JPH07326814A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH07326814A JPH07326814A JP6118436A JP11843694A JPH07326814A JP H07326814 A JPH07326814 A JP H07326814A JP 6118436 A JP6118436 A JP 6118436A JP 11843694 A JP11843694 A JP 11843694A JP H07326814 A JPH07326814 A JP H07326814A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光量のばらつきの少ない、かつ光学部品と
の関係位置を正確に保持出来る半導体レーザ装置を提供
するものである。 【構成】 リードと、リード上に載置され受光面を有す
る受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード上に
載置されかつ前方に主出射面と後方に副出射面を有する
半導体レーザ素子と、受光素子と半導体レーザ素子とを
収納する凹部を有する様にリードの周辺に形成され、か
つ受光素子の後方に位置する凹部の内部に於て外向きに
傾斜した内壁が形成され、かつその内壁と略直交する凹
部の内部に於て傾斜した内壁が形成された絶縁枠とを設
けるものである。
の関係位置を正確に保持出来る半導体レーザ装置を提供
するものである。 【構成】 リードと、リード上に載置され受光面を有す
る受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード上に
載置されかつ前方に主出射面と後方に副出射面を有する
半導体レーザ素子と、受光素子と半導体レーザ素子とを
収納する凹部を有する様にリードの周辺に形成され、か
つ受光素子の後方に位置する凹部の内部に於て外向きに
傾斜した内壁が形成され、かつその内壁と略直交する凹
部の内部に於て傾斜した内壁が形成された絶縁枠とを設
けるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は安定した受光電流を確保
し易い半導体レーザ装置に関する。
し易い半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の改良が数多く
なされているが、その中で例えば特開平６−５３６０３
号公報で開示された半導体レーザ装置とそれの支持具
を、図８の平面断面図と、図８のＣＣ断面図である図９
に従い説明する。これらの図に於て、第１リード４１上
に受光素子４２が載置され、その上に半導体レーザ素子
４３が載置されている。半導体レーザ素子４３の副出射
面と受光素子４２の受光面４４までを透光性樹脂４５が
覆っている。第２リード４６と第３リード４７が第１リ
ード４１と離れて設けられ、各々金属細線４８、４９に
て配線されている。そして、受光素子４２と半導体レー
ザ素子４３と金属細線４８、４９を開放する様に絶縁枠
５０が設けられ、この半導体レーザ装置５１が光学部品
５２を内蔵した支持具５３に固定されている。
なされているが、その中で例えば特開平６−５３６０３
号公報で開示された半導体レーザ装置とそれの支持具
を、図８の平面断面図と、図８のＣＣ断面図である図９
に従い説明する。これらの図に於て、第１リード４１上
に受光素子４２が載置され、その上に半導体レーザ素子
４３が載置されている。半導体レーザ素子４３の副出射
面と受光素子４２の受光面４４までを透光性樹脂４５が
覆っている。第２リード４６と第３リード４７が第１リ
ード４１と離れて設けられ、各々金属細線４８、４９に
て配線されている。そして、受光素子４２と半導体レー
ザ素子４３と金属細線４８、４９を開放する様に絶縁枠
５０が設けられ、この半導体レーザ装置５１が光学部品
５２を内蔵した支持具５３に固定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述の半導体レ
ーザ装置では、受光面４４への受光量が装置によりばら
つく、という第１の欠点がある。図５（ｂ）に示す様
に、１２０個の装置の各々の受光電流値を測定し、それ
を棒グラフで表した。この図で判る様に、受光量のばら
つきが大きい。本発明者がその原因を究明したところ、
第１に絶縁枠５０の内壁５４、５５、５６が第１リード
４１に対して垂直に形成されているからである。すなわ
ち、半導体レーザ素子４３の副出射面からの副出射光の
１部が透光性樹脂４５を貫き、それが内壁５５に反射さ
れ直接に、又はその反射光が内壁５４と５６で反射され
再び受光面４４に入射し、入射光量がばらつくからであ
る。
ーザ装置では、受光面４４への受光量が装置によりばら
つく、という第１の欠点がある。図５（ｂ）に示す様
に、１２０個の装置の各々の受光電流値を測定し、それ
を棒グラフで表した。この図で判る様に、受光量のばら
つきが大きい。本発明者がその原因を究明したところ、
第１に絶縁枠５０の内壁５４、５５、５６が第１リード
４１に対して垂直に形成されているからである。すなわ
ち、半導体レーザ素子４３の副出射面からの副出射光の
１部が透光性樹脂４５を貫き、それが内壁５５に反射さ
れ直接に、又はその反射光が内壁５４と５６で反射され
再び受光面４４に入射し、入射光量がばらつくからであ
る。
【０００４】第２の原因は、透光性樹脂４５を注射器等
で滴下し略ドーム状に形成しているが、その滴下量がば
らつき、かつ滴下後の最終形状がばらつくためである事
が判った。また、絶縁枠５０の大きさを小さく出来ない
欠点もある。その理由は、金属細線４８、４９をボンデ
ィングするキャピラリ５７と、内壁５４、５５、５６と
の間に所定の隙間が必要なためである。
で滴下し略ドーム状に形成しているが、その滴下量がば
らつき、かつ滴下後の最終形状がばらつくためである事
が判った。また、絶縁枠５０の大きさを小さく出来ない
欠点もある。その理由は、金属細線４８、４９をボンデ
ィングするキャピラリ５７と、内壁５４、５５、５６と
の間に所定の隙間が必要なためである。
【０００５】第２の欠点は、半導体レーザ素子４３の主
出射面上の発光点と光学部品５２との関係位置が正規の
位置からずれる事である。その原因は、第１リード４１
の端面５８にタイバー跡５９が形成されており、そのタ
イバー跡５９があるため、支持具５３の基準面５８と一
様に当接しないためである。故に、本発明はこの様な従
来の欠点を考慮して、受光量のばらつきの少ない、かつ
光学部品との関係位置を正確に保持出来る半導体レーザ
装置を提供するものである。
出射面上の発光点と光学部品５２との関係位置が正規の
位置からずれる事である。その原因は、第１リード４１
の端面５８にタイバー跡５９が形成されており、そのタ
イバー跡５９があるため、支持具５３の基準面５８と一
様に当接しないためである。故に、本発明はこの様な従
来の欠点を考慮して、受光量のばらつきの少ない、かつ
光学部品との関係位置を正確に保持出来る半導体レーザ
装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、リードと、リード上に載置され受光面を
有する受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード
上に載置されかつ前方に主出射面と後方に副出射面を有
する半導体レーザ素子と、受光素子と半導体レーザ素子
とを収納する凹部を有する様にリードの周辺に形成さ
れ、かつ受光素子の後方に位置する凹部の内部に於て外
向きに傾斜した内壁が形成され、かつその内壁と略直交
する凹部の内部に於て傾斜した内壁が形成された絶縁枠
とを設けるものである。
決するために、リードと、リード上に載置され受光面を
有する受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード
上に載置されかつ前方に主出射面と後方に副出射面を有
する半導体レーザ素子と、受光素子と半導体レーザ素子
とを収納する凹部を有する様にリードの周辺に形成さ
れ、かつ受光素子の後方に位置する凹部の内部に於て外
向きに傾斜した内壁が形成され、かつその内壁と略直交
する凹部の内部に於て傾斜した内壁が形成された絶縁枠
とを設けるものである。
【０００７】本発明は望ましくは、少なくとも半導体レ
ーザ素子の副出射面から受光素子の受光面までの領域を
露出させるものである。
ーザ素子の副出射面から受光素子の受光面までの領域を
露出させるものである。
【０００８】本発明は更に望ましくは、半導体レーザ素
子の主出射方向側に於て、リードの端面をタイバー跡が
なく平坦に形成するものである。
子の主出射方向側に於て、リードの端面をタイバー跡が
なく平坦に形成するものである。
【０００９】
【作用】本発明は上述の様に、受光素子の後方の凹部の
内部に於て外向きに傾斜した内壁を設け、それに略直交
する凹部の内部に於て外向きに傾斜した内壁を設けるの
で、半導体レーザ素子の副出射面からの光は後方の内壁
およびそれに略直交する内壁で反射され、斜め上方に進
行する。故に、この反射光は受光面に進入しないので、
受光量のばらつきが少ない。
内部に於て外向きに傾斜した内壁を設け、それに略直交
する凹部の内部に於て外向きに傾斜した内壁を設けるの
で、半導体レーザ素子の副出射面からの光は後方の内壁
およびそれに略直交する内壁で反射され、斜め上方に進
行する。故に、この反射光は受光面に進入しないので、
受光量のばらつきが少ない。
【００１０】本発明は望ましくは、半導体レーザ素子の
副出射面から受光面までの領域を露出させるので、従来
の様に、この間に透光性樹脂の量のばらつきによる受光
量のばらつきが少なくなる。
副出射面から受光面までの領域を露出させるので、従来
の様に、この間に透光性樹脂の量のばらつきによる受光
量のばらつきが少なくなる。
【００１１】本発明は更に望ましくは、半導体レーザ素
子の主出射方向側に於て、リードの端面はタイバー跡が
なく平坦に形成されているので、リードの端面は支持具
の基準面と一様に当接される。その結果、半導体レーザ
素子の発光点と支持具の光学部品との関係位置が正しく
維持出来る。
子の主出射方向側に於て、リードの端面はタイバー跡が
なく平坦に形成されているので、リードの端面は支持具
の基準面と一様に当接される。その結果、半導体レーザ
素子の発光点と支持具の光学部品との関係位置が正しく
維持出来る。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例に係る半導体レーザ
装置を図１乃至図４に従い説明する。図１は本実施例に
係る半導体レーザ装置とそれを支持する支持具の斜視
図、図２はそれらの平面図、図３は図２のＡＡ断面図、
図４は図２のＢＢ断面図である。
装置を図１乃至図４に従い説明する。図１は本実施例に
係る半導体レーザ装置とそれを支持する支持具の斜視
図、図２はそれらの平面図、図３は図２のＡＡ断面図、
図４は図２のＢＢ断面図である。
【００１３】これらの図に於て、リード１は厚みが０．
２乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料ならなり、載置部２
と突出部３と端子部４とを有する。望ましくは、リード
１の端面５はタイバー跡がなく平坦に形成されている。
また望ましくは、リード１の突出部３には、例えば円弧
状の孔６が形成されている。
２乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料ならなり、載置部２
と突出部３と端子部４とを有する。望ましくは、リード
１の端面５はタイバー跡がなく平坦に形成されている。
また望ましくは、リード１の突出部３には、例えば円弧
状の孔６が形成されている。
【００１４】受光素子７は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からな
り、半導体基板８の裏面に裏面電極９と、表面に表面電
極１０、１１が形成されたものである。表面電極１０は
Ｐ型拡散領域からなる受光面１２とオーミック接触して
形成され、表面電極１１は受光面１２と離れた位置に形
成されている。受光素子７は銀ペースト等の導電性接着
剤を介してリード１上に固着されている。
り、半導体基板８の裏面に裏面電極９と、表面に表面電
極１０、１１が形成されたものである。表面電極１０は
Ｐ型拡散領域からなる受光面１２とオーミック接触して
形成され、表面電極１１は受光面１２と離れた位置に形
成されている。受光素子７は銀ペースト等の導電性接着
剤を介してリード１上に固着されている。
【００１５】半導体レーザ素子１３は例えば、活性層と
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
ら構成されている。半導体レーザ素子１３の両端面は劈
開され、その両端面上に反射膜が形成されている。半導
体レーザ素子１３は前方に主出射面が位置する様に、受
光素子７の表面電極１１上に銀ペーストまたは半田を介
して固着されている。半導体レーザ素子１３は後方に副
出射面が形成されている。すなわち、半導体レーザ素子
１３は後方にモニター用の副出射が行われる様に、後面
の反射膜の反射率が前面のそれよりも高くなる様に形成
されている。
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
ら構成されている。半導体レーザ素子１３の両端面は劈
開され、その両端面上に反射膜が形成されている。半導
体レーザ素子１３は前方に主出射面が位置する様に、受
光素子７の表面電極１１上に銀ペーストまたは半田を介
して固着されている。半導体レーザ素子１３は後方に副
出射面が形成されている。すなわち、半導体レーザ素子
１３は後方にモニター用の副出射が行われる様に、後面
の反射膜の反射率が前面のそれよりも高くなる様に形成
されている。
【００１６】他のリード１４、１５は銅等の金属材料か
らなり、共にリード１と離れて位置し、半導体レーザ素
子１３の主出射方向と逆に延びている。金属細線１６、
１７１８は共に金等からなり、各々受光素子７の表面電
極１０と他のリード１４との間、半導体レーザ素子１３
と他のリード１５との間、受光素子７の表面電極１１と
リード１との間を結ぶ様に配線されている。
らなり、共にリード１と離れて位置し、半導体レーザ素
子１３の主出射方向と逆に延びている。金属細線１６、
１７１８は共に金等からなり、各々受光素子７の表面電
極１０と他のリード１４との間、半導体レーザ素子１３
と他のリード１５との間、受光素子７の表面電極１１と
リード１との間を結ぶ様に配線されている。
【００１７】絶縁枠１９は例えばポリカーボネート樹脂
又はエポキシ樹脂からなり、半導体レーザ素子１３の主
出射面を露出する様に、かつ受光素子７と半導体レーザ
素子１３と金属細線１６、１７、１８を開放する凹部２
０を有する様に、リード１と他のリード１４、１５の周
辺に形成されている。
又はエポキシ樹脂からなり、半導体レーザ素子１３の主
出射面を露出する様に、かつ受光素子７と半導体レーザ
素子１３と金属細線１６、１７、１８を開放する凹部２
０を有する様に、リード１と他のリード１４、１５の周
辺に形成されている。
【００１８】すなわち、絶縁枠１９は例えばリード１と
他のリード１４、１５の各表面と裏面を挟む様に、トラ
ンスファーモールドにより形成されている。また、絶縁
枠１９の凹部２０に於て、受光素子７の後方に位置する
内壁２１と、それに略直交する内壁２２、２３は外向き
に傾斜する様に形成されている。つまり、内壁２１、２
２、２３は各々リード１との角度が鈍角になる様に、上
方に行く程、空間が広がる様に傾斜している。
他のリード１４、１５の各表面と裏面を挟む様に、トラ
ンスファーモールドにより形成されている。また、絶縁
枠１９の凹部２０に於て、受光素子７の後方に位置する
内壁２１と、それに略直交する内壁２２、２３は外向き
に傾斜する様に形成されている。つまり、内壁２１、２
２、２３は各々リード１との角度が鈍角になる様に、上
方に行く程、空間が広がる様に傾斜している。
【００１９】また望ましくは、半導体レーザ素子１３の
副出射面から受光素子７の受光面１２までの領域は大気
中に露出させた方が良い。何故ならば従来の様に、この
両者間に透光性樹脂を設けると、上述した様に樹脂量の
ばらつき及び最終形状のばらつきにより、受光面での受
光量が大きくばらつくからである。本実施例の様に両者
間を露出させる事により、受光面１２での受光量は減る
が、ばらつきは極めて少なくなる。
副出射面から受光素子７の受光面１２までの領域は大気
中に露出させた方が良い。何故ならば従来の様に、この
両者間に透光性樹脂を設けると、上述した様に樹脂量の
ばらつき及び最終形状のばらつきにより、受光面での受
光量が大きくばらつくからである。本実施例の様に両者
間を露出させる事により、受光面１２での受光量は減る
が、ばらつきは極めて少なくなる。
【００２０】これらの部品により、本実施例の半導体レ
ーザ装置２４が構成されている。また本実施例と異な
り、半導体レーザ素子１３を受光素子７の前方のリード
１上にサブマウントを介して載置し、半導体レーザ素子
１３の光軸を受光面１２より高い位置に設けても良い。
ーザ装置２４が構成されている。また本実施例と異な
り、半導体レーザ素子１３を受光素子７の前方のリード
１上にサブマウントを介して載置し、半導体レーザ素子
１３の光軸を受光面１２より高い位置に設けても良い。
【００２１】この半導体レーザ装置２４に於て、半導体
レーザ素子１３の副出射面から出た光の１部は絶縁枠１
９の内壁２１で反射され、その反射光の１部は斜め上方
に進行し、受光面１２に再び入射しない。また上述の反
射光の残部は絶縁枠１９の凹部２０の内部で迷光２６と
なるが、この迷光２６も内壁２２、２３で反射され、殆
ど全部が斜め上方に進行する。その結果、光２５は再び
受光面１２に入射する事がないので、受光量は安定しば
らつきが少なくなる。
レーザ素子１３の副出射面から出た光の１部は絶縁枠１
９の内壁２１で反射され、その反射光の１部は斜め上方
に進行し、受光面１２に再び入射しない。また上述の反
射光の残部は絶縁枠１９の凹部２０の内部で迷光２６と
なるが、この迷光２６も内壁２２、２３で反射され、殆
ど全部が斜め上方に進行する。その結果、光２５は再び
受光面１２に入射する事がないので、受光量は安定しば
らつきが少なくなる。
【００２２】また、金属細線１６、１７、１８を各々他
のリード１４、１５とリード１に接続するために、通常
はワイヤボンダーのキャピラリ２７によりボンディング
されている。本実施例の様に、絶縁枠１９の内壁２１、
２２、２３は外向きに傾斜しているので、キャピラリ２
７の先端の傾斜部と接触せずにかつ近接してボンティン
グ出来る。故に、キャピラリ２７の入る空間を従来より
狭く出来るので、半導体レーザ装置２４の小型化が計れ
る。
のリード１４、１５とリード１に接続するために、通常
はワイヤボンダーのキャピラリ２７によりボンディング
されている。本実施例の様に、絶縁枠１９の内壁２１、
２２、２３は外向きに傾斜しているので、キャピラリ２
７の先端の傾斜部と接触せずにかつ近接してボンティン
グ出来る。故に、キャピラリ２７の入る空間を従来より
狭く出来るので、半導体レーザ装置２４の小型化が計れ
る。
【００２３】そして支持具２８に形成された透孔２９に
半導体レーザ装置２４は挿入され、支持具２８に形成さ
れたネジ孔３０と半導体レーザ装置２４の孔６が合わさ
れ、ビス等（図示せず）により固定されている。支持具
２８の透孔２９の先端には、回折格子とハーフミラーと
対物レンズからなる光学部品３１が固定されている。
半導体レーザ装置２４は挿入され、支持具２８に形成さ
れたネジ孔３０と半導体レーザ装置２４の孔６が合わさ
れ、ビス等（図示せず）により固定されている。支持具
２８の透孔２９の先端には、回折格子とハーフミラーと
対物レンズからなる光学部品３１が固定されている。
【００２４】また上述した様に望ましくは、リード１の
端面５はタイバー跡がなく平坦に形成されているので、
支持具２８の基準面３２と端面５は完全に当接してい
る。故に、半導体レーザ素子１３の主出射面上の発光点
と、支持具２８の光学部品３１との関係位置を正しく維
持出来る。
端面５はタイバー跡がなく平坦に形成されているので、
支持具２８の基準面３２と端面５は完全に当接してい
る。故に、半導体レーザ素子１３の主出射面上の発光点
と、支持具２８の光学部品３１との関係位置を正しく維
持出来る。
【００２５】次に、この半導体レーザ装置２４の受光電
流値の測定結果を図５（ａ）に従い説明する。横軸は受
光電流値（ｍＡ）であり、縦軸は測定された１２０個の
装置に於ける、各々の受光電流値に対する個数である。
この図より、受光量すなわち受光電流のばらつきが従来
より極めて少ない事が判る。
流値の測定結果を図５（ａ）に従い説明する。横軸は受
光電流値（ｍＡ）であり、縦軸は測定された１２０個の
装置に於ける、各々の受光電流値に対する個数である。
この図より、受光量すなわち受光電流のばらつきが従来
より極めて少ない事が判る。
【００２６】次に、この半導体レーザ装置２４の経時変
化特性を図６に従い説明する。この図に於て、横軸は経
過時間であり、縦軸は受光電流値である。実線で示した
半導体レーザ装置２４の特性では、連続運転した時の受
光電流の変化量が少ない事が判る。例えば、４００時間
運転した時の受光電流値は初期値の±２％以内の値であ
る。これに対して、破線で示した従来の装置では、初期
値の約＋２０％に変化する事が判る。これは連続運転す
る事により透光性樹脂に於て、樹脂の収縮により樹脂の
外形形状が変化し、受光量が変化するものと考えられ
る。
化特性を図６に従い説明する。この図に於て、横軸は経
過時間であり、縦軸は受光電流値である。実線で示した
半導体レーザ装置２４の特性では、連続運転した時の受
光電流の変化量が少ない事が判る。例えば、４００時間
運転した時の受光電流値は初期値の±２％以内の値であ
る。これに対して、破線で示した従来の装置では、初期
値の約＋２０％に変化する事が判る。これは連続運転す
る事により透光性樹脂に於て、樹脂の収縮により樹脂の
外形形状が変化し、受光量が変化するものと考えられ
る。
