KR100763068B1 - 몰드형 반도체레이저 - Google Patents

몰드형 반도체레이저 Download PDF

Info

Publication number
KR100763068B1
KR100763068B1 KR1020010026937A KR20010026937A KR100763068B1 KR 100763068 B1 KR100763068 B1 KR 100763068B1 KR 1020010026937 A KR1020010026937 A KR 1020010026937A KR 20010026937 A KR20010026937 A KR 20010026937A KR 100763068 B1 KR100763068 B1 KR 100763068B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser chip
light
receiving element
lead
laser
Prior art date
Application number
KR1020010026937A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010105242A (ko
Inventor
나카타나오타로
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20010105242A publication Critical patent/KR20010105242A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100763068B1 publication Critical patent/KR100763068B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231—Stems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

일단부에 다이패드부가 형성된 제 1 리드의 다이패드부에 레이저 칩 및 모니터용의 수광소자가 설치된 서브마운트가 본딩되어 있다.
그리고, 레이저 칩 및 수광소자의 전극이 도시하지 않은 금선 등의 와이어에 의해 제 2 리드와 전기적으로 각각 접속되고, 레이저 칩의 출사면측을 제외한 측면 및 후면을 덮음과 동시에 제 1 리드 및 제 2 리드의 일단부측을 일체로 유지하도록 수지제의 틀체가 설치되어 있다.
그리고, 레이저 칩의 후단면에 대향하는 틀체부분에 수광소자로의 반사를 방지하는 반사방지수단이 형성되어 있다.
그 결과 항상 정확한 레이저 칩의 출력을 검출할 수가 있고, 정확한 광출력제어회로를 형성할 수 있는 몰드형 반도체레이저가 얻어진다.

Description

몰드형 반도체레이저{MOLD TYPE SEMICONDUCTOR LASER}
도 1(a) 및 (1b)는, 본 발명에 따른 몰드형 반도체레이저의 실시형태를 나타내는 설명도.
도 2(a) 및 2(b)는, 본 발명에 따른 몰드형 반도체레이저의 다른 실시형태를 나타내는 설명도.
도 3은, 레이저 칩 후단면에 대향하여 설치된 벽면을 경사지게 한 때의 수광소자에 의해 검출되는 광출력의 온도에 의한 변화를 나타내는 도면.
도 4는, 종래의 몰드형 반도체레이저로 온도를 변화시킨 때의 수광소자에 의한 출력변화를 나타내는 도면.
도 5는, 종래의 몰드형 반도체레이저의 구조예를 나타내는 설명도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
2. 제 1 리드, 2a. 다이패드부
3, 4. 제 2 리드, 5. 모니터용 수광소자
6. 수지제 틀체, 7. 서브마운트
8. 레이저 칩, 9. 반사방지수단
본 발명은, CD(compact disk), DVD(디지탈 다용도 디스크), LBP(laser beam printer), DVD-ROM 등의 픽업용 광원에 사용하는데 특히 적합한, 반도체레이저에 관한 것이다.
더욱 상세하게는, 리드프레임에 레이저 칩이 다이본딩되고, 그 주위를 수지성형에 의한 틀체에 의해 보호하면서, 틀체에 의한 반사의 영향을 없게 하는 구조의 몰드형 반도체레이저에 관한 것이다.
몰드형 반도체레이저는, 예를 들면 일본국 특허 제 2951077호에 나타내고, 도 5에 나타낸 것과 같은 구조로 되어 있다.
도 5에 있어서, 리드프레임(1)으로서 일체로 형성된 3개의 리드(2, 3, 4) 중, 공통리드(2) 선단의 다이패드부(2a)에 레이저(LD)칩(8)이 본딩된 서브마운트(7)가 탑재되어 있다.
그 LD칩(8) 및 모니터용 수광소자(5)가 도시하지 않은 와이어에 의해, 다른 리드(3, 4)와 와이어 본딩되어 있다.
그리고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 합성수지에 의해, 예를 들면 트랜스퍼 몰드(transfer mold)되고, 틀체(6)가 빔의 출사측을 제외한 주위에 형성되는 것에 의해, 각 리드(2, 3, 4)가 일체화되어, 리드프레임(1)으로부터 분리되어도, 각 리드(2)∼(4)는 고정되어 있다.
