JPH08107252A - 半導体レーザ装置，及び半導体レーザアレイ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置，及び半導体レーザアレイ装置

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JPH08107252A
JPH08107252A JP24297194A JP24297194A JPH08107252A JP H08107252 A JPH08107252 A JP H08107252A JP 24297194 A JP24297194 A JP 24297194A JP 24297194 A JP24297194 A JP 24297194A JP H08107252 A JPH08107252 A JP H08107252A
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light
laser
semiconductor laser
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photodiode
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Shoichi Kakimoto
昇一 柿本
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザと、その半導体レーザから入射
したレーザ光をそのレーザ光の出射点に反射せず、かつ
半導体レーザのレーザ光出射端面と同時に形成できる受
光面を有するホトダイオードとを同一基板上に備えた半
導体レーザ装置を得る。 【構成】 基板１の表面に対して垂直な一対の端面３，
５を有する半導体レーザ２と、その一方の端面５より出
射されるレーザ光が入射される受光面１０を有するホト
ダイオード９とが同一基板１上に設けられ、さらに基板
１上にレーザ光を通す溝５０が、その一対の側面５１，
５２を上記レーザ光の光軸に平行，かつ基板１の表面に
対して垂直にして設けられ、上記ホトダイオードの受光
面１０は、レーザ光を通す溝５０の一方の側面５２の上
記出射されるレーザ光の拡がり範囲内に配置される構成
とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置，及
び半導体レーザアレイ装置に関し、特に半導体レーザ
と，その半導体レーザより出射されるレーザ光が入射さ
れる受光面を有するホトダイオードとを同一基板上に備
え、そのホトダイオードの受光面は該受光面で反射した
上記レーザ光の反射光が上記レーザ光の出射点に戻らな
いように設けられている構造の半導体レーザ装置，及び
半導体レーザアレイ装置、さらには上記半導体レーザ装
置と同一基板上に、その半導体レーザ装置より出射され
るレーザ光が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置
決め固定するための溝が形成されている半導体レーザ装
置，及び半導体レーザアレイ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来のホトダイオード一体型短共
振器長半導体レーザ装置の一例を示す図であり、「エレ
クトロニクスレターズ」，１８巻，１８９〜１９０頁，
１９８２年（Electronics Letters vol.18 pp189-190(1
982)）に掲載されたものより考えられる構造である。図
において、１は半導体基板、２は基板１上に形成された
半導体レーザ、３は半導体レーザ２の前部レーザ光出射
端面、４は前部レーザ光出射端面３に設けられた前部レ
ーザ光出射点、５は半導体レーザ２の後部レーザ光出射
端面、６は後部レーザ光出射端面５に設けられた後部レ
ーザ光出射点、７は半導体レーザ２の上面電極、８は半
導体レーザ２の上面電極７のボンディングパッド部、９
は後部レーザ光出射点６より出射されたレーザ光をモニ
タするホトダイオード、１０はホトダイオード９の受光
面、１１はホトダイオード９の上面電極，１２は半導体
レーザ２及びホトダイオード９の下面電極である。
【０００３】この従来例では半導体レーザ２の長さ，す
なわち共振器長Ｌは例えば20μｍと短く、半導体レーザ
２の上に上面電極７のボンディングするのが難しいの
で、半導体レーザ２の横の部分に半導体レーザ２の上面
電極７のボンディングパッド部８を設けている。また、
同図に示すようにホトダイオード９は、その受光面１０
が後部レーザ光出射端面５に対向する位置に配置されて
いる。
【０００４】また、半導体レーザ２の一対の反射鏡面で
ある前部レーザ光出射端面３，及び後部レーザ光出射端
面５は例えばＲＩＥ（Reactive ion etching）やＲＩＢ
Ｅ（Reactive ion beam etching ）のようなドライエッ
チングを用いて基板１の表面に対し垂直に形成されてい
る。
【０００５】次に動作について説明すると、後部レーザ
光出射端面５のレーザ光出射点６より出射されるレーザ
光は、ホトダイオード受光面１０に入射してホトダイオ
ード９にモニタ信号を発生させる。また、ホトダイオー
ド９の受光面１０に入射した上記レーザ光の一部はその
受光面１０で反射される。
【０００６】このとき、ホトダイオード９の受光面１０
が基板１の表面に対し垂直に形成されていると、その受
光面１０で反射したレーザ光の一部は後部レーザ光出射
点６に戻り、半導体レーザ２に戻り光雑音を誘起すると
いう問題が発生する。上記文献では、これを避けるため
ホトダイオード９の受光面１０を基板１に対して垂直で
はなく傾けて設けている。
【０００７】図１０は複数個の半導体レーザを並列して
配置した半導体レーザアレイと、各々の該半導体レーザ
の一方の端面より出射されるレーザ光を一対一に対応し
てモニタするホトダイオードを並列して配置したホトダ
イオードアレイとを同一基板に設けた半導体レーザアレ
イ装置の一例を示す図である。
【０００８】図において図９と同一符号は同一または相
当部分を示し、２０は基板１上に設けられた半導体レー
ザアレイ、２１ａ，２１ｂは半導体レーザアレイ２０を
構成する半導体レーザ、２２は半導体レーザアレイの前
部レーザ光出射端面、２３ａ，２３ｂは半導体レーザ２
１ａ，２１ｂの前部レーザ光出射点、２４は半導体レー
ザアレイの後部レーザ光出射端面、２５ａ，２５ｂは半
導体レーザ２１ａ，２１ｂの後部レーザ光出射点、３０
は基板１上に設けられたホトダイオードアレイ、３１
ａ，３１ｂは半導体レーザ２１ａ，２１ｂと一対一で対
応し、半導体レーザ２１ａ，２１ｂの後部レーザ光出射
点２５ａ，２５ｂより出射されたレーザ光を各々モニタ
し、ホトダイオードアレイ３０を構成するホトダイオー
ド、３２ａ，３２ｂはホトダイオード３１ａ，３１ｂの
各々の受光面である。
【０００９】次に一組の半導体レーザとホトダイオード
を例にとって動作について説明すると、半導体レーザ２
１ａの後部レーザ光出射点２５ａより出射されたレーザ
光は、半導体レーザ２１ａに一対一で対応するホトダイ
オード３１ａの受光面３２ａに入射し、ホトダイオード
３１ａにモニタ信号を発生させる。
【００１０】図１１は従来の半導体レーザ装置と光ファ
イバとの結合の様子の一例を示すものである。図におい
て図９と同一符号は同一または相当部分を示し、４１，
４２はレンズ、４３は光ファイバである。
【００１１】このレンズ４１，レンズ４２，及び光ファ
イバ４３は、半導体レーザ２の前部レーザ光出射点４か
ら出射されるレーザ光を光ファイバ４３へ導く際の結合
効率の低下を防止するために正確に位置合わせされてい
る。
【００１２】次に動作について説明すると、半導体レー
ザ２の前部レーザ光出射点４から出射されるレーザ光は
まずレンズ４１に入射して平行光線化され、次にその平
行光線化されたレーザ光はレンズ４２に入射して集光さ
れ、その集光されたレーザ光は光ファイバ４３に入射す
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来のホトダイオード
一体型半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、以下に示すような問題点があった。まず図９に示
す半導体レーザ装置では、ホトダイオード９の受光面１
０を基板１の表面に対し垂直に形成せず傾けて形成して
いるので、ホトダイオード９の受光面１０は基板１の表
面に対し垂直な前部レーザ光出射端面３，及び後部レー
ザ光出射端面５と同時に形成できず、別工程で形成する
必要があった。
【００１４】ホトダイオード９の受光面１０のような基
板１の表面に対して傾きを有する面を形成する方法とし
ては、例えば、まず前部レーザ光出射端面３，及び後部
レーザ光出射端面５の形成と同様な方法を用いて基板１
の表面に対して垂直な面を形成し、その後ＦＩＢ（Focu
sed ion beam）を用いてホトダイオード９の受光面１０
のみを斜めに加工する方法、または、ウェットエッチン
グによる方法が考えられるが、いずれも余分な工程が発
生する。
【００１５】また図１０に示す半導体レーザアレイ装置
では、例えば図１２で示すように半導体レーザ２１ａの
後部レーザ光出射点２５ａから出射されたレーザ光が対
応するホトダイオード３１ａの受光部３２ａのみに受光
されてモニタされ、同様に半導体レーザ２１ｂの後部レ
ーザ光出射点２５ｂから出射されたレーザ光が対応する
ホトダイオード３１ｂの受光面３２ｂのみに受光されて
モニタされるはずのものであるが、半導体レーザ２１ｂ
の後部レーザ光出射点２５ｂから出射されたレーザ光の
一部がホトダイオード３１ａの受光面３２ａに受光され
てモニタされる、いわゆるクロストークが発生する。
【００１６】クロストークの発生を抑えるためには、並
列に配置された各ホトダイオードの間隔を広げることが
考えられるが、そうするとホトダイオードアレイの集積
度が低くなる。
【００１７】また図１１に示す半導体レーザ装置では、
半導体レーザ２の前部レーザ光出射点４から出射された
レーザ光を効率良く光ファイバ４３に結合させるために
はレンズ４１，レンズ４２，光ファイバ４３の相互間の
位置決めを正確に行う必要があり、これは厄介な作業で
あった。
【００１８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、一対の端面を有する半導体レー
ザと、その半導体レーザから入射されたレーザ光をその
出射点に反射せず、かつ上記半導体レーザのレーザ光出
射端面と同時に形成できる受光面を有するホトダイオー
ドとを同一基板上に備えた半導体レーザ装置，及び半導
体レーザアレイ装置を提供することを目的とする。
【００１９】また、この発明は所定の半導体レーザ以外
からの入射レーザ光をホトダイオードにより受光する際
のクロストークの発生を避けることができる半導体レー
ザアレイ装置を提供することを目的とする。
【００２０】また、この発明は半導体レーザの前部レー
ザ光出射端面から出射されるレーザ光が入射する光ファ
イバ，又は光導波路を基板に位置決め固定することを、
容易かつ正確に行うことのできる半導体レーザ装置，及
び半導体レーザアレイ装置を提供することを目的とす
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
係る半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一
対の端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に
設けられた，上記一対の端面の一方より出射されるレー
ザ光が入射される受光面を有するホトダイオードとを備
え、上記一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面
に対し垂直に設けられ、さらに上記ホトダイオードの受
光面は該受光面で反射した上記レーザ光の反射光が上記
レーザ光の出射点に戻らないように設けられているもの
である。
【００２２】また、この発明（請求項２）に係る半導体
レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一対の端面を
有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面に対し垂
直に設けられ、さらに上記ホトダイオードの受光面は上
記レーザ光の光軸に対し平行なある面内に設けられ、か
つ該面内において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲
内に配置されているものである。
【００２３】また、この発明（請求項３）に係る半導体
レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一対の端面を
有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、さら
に上記基板上に上記一対の端面の一方より出射されるレ
ーザ光を通す溝が、その一対の側面を上記レーザ光の光
軸に平行にして設けられ、上記ホトダイオードの受光面
は上記溝の一対の側面の何れか一方に設けられ、かつ該
側面内において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内
に配置され、さらに上記一対の端面，及び上記受光面は
上記基板の表面に対し垂直に設けられているものであ
る。
【００２４】また、この発明（請求項４）に係る半導体
レーザアレイ装置は、半導体基板上に設けられた一対の
端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設け
られた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光
が入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、
さらに上記基板上に上記一対の端面の一方より出射され
るレーザ光を通す溝が、その一対の側面を上記レーザ光
の光軸に平行にして設けられ、上記ホトダイオードの受
光面は上記溝の一対の側面の何れか一方に設けられ、か
つ該側面内において上記出射されるレーザ光の拡がり範
囲内に配置され、さらに上記一対の端面，及び上記受光
面は上記基板の表面に対し垂直に設けられている構成の
半導体レーザ装置を複数個、上記半導体基板上に、各半
導体レーザ装置から出射されるレーザ光の光軸を同一方
向にして並列して配置してなるものである。
【００２５】また、この発明（請求項５）に係る半導体
レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一対の端面を
有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面に対し垂
直に設けられ、さらに上記ホトダイオードはその受光面
を上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有し、
上記ホトダイオードの受光面は該受光面で反射した上記
レーザ光の反射光を上記レーザ光の出射点に戻さない形
状を有するものである。
【００２６】また、この発明（請求項６）に係る半導体
レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一対の端面を
有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面に対し垂
直に設けられ、さらに上記ホトダイオードはその受光面
を上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有し、
上記ホトダイオードの受光面は凹面の形状を有し、該受
光面のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も離れ
た点が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置するも
のである。
【００２７】また、この発明（請求項７）に係る半導体
レーザアレイ装置は、半導体基板上に設けられた一対の
端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設け
られた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光
が入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、
上記一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面に対
し垂直に設けられ、さらに上記ホトダイオードはその受
光面を上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有
し、上記ホトダイオードの受光面は凹面の形状を有し、
該受光面のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も
離れた点が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置す
る構成の半導体レーザ装置を複数個、上記半導体基板上
に、各半導体レーザ装置から出射されるレーザ光の光軸
を同一方向にして並列して配置してなるものである。
【００２８】また、この発明（請求項８）に係る半導体
レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一対の端面を
有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面に対し垂
直に設けられ、さらに上記ホトダイオードの受光面は該
受光面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光
の出射点に戻らないように設けられ、さらに上記半導体
基板上に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレ
ーザ光が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置決め
固定するための溝が形成されているものである。
【００２９】また、この発明（請求項９）に係る半導体
レーザ装置は、半導体基板上に設けられた一対の端面を
有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面は上記基板の表面に対し垂
直に設けられ、さらに上記ホトダイオードの受光面は該
受光面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光
の出射点に戻らないように設けられ、さらに上記半導体
基板上に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレ
ーザ光が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置決め
固定するための溝が形成され、上記位置決め固定するた
めの溝は、上記半導体レーザのレーザ光出射端面に近い
位置において上記光ファイバの径，又は光導波路の幅よ
り狭い幅を有し、上記レーザ光の出射端面から離れた位
置において上記光ファイバの径，又は光導波路の幅より
広い幅を有するものである。
【００３０】
【作用】この発明（請求項１）における半導体レーザ装
置では、半導体基板上に設けられた一対の端面を有する
半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられた，上記
一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入射される
受光面を有するホトダイオードとを備え、上記一対の端
面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し垂直に設
け、さらに上記ホトダイオードの受光面を該受光面で反
射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光の出射点に
戻らないように設ける構成にしたので、上記半導体レー
ザにおいて戻り光雑音が発生することを避けることがで
き、また上記半導体レーザの一対の端面と上記ホトダイ
オードの受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に
形成することができ、製造工程を短縮することができ
る。
【００３１】また、この発明（請求項２）における半導
体レーザ装置では、半導体基板上に設けられた一対の端
面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けら
れた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が
入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上
記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し
垂直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光面を上記
レーザ光の光軸に対し平行なある面内に設け、かつ該面
内において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内に配
置する構成にしたので、上記ホトダイオードの受光面で
反射した上記レーザ光が上記レーザ光の出射点に戻るこ
とはなく、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発生
することを避けることができ、また上記半導体レーザの
一対の端面と上記ホトダイオードの受光面とを、ドライ
エッチングを用いて同時に形成することができ、製造工
程を短縮することができる。
【００３２】また、この発明（請求項３）における半導
体レーザ装置では、半導体基板上に設けられた一対の端
面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けら
れた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が
入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、さ
らに上記基板上に上記一対の端面の一方より出射される
レーザ光を通す溝を、その一対の側面を上記レーザ光の
光軸に平行にして設け、上記ホトダイオードの受光面を
上記溝の一対の側面の何れか一方に設け、かつ該側面内
において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内に配置
し、さらに上記一対の端面，及び上記受光面を上記基板
の表面に対し垂直に設ける構成にしたので、上記ホトダ
イオードの受光面で反射した上記レーザ光が上記レーザ
光の出射点に戻ることはなく、上記半導体レーザにおい
て戻り光雑音が発生することを避けることができ、また
上記半導体レーザの一対の端面と上記ホトダイオードの
受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に形成する
ことができ、製造工程を短縮することができる。
【００３３】また、この発明（請求項４）における半導
体レーザアレイ装置では、半導体基板上に設けられた一
対の端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に
設けられた，上記一対の端面の一方より出射されるレー
ザ光が入射される受光面を有するホトダイオードとを備
え、さらに上記基板上に上記一対の端面の一方より出射
されるレーザ光を通す溝を、その一対の側面を上記レー
ザ光の光軸に平行にして設け、上記ホトダイオードの受
光面を上記溝の一対の側面の何れか一方に設け、かつ該
側面内において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内
に配置し、さらに上記一対の端面，及び上記受光面を上
記基板の表面に対し垂直に設けるようにした半導体レー
ザ装置を複数個、上記半導体基板上に、各半導体レーザ
装置から出射されるレーザ光の光軸を同一方向にして並
列して配置したので、上記各々の半導体レーザ装置にお
いて、上記ホトダイオードの受光面で反射した上記レー
ザ光が上記レーザ光の出射点に戻ることはなく、上記半
導体レーザにおいて戻り光雑音が発生することを避ける
ことができ、また上記半導体レーザアレイ装置を構成す
る全ての半導体レーザの一対の端面と全てのホトダイオ
ードの受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に形
成することができ、製造工程を短縮することができる。
【００３４】さらに、上記半導体レーザアレイ装置を構
成する各々のホトダイオードの受光面は、該受光面が設
けられた溝の側面を形成する部分によって、上記ホトダ
イオードと対応する半導体レーザ以外より出射されたレ
ーザ光から遮られ、これにより上記半導体レーザアレイ
装置を構成する各半導体レーザから出射されたレーザ光
の一部が、本来受光されるべきホトダイオードとは異な
るホトダイオードの受光面に受光されてモニタされるク
ロストークの発生を避けることができ、これまでクロス
トークが発生するためあまり狭くできなかった各ホトダ
イオード間の間隔をより狭くでき、半導体レーザアレイ
装置の集積度を向上することができる。
【００３５】また、この発明（請求項５）における半導
体レーザ装置では、半導体基板上に設けられた一対の端
面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けら
れた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が
入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上
記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し
垂直に設け、さらに上記ホトダイオードはその受光面を
上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有し、上
記ホトダイオードの受光面は該受光面で反射した上記レ
ーザ光の反射光を上記レーザ光の出射点に戻さない形状
を有する構成にしたので、上記半導体レーザにおいて戻
り光雑音が発生することを避けることができ、また上記
半導体レーザの一対の端面と上記ホトダイオードの受光
面とを、ドライエッチングを用いて同時に形成すること
ができ、製造工程を短縮することができる。
【００３６】さらに、上記ホトダイオードの受光面が上
記レーザ光を出射する端面と対向しているので、上記ホ
トダイオードの受光面は上記レーザ光を有効に受光する
ことができる。
【００３７】また、この発明（請求項６）における半導
体レーザ装置では、半導体基板上に設けられた一対の端
面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けら
れた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が
入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上
記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し
垂直に設け、さらに上記ホトダイオードはその受光面を
上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有し、上
記ホトダイオードの受光面は凹面の形状を有し、該受光
面のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も離れた
点が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置する構成
にしたので、上記ホトダイオードの受光面で反射した上
記レーザ光が上記レーザ光の出射点に戻ることはなく、
上記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発生することを
避けることができ、また上記半導体レーザの一対の端面
と上記ホトダイオードの受光面とを、ドライエッチング
を用いて同時に形成することができ、製造工程を短縮す
ることができる。
【００３８】さらに、上記ホトダイオードの受光面が上
記レーザ光を出射する端面と対向しているので、上記ホ
トダイオードの受光面は上記レーザ光を有効に受光する
ことができる。
【００３９】また、この発明（請求項７）における半導
体レーザアレイ装置では、半導体基板上に設けられた一
対の端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に
設けられた，上記一対の端面の一方より出射されるレー
ザ光が入射される受光面を有するホトダイオードとを備
え、上記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面
に対し垂直に設け、さらに上記ホトダイオードはその受
光面を上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有
し、上記ホトダイオードの受光面は凹面の形状を有し、
該受光面のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も
離れた点が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置す
るようにした半導体レーザ装置を複数個、上記半導体基
板上に、各半導体レーザ装置から出射されるレーザ光の
光軸を同一方向にして並列して配置したので、上記各々
の半導体レーザ装置において、上記ホトダイオードの受
光面で反射した上記レーザ光が上記レーザ光の出射点に
戻ることはなく、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音
が発生することを避けることができ、また上記半導体レ
ーザアレイ装置を構成する全ての半導体レーザの一対の
端面と全てのホトダイオードの受光面とを、ドライエッ
チングを用いて同時に形成することができ、製造工程を
短縮することができる。
【００４０】また、上記半導体レーザアレイ装置を構成
する各々のホトダイオードの受光面が、該受光面に対応
する各々のレーザ光を出射する端面と対向しているの
で、上記各々のホトダイオードの受光面は対応する各々
のレーザ光を有効に受光することができる。
【００４１】さらに、上記半導体レーザアレイ装置を構
成する各々のホトダイオードの受光面は、該受光面と該
受光面に対応するレーザ光出射端面が形成する窪みの周
囲の部分によって、上記レーザ光出射端面以外より出射
されたレーザ光から遮られ、これにより上記半導体レー
ザアレイ装置を構成する各半導体レーザから出射された
レーザ光の一部が、本来受光されるべきホトダイオード
とは異なるホトダイオードの受光面に受光されてモニタ
されるクロストークの発生を避けることができ、これま
でクロストークが発生するためあまり狭くできなかった
各ホトダイオード間の間隔をより狭くでき、半導体レー
ザアレイ装置の集積度を向上することができる。
【００４２】また、この発明（請求項８）における半導
体レーザ装置では、半導体基板上に設けられた一対の端
面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けら
れた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が
入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上
記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し
垂直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光面を該受
光面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光の
出射点に戻らないように設け、さらに上記半導体基板上
に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレーザ光
が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定す
るための溝を形成するように構成したので、上記ホトダ
イオードの受光面で反射した上記レーザ光が上記レーザ
光の出射点に戻ることはなく、上記半導体レーザにおい
て戻り光雑音が発生することを避けることができ、また
上記半導体レーザの一対の端面と上記ホトダイオードの
受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に形成する
ことができ、製造工程を短縮することができ、また上記
光ファイバ，又は光導波路を基板に位置決め固定するこ
とを、容易かつ正確に行うことができる。
【００４３】また、この発明（請求項９）における半導
体レーザ装置では、半導体基板上に設けられた一対の端
面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けら
れた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が
入射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上
記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し
垂直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光面を該受
光面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光の
出射点に戻らないように設け、さらに上記半導体基板上
に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレーザ光
が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定す
るための溝を形成し、上記位置決め固定するための溝は
上記半導体レーザのレーザ光出射端面に近い位置におい
て上記光ファイバの径，又は光導波路の幅より狭い幅を
有し、上記レーザ光の出射端面から離れた位置において
上記光ファイバの径，又は光導波路の幅より広い幅を有
するように構成したので、上記ホトダイオードの受光面
で反射した上記レーザ光が上記レーザ光の出射点に戻る
ことはなく、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発
生することを避けることができ、また上記半導体レーザ
の一対の端面と上記ホトダイオードの受光面とを、ドラ
イエッチングを用いて同時に形成することができ、製造
工程を短縮することができる。
【００４４】また、上記光ファイバ，又は光導波路を基
板に位置決め固定することを、容易かつ正確に行うこと
ができ、さらに上記光ファイバ，又は光導波路の先端が
上記半導体レーザのレーザ光出射端面に衝突して、該レ
ーザ光出射端面に損傷を与えることを避けることができ
る。
【００４５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す図で、短共振器長の半導体レーザ装置に本発明を適
用したものを示す図である。図において、図９と同一符
号は同一または相当部分を示し、５０は後部レーザ光出
射端面５より出射されるレーザ光を通す溝，５１，５２
はレーザ光を通す溝５０の側面である。
【００４６】本実施例では、基板１上に半導体レーザ２
が設けられ、この半導体レーザ２の一対の反射鏡面であ
る前部レーザ光出射端面３，及び後部レーザ光出射端面
５は基板１の表面に対して垂直に形成されている。この
後部レーザ光出射端面５のレーザ光出射方向には後部レ
ーザ光出射端面５より出射されるレーザ光を通す溝５０
が設けられ、このレーザ光を通す溝５０はその一対の側
面５１，５２をレーザ光の光軸に対して平行にし、かつ
基板１の表面に対して垂直にして設けられている。上記
レーザ光を通す溝５０の側面の一方５２には、上記レー
ザ光をモニタするホトダイオード９の受光面１０が上記
レーザ光の拡がり範囲内に設けられている。このレーザ
光の拡がり範囲は、上記レーザ光が水平方向に10数度の
拡がりを持つので、例えば溝５０の幅を20μｍ，長さを
300 μｍとすると後部レーザ光出射端面５から100 μｍ
以降の溝の側面が上記レーザ光の拡がり範囲内となる。
【００４７】次に動作について説明する。半導体レーザ
２の後部レーザ光出射端面５より出射されたレーザ光は
その光軸に沿って進みながら水平方向に10数度の角度で
拡がり、拡がったレーザ光の一部はレーザ光を通す溝５
０の一方の側面５２に設けられたホトダイオードの受光
面１０に入射して、ホトダイオード９にモニタ電流を発
生させる。このとき、ホトダイオードの受光面１０に入
射したレーザ光の一部はその受光面１０で反射される。
しかし、その受光面１０が後部レーザ光出射端面５より
出射されたレーザ光の光軸に対して平行なので、その受
光面１０に入射したレーザ光の一部は後部レーザ光出射
端面５から遠ざかる方向に反射される。そのためホトダ
イオードの受光面１０で反射されたレーザ光は後部レー
ザ光出射点６には戻ることはなく、従ってホトダイオー
ドの受光面１０で反射されたレーザ光が半導体レーザ２
において戻り光雑音を誘起するということはない。
【００４８】このように本実施例による半導体レーザ装
置では、半導体基板１上に設けられた前部レーザ光出射
端面３，及び後部レーザ光出射端面５を有する半導体レ
ーザ２と、上記半導体基板１上に設けられた、上記後部
レーザ光出射端面５より出射されるレーザ光が入射され
る受光面１０を有するホトダイオード９とを備え、さら
に上記基板１上に上記後部レーザ光出射端面５より出射
されるレーザ光を通す溝５０が、その一対の側面５１，
５２を上記レーザ光の光軸に平行にして設けられ、上記
ホトダイオードの受光面１０は、上記溝５０の一方の側
面５２に設けられ、かつ該側面５２内において上記出射
されるレーザ光の拡がり範囲内に配置されるようにした
ので、上記後部レーザ光出射端面５より出射されるレー
ザ光はホトダイオードの受光面１０で反射しても後部レ
ーザ光出射点６に戻ることはなく、従ってホトダイオー
ドの受光面１０で反射されたレーザ光が半導体レーザ２
において戻り光雑音を誘起するということはない。
【００４９】さらに前部レーザ光出射端面３，後部レー
ザ光出射端面５，及びホトダイオードの受光面１０は、
基板１の表面に対し垂直に設けられているので、例えば
ＲＩＥ（Reactive ion etching）やＲＩＢＥ（Reactive
ion beam etching ）のようなドライエッチングを用い
て同時に形成することができ、製造工程を短縮すること
ができる。
【００５０】なお、上記実施例ではホトダイオードの受
光面１０をレーザ光の通る溝５０の一方の側面５２に設
けたが、これは上記出射されるレーザ光の光軸に平行
で、かつ基板１の表面に対して垂直な面が上記レーザ光
の拡がり範囲内にあれば、その面にホトダイオードの受
光面１０を設けることができる。
【００５１】次に、本発明の第２の実施例を図について
説明する。図２(a) は本発明の第２の実施例による半導
体レーザ装置を示す図で、図２(b) はその上面図であ
る。図において、図９と同一符号は同一または相当部分
を示し、６０はホトダイオードの受光面１０が後部レー
ザ光出射端面５から最も離れた点である。
【００５２】本実施例では、基板１上に半導体レーザ２
が設けられ、この半導体レーザ２の一対の反射鏡面であ
る前部レーザ光出射端面３，及び後部レーザ光出射端面
５は基板１の表面に対して垂直に形成されている。この
後部レーザ光出射端面５のレーザ光出射方向には、後部
レーザ光出射端面５から出射されるレーザ光をモニタす
るホトダイオード９の受光面１０が、上記レーザ光を出
射する端面５と対向する位置に基板１の表面に対して垂
直に設けられている。
【００５３】このホトダイオードの受光面１０は、凹面
の形状を有し、該受光面１０のうちの，上記レーザ光を
出射する端面５から最も離れた点６０が、上記レーザ光
の光軸からずれた点に位置している。
【００５４】この実施例では、後部レーザ光出射端面５
の幅が100 μｍ, 後部レーザ光出射端面５とその端面か
ら最も離れた受光面の点６０の間隔が150 μｍ程度であ
り、その端面から最も離れた受光面の点６０と出射され
るレーザ光の光軸とは数μｍほどずれている。
【００５５】次に動作について説明する。半導体レーザ
２の後部レーザ光出射端面５より出射されたレーザ光は
その光軸に沿って進みながら水平方向に10数度の角度で
拡がり、拡がったレーザ光は上記レーザ光を出射する端
面５と対向する位置に設けられたホトダイオード９の受
光面１０に入射して、ホトダイオード９にモニタ電流を
発生させる。このとき、ホトダイオードの受光面１０に
入射したレーザ光の一部はその受光面１０で反射され
る。しかし、その受光面１０が凹面の形状を有し、該受
光面１０のうちの，上記レーザ光を出射する端面５から
最も離れた点６０が、上記レーザ光の光軸からずれた点
に位置しているので、その受光面１０で少なくとも一度
反射したレーザ光は後部レーザ光出射端面５の後部レー
ザ光出射点６からずれた点に戻り、従ってホトダイオー
ドの受光面１０で反射されたレーザ光が半導体レーザ２
において戻り光雑音を誘起するということはない。
【００５６】このように本実施例による半導体レーザ装
置では、半導体基板１上に設けられた前部レーザ光出射
端面３，及び後部レーザ光出射端面５を有する半導体レ
ーザ２と、上記半導体基板１上に設けられた、上記後部
レーザ光出射端面５より出射されるレーザ光が入射され
る受光面１０を有するホトダイオード９とを備え、さら
に上記ホトダイオード９は、その受光面１０を上記レー
ザ光を出射する端面５と対向する位置に有し、上記ホト
ダイオードの受光面５は、凹面の形状を有し、該受光面
５のうちの，上記レーザ光を出射する端面から最も離れ
た点６０が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置す
るようにしたので、上記後部レーザ光出射端面５より出
射されるレーザ光はホトダイオードの受光面１０で反射
しても後部レーザ光出射点６に戻ることはなく、従って
ホトダイオードの受光面１０で反射されたレーザ光が半
導体レーザ２において戻り光雑音を誘起するということ
はない。
【００５７】さらに前部レーザ光出射端面３，後部レー
ザ光出射端面５，及びホトダイオードの受光面１０は、
基板１の表面に対し垂直に設けられているので、これら
は例えばＲＩＥ（Reactive ion etching）やＲＩＢＥ
（Reactive ion beam etching）のようなドライエッチ
ングを用いて同時に形成することができ、製造工程を短
縮することができる。
【００５８】さらに本実施例においては、後部レーザ光
出射端面５から出射されるレーザ光をモニタするホトダ
イオード９の受光面１０が上記レーザ光を出射する端面
５と対向しているので、本発明の第１の実施例に比べ
て、後部レーザ光出射端面５から出射されるレーザ光の
多くがホトダイオードの受光面１０に有効に受光される
こととなる。
【００５９】なお、図２においては、受光面１０で反射
したレーザ光が後部レーザ光出射端面５で焦点を結んで
いる例を示しているが、これは受光面１０で反射して後
部レーザ光出射端面５に戻ったレーザ光が後部レーザ光
出射点６からずれていればよく、必ずしも後部レーザ光
出射端面５で焦点を結ぶ必要はない。
【００６０】また、上記実施例では後部レーザ光出射端
面５の幅を100 μｍ, 後部レーザ光出射端面５とその端
面から最も離れた受光面の点６０の間隔を150 μｍ程度
とし、その端面から最も離れた受光面の点６０と出射さ
れるレーザ光の光軸とを数μｍほどずれているとした
が、本発明はこの数値に限定されるものではない。
【００６１】次に、本発明の第３の実施例を図について
説明する。図３は本発明の第３の実施例による半導体レ
ーザアレイ装置を示す図で、図において図１と同一符号
は同一または相当部分を示し、７０は、半導体レーザ２
と隣接する半導体レーザ、７１は、隣接する半導体レー
ザ７０の後部レーザ光出射端面である。
【００６２】本実施例の半導体レーザアレイ装置は、本
発明の第１の実施例で示される半導体レーザ装置を、複
数個，上記半導体基板１上に、各半導体レーザ装置から
出射されるレーザ光の光軸を同一方向にして並列して配
置して構成されている。
【００６３】次に、上記半導体レーザアレイを構成する
複数の半導体レーザ装置のひとつを例にとって個々の半
導体レーザ装置の動作について説明する。半導体レーザ
２の後部レーザ光出射端面５より出射されたレーザ光は
その光軸に沿って進みながら水平方向に10数度の角度で
拡がり、拡がったレーザ光の一部はレーザ光を通す溝５
０の一方の側面５２に設けられたホトダイオード９の受
光面１０に入射して、ホトダイオード９にモニタ電流を
発生させる。このとき、ホトダイオードの受光面１０に
入射したレーザ光の一部はその受光面１０で反射され
る。しかし、その受光面１０が後部レーザ光出射端面５
より出射されたレーザ光の光軸に対して平行なので、そ
の受光面１０に入射したレーザ光の一部は後部レーザ光
出射端面５から遠ざかる方向に反射される。そのためホ
トダイオードの受光面１０で反射されたレーザ光は後部
レーザ光出射点６には戻ることはなく、従ってホトダイ
オードの受光面１０で反射されたレーザ光が半導体レー
ザ２において戻り光雑音を誘起するということはない。
【００６４】次に、上記半導体レーザアレイを構成する
各々の半導体レーザ装置の相互の関係について、隣接す
る二つの半導体レーザ装置を例にとって説明する。ホト
ダイオードの受光面１０はそのホトダイオードの受光面
１０が設けられた溝の側面５１，及び５２を形成する部
分によって、ホトダイオード９と対応する半導体レーザ
２以外の後部レーザ光出射端面（例えば半導体レーザ２
に隣接する半導体レーザ７０の後部レーザ光出射端面７
１）より出射されたレーザ光から遮られているため、例
えば半導体レーザ７０の後部レーザ光出射端面７１から
出射されたレーザ光の一部が本来受光されるべきでない
ホトダイオード９の受光面１０に受光されてモニタされ
る、いわゆるクロストークは発生しない。
【００６５】このように本実施例によれば、本発明の第
１の実施例で示される半導体レーザ装置を、複数個，上
記半導体基板１上に、各半導体レーザ装置から出射され
るレーザ光の光軸を同一方向にして並列して配置するよ
うにしたので、第１の実施例で示される効果に加えて、
隣接する後部レーザ光出射端面から出射されたレーザ光
をホトダイオードにより受光する際のクロストークの発
生を避けることができ、これまでクロストークが発生す
るためあまり狭くできなかった各ホトダイオード間の間
隔をより狭くでき、半導体レーザアレイ装置の集積度を
高くすることができる。
【００６６】次に、本発明の第４の実施例を図について
説明する。図４は本発明の第４の実施例による半導体レ
ーザアレイ装置を示す図で、図において図１，及び図３
と同一符号は同一または相当部分を示す。
【００６７】本実施例の半導体レーザアレイ装置は、本
発明の第２の実施例で示される半導体レーザ装置を、複
数個，上記半導体基板１上に、各半導体レーザ装置から
出射されるレーザ光の光軸を同一方向にして並列して配
置して構成されている。
【００６８】次に、上記半導体レーザアレイを構成する
複数の半導体レーザ装置のひとつを例にとって個々の半
導体レーザ装置の動作について説明する。半導体レーザ
２の後部レーザ光出射端面５より出射されたレーザ光は
その光軸に沿って進みながら水平方向に10数度の角度で
拡がり、拡がったレーザ光は上記レーザ光を出射する端
面５と対向する位置に設けられたホトダイオード９の受
光面１０に入射して、ホトダイオード９にモニタ電流を
発生させる。このとき、ホトダイオードの受光面１０に
入射したレーザ光の一部はその受光面１０で反射され
る。しかし、その受光面１０が凹面の形状を有し、該受
光面１０のうちの，上記レーザ光を出射する端面５から
最も離れた点６０が、上記レーザ光の光軸からずれた点
に位置しているので、その受光面１０で少なくとも一度
反射したレーザ光は後部レーザ光出射端面５の後部レー
ザ光出射点６からずれた点に戻り、従ってホトダイオー
ドの受光面１０で反射されたレーザ光が半導体レーザ２
において戻り光雑音を誘起するということはない。
【００６９】さらにホトダイオードの受光面１０は、そ
のホトダイオードの受光面１０と後部レーザ光出射端面
５が形成する窪みの周囲の部分によって、ホトダイオー
ド９と対応する半導体レーザ２以外の後部レーザ光出射
端面（例えば７１）より出射されたレーザ光から遮られ
ているため、例えば半導体レーザ７０の後部レーザ光出
射端面７１から出射されたレーザ光の一部がホトダイオ
ード９の受光面１０に受光されてモニタされる、いわゆ
るクロストークは発生しない。
【００７０】このように本実施例によれば、本発明の第
２の実施例で示される半導体レーザ装置を、複数個，上
記半導体基板１上に、各半導体レーザ装置から出射され
るレーザ光の光軸を同一方向にして並列して配置するよ
うにしたので、第２の実施例で示される効果に加えて、
隣接する後部レーザ光出射端面から出射されたレーザ光
をホトダイオードにより受光する際のクロストークの発
生を避けることができ、これまでクロストークが発生す
るためあまり狭くできなかった各ホトダイオード間の間
隔をより狭くでき、半導体レーザアレイ装置の集積度を
高くすることができる。
【００７１】次に、本発明の第５の実施例を図について
説明する。図５(a) は本発明の第５の実施例による半導
体レーザ装置を示す図で、図５(b) はその上面図であ
る。図において、図１と同一符号は同一または相当部分
を示し、９０は前部レーザ光出射点より出射されるレー
ザ光が入射する光ファイバ，又は光導波路、９１は光フ
ァイバ，又は光導波路９０を基板１に位置決め固定する
ための溝である。
【００７２】本実施例では、同一基板１上に本発明の第
１の実施例で示される半導体レーザ装置と、その半導体
レーザ装置の前部レーザ光出射端面３から出射されるレ
ーザ光が入射する，光ファイバ，又は光導波路９０を位
置決め固定するための溝９１とが形成されている。この
光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定するための溝
９１の幅はこの溝９１に位置決め固定する光ファイバ，
又は光導波路９０の外径，又は幅とほぼ同じであり、例
えば先球ファイバーを位置決め固定する場合、およそ60
〜70μｍの幅になる。この光ファイバ，又は光導波路を
位置決め固定するための溝９１に沿って、光ファイバ，
又は光導波路９０を設置し、ハンダを用いて溶着，固定
する。
【００７３】このとき、光ファイバ，又は光導波路を位
置決め固定するための溝９１は、半導体レーザ２を形成
する基板１自体を加工して形成されているため、半導体
レーザ２と溝９１はあらかじめ正確に位置関係を設定で
き、半導体レーザ２と光ファイバ，又は光導波路９２と
の位置合わせも容易，かつ正確に行うことができる。
【００７４】このように本実施例によれば、同一基板上
に本発明の第１の実施例で示される半導体レーザ装置
と、その半導体レーザ装置の前部レーザ光出射端面３か
ら出射されるレーザ光が入射する，光ファイバ，又は光
導波路を位置決め固定するための溝９１とを形成したの
で、本発明の第１の実施例で示される効果に加えて、光
ファイバ，又は光導波路９０を基板１に位置決め固定す
ることを、容易かつ正確に行うことができる。
【００７５】なお、上記実施例では光ファイバ，又は光
導波路を位置決め固定するための溝９１の形状として半
円形のものを示したが、Ｖ字状，又は四角状であっても
よい。
【００７６】さらに、図６に示すように光ファイバ，又
は光導波路を位置決め固定するための溝９１の一対の側
面を基板１の表面に対し垂直とし、その溝９１の底部を
レーザ光を通す溝５０の底部と同じ高さの平面にする
と、光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定するため
の溝９１は半導体レーザの一対のレーザ光出射端面３，
５，及びホトダイオードの受光面１０と同時に、例えば
ＲＩＥ（Reactive ion etching）やＲＩＢＥ（Reactive
ion beam etching ）のようなドライエッチングを用い
て形成することができ、製造工程を短縮することができ
る。
【００７７】次に、本発明の第６の実施例を図について
説明する。図７(a) は本発明の第６の実施例による半導
体レーザ装置を示す図で、図７(b) はその上面図であ
る。図において、図５と同一符号は同一または相当部分
を示し、９２は光ファイバ，又は光導波路９０が前部レ
ーザ光出射端面３に衝突しないための溝である。
【００７８】本実施例では、本発明の第５の実施例で示
される半導体装置の半導体レーザ２の前部レーザ光出射
端面３と光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定する
ための溝９１との間に光ファイバ，又は光導波路９０が
前部レーザ光出射端面３に衝突しないための溝９２を設
けている。この光ファイバ，又は光導波路が前部レーザ
光出射端面に衝突しないための溝９２は、その幅が光フ
ァイバ，又は光導波路を位置決め固定するための溝９１
に位置決め固定する光ファイバ，又は光導波路９０の外
径より小さく、例えば先球ファイバーを位置決め固定す
る場合、およそ40〜50μｍ程度である。また、光ファイ
バ，又は光導波路が前部レーザ光出射端面に衝突しない
ための溝９２の長さは半導体レーザの前部レーザ光出射
端面３と光ファイバ，又は光導波路９０の間隔に影響す
るので、レーザ光の結合効率をあげるためにはできるだ
け短い方がよく、例えば10μｍ程度である。この光ファ
イバ，又は光導波路を位置決め固定するための溝９１に
沿って、光ファイバ，又は光導波路９０を設置し、ハン
ダを用いて溶着，固定する。
【００７９】このとき、光ファイバ，又は光導波路を位
置決め固定するための溝９１と、前部レーザ光出射端面
３との間に光ファイバ，又は光導波路９０より幅の狭い
溝９２を設けたので、光ファイバ，又は光導波路９０の
先端が誤って前部レーザ光出射端面３に衝突して、損傷
を与えることがない。
【００８０】このように本実施例によれば、本発明の第
５の実施例で示される半導体装置の半導体レーザ２の前
部レーザ光出射端面３と光ファイバ，又は光導波路を位
置決め固定するための溝９１との間に光ファイバ，又は
光導波路が前部レーザ光出射端面に衝突しないための溝
９２を設けたので、光ファイバ，又は光導波路９０の先
端が前部レーザ光出射端面３に衝突して、その前部レー
ザ光出射端面３に損傷を与えることを避けることができ
る。
【００８１】なお、上記実施例では光ファイバ，又は光
導波路が前部レーザ光出射端面に衝突しないための溝９
２の形状として半円形のものを示したが、Ｖ字状，又は
四角状であってもよい。
【００８２】さらに、図８に示すように光ファイバ，又
は光導波路を位置決め固定するための溝９１の一対の側
面，及び光ファイバ，又は光導波路が前部レーザ光出射
端面に衝突しないための溝９２の一対の側面を基板１の
表面に対し垂直とし、その両方の溝９１，９２の底部を
レーザ光を通す溝５０の底部と同じ高さの平面にする
と、光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定するため
の溝９１，及び光ファイバ，又は光導波路が前部レーザ
光出射端面に衝突しないための溝９２は半導体レーザの
一対のレーザ光出射端面３，５，及びホトダイオードの
受光面１０と同時に、例えばＲＩＥ（Reactive ion etc
hing）やＲＩＢＥ（Reactive ion beam etching ）のよ
うなドライエッチングを用いて形成することができ、製
造工程を短縮することができる。
【００８３】なお、上記第５，第６の実施例では、光フ
ァイバ，又は光導波路に入射するレーザ光を出射する半
導体レーザ装置として、本発明の第１の実施例によるも
のを示したが、これは本発明の第２の実施例による半導
体レーザ装置，又は本発明の第３，第４の実施例による
半導体レーザアレイ装置であってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
【００８４】
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１）の
半導体レーザ装置によれば、半導体基板上に設けられた
一対の端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上
に設けられた，上記一対の端面の一方より出射されるレ
ーザ光が入射される受光面を有するホトダイオードとを
備え、上記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表
面に対し垂直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光
面を該受光面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レ
ーザ光の出射点に戻らないように設ける構成にしたの
で、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発生するこ
とを避けることができ、また上記半導体レーザの一対の
端面と上記ホトダイオードの受光面とを、ドライエッチ
ングを用いて同時に形成することができ、製造工程を短
縮することができる効果がある。
【００８５】また、この発明（請求項２）の半導体レー
ザ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対の端面
を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し垂
直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光面を上記レ
ーザ光の光軸に対し平行なある面内に設け、かつ該面内
において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内に配置
する構成にしたので、上記ホトダイオードの受光面で反
射した上記レーザ光が上記レーザ光の出射点に戻ること
はなく、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発生す
ることを避けることができ、また上記半導体レーザの一
対の端面と上記ホトダイオードの受光面とを、ドライエ
ッチングを用いて同時に形成することができ、製造工程
を短縮することができる効果がある。
【００８６】また、この発明（請求項３）の半導体レー
ザ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対の端面
を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、さら
に上記基板上に上記一対の端面の一方より出射されるレ
ーザ光を通す溝を、その一対の側面を上記レーザ光の光
軸に平行にして設け、上記ホトダイオードの受光面を上
記溝の一対の側面の何れか一方に設け、かつ該側面内に
おいて上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内に配置
し、さらに上記一対の端面，及び上記受光面を上記基板
の表面に対し垂直に設ける構成にしたので、上記ホトダ
イオードの受光面で反射した上記レーザ光が上記レーザ
光の出射点に戻ることはなく、上記半導体レーザにおい
て戻り光雑音が発生することを避けることができ、また
上記半導体レーザの一対の端面と上記ホトダイオードの
受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に形成する
ことができ、製造工程を短縮することができる効果があ
る。
【００８７】また、この発明（請求項４）の半導体レー
ザアレイ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対
の端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設
けられた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ
光が入射される受光面を有するホトダイオードとを備
え、さらに上記基板上に上記一対の端面の一方より出射
されるレーザ光を通す溝を、その一対の側面を上記レー
ザ光の光軸に平行にして設け、上記ホトダイオードの受
光面を上記溝の一対の側面の何れか一方に設け、かつ該
側面内において上記出射されるレーザ光の拡がり範囲内
に配置し、さらに上記一対の端面，及び上記受光面を上
記基板の表面に対し垂直に設けるようにした半導体レー
ザ装置を複数個、上記半導体基板上に、各半導体レーザ
装置から出射されるレーザ光の光軸を同一方向にして並
列して配置したので、上記各々の半導体レーザ装置にお
いて、上記ホトダイオードの受光面で反射した上記レー
ザ光が上記レーザ光の出射点に戻ることはなく、上記半
導体レーザにおいて戻り光雑音が発生することを避ける
ことができ、また上記半導体レーザアレイ装置を構成す
る全ての半導体レーザの一対の端面と全てのホトダイオ
ードの受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に形
成することができ、製造工程を短縮することができる効
果がある。
【００８８】さらに、上記半導体レーザアレイ装置を構
成する各々のホトダイオードの受光面は、該受光面が設
けられた溝の側面を形成する部分によって、上記ホトダ
イオードと対応する半導体レーザ以外より出射されたレ
ーザ光から遮られ、これにより上記半導体レーザアレイ
装置を構成する各半導体レーザから出射されたレーザ光
の一部が、本来受光されるべきホトダイオードとは異な
るホトダイオードの受光面に受光されてモニタされるク
ロストークの発生を避けることができ、これまでクロス
トークが発生するためあまり狭くできなかった各ホトダ
イオード間の間隔をより狭くでき、半導体レーザアレイ
装置の集積度を向上することができる効果がある。
【００８９】また、この発明（請求項５）の半導体レー
ザ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対の端面
を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し垂
直に設け、さらに上記ホトダイオードはその受光面を上
記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有し、上記
ホトダイオードの受光面は該受光面で反射した上記レー
ザ光の反射光を上記レーザ光の出射点に戻さない形状を
有する構成にしたので、上記半導体レーザにおいて戻り
光雑音が発生することを避けることができ、また上記半
導体レーザの一対の端面と上記ホトダイオードの受光面
とを、ドライエッチングを用いて同時に形成することが
でき、製造工程を短縮することができる効果がある。
【００９０】さらに、上記ホトダイオードの受光面が上
記レーザ光を出射する端面と対向しているので、上記ホ
トダイオードの受光面は上記レーザ光を有効に受光する
ことができる効果がある。
【００９１】また、この発明（請求項６）の半導体レー
ザ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対の端面
を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し垂
直に設け、さらに上記ホトダイオードはその受光面を上
記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有し、上記
ホトダイオードの受光面は凹面の形状を有し、該受光面
のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も離れた点
が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置する構成に
したので、上記ホトダイオードの受光面で反射した上記
レーザ光が上記レーザ光の出射点に戻ることはなく、上
記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発生することを避
けることができ、また上記半導体レーザの一対の端面と
上記ホトダイオードの受光面とを、ドライエッチングを
用いて同時に形成することができ、製造工程を短縮する
ことができる効果がある。
【００９２】さらに、上記ホトダイオードの受光面が上
記レーザ光を出射する端面と対向しているので、上記ホ
トダイオードの受光面は上記レーザ光を有効に受光する
ことができる効果がある。
【００９３】また、この発明（請求項７）の半導体レー
ザアレイ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対
の端面を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設
けられた，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ
光が入射される受光面を有するホトダイオードとを備
え、上記一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面
に対し垂直に設け、さらに上記ホトダイオードはその受
光面を上記レーザ光を出射する端面と対向する位置に有
し、上記ホトダイオードの受光面は凹面の形状を有し、
該受光面のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も
離れた点が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置す
るようにした半導体レーザ装置を複数個、上記半導体基
板上に、各半導体レーザ装置から出射されるレーザ光の
光軸を同一方向にして並列して配置したので、上記各々
の半導体レーザ装置において、上記ホトダイオードの受
光面で反射した上記レーザ光が上記レーザ光の出射点に
戻ることはなく、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音
が発生することを避けることができ、また上記半導体レ
ーザアレイ装置を構成する全ての半導体レーザの一対の
端面と全てのホトダイオードの受光面とを、ドライエッ
チングを用いて同時に形成することができ、製造工程を
短縮することができる効果がある。
【００９４】また、上記半導体レーザアレイ装置を構成
する各々のホトダイオードの受光面が、該受光面に対応
する各々のレーザ光を出射する端面と対向しているの
で、上記各々のホトダイオードの受光面は対応する各々
のレーザ光を有効に受光することができる効果がある。
【００９５】さらに、上記各々のホトダイオードの受光
面は、該受光面と該受光面に対応するレーザ光出射端面
が形成する窪みの周囲の部分によって、上記レーザ光出
射端面以外より出射されたレーザ光から遮られ、これに
より上記半導体レーザアレイ装置を構成する各半導体レ
ーザから出射されたレーザ光の一部が、本来受光される
べきホトダイオードとは異なるホトダイオードの受光面
に受光されてモニタされるクロストークの発生を避ける
ことができ、これまでクロストークが発生するためあま
り狭くできなかった各ホトダイオード間の間隔をより狭
くでき、半導体レーザアレイ装置の集積度を向上するこ
とができる効果がある。
【００９６】また、この発明（請求項８）の半導体レー