【００２７】最後に、この半導体レーザ装置２４の製造
について図７に従い説明する。図７はリードフレームが
切断される前の工程を示す平面図である。この図に於
て、リードフレーム３３は２個のリテーナ３４間に複数
のタイバー３５がつながる様にプレス加工にて打ち抜か
れている。複数のタイバー３５の所定個所に絶縁枠１９
が形成され、受光素子と半導体レーザ素子と金属細線
（いずれも図示せず）が設けられている。
について図７に従い説明する。図７はリードフレームが
切断される前の工程を示す平面図である。この図に於
て、リードフレーム３３は２個のリテーナ３４間に複数
のタイバー３５がつながる様にプレス加工にて打ち抜か
れている。複数のタイバー３５の所定個所に絶縁枠１９
が形成され、受光素子と半導体レーザ素子と金属細線
（いずれも図示せず）が設けられている。
【００２８】この図に於て注目すべきは、半導体レーザ
素子の主出射側に於けるリードの端面５がタイバー３５
と結ばれていなく、端面５と反対側がタイバー３５と結
ばれている事である。つまり、端面５はプレス加工にて
打ち抜かれおり平坦であり、タイバー３５の跡がない。
故に、端面５は支持具２８の基準面３２と完全に当接さ
れる。
素子の主出射側に於けるリードの端面５がタイバー３５
と結ばれていなく、端面５と反対側がタイバー３５と結
ばれている事である。つまり、端面５はプレス加工にて
打ち抜かれおり平坦であり、タイバー３５の跡がない。
故に、端面５は支持具２８の基準面３２と完全に当接さ
れる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は上述の様に、受光素子の後方と
それに略直交する絶縁枠の凹部に於て外向きに傾斜した
内壁を設けるので、半導体レーザ素子の副出射面からの
光は後方の内壁およびそれに略直交する内壁で反射さ
れ、斜め上方に進行する。故に、この反射光は受光面に
進入しないので、受光量のばらつきが少なくなり、出力
制御が正確に行える。
それに略直交する絶縁枠の凹部に於て外向きに傾斜した
内壁を設けるので、半導体レーザ素子の副出射面からの
光は後方の内壁およびそれに略直交する内壁で反射さ
れ、斜め上方に進行する。故に、この反射光は受光面に
進入しないので、受光量のばらつきが少なくなり、出力
制御が正確に行える。
【００３０】本発明は望ましくは、半導体レーザ素子の
副出射面から受光面までの領域を露出させるので、従来
の様に、この間に透光性樹脂の量のばらつきによる受光
量のばらつきが少なくなる。
副出射面から受光面までの領域を露出させるので、従来
の様に、この間に透光性樹脂の量のばらつきによる受光
量のばらつきが少なくなる。
【００３１】本発明は更に望ましくは、半導体レーザ素
子の主出射方向側に於て、リードの端面はタイバー跡が
なく平坦に形成されているので、リードの端面は支持具
の基準面と完全に当接される。その結果、半導体レーザ
素子の発光点と支持具の光学部品との関係位置が正しく
維持出来る。
子の主出射方向側に於て、リードの端面はタイバー跡が
なく平坦に形成されているので、リードの端面は支持具
の基準面と完全に当接される。その結果、半導体レーザ
素子の発光点と支持具の光学部品との関係位置が正しく
維持出来る。
【図１】本発明の実施例に係る半導体レーザ装置と、支
持具の斜視図である。
持具の斜視図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体レーザ装置と、そ
れを支持する支持具の平面断面図である。
れを支持する支持具の平面断面図である。
【図３】図２のＡＡ断面図である。
【図４】図２のＢＢ断面図である。
【図５】図５（ａ）は本発明の実施例に係る半導体レー
ザ装置の受光電流値分布図であり、図５（ｂ）は従来の
半導体レーザ装置の受光電流値分布図である。
ザ装置の受光電流値分布図であり、図５（ｂ）は従来の
半導体レーザ装置の受光電流値分布図である。
【図６】本発明の実施例に係る半導体レーザ装置と従来
の半導体レーザ装置に於ける、各々の経時変化特性図で
ある。
の半導体レーザ装置に於ける、各々の経時変化特性図で
ある。
【図７】本発明の実施例に係る半導体レーザ装置の製造
を説明するための図面である。
を説明するための図面である。
【図８】従来の半導体レーザ装置と、それを支持する支
持具の平面断面図である。
持具の平面断面図である。
【図９】図８のＣＣ断面図である。