이 반도체레이저는, 예를 들면 회절격자나 시준렌스 또는 유한계 대물렌즈 등의 광축과 맞추어 부착되므로서, 픽업장치 등의 광원으로서 사용된다.
이 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 서브마운트(7)를 실리콘기판에 의해 형성하고, 그 서브마운트(7)의 표면에서, LD칩(8)의 출사면과 반대의 후측에 수광소자(5)를 설치해서, LD칩(8)의 출력을 모니터하면서, 자동적으로 출력을 일정하게 하여(APC : 자동 광출력제어), 항상 일정출력으로 콤팩트 디스크의 비트 등을 검출하도록 되어 있다.
전술한 바와 같이, 레이저 칩의 출력을 수광소자에 의해 모니터하면서 APC를 행하는 경우, 레이저의 동작에 의한 온도상승 등에 의해, 분위기온도가 변동하면, 수광소자에 의해 수광하는 출력이 변동한다.
예를 들면, 레이저출력을 일정하게 해서, 분위기온도를 변화시키면, 주기적으로 검출출력이 변화하는 것이 검출되었다.
그 때문에, 실제로는 레이저 칩의 출력이 변동하고 있지 않아도, 수광소자에 의해 검출되는 출력은 온도에 의해 변동하고, 그 변동출력에 기초하여 레이저출력을 제어하면, 오히려 레이저출력을 일정하게 할 수 없다고 하는 것을 발견했다.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하여, 항상 정확한 레이저 칩의 출력을 검출하므로서, 정확한 광출력제어회로를 형성하고, 항상 일정출력으로 동작할 수 있는 몰드형 반도체레이저를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같이, 레이저 칩의 후측에 수광소자를 설치하고, 그 수광소자에 의해 레이저 칩의 후단면으로부터 출사되는 광빔의 출력을 모니터하면서, 레이저 칩의 출력을 일정하게 하는 자동 광출력제어회로에 의해 자동제어하는 몰드형 반도체레이저에서는, 캔형(can-type)(스템상에 레이저 칩을 장착해서, 캡을 씌우는 형)과는 달리, 레이저 칩출력의 변동과는 별도로 수광소자에 의해 검출출력이 변동하고 있는 것을 본 발명자는 발견했다.
그리고, 더욱 예의 검토를 거듭하여 그 원인을 조사한 결과, 레이저 칩 및 수광소자부분의 분위기온도를 변경하면 주기적으로 변화하는 것을 발견했다.
즉, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 종래의 캔형의 반도체레이저(E)에서는, 레이저 칩 및 수광소자부분의 분위기온도를 변화시켜도 수광소자에 의한 검출출력은 변화하지 않고 일정한 것에 대해, 전술한 종래의 몰드형 반도체레이저(D)에서는, 온도의 변화에 대해 주기적으로 광출력이 변화하고 있다.
그리고, 더욱 자세히 관찰하면, 수광소자상에 간섭 무늬가 형성되며, 온도에 의해 그 간섭 무늬가 움직이고, 그 간섭 무늬는 레이저 칩의 후측으로부터 나와 직접 수광소자의 표면에 맞닿는 광과, 레이저 칩의 후측으로부터 나와 틀체에서 반사되어 수광소자의 표면에 맞닿는 광이 상호 간섭하여 형성되는 것을 발견했다.
이 원인은, 주위온도가 변화하면, 레이저 칩의 발진파장의 변화에 의해, 간섭 무늬가 형성되거나, 형성되지 않게 되는 것이 원인으로 되어, 검출하는 출력이 변동하는 것이 판명되었다.
그리고, 레이저 칩 후단면에 대향하는 틀체부분에서 반사하는 광이 수광소자의 표면에 그다지 복귀해오지 않게 하므로서, 그 변동을 없앨 수 있는 것을 발견했다.
본 발명에 의한 몰드형 반도체레이저는, 일단부에 다이패드부가 형성된 제 1 리드와, 그 다이패드부에 탑재되는 레이저 칩 및 수광소자와, 그 레이저 칩 및 수광소자의 전극과 전기적으로 접속되는 제 2 리드와, 상기 레이저 칩의 출사면측을 제외한 측면 및 후단면측을 덮고, 제 1 및 제 2 리드의 일단부측을 일체로 유지하는 수지제 틀체로 이루어지고, 상기 레이저 칩 후단면에 대향하는 상기 틀체부분에 상기 수광소자로의 반사를 방지하는 반사방지수단이 형성되어 있다.
여기서 레이저 칩 후단면이란, 레이저 칩으로부터 빔을 출사하는 출사면과 반대측의 단면을 의미한다.
이 구조로 하므로서, 레이저 칩의 후단면으로부터 나온 광빔이, 틀체에서 반사하여 수광소자면상에서 간섭하는 일이 없어지고, 레이저 칩의 후단면으로부터 직접 수광소자에 달하는 광만을 수광하여, 안정된 광출력의 검출을 할 수가 있다.
그 결과, 레이저 칩의 출력을 정확히 모니터하여, 본래의 레이저 칩의 출력변동을 보정하도록 자동 광출력제어를 할 수가 있다.
상기 반사방지수단은, 상기 레이저 칩의 후단면에 대향하는 부분에 있어서의 틀체에, 경사면이 형성되거나, 상기 레이저 칩의 후단면에 대향하는 부분에 있어서의 틀체의 일부가 제거되므로서 형성된다.
(실시예)
본 발명에 따른 몰드형 반도체레이저는, 도 1(a) 및 1(b)에 그 일실시형태의 설명도를 나타내는 바와 같이, 일단부에 다이패드부(2a)가 형성된 제 1 리드(공통리드)(2)의 다이패드부(2a)에 레이저 칩(8) 및 모니터용의 수광소자(5)가 설치된 서브마운트(7)가 탑재되어 있다.
그리고, 레이저 칩(8) 및 수광소자(5)의 전극이 도시하지 않은 금선 등의 와이어에 의해, 제 2 리드(3, 4)와 전기적으로 각각 접속되고, 레이저 칩(8)의 출사면측을 제외한 측면 및 후단면측을 덮음과 동시에, 제 1 및 제 2 리드(2, 3, 4)의 일단부측을 일체로 유지하도록 수지제의 틀체(6)가 설치되어 있다.
그리고, 레이저 칩(8)의 후단면에 대향하는 틀체(6) 부분에 수광소자(5)로의 반사를 방지하는 반사방지수단(9, 9a)이 형성되어 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명자는, 리드프레임의 다이패드부(2a)상에, 레이저 칩(8)을 본딩함과 동시에 수광소자(5)가 형성된 실리콘제의 서브마운트(7)를 탑재시키고, 그 주위를 수지제의 틀체(6)에 의해 둘러싸는 몰드형 반도체레이저에서는, 레이저 칩(8)의 후방에 존재하는 후벽면의 반사에 의해, 수광소자(5)상에 간섭 무늬가 형성되어, 레이저 칩(8)의 출력이 변화하지 않아도, 검출하는 출력이 온도에 의해 변동하는 것을 발견했다.
즉, 레이저 칩(8)의 후측에, 벽면을 설치하여, 그 벽면을 수직면에 대해 전후로 경사지게 하면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 검출출력의 변화의 비율이 변동했다.
도 3에 있어서, A는 후벽면(10)의 수직면에 대한 각도가 +15°(외측으로의 경사)의 경우, B는 0°(수직)의 경우, C는 -15°(내측으로의 경사)의 경우에 대해 각각 표시하고 있다.
도 3으로부터 명백한 바와 같이, 수광소자(5)측으로의 반사가 커지게 되는 내측으로의 경사가 있으면, 대단히 출력변동이 커지게 된다.
한편, 외측으로 경사지면, 수광소자(5)로의 반사광의 조사는 대단히 적게 되기 때문에, 검출출력의 변동은 대단히 적게 된다.
이것으로부터, 레이저 칩(8)의 후단면으로부터 출사하는 빔이, 레이저 칩(8)의 후벽면(10)에서, 수광소자(5)측으로 반사되지 않도록 하므로서, 수광소자(5)에 의한 검출출력의 변동을 억제할 수 있는 것이 판명되었다.
이것은 트랜스퍼 몰드성형에 의해 형성되는 틀체(6)의 노출면이, 금형의 경면 끝마무리에 수반해서, 틀체(6)의 표면도 경면에 가까운 평활한 면으로 형성되어있어, 반사되기 쉬운 때문으로 생각된다.
이 반사를 방지하기 위해서는, 전술한 바와 같이 경사면으로 하여 외측으로 반사시키는 것 외에, 틀체(6)의 광빔이 조사하는 부분을 제거해서 후방으로 광빔을 진행시키거나, 광빔 조사부분의 표면을 난반사하도록 요철면으로 하거나, 광흡수체를 도포하든가 해서 달성할 수가 있다.
도 1에 나타내는 예에서는, 이 반사방지수단(9)이, 틀체(6)의 레이저 칩(8)의 후단면에 대향하는 부분의 내벽에 경사면(9a)이 형성되는 것에 의해 형성된다.
즉, 도 1(b)에 서브마운트부(7)와 틀체(6)의 경사면(9a)이 형성되어 있는 부분만의 확대설명도로 나타내는 바와 같이, 경사면(9a)이 설치되는 것에 의해, 레이저 칩(8)의 후단면으로부터 출사하는 광빔(P)은, 경사면(a)에 닿아 위쪽으로 반사되고, 수광소자(5)쪽으로는 거의 복귀하지 않도록 할 수가 있다.
이 때문에, 수광소자(5)의 표면에서, 레이저 칩(8)으로부터 직접 입사하는 광빔과, 틀체(6)의 내벽에서 반사하여 수광소자(5)의 표면에 달하는 광빔이 상호 간섭하는 일은 없다.
이 경사면(9a)이 형성되는 폭은, 레이저 칩(8)으로부터 출사되는 광빔(P)의 확산과, 레이저 칩(8) 및 틀체(6)간의 거리에 의해 정해지지만, 레이저 칩(8)의 중심부(광빔의 출사부)로부터 ±15°, 즉 θ=30°의 범위에 형성되면, 광빔의 대다수가 경사면(9a)에 닿는다.
또, 경사면(9a)의 수직면과의 각도 α는 10°이상으로 형성되면, 수광소자(5)측으로의 광빔의 반사를, 거의 완전히 방지할 수 있는 것이 확인되었다.
레이저 칩(8)은, 종래와 마찬가지로, 예를 들면 AlGaAs계 또는 InGaAlP계의 화합물반도체의 더블헤테로 구조로 되어, 실리콘으로 되는 서브마운트(7) 등에 본딩되고, 그 실리콘 서브마운트(7)가 공통리드인 제 1 리드(2)의 다이패드부(2a)에 탑재되어 있다.
서브마운트(7)에는, 전술한 바와 같이, 레이저 칩(8)의 광출력을 자동적으로 제어할 수 있도록, 모니터용의 수광소자(5)가 형성되어 있으며, 각각의 한쪽의 전극은 제 1(공통)의 리드(2)에 도전성의 본딩제 등에 의해 전기적으로 접속되고, 다른 쪽의 전극은, 도시하지 않은 금선 등의 와이어에 의해 제 2 리드(3, 4)와 각각 전기적으로 접속되어 있다.
틀체(6)는, 제 1 리드(2) 및 제 2 리드(3, 4)가 리드프레임으로부터 절단되어도, 유지될 수 있도록, 서브마운트의 탑재 및 와이어 본딩된 상태에서, 각 리드 를 일체가 될 수 있도록 레이저 칩의 출사면측을 제외하고, 서브마운트(7)의 주위가 덮이도록, 에폭시수지 등을 트랜스퍼 몰드하므로서 형성되어 있다.
도 1에 나타내는 예에서는, 상면 및 하면에는 수지성형이 되어 있지 않고, 상면은 개방되고, 하면은 다이패드부(2a)가 노출된 구조로 되어 있다.
그리고, 도 1에 나타내는 예에서는, 전술한 바와 같이, 주위를 덮는 틀체(6)의 개방된 출사면측과 대향하는 레이저 칩(8)의 후단면에 대향하는 부분에, 경사면(9a)이 형성되므로서, 수광소자(5)로의 반사를 방지하는 반사방지수단(9)이 설치되어 있다.
전술한 예는, 틀체(6)의 레이저 칩(8)의 후단면에 대향하는 부분에, 경사면(9a)이 형성되므로서, 수광소자(5)측으로의 반사를 방지하는 반사방지수단(9)으로 했으나, 전술한 바와 같이, 경사면이 아니라도, 수광소자(5)의 수광면에 광빔이 반사되지 않도록 하면 된다.