ザ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対の端面
を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し垂
直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光面を該受光
面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光の出
射点に戻らないように設け、さらに上記半導体基板上
に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレーザ光
が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定す
るための溝を形成するように構成したので、上記ホトダ
イオードの受光面で反射した上記レーザ光が上記レーザ
光の出射点に戻ることはなく、上記半導体レーザにおい
て戻り光雑音が発生することを避けることができ、また
上記半導体レーザの一対の端面と上記ホトダイオードの
受光面とを、ドライエッチングを用いて同時に形成する
ことができ、製造工程を短縮することができ、また上記
光ファイバ，又は光導波路を基板に位置決め固定するこ
とを、容易かつ正確に行うことができる効果がある。
【００９７】また、この発明（請求項９）の半導体レー
ザ装置によれば、半導体基板上に設けられた一対の端面
を有する半導体レーザと、上記半導体基板上に設けられ
た，上記一対の端面の一方より出射されるレーザ光が入
射される受光面を有するホトダイオードとを備え、上記
一対の端面，及び上記受光面を上記基板の表面に対し垂
直に設け、さらに上記ホトダイオードの受光面を該受光
面で反射した上記レーザ光の反射光が上記レーザ光の出
射点に戻らないように設け、さらに上記半導体基板上
に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレーザ光
が入射する光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定す
るための溝を形成し、上記位置決め固定するための溝は
上記半導体レーザのレーザ光出射端面に近い位置におい
て上記光ファイバの径，又は光導波路の幅より狭い幅を
有し、上記レーザ光の出射端面から離れた位置において
上記光ファイバの径，又は光導波路の幅より広い幅を有
するように構成したので、上記ホトダイオードの受光面
で反射した上記レーザ光が上記レーザ光の出射点に戻る
ことはなく、上記半導体レーザにおいて戻り光雑音が発
生することを避けることができ、また上記半導体レーザ
の一対の端面と上記ホトダイオードの受光面とを、ドラ
イエッチングを用いて同時に形成することができ、製造
工程を短縮することができる。
【００９８】また上記光ファイバ，又は光導波路を基板
に位置決め固定することを、容易かつ正確に行うことが
でき、さらに上記光ファイバ，又は光導波路の先端が上
記半導体レーザのレーザ光出射端面に衝突して、該レー
ザ光出射端面に損傷を与えることを避けることができる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体レーザ
装置を示す斜視図である。
【図２】 この発明の第２の実施例による半導体レーザ
装置を示す斜視図，及び上面図である。
【図３】 この発明の第３の実施例による半導体レーザ
アレイ装置を示す斜視図である。
【図４】 この発明の第４の実施例による半導体レーザ
アレイ装置を示す斜視図である。
【図５】 この発明の第５の実施例による半導体レーザ
装置を示す斜視図，及び上面図である。
【図６】 この発明の第５の実施例の変形例による半導
体レーザ装置を示す斜視図である。
【図７】 この発明の第６の実施例による半導体レーザ
装置を示す斜視図，及び上面図である。
【図８】 この発明の第６の実施例の変形例による半導
体レーザ装置を示す斜視図である。
【図９】 従来のホトダイオード一体型半導体レーザ装
置の例を示す斜視図である。
【図１０】 従来の半導体レーザアレイとホトダイオー
ドアレイの例を示す図である。
【図１１】 従来の半導体レーザ装置と光ファイバまた
は光導波路との結合の例を示す図である。
【図１２】 従来の半導体レーザアレイとホトダイオー
ドアレイの例においてクロストークの発生を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体基板、２ 半導体レーザ、３ 前部レーザ光
出射端面、４ 前部レーザ光出射点、５ 後部レーザ光
出射端面、６ 後部レーザ光出射点、７ 半導体レーザ
の上面電極、８ 半導体レーザの上面電極のボンディン
グパッド部、９ホトダイオード、１０ ホトダイオード
の受光面、１１ ホトダイオードの上面電極、１２ 半
導体レーザ及びホトダイオードの下面電極、２０ 半導
体レーザアレイ、２１ａ，２１ｂ 半導体レーザアレイ
を構成する半導体レーザ、２２前部レーザ光出射端面、
２３ａ，２３ｂ 前部レーザ光出射点、２４ 後部レー
ザ光出射端面、２５ａ，２５ｂ 後部レーザ光出射点、
３０ ホトダイオードアレイ、３１ａ，３１ｂ ホトダ
イオードアレイを構成するホトダイオード、３２ａ，３
２ｂ ホトダイオードの受光面、４１，４２ レンズ、
４３ 光ファイバ、５０ レーザ光を通す溝、５１，５
２ レーザ光を通す溝の側面、６０ホトダイオードの受
光面が後部レーザ光出射端面から最も離れた点、７０
隣接する半導体レーザ、７１ 隣接する半導体レーザの
後部レーザ光出射端面、９０光ファイバ，又は光導波
路、９１ 光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定す
るための溝、９２ 光ファイバ，又は光導波路がレーザ
光出射端面に衝突しないための溝。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に設けられた一対の端面を
    有する半導体レーザと、 上記半導体基板上に設けられた、上記一対の端面の一方
    より出射されるレーザ光が入射される受光面を有するホ
    トダイオードとを備え、 上記一対の端面，及び上記受光面は、上記基板の表面に
    対し垂直に設けられ、 上記ホトダイオードの受光面は、該受光面で反射した上
    記レーザ光の反射光が上記レーザ光の出射点に戻らない
    ように設けられていることを特徴とする半導体レーザ装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記ホトダイオードの受光面は、上記レーザ光の光軸に
    対し平行なある面内に設けられ、かつ該面内において上
    記出射されるレーザ光の拡がり範囲内に配置されている
    ことを特徴とする半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記基板上に、上記一対の端面の一方より出射されるレ
    ーザ光を通す溝が、その一対の側面を上記レーザ光の光
    軸に平行にして設けられ、 上記ホトダイオードの受光面は、上記溝の一対の側面の
    何れか一方に設けられていることを特徴とする半導体レ
    ーザ装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の半導体レーザ装置を複
    数個、上記半導体基板上に、各半導体レーザ装置から出
    射されるレーザ光の光軸を同一方向にして並列して配置
    してなることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記ホトダイオードは、その受光面を上記レーザ光を出
    射する端面と対向する位置に有し、 上記ホトダイオードの受光面は、該受光面で反射した上
    記レーザ光の反射光を上記レーザ光の出射点に戻さない
    形状を有するものであることを特徴とする半導体レーザ
    装置。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記ホトダイオードの受光面は、凹面の形状を有し、該
    受光面のうちの上記レーザ光を出射する端面から最も離
    れた点が、上記レーザ光の光軸からずれた点に位置する
    ことを特徴とする半導体レーザ装置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の半導体レーザ装置を複
    数個、上記半導体基板上に、各半導体レーザ装置から出
    射されるレーザ光の光軸を同一方向にして並列して配置
    してなることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
  8. 【請求項８】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記半導体レーザ装置を形成している上記半導体基板上
    に、上記一対の端面の他の一方より出射されるレーザ光
    が入射する，光ファイバ，又は光導波路を位置決め固定
    するための溝が形成されていることを特徴とする半導体
    レーザ装置。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記位置決め固定するための溝は、上記半導体レーザの
    レーザ光出射端面に近い位置において光ファイバの径，
    又は光導波路の幅より狭い幅を有し、上記レーザ光の出
    射端面から離れた位置において光ファイバの径，又は光
    導波路の幅より広い幅を有するものであることを特徴と
    する半導体レーザ装置。
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