１ リード ７ 受光素子 １３ 半導体レーザ素子 １９ 絶縁枠 ２０ 凹部 ２１、２２、２３ 内壁
Claims (3)
- 【請求項１】 リードと、そのリード上に載置され受光
面を有する受光素子と、その受光素子上に又はその前方
の前記リード上に載置されかつ前方に主出射面と後方に
副出射面を有する半導体レーザ素子と、前記受光素子と
前記半導体レーザ素子とを収納する凹部を有する様に前
記リードの周辺に形成され、かつ前記受光素子の後方に
位置する前記凹部の内部に於て外向きに傾斜した内壁が
形成され、かつその内壁と略直交する前記凹部の内部に
於て傾斜した内壁が形成された絶縁枠とを具備した事を
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 少なくとも前記半導体レーザ素子の副出
射面から前記受光素子の受光面までの領域を露出した事
を特徴とする請求項１の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ素子の主出射方向側に
於て、前記リードの端面はタイバー跡がなく平坦に形成
されている事を特徴とする請求項１の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11843694A JP3524579B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11843694A JP3524579B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003357585A Division JP3889742B2 (ja) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326814A true JPH07326814A (ja) | 1995-12-12 |
| JP3524579B2 JP3524579B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=14736595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11843694A Expired - Fee Related JP3524579B2 (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3524579B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (fr) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |
| KR100763068B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2007-10-02 | 로무 가부시키가이샤 | 몰드형 반도체레이저 |
| JP2008283228A (ja) * | 2008-08-29 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2009302451A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP11843694A patent/JP3524579B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2005-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2009302451A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP4668299B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US8422522B2 (en) | 2008-06-17 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2008283228A (ja) * | 2008-08-29 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3524579B2 (ja) | 2004-05-10 |
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