도 2(a)∼2(b)에 나타내는 예는, 틀체(6)의 레이저 칩(8)의 후단면에 대향하는 부분을 삭제한 예이다.
도 2에 나타내는 예도, 도 2(b)에 서브마운트(7)부와 틀체(6)의 제거부분(9b)만의 확대설명도가 나타나 있는 바와 같이, 제거부분(9b)이 형성되므로서, 레이저 칩(8)의 후단면으로부터 출사하는 광빔(P)은, 제거부(9b)를 통과하여 후방으로 진행해서, 수광소자(5)의 쪽으로는 거의 복귀하지 않도록 할 수가 있다.
이 때문에, 수광소자(5)의 표면에서, 레이저 칩(8)으로부터 직접 입사하는 광빔과, 틀체(6)의 내벽에서 반사하여 수광소자(5)의 표면에 달하는 광빔이 상호 간섭하는 일은 없다.
이 제거부(9b)가 형성되는 폭은, 전술한 예와 마찬가지로, 레이저 칩(8)의 중심부(광빔의 출사부)로부터 ±15°, 즉 θ=30°의 범위에 형성되면, 광빔(P)의 대부분이 제거부(9b)를 통과한다.
이 반사방지수단(9)은, 이와 같은 경사면이나 제거부에 의하지 않고도, 예를 들면 그 표면에 요철이 될 수 있는 까칠까칠한 면(요철면)으로 하면, 난반사하여, 예를 들어 얼만가의 광이 수광소자(5)의 표면에 복귀해도, 광의 위상이 산란되어, 레이저 칩(8)으로부터 직접 수광소자(5)의 표면에 입사되는 광빔과 간섭하는 일은 없어, 온도변화에 의한 출력변화를 대폭으로 감소시킬 수가 있다.
또, 흑색도료 등의 광흡수재를 그 부분에 도포해도, 반사를 방지할 수가 있고, 동일한 효과를 얻을 수가 있다.
그러나, 몰드 금형의 이형성과 같은 면, 또는 몰드 후의 가공을 생략하는 바와 같은 면으로부터는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같은 구조로 하므로서, 몰드성형시의 금형을 그와 같은 형상으로 형성해 두는 것 만으로, 공정 수의 증가 없이 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명에 의한 몰드형 반도체레이저는, 틀체에 있어서의 레이저 칩의 후단면에 대향하는 부분에, 수광소자측으로의 반사를 방지하는 반사방지수단이 설치되어 있기 때문에, 레이저 칩의 후단면으로부터 나오는 광빔이 틀체에 의해 반사되어 수광소자에 들어가, 레이저 칩으로부터 직접 수광소자에 들어가는 광빔과 간섭하는 일이 없어진다.
그 결과, 주위온도의 변화가 있어, 그 온도변화에 의한 발진파장이 변해도, 검출하는 광출력이 간섭에 의해 주기적으로 변동하는 일이 없어져, 레이저 칩의 정확한 광출력을 검출할 수 있고, APC회로에 의해, 자동적으로 정밀도 양호하게 광출력을 제어할 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 수광소자를 형성한 서브마운트에 레이저 칩을 본딩해서, 다이패드상에 탑재시키고, 주위를 덮도록 수지제 틀체로 각 리드를 고정시키는 몰드형 반도체레이저에 있어서도, 모니터용의 광빔과, 틀체에서 반사한 광빔이 간섭하는 일이 없어지기 때문에, 수광소자에 의해 대단히 정확히 레이저출력을 검출할 수가 있다.
그 결과, APC회로에 의해, 대단히 정밀도 양호하게 레이저출력을 제어할 수가 있고, 고정밀도로 미세한 DVD 등이라도 깨끗하게 재생할 수가 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 일단부에 다이패드부가 형성된 제 1 리드와,
    상기 다이패드부에 서브마운트를 개재시켜 탑재되는 레이저 칩과,
    상기 다이패드부 상에서 상기 레이저 칩의 레이저 빔을 주로 출사하는 단면인 출사면과 반대측인 후단면측에 설치되는 수광소자와,
    상기 레이저 칩 및 수광소자의 전극과 전기적으로 접속되는 제 2 리드와,
    상기 레이저 칩의 출사면측을 제외한 측면을 덮음과 동시에, 제 1 리드의 일단부 및 제 2 리드의 일단부측을 일체로 유지하는 수지제 틀체로 이루어지고,
    상기 레이저 칩 후단면에 대향하는 상기 틀체부분의 전부 또는 일부분이 제거됨으로써 상기 레이저 칩으로부터의 광과 상기 틀체에서 반사된 광이 상기 수광소자 상에서 간섭하지 않도록 하는 반사방지수단이 형성되어 이루어지는 몰드형 반도체레이저.
  5. 일단부에 다이패드부가 형성된 제 1 리드와,
    상기 다이패드부에 서브마운트를 개재시켜 탑재되는 레이저 칩과,
    상기 다이패드부 상에서 상기 레이저 칩의 레이저 빔을 주로 출사하는 단면인 출사면과 반대측인 후단면측에 설치되는 수광소자와,
    상기 레이저 칩 및 수광소자의 전극과 전기적으로 접속되는 제 2 리드와,
    상기 레이저 칩의 출사면측을 제외한 측면을 덮음과 동시에, 제 1 리드의 일단부 및 제 2 리드의 일단부측을 일체로 유지하는 수지제 틀체로 이루어지고,
    상기 레이저 칩 후단면에 대향하는 상기 틀체부분의 전부 또는 일부분에, 레이저 칩으로부터 입사하는 광을 난반사시키는 요철면이 형성되는 것에 의해, 상기 레이저 칩으로부터의 광과 상기 틀체에서 반사된 광이 상기 수광소자 상에서 간섭하지 않도록 하는 반사방지수단이 형성되어 이루어지는 몰드형 반도체레이저.
  6. 일단부에 다이패드부가 형성된 제 1 리드와,
    상기 다이패드부에 서브마운트를 개재시켜 탑재되는 레이저 칩과,
    상기 다이패드부 상에서 상기 레이저 칩의 레이저 빔을 주로 출사하는 단면인 출사면과 반대측인 후단면측에 설치되는 수광소자와,
    상기 레이저 칩 및 수광소자의 전극과 전기적으로 접속되는 제 2 리드와,
    상기 레이저 칩의 출사면측을 제외한 측면을 덮음과 동시에, 제 1 리드의 일단부 및 제 2 리드의 일단부측을 일체로 유지하는 수지제 틀체로 이루어지고,
    상기 레이저 칩 후단면에 대향하는 상기 틀체부분의 전부 또는 일부에 광흡수재가 도포되는 것에 의해, 상기 레이저 칩으로부터의 광과 상기 틀체에서 반사된 광이 상기 수광소자 상에서 간섭하지 않도록 하는 반사방지수단이 형성되어 이루어지는 몰드형 반도체레이저.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사방지수단이, 상기 레이저 칩 후단면의 광출사부로부터 수평방향으로 ±15°범위의 상기 틀체에 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰드형 반도체레이저.
KR1020010026937A 2000-05-19 2001-05-17 몰드형 반도체레이저 KR100763068B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000148673A JP2001332799A (ja) 2000-05-19 2000-05-19 モールド型半導体レーザ
JP2000-148673 2000-05-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010105242A KR20010105242A (ko) 2001-11-28
KR100763068B1 true KR100763068B1 (ko) 2007-10-02

Family

ID=18654663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010026937A KR100763068B1 (ko) 2000-05-19 2001-05-17 몰드형 반도체레이저

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6970486B2 (ko)
JP (1) JP2001332799A (ko)
KR (1) KR100763068B1 (ko)
CN (1) CN1213524C (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3737769B2 (ja) * 2002-03-28 2006-01-25 株式会社東芝 半導体レーザ装置
JP2004006753A (ja) * 2002-04-05 2004-01-08 Canon Inc 光半導体用パッケージ
KR100498481B1 (ko) * 2003-01-24 2005-07-01 삼성전자주식회사 광픽업장치
WO2005039000A1 (ja) * 2003-10-15 2005-04-28 Sanyo Electric Co., Ltd 半導体レーザ装置
US20050286581A1 (en) * 2004-03-30 2005-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Optical pickup device, semiconductor laser device and housing usable for the optical pickup device, and method of manufacturing semiconductor laser device
JP4970924B2 (ja) * 2006-03-28 2012-07-11 三菱電機株式会社 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置
WO2017183638A1 (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 京セラ株式会社 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置
US11309680B2 (en) * 2017-09-28 2022-04-19 Nichia Corporation Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326814A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2000058962A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Sony Corp 半導体レーザ装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918521A (en) * 1987-01-20 1990-04-17 Olympus Optical Co., Ltd. Solid state imaging apparatus
US5065390A (en) * 1988-04-22 1991-11-12 Sony Corporation Optical playback head
US5488623A (en) * 1990-11-07 1996-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation
US5485479A (en) * 1990-11-07 1996-01-16 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer
JPH0523563U (ja) * 1991-07-17 1993-03-26 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
US5327443A (en) * 1991-10-30 1994-07-05 Rohm Co., Ltd. Package-type semiconductor laser device
US5307362A (en) * 1991-11-06 1994-04-26 Rohm Co., Ltd. Mold-type semiconductor laser device
US5350917A (en) * 1991-12-27 1994-09-27 Sony Corporation Opto-magnetic recording polarization optical apparatus including a laser diode and a light absorbing film
JPH08107252A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置，及び半導体レーザアレイ装置
JP3438365B2 (ja) * 1994-11-29 2003-08-18 ソニー株式会社 複合光学装置およびその製造方法
FR2734094B1 (fr) * 1995-05-12 1997-06-06 Commissariat Energie Atomique Emetteur infrarouge monolithique a semi-conducteur pompe par un microlaser solide declenche
US6219113B1 (en) * 1996-12-17 2001-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for driving an active matrix display panel
US6252252B1 (en) * 1998-04-16 2001-06-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device and optical semiconductor module equipped with the same
US6248948B1 (en) * 1998-05-15 2001-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of producing the same
JP3906956B2 (ja) * 1998-12-24 2007-04-18 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP3091448B2 (ja) * 1999-01-13 2000-09-25 松下電子工業株式会社 光半導体装置
US6425673B1 (en) * 1999-09-20 2002-07-30 Mitsubisshi Chemical Corporation Light guide pipe having elongate roughened protrusions and/or roughened concaves, planar light source unit having a broad viewing angle characteristic, and liquid crystal display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326814A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2000058962A (ja) * 1998-08-12 2000-02-25 Sony Corp 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6970486B2 (en) 2005-11-29
CN1325163A (zh) 2001-12-05
KR20010105242A (ko) 2001-11-28
US20020009112A1 (en) 2002-01-24
CN1213524C (zh) 2005-08-03
JP2001332799A (ja) 2001-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6025213A (en) Semiconductor light-emitting device package and method of manufacturing the same
KR100763068B1 (ko) 몰드형 반도체레이저
US7826332B2 (en) Light-receiving element, optical head using the same, and optical recording/reproducing apparatus using the same
US6188062B1 (en) Laser/detector hybrid with integrated mirror and diffracted returned beam
US6034981A (en) Surface laser diode package having an optical power monitoring function
US6445671B1 (en) Optical pickup device having a shielding protection
JPH1166590A (ja) 光集積ユニット、光ピックアップ装置およびｄｖｄシステム
JP3277736B2 (ja) 半導体素子の封止構造
JP2579317B2 (ja) 半導体レ−ザ装置
JP2003188454A (ja) 半導体レーザ装置および集積化光ピックアップ
KR102146988B1 (ko) 레이저 다이오드 칩 제조방법 및 그것을 포함하는 레이저 다이오드 패키지
US20030169664A1 (en) Optical pickup device
JPH11340574A (ja) 光半導体装置およびその装置に組み込まれる光半導体素子
JP4445220B2 (ja) 半導体レーザ装置及びピックアップ装置
JP2578798B2 (ja) 半導体レ−ザ装置
JP2000151006A (ja) 半導体レーザ装置
US20060077864A1 (en) Semiconductor laser device and optical pickup device having the device
JP3144746B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH06290476A (ja) 光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド
JPH0710508Y2 (ja) 半導体レーザ装置
US20050162994A1 (en) Two-wavelength optical element
JPH08161766A (ja) 光ピックアップ装置
JPS62143492A (ja) 支持体およびこの支持体を組み込んだ光電子装置
US20080037140A1 (en) Light-receiving element, optical head using the same, and optical recording/reproducing apparatus using the same
JPH11316968A (ja) 受光素子一体型半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130903

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee