向部を除いた1ヶ所の部分にて、設けられる構成とする。この様に構成する事により、このレーザ装置を相手側部品に挿入する時に、治具等にて、対向部を押すが、対向部等には、タイバー切断痕がないので、相手側部品の所定の位置に、精度良く、レーザ装置1を取付ける事ができる。
上記の実施形態によれば、前記基準部は、前記リードの上辺および前記リードの両側部であるものとする。この様に、リードの上辺と両側部を基準部とする事により、直交する2方向を取付け基準とする事ができるので、相手側部品との位置決め精度は正確となる。
上記の実施形態によれば、前記リードのレーザ素子取付け部前方は切欠部が形成され、前記切欠部の隣に突出部が設けられる構成とする。この構成により、レーザ装置1を取扱う時、突出部11、12がガードとなって、指やピンセット等がレーザ素子に接触する事を防止できる。また、レーザ素子の前方に於て、リードを切欠くので、レーザ光がリードの表面で反射される事を防止できる。
上記の実施形態によれば、前記タイバー切断痕の上部に位置する連結部の幅は、前記リードの肉厚の1.3倍以上であり、かつ前記タイバー切断痕から前記リードの先端までの長さは、3mm以上で10mm以下である構成とする。上記構成により、製造過程に於て、リードが送られている時、又は送られた後、又はリードの先端に指等による外力が加わった時、リードの先端近傍は殆んど傾かない。その結果、通電試験のために、機械が自動的に、レーザ装置にプローブを押し当てた時、所定の正しい位置に接続できる。また、タイバー切断痕からリードの先端までの長さを3mm以上とする事により、タイバーと、樹脂枠の底辺との間に下金型が設置できるので、正確なタイバー切断を行う事ができる。
フレームタイプのレーザ装置に適用することができる。
本発明の実施の形態に係るレーザ装置1がタイバー切断される前のレーザ装置セット37の正面図である。 図1のA1A2断面図である。 上記レーザ装置1の正面図である。 図3のE1E2断面図である。 従来のレーザ装置セットの正面図である。
符号の説明
3a リード
9a 幅広領域
9b 幅狭領域
14、15、16、17 基準部
18、19 対向部
26 レーザ素子
30 樹脂枠
34 タイバー切断痕

Claims (2)

  1. 複数のリードと、前記リードの1つに設けられたレーザ素子と、前記レーザ素子を保護する樹脂枠とを備え、前記レーザ素子を配置するリードは、前記レーザ素子を配置する基部と端子部の間にタイバー切断痕を有するとともに、前記基部と前記タイバー切断痕の間に前記端子部よりも幅の広い連結部を有し、前記連結部の幅は、前記リードの肉厚の1.3倍以上であり、樹脂枠は、前記レーザ素子を配置するリードに形成された貫通孔を介して表と裏の部分がつながっている事を特徴とするレーザ装置。
  2. 前記レーザ素子を配置する前記リードの前記タイバー切断痕から当該リードの先端までの長さは、3mm以上で10mm以下とした事を特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。
JP2006173376A 2006-06-23 2006-06-23 レーザ装置 Expired - Fee Related JP4785642B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006173376A JP4785642B2 (ja) 2006-06-23 2006-06-23 レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006173376A JP4785642B2 (ja) 2006-06-23 2006-06-23 レーザ装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000219167A Division JP3973348B2 (ja) 2000-07-17 2000-07-19 レーザ装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006270129A JP2006270129A (ja) 2006-10-05
JP4785642B2 true JP4785642B2 (ja) 2011-10-05

Family

ID=37205670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006173376A Expired - Fee Related JP4785642B2 (ja) 2006-06-23 2006-06-23 レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4785642B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147032A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Panasonic Corp 半導体装置および光ピックアップ装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162261U (ja) * 1988-04-25 1989-11-10
JPH0645703A (ja) * 1992-07-23 1994-02-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP3973348B2 (ja) * 2000-07-19 2007-09-12 三洋電機株式会社 レーザ装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006270129A (ja) 2006-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100542336B1 (ko) 반도체 레이저장치
EP1684345A2 (en) Surface mount semiconductor device
US11742279B2 (en) Semiconductor device
JP2008186891A (ja) モールドパッケージおよびその製造方法ならびにモールドパッケージの実装構造
JP4785642B2 (ja) レーザ装置
JP3973348B2 (ja) レーザ装置及びその製造方法
JP3970292B2 (ja) レーザ装置
JPH022294B2 (ja)
JP3723424B2 (ja) レーザ装置
JP2009188005A (ja) 表面実装型半導体装置
JP5176557B2 (ja) 電極パターンおよびワイヤボンディング方法
US8054647B2 (en) Electronic device mounting structure for busbar
JP4668299B2 (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
JPS6239543B2 (ja)
JP2006186075A (ja) 表面実装部品およびその製造方法
JP2012069563A (ja) リードフレームとその製造方法及び製造装置
JP4362411B2 (ja) 半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置
JP3889742B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法
JPH07326814A (ja) 半導体レーザ装置
JP3749819B2 (ja) 半導体レーザユニット
JP5271550B2 (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法
US20040201325A1 (en) Electronic component and manufacturing method for the same
JPH0738039A (ja) 垂直型表面実装半導体パッケージ
JPH0555436A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2008124272A (ja) リードフレームおよびそれを用いた光結合装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100125

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100204

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100413

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110712

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees