JPH0774343A - 集積化光装置及びその製造方法 - Google Patents
集積化光装置及びその製造方法Info
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- JPH0774343A JPH0774343A JP21663393A JP21663393A JPH0774343A JP H0774343 A JPH0774343 A JP H0774343A JP 21663393 A JP21663393 A JP 21663393A JP 21663393 A JP21663393 A JP 21663393A JP H0774343 A JPH0774343 A JP H0774343A
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 無調整で組立が可能で、かつ光学部品搭載用
基板を迅速に加工することができる集積化光装置及びそ
の製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板、誘電体層及びシリコン層を含
む基板と、光ファイバを位置決めするための光ファイバ
ガイド用溝と、シリコン基板を露出させる開口部と光フ
ァイバの端面が焦点となるような位置に配置された第１
の球レンズと、シリコン基板の表面に形成された第１の
レンズガイド用孔と、光ファイバから第１の球レンズよ
りも離れた位置に配置された第２の球レンズと、第２の
レンズガイド用孔と、第２の球レンズのほぼ焦点位置に
配置されるように基板の表面に搭載された第１の光半導
体部品とを含む。
基板を迅速に加工することができる集積化光装置及びそ
の製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板、誘電体層及びシリコン層を含
む基板と、光ファイバを位置決めするための光ファイバ
ガイド用溝と、シリコン基板を露出させる開口部と光フ
ァイバの端面が焦点となるような位置に配置された第１
の球レンズと、シリコン基板の表面に形成された第１の
レンズガイド用孔と、光ファイバから第１の球レンズよ
りも離れた位置に配置された第２の球レンズと、第２の
レンズガイド用孔と、第２の球レンズのほぼ焦点位置に
配置されるように基板の表面に搭載された第１の光半導
体部品とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積化光装置に関し、
特に、レーザダイオード、光アイソレータ、フォトダイ
オード等の光学部品と光ファイバを一枚の基板上に集積
するハイブリッド型集積化光装置に関する。
特に、レーザダイオード、光アイソレータ、フォトダイ
オード等の光学部品と光ファイバを一枚の基板上に集積
するハイブリッド型集積化光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１９は、従来の光通信用の送受信装置
を示す。レーザダイオードチップ１０３が、ヒートシン
ク１０２を介してサブキャリア１０１に固定され、レン
ズ１０５、１０８がそれぞれレンズホルダ１０４、１０
７に固定され、光ファイバ１１０が光ファイバホルダ１
１１に固定されている。
を示す。レーザダイオードチップ１０３が、ヒートシン
ク１０２を介してサブキャリア１０１に固定され、レン
ズ１０５、１０８がそれぞれレンズホルダ１０４、１０
７に固定され、光ファイバ１１０が光ファイバホルダ１
１１に固定されている。
【０００３】レーザダイオードチップ１０３から放出さ
れたレーザ光は、レンズ１０５により平行光にされ、光
アイソレータ等の光学部品１０６を通過し、レンズ１０
８により集束され、光ファイバ１１０に導かれる。
れたレーザ光は、レンズ１０５により平行光にされ、光
アイソレータ等の光学部品１０６を通過し、レンズ１０
８により集束され、光ファイバ１１０に導かれる。
【０００４】光軸を調整するときは、サブキャリア１０
１、レンズホルダ１０４、１０７、光学部品１０６及び
光ファイバホルダ１１１の全てを微動装置に搭載して光
軸調整を行う。
１、レンズホルダ１０４、１０７、光学部品１０６及び
光ファイバホルダ１１１の全てを微動装置に搭載して光
軸調整を行う。
【０００５】このとき、レーザダイオードチップ１０３
から放出されたレーザ光を光ファイバ１１０に入射し、
光ファイバ１１０の他端から出力されるレーザ光の強度
を測定しながら行う。光軸調整が終了すると、例えばレ
ーザ溶接等により各ホルダやキャリアを基板１００に固
定する。
から放出されたレーザ光を光ファイバ１１０に入射し、
光ファイバ１１０の他端から出力されるレーザ光の強度
を測定しながら行う。光軸調整が終了すると、例えばレ
ーザ溶接等により各ホルダやキャリアを基板１００に固
定する。
【０００６】この方法では、精密な位置合わせを行うた
めの微動装置を具備した組立装置が必要となる。さら
に、光軸調整に時間を必要とするため、光装置が高価に
なるという欠点がある。
めの微動装置を具備した組立装置が必要となる。さら
に、光軸調整に時間を必要とするため、光装置が高価に
なるという欠点がある。
【０００７】また、組立装置に部品を固定する必要があ
るため、部品を微小化することが困難であり、光装置の
小型化が困難となる。さらに、光装置の構造が変更され
るたびに組立装置の構造を変更する必要があり、少量多
品種生産に適さない。
るため、部品を微小化することが困難であり、光装置の
小型化が困難となる。さらに、光装置の構造が変更され
るたびに組立装置の構造を変更する必要があり、少量多
品種生産に適さない。
【０００８】図２０は、上記のような欠点を改善するた
めに提案されている集積化光装置の構造を示す（１９９
２年電子情報通信学会秋期大会講演論文集４−２３５ペ
ージ）。
めに提案されている集積化光装置の構造を示す（１９９
２年電子情報通信学会秋期大会講演論文集４−２３５ペ
ージ）。
【０００９】単結晶シリコン基板１２０上にレンズガイ
ド孔１２７、１２８を形成し、それぞれのレンズガイド
孔にレンズ１２１、１２４をはめ込んでレンズを位置決
めするものである。レンズガイド孔には、（１００）シ
リコン基板を異方性エッチングしたときに現れる（１１
１）面によって囲まれた逆四角錐状の孔を利用すること
ができる。
ド孔１２７、１２８を形成し、それぞれのレンズガイド
孔にレンズ１２１、１２４をはめ込んでレンズを位置決
めするものである。レンズガイド孔には、（１００）シ
リコン基板を異方性エッチングしたときに現れる（１１
１）面によって囲まれた逆四角錐状の孔を利用すること
ができる。
【００１０】また、基板１２０表面によるレーザ光のケ
ラレを防止するため、光軸に沿って基板１２０表面にレ
ーザ光通過溝１２９、１３０、１３１等が形成されてい
る。レーザ光通過溝は、光アシストエッチングにより形
成される。
ラレを防止するため、光軸に沿って基板１２０表面にレ
ーザ光通過溝１２９、１３０、１３１等が形成されてい
る。レーザ光通過溝は、光アシストエッチングにより形
成される。
【００１１】光アシストエッチングとは、ＹＡＧレー
ザ、アルゴンレーザ、またはエキシマレーザ等の高出力
のレーザ光を基板表面に照射し、照射した部分のみを選
択的にエッチングする方法である。この方法により、基
板表面上で光軸に沿ってレーザ光を走査し、レーザ光通
過溝を形成することができる。
ザ、アルゴンレーザ、またはエキシマレーザ等の高出力
のレーザ光を基板表面に照射し、照射した部分のみを選
択的にエッチングする方法である。この方法により、基
板表面上で光軸に沿ってレーザ光を走査し、レーザ光通
過溝を形成することができる。
【００１２】また、シリコン基板１２０表面には、フィ
ルタ型プリズムを位置決めするための孔も形成されてお
り、フィルタ型プリズム１２６を該孔にはめ込むことに
より、容易に位置決めして固定することができる。
ルタ型プリズムを位置決めするための孔も形成されてお
り、フィルタ型プリズム１２６を該孔にはめ込むことに
より、容易に位置決めして固定することができる。
【００１３】レーザダイオードチップ１２２から放出さ
れたレーザ光は、レンズ１２１により平行光にされ、レ
ーザ光通過溝１２９を経由してプリズム１２６に導かれ
る。プリズム１２６を通過したレーザ光はレーザ光通過
溝１３１を通って外部へ電送される。
れたレーザ光は、レンズ１２１により平行光にされ、レ
ーザ光通過溝１２９を経由してプリズム１２６に導かれ
る。プリズム１２６を通過したレーザ光はレーザ光通過
溝１３１を通って外部へ電送される。
【００１４】また、外部から入射した光は、プリズム１
２６によって反射され、レーザ光通過溝１３０を経由し
てレンズ１２４に入射する。レンズ１２４は、入射した
光をフォトダイオード１２５の受光部に集束する。
２６によって反射され、レーザ光通過溝１３０を経由し
てレンズ１２４に入射する。レンズ１２４は、入射した
光をフォトダイオード１２５の受光部に集束する。
【００１５】このように、シリコンの異方性エッチング
等を使用してレンズガイド孔等を形成し、レンズ等を位
置決めすることにより、複雑な光軸調整を不要にするこ
とができる。
等を使用してレンズガイド孔等を形成し、レンズ等を位
置決めすることにより、複雑な光軸調整を不要にするこ
とができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】図２０に示す従来例に
おいては、レーザ光通過溝を形成するために、前述の光
アシストエッチングにより基板表面をエッチングする。
そのため、基板表面のエッチングすべき部分をレーザ光
等で走査する必要がある。
おいては、レーザ光通過溝を形成するために、前述の光
アシストエッチングにより基板表面をエッチングする。
そのため、基板表面のエッチングすべき部分をレーザ光
等で走査する必要がある。
【００１７】しかし、走査速度を速くすることは困難で
あり、さらに、所望の深さ、例えば図２０に示す例では
約５０μｍの溝を得るためには、複数回走査する必要が
ある。このため、基板の製造に長時間を要する。
あり、さらに、所望の深さ、例えば図２０に示す例では
約５０μｍの溝を得るためには、複数回走査する必要が
ある。このため、基板の製造に長時間を要する。
【００１８】本発明の目的は、無調整で組立が可能で、
かつ光学部品搭載用基板を迅速に加工することができる
集積化光装置及びその製造方法を提供することである。
かつ光学部品搭載用基板を迅速に加工することができる
集積化光装置及びその製造方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】以下、単なる例示として
図面中の参照番号を示しつつ、本発明の概要を説明す
る。
図面中の参照番号を示しつつ、本発明の概要を説明す
る。
【００２０】本発明の集積化光装置は、シリコン基板
（１１）、誘電体層（１２）及び該誘電体層上に形成さ
れたシリコン層（１３）を含む基板（１０）と、光ファ
イバ（２３）を位置決めするための前記シリコン層（１
３）に設けられた光ファイバガイド用溝（２４）と、前
記光ファイバガイド用溝（２４）に連続するようにし
て、前記シリコン層（１３）及び前記誘電体層（１２）
に形成され、前記シリコン基板（１１）を露出させる開
口部（２５）と、前記光ファイバガイド用溝（２４）に
位置決めされる光ファイバ（２３）の光軸を延長した主
光軸上であって、該光ファイバの端面が焦点となるよう
な位置に配置された第１の球レンズ（１６ｄ）と、前記
第１の球レンズ（１６ｄ）を位置決めするために、前記
開口部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板（１
１）の表面に形成された第１のレンズガイド用孔（１７
ｄ）と、前記主光軸上であって、前記光ファイバ（２
３）から前記第１の球レンズ（１６ｄ）よりも離れた位
置に配置された第２の球レンズ（１６ｂ）と、前記第２
の球レンズ（１６ｂ）を位置決めするために、前記開口
部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板（１１）
の表面に形成された第２のレンズガイド用孔（１７ｂ）
と、前記光軸上であって、前記第２の球レンズ（１６
ｂ）のほぼ焦点位置に配置されるように前記基板（１
０）の表面に搭載された第１の光半導体部品（２０）と
を含む。
（１１）、誘電体層（１２）及び該誘電体層上に形成さ
れたシリコン層（１３）を含む基板（１０）と、光ファ
イバ（２３）を位置決めするための前記シリコン層（１
３）に設けられた光ファイバガイド用溝（２４）と、前
記光ファイバガイド用溝（２４）に連続するようにし
て、前記シリコン層（１３）及び前記誘電体層（１２）
に形成され、前記シリコン基板（１１）を露出させる開
口部（２５）と、前記光ファイバガイド用溝（２４）に
位置決めされる光ファイバ（２３）の光軸を延長した主
光軸上であって、該光ファイバの端面が焦点となるよう
な位置に配置された第１の球レンズ（１６ｄ）と、前記
第１の球レンズ（１６ｄ）を位置決めするために、前記
開口部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板（１
１）の表面に形成された第１のレンズガイド用孔（１７
ｄ）と、前記主光軸上であって、前記光ファイバ（２
３）から前記第１の球レンズ（１６ｄ）よりも離れた位
置に配置された第２の球レンズ（１６ｂ）と、前記第２
の球レンズ（１６ｂ）を位置決めするために、前記開口
部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板（１１）
の表面に形成された第２のレンズガイド用孔（１７ｂ）
と、前記光軸上であって、前記第２の球レンズ（１６
ｂ）のほぼ焦点位置に配置されるように前記基板（１
０）の表面に搭載された第１の光半導体部品（２０）と
を含む。
【００２１】また、前記第１の球レンズ（１６ｄ）と前
記第２の球レンズ（１６ｂ）との間の前記主光軸上に配
置されたキューブ型ハーフミラー（１８）と、前記キュ
ーブ型ハーフミラー（１８）を位置決めするために、そ
の開口面の少なくとも一部が前記開口部（２５）の底面
に現れるように前記シリコン基板の表面に形成されたキ
ューブ型ハーフミラーガイド孔（１９）と、前記光軸上
を伝搬する光の一部が前記キューブ型ハーフミラー（１
８）によって反射される反射光の光軸上に配置された第
３の球レンズ（１６ａ）と、前記第３の球レンズ（１６
ａ）を位置決めするために、前記開口部（２５）の底面
に露出した前記シリコン基板（１１）の表面に形成され
た第３のレンズガイド用孔（１７ａ）と、前記反射光の
光軸上であって、前記第３の球レンズ（１６ａ）のほぼ
焦点位置に配置されるように前記基板（１０）の表面に
搭載された第２の光半導体部品（２１）とを含んでもよ
い。
記第２の球レンズ（１６ｂ）との間の前記主光軸上に配
置されたキューブ型ハーフミラー（１８）と、前記キュ
ーブ型ハーフミラー（１８）を位置決めするために、そ
の開口面の少なくとも一部が前記開口部（２５）の底面
に現れるように前記シリコン基板の表面に形成されたキ
ューブ型ハーフミラーガイド孔（１９）と、前記光軸上
を伝搬する光の一部が前記キューブ型ハーフミラー（１
８）によって反射される反射光の光軸上に配置された第
３の球レンズ（１６ａ）と、前記第３の球レンズ（１６
ａ）を位置決めするために、前記開口部（２５）の底面
に露出した前記シリコン基板（１１）の表面に形成され
た第３のレンズガイド用孔（１７ａ）と、前記反射光の
光軸上であって、前記第３の球レンズ（１６ａ）のほぼ
焦点位置に配置されるように前記基板（１０）の表面に
搭載された第２の光半導体部品（２１）とを含んでもよ
い。
【００２２】また、前記主光軸上を伝搬する光の一部が
前記キューブ型ハーフミラー（１８）によって前記反射
光の光軸と反対の方向に反射される他の反射光の光軸上
に配置された第４の球レンズ（１６ｃ）と、前記第４の
球レンズ（１６ｃ）を位置決めするために、前記開口部
（２５）の底面に露出した前記シリコン基板（１１）の
表面に形成された第４のレンズガイド用孔（１７ｃ）
と、前記他の反射光の光軸上であって、前記第４の球レ
ンズ（１６ｃ）のほぼ焦点位置に配置されるように前記
基板（１０）の表面に搭載された第３の光半導体部品
（２２）とを含んでもよい。
前記キューブ型ハーフミラー（１８）によって前記反射
光の光軸と反対の方向に反射される他の反射光の光軸上
に配置された第４の球レンズ（１６ｃ）と、前記第４の
球レンズ（１６ｃ）を位置決めするために、前記開口部
（２５）の底面に露出した前記シリコン基板（１１）の
表面に形成された第４のレンズガイド用孔（１７ｃ）
と、前記他の反射光の光軸上であって、前記第４の球レ
ンズ（１６ｃ）のほぼ焦点位置に配置されるように前記
基板（１０）の表面に搭載された第３の光半導体部品
（２２）とを含んでもよい。
【００２３】また、前記光軸上に配置された光アイソレ
ータ（２６）と、前記光アイソレータを位置決めするた
めの、前記基板（１０）表面に形成された光アイソレー
タガイド用溝（２７）とを含んでもよい。
ータ（２６）と、前記光アイソレータを位置決めするた
めの、前記基板（１０）表面に形成された光アイソレー
タガイド用溝（２７）とを含んでもよい。
【００２４】この場合、前記光アイソレータの入射面及
び出射面の法線方向が前記シリコン基板表面と平行にな
るように、光軸と所定の角度傾いて配置されることが好
ましい。
び出射面の法線方向が前記シリコン基板表面と平行にな
るように、光軸と所定の角度傾いて配置されることが好
ましい。
【００２５】本発明の集積化光装置の製造方法は、シリ
コン基板（１１）の表面を選択的にエッチングして光学
部品を位置決めするためのガイド孔（１７ａ〜１７ｄ、
１９）を形成するためのガイド孔形成工程と、表面に誘
電体膜（１２）が形成された他のシリコン基板を、該誘
電体膜が形成された面と前記シリコン基板のガイド孔が
形成された面が向かい合うように貼り合わせる貼り合わ
せ工程と、前記他のシリコン基板を所定の厚さになるま
で前記誘電体膜が形成されていない面から薄くする工程
と、前記他のシリコン基板の、前記ガイド孔によって位
置決めされる光学部品が実装される部分に、開口部を形
成して前記ガイド孔を露出させる開口部形成工程と、光
ビームが通過する部分を取り除いて光ビーム通過溝を形
成する光ビーム通過溝形成工程と、光ファイバ（２３）
を位置決めするための光ファイバガイド用溝を形成する
光ファイバガイド用溝形成工程とを含む。
コン基板（１１）の表面を選択的にエッチングして光学
部品を位置決めするためのガイド孔（１７ａ〜１７ｄ、
１９）を形成するためのガイド孔形成工程と、表面に誘
電体膜（１２）が形成された他のシリコン基板を、該誘
電体膜が形成された面と前記シリコン基板のガイド孔が
形成された面が向かい合うように貼り合わせる貼り合わ
せ工程と、前記他のシリコン基板を所定の厚さになるま
で前記誘電体膜が形成されていない面から薄くする工程
と、前記他のシリコン基板の、前記ガイド孔によって位
置決めされる光学部品が実装される部分に、開口部を形
成して前記ガイド孔を露出させる開口部形成工程と、光
ビームが通過する部分を取り除いて光ビーム通過溝を形
成する光ビーム通過溝形成工程と、光ファイバ（２３）
を位置決めするための光ファイバガイド用溝を形成する
光ファイバガイド用溝形成工程とを含む。
【００２６】また、前記開口部形成工程、光ビーム通過
溝形成工程、及び光ファイバガイド用溝形成工程は、前
記他のシリコン基板及び前記誘電体膜をエッチングする
ことにより同時に加工してもよい。
溝形成工程、及び光ファイバガイド用溝形成工程は、前
記他のシリコン基板及び前記誘電体膜をエッチングする
ことにより同時に加工してもよい。
【００２７】
【作用】光学部品を搭載する基板を２層構造にし、光半
導体部品を上部の層上に配置し、光ファイバを上部の層
に形成された溝によって位置決めし、球レンズ、ハーフ
ミラー等を下部の層に形成された孔によって位置決め
し、上部の層の光ビームが通過する部分をエッチングに
より除去することにより、シリコン基板表面による光ビ
ームのケラレを防止することができる。
導体部品を上部の層上に配置し、光ファイバを上部の層
に形成された溝によって位置決めし、球レンズ、ハーフ
ミラー等を下部の層に形成された孔によって位置決め
し、上部の層の光ビームが通過する部分をエッチングに
より除去することにより、シリコン基板表面による光ビ
ームのケラレを防止することができる。
【００２８】このように、エッチングにより、一括して
光ビーム通過溝を形成することができるため、製造時間
が延びることがない。球レンズが搭載される上部の層の
開口部の側面を基板表面に対して垂直にすることによ
り、上部の層によって固定される他の光学部品と球レン
ズとの距離を短くすることができる。このため、ＮＡの
大きい球レンズを使用することが可能になり、光結合効
率を向上することができる。
光ビーム通過溝を形成することができるため、製造時間
が延びることがない。球レンズが搭載される上部の層の
開口部の側面を基板表面に対して垂直にすることによ
り、上部の層によって固定される他の光学部品と球レン
ズとの距離を短くすることができる。このため、ＮＡの
大きい球レンズを使用することが可能になり、光結合効
率を向上することができる。
【００２９】さらに、上部の層に、側面が基板表面に対
して垂直となる開口部を設け、キューブ型ハーフミラー
等の垂直な側面を有する光学部品を該開口部側面に押し
当てることにより、高精度に位置決めすることができ
る。
して垂直となる開口部を設け、キューブ型ハーフミラー
等の垂直な側面を有する光学部品を該開口部側面に押し
当てることにより、高精度に位置決めすることができ
る。
【００３０】球レンズにより平行光にされた光ビーム通
過位置に光アイソレータ等の光学部品を配置することが
できる。このため、例えば、レーザダイオードの動作の
安定性向上等の効果を得ることができる。
過位置に光アイソレータ等の光学部品を配置することが
できる。このため、例えば、レーザダイオードの動作の
安定性向上等の効果を得ることができる。
【００３１】さらに、光アイソレータを光軸に対して斜
めに配置することにより、光アイソレータ自体による反
射光を低減することができる。
めに配置することにより、光アイソレータ自体による反
射光を低減することができる。
【００３２】
【実施例】図１を参照して本発明の基本的考え方につい
て説明する。図１（Ａ）は、従来例による光装置の光軸
部分の概略を示す。
て説明する。図１（Ａ）は、従来例による光装置の光軸
部分の概略を示す。
【００３３】シリコン基板１上にレーザダイオードチッ
プ２が搭載され、放出されたレーザ光は、球レンズ３に
よって平行（コリメート）光にされる。平行光にされた
レーザ光は球レンズ４によって集束され、図には示さな
い光ファイバに導かれる。球レンズ３、４は、それぞれ
シリコン基板１上に形成されたレンズガイド用Ｖ字孔
７、８にはめ込まれ、位置決めされている。
プ２が搭載され、放出されたレーザ光は、球レンズ３に
よって平行（コリメート）光にされる。平行光にされた
レーザ光は球レンズ４によって集束され、図には示さな
い光ファイバに導かれる。球レンズ３、４は、それぞれ
シリコン基板１上に形成されたレンズガイド用Ｖ字孔
７、８にはめ込まれ、位置決めされている。
【００３４】このとき、一般的には、レーザダイオード
チップ２の活性層の高さはシリコン基板１表面から約１
０μｍ程度であり、またコリメートされたレーザ光のビ
ーム径は１００μｍ程度である。従って、レーザ光のビ
ーム径のうち、一部分はシリコン基板１によって遮蔽さ
れ、光ファイバに到達できない。いわゆる、ケラレが生
じる。
チップ２の活性層の高さはシリコン基板１表面から約１
０μｍ程度であり、またコリメートされたレーザ光のビ
ーム径は１００μｍ程度である。従って、レーザ光のビ
ーム径のうち、一部分はシリコン基板１によって遮蔽さ
れ、光ファイバに到達できない。いわゆる、ケラレが生
じる。
【００３５】このケラレを防止するためには、シリコン
基板１表面のレーザ光が通過する部分を削る必要があ
る。この表面落としを球レンズガイド用Ｖ字孔形成と同
時にエッチングで行おうとするとＶ字孔の形状が乱され
て精度が保てなくなる。このため、光アシストエッチン
グ等の他の工程によって行う必要が生じる。
基板１表面のレーザ光が通過する部分を削る必要があ
る。この表面落としを球レンズガイド用Ｖ字孔形成と同
時にエッチングで行おうとするとＶ字孔の形状が乱され
て精度が保てなくなる。このため、光アシストエッチン
グ等の他の工程によって行う必要が生じる。
【００３６】図１（Ｂ）は、本発明の一実施例による光
装置の光軸部分の概略を示す。従来例と異なる点は、レ
ンズガイド用Ｖ字孔７、８が形成された下シリコン基板
１上に他のシリコン基板６が貼り合わせてあり、レーザ
ダイオードチップ２が上シリコン基板６上に搭載され、
光ファイバ５が上シリコン基板６上に形成された光ファ
イバガイド用溝にはめ込まれている点である。また、レ
ーザ光が通過する部分は、上シリコン基板６がエッチン
グにより取り除かれている。
装置の光軸部分の概略を示す。従来例と異なる点は、レ
ンズガイド用Ｖ字孔７、８が形成された下シリコン基板
１上に他のシリコン基板６が貼り合わせてあり、レーザ
ダイオードチップ２が上シリコン基板６上に搭載され、
光ファイバ５が上シリコン基板６上に形成された光ファ
イバガイド用溝にはめ込まれている点である。また、レ
ーザ光が通過する部分は、上シリコン基板６がエッチン
グにより取り除かれている。
【００３７】上シリコン基板６の厚さを約５５μｍにす
れば、レーザ光の光軸は下シリコン基板１表面から約６
５μｍの高さになる。レーザ光のビーム径は、上述のよ
うに約１００μｍ程度であるため、図１（Ｂ）のような
構成にすることにより、ケラレを防止することができ
る。
れば、レーザ光の光軸は下シリコン基板１表面から約６
５μｍの高さになる。レーザ光のビーム径は、上述のよ
うに約１００μｍ程度であるため、図１（Ｂ）のような
構成にすることにより、ケラレを防止することができ
る。
【００３８】図２、図３は、本発明の第１の実施例によ
る集積化光装置を示す。（１００）シリコン基板１１上
に、ＳｉＯ2 膜１２、（１００）シリコン層１３、Ｓｉ
Ｏ2膜１４及びＳｉ3 Ｎ4 膜１５が積層された層構造を
有する基板１０上に各光学部品が実装されている。
る集積化光装置を示す。（１００）シリコン基板１１上
に、ＳｉＯ2 膜１２、（１００）シリコン層１３、Ｓｉ
Ｏ2膜１４及びＳｉ3 Ｎ4 膜１５が積層された層構造を
有する基板１０上に各光学部品が実装されている。
【００３９】ＳｉＯ2 膜１２、（１００）シリコン層１
３、ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５に、開口部２５
が設けられ、開口部２５の底面にシリコン基板１１が露
出している。
３、ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５に、開口部２５
が設けられ、開口部２５の底面にシリコン基板１１が露
出している。
【００４０】開口部２５の周辺部近傍のＳｉ3 Ｎ4 膜１
５上に、レーザダイオードチップ２０がフリップチップ
ボンディングにより搭載されている。レーザダイオード
チップ２０から放出されたレーザ光は、球レンズ１６ｂ
により平行光にされる。
５上に、レーザダイオードチップ２０がフリップチップ
ボンディングにより搭載されている。レーザダイオード
チップ２０から放出されたレーザ光は、球レンズ１６ｂ
により平行光にされる。
【００４１】その光軸上にキューブ型ハーフミラー１
８、球レンズ１６ｄ及び光ファイバ２３が配置されてい
る。キューブ型ハーフミラー１８を透過したレーザ光
は、球レンズ１６ｄにより集束され光ファイバ２３のコ
ア部に導かれる。
８、球レンズ１６ｄ及び光ファイバ２３が配置されてい
る。キューブ型ハーフミラー１８を透過したレーザ光
は、球レンズ１６ｄにより集束され光ファイバ２３のコ
ア部に導かれる。
【００４２】ここで、球レンズ１６ｂ、１６ｄ及びキュ
ーブ型ハーフミラー１８は、それぞれ開口部２５の底面
に露出したシリコン基板１１上に形成されたレンズガイ
ド用Ｖ字孔１７ｂ、１７ｄ及びキューブ型ハーフミラー
ガイド孔１９によって位置決めされている。これらのガ
イド孔は、側面に｛１１１｝面、底面に（１００）面が
現れた台形状の孔であり、異方性エッチングにより形成
されたものである。
ーブ型ハーフミラー１８は、それぞれ開口部２５の底面
に露出したシリコン基板１１上に形成されたレンズガイ
ド用Ｖ字孔１７ｂ、１７ｄ及びキューブ型ハーフミラー
ガイド孔１９によって位置決めされている。これらのガ
イド孔は、側面に｛１１１｝面、底面に（１００）面が
現れた台形状の孔であり、異方性エッチングにより形成
されたものである。
【００４３】球レンズ１６ｂ、１６ｄは、それぞれレン
ズガイド用Ｖ字孔１７ｂ、１７ｄの側面により４点で支
えられ位置決めされる。また、キューブ型ハーフミラー
１８は、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９の底面と
同一形状で同一の大きさとし、その底面をキューブ型ハ
ーフミラーガイド孔１９の底面に密着させることにより
位置決めされる。
ズガイド用Ｖ字孔１７ｂ、１７ｄの側面により４点で支
えられ位置決めされる。また、キューブ型ハーフミラー
１８は、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９の底面と
同一形状で同一の大きさとし、その底面をキューブ型ハ
ーフミラーガイド孔１９の底面に密着させることにより
位置決めされる。
【００４４】光ファイバ２３は、開口部２５の側面か
ら、光軸に沿ってＳｉＯ2 膜１２、（１００）シリコン
層１３、ＳｉＯ2 膜１４及びＳｉ3 Ｎ4 膜１５に設けら
れた光ファイバガイド用Ｖ溝２４により位置決めされ
る。
ら、光軸に沿ってＳｉＯ2 膜１２、（１００）シリコン
層１３、ＳｉＯ2 膜１４及びＳｉ3 Ｎ4 膜１５に設けら
れた光ファイバガイド用Ｖ溝２４により位置決めされ
る。
【００４５】このＶ溝２４は、側面に｛１１１｝面、底
面にはシリコン基板１１の表面が現れた断面が台形状の
溝であり、（１００）シリコン層１３を異方性エッチン
グすることにより形成される。
面にはシリコン基板１１の表面が現れた断面が台形状の
溝であり、（１００）シリコン層１３を異方性エッチン
グすることにより形成される。
【００４６】レーザダイオードチップ２０から放出され
たレーザ光がキューブ型ハーフミラー１８によって反射
されたレーザ光の光軸上には、球レンズ１６ａが配置さ
れている。
たレーザ光がキューブ型ハーフミラー１８によって反射
されたレーザ光の光軸上には、球レンズ１６ａが配置さ
れている。
【００４７】レーザ光は、球レンズ１６ａにより集束さ
れ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５上にフリップチップボンディング
されたエッジ入射型フォトダイオードチップ２１の受光
部に導かれる。
れ、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５上にフリップチップボンディング
されたエッジ入射型フォトダイオードチップ２１の受光
部に導かれる。
【００４８】光ファイバ２３から図中右上方向に出力さ
れた光は、球レンズ１６ｄにより平行光にされ、キュー
ブ型ハーフミラー１８により球レンズ１６ａと反対方向
に反射される。
れた光は、球レンズ１６ｄにより平行光にされ、キュー
ブ型ハーフミラー１８により球レンズ１６ａと反対方向
に反射される。
【００４９】この反射光の光軸上には、球レンズ１６ｃ
が配置されており、レーザ光は球レンズ１６ｃによって
集束され、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５上にフリップチップボンデ
ィングされたエッジ入射型フォトダイオードチップ２２
の受光部に導かれる。
が配置されており、レーザ光は球レンズ１６ｃによって
集束され、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５上にフリップチップボンデ
ィングされたエッジ入射型フォトダイオードチップ２２
の受光部に導かれる。
【００５０】球レンズ１６ａ、１６ｃは、それぞれ球レ
ンズ１６ｂ、１６ｄと同様に開口部２５の底面に露出し
たシリコン基板１1 上に形成されたレンズガイド用Ｖ字
孔１７ａ、１７ｃによって位置決めされている。
ンズ１６ｂ、１６ｄと同様に開口部２５の底面に露出し
たシリコン基板１1 上に形成されたレンズガイド用Ｖ字
孔１７ａ、１７ｃによって位置決めされている。
【００５１】図３（Ａ）は、図２に示す集積化光装置の
光ファイバ２３及びレーザダイオードチップ２０の光軸
を含む面で切断した断面を示す。図３（Ｂ）は、光ファ
イバ２３を光軸に対して垂直な面で切断した断面を示
す。光軸の高さは、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５の表面から１０μ
ｍである。これは、レーザダイオードチップ２０及びエ
ッジ入射型フォトダイオードチップ２１、２２をフリッ
プチップボンディングした際の活性部の中心の高さであ
る。
光ファイバ２３及びレーザダイオードチップ２０の光軸
を含む面で切断した断面を示す。図３（Ｂ）は、光ファ
イバ２３を光軸に対して垂直な面で切断した断面を示
す。光軸の高さは、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５の表面から１０μ
ｍである。これは、レーザダイオードチップ２０及びエ
ッジ入射型フォトダイオードチップ２１、２２をフリッ
プチップボンディングした際の活性部の中心の高さであ
る。
【００５２】第１の実施例において球レンズ１６ａ〜１
６ｄの直径は０．８ｍｍ、レンズで平行光にされた光ビ
ームのビーム径は約０．１ｍｍ、対向する球レンズ間の
光路長は４ｍｍ、キューブ型ハーフミラー１８の一辺の
長さは２ｍｍ、ＳｉＯ2 膜１２の厚さは２μｍ、シリコ
ン層１３の厚さは５５μｍ、ＳｉＯ2 膜１４及びＳｉ 3
Ｎ4 膜１５の厚さはともに０．３μｍ、レンズガイド用
Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂの間口の一辺の長さは８８５μ
ｍ、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９の間口の一辺
の長さは２４４０μｍ、光ファイバガイド用Ｖ溝２４の
間口の幅は１３９μｍ、シリコン基板１１の厚さは６０
０μｍ、基板１０のサイズは１０ｍｍ×１５ｍｍ×０．
６６ｍｍである。
６ｄの直径は０．８ｍｍ、レンズで平行光にされた光ビ
ームのビーム径は約０．１ｍｍ、対向する球レンズ間の
光路長は４ｍｍ、キューブ型ハーフミラー１８の一辺の
長さは２ｍｍ、ＳｉＯ2 膜１２の厚さは２μｍ、シリコ
ン層１３の厚さは５５μｍ、ＳｉＯ2 膜１４及びＳｉ 3
Ｎ4 膜１５の厚さはともに０．３μｍ、レンズガイド用
Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂの間口の一辺の長さは８８５μ
ｍ、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９の間口の一辺
の長さは２４４０μｍ、光ファイバガイド用Ｖ溝２４の
間口の幅は１３９μｍ、シリコン基板１１の厚さは６０
０μｍ、基板１０のサイズは１０ｍｍ×１５ｍｍ×０．
６６ｍｍである。
【００５３】光ファイバガイド用Ｖ溝２４の間口を１３
９μｍにすることにより、直径１２５μｍの光ファイバ
をはめ込んだとき、そのコアのＳｉ3 Ｎ4 膜１５表面か
らの高さは１０μｍとなる。従って、光ファイバ２３の
コアの高さをレーザダイオードチップ２０の活性層の高
さと一致させることができる。
９μｍにすることにより、直径１２５μｍの光ファイバ
をはめ込んだとき、そのコアのＳｉ3 Ｎ4 膜１５表面か
らの高さは１０μｍとなる。従って、光ファイバ２３の
コアの高さをレーザダイオードチップ２０の活性層の高
さと一致させることができる。
【００５４】次に、第１の実施例による集積化光装置の
機能について説明する。図４は、第１の実施例による集
積化光装置の光学的構成部分のみを抜き出して図示した
ものである。
機能について説明する。図４は、第１の実施例による集
積化光装置の光学的構成部分のみを抜き出して図示した
ものである。
【００５５】まず、光受信機能について説明する。光フ
ァイバ２３から出射した光は、球レンズ１６ｄを通過し
て平行光になり、その一部はキューブ型ハーフミラー１
８で反射された後、球レンズ１６ｃで集束されてエッジ
入射型フォトダイオードチップ２２に入射する。光ファ
イバ２３から出射した光のパワーの一部はレーザダイオ
ードチップ２０にも達するが、この光は利用されない。
ァイバ２３から出射した光は、球レンズ１６ｄを通過し
て平行光になり、その一部はキューブ型ハーフミラー１
８で反射された後、球レンズ１６ｃで集束されてエッジ
入射型フォトダイオードチップ２２に入射する。光ファ
イバ２３から出射した光のパワーの一部はレーザダイオ
ードチップ２０にも達するが、この光は利用されない。
【００５６】次に、光送信機能について説明する。レー
ザダイオードチップ２０から放出されたレーザ光は、球
レンズ１６ｂを通過して平行光になり、キューブ型ハー
フミラー１８によって２本の光ビームに分割される。キ
ューブ型ハーフミラー１８を透過し直進する光ビーム
は、球レンズ１６ｄで集束され、光ファイバ２３に入射
する。
ザダイオードチップ２０から放出されたレーザ光は、球
レンズ１６ｂを通過して平行光になり、キューブ型ハー
フミラー１８によって２本の光ビームに分割される。キ
ューブ型ハーフミラー１８を透過し直進する光ビーム
は、球レンズ１６ｄで集束され、光ファイバ２３に入射
する。
【００５７】キューブ型ハーフミラー１８で反射された
光ビームは、球レンズ１６ａで集束されてエッジ入射型
フォトダイオードチップ２１に入射する。エッジ入射型
フォトダイオードチップ２１に入射したレーザ光は、レ
ーザダイオードチップ２０の光出力安定化のための制御
用に使用される。
光ビームは、球レンズ１６ａで集束されてエッジ入射型
フォトダイオードチップ２１に入射する。エッジ入射型
フォトダイオードチップ２１に入射したレーザ光は、レ
ーザダイオードチップ２０の光出力安定化のための制御
用に使用される。
【００５８】図５は、第１の実施例の変形例１による集
積化光装置を示す。図５に示す集積化光装置は、図２、
図３に示す集積化光装置の球レンズ１６ｂとキューブ型
ハーフミラー１８との間隔を広げ、その間に光アイソレ
ータ２６を配置したものである。光アイソレータ２６
は、ダイシングソーで形成された光アイソレータガイド
溝２７にはめ込まれ、位置決めされている。
積化光装置を示す。図５に示す集積化光装置は、図２、
図３に示す集積化光装置の球レンズ１６ｂとキューブ型
ハーフミラー１８との間隔を広げ、その間に光アイソレ
ータ２６を配置したものである。光アイソレータ２６
は、ダイシングソーで形成された光アイソレータガイド
溝２７にはめ込まれ、位置決めされている。
【００５９】光アイソレータ２６としては、厚さ約２ｍ
ｍ程度の薄型光アイソレータを使用することができる。
薄型光アイソレータの構造及び製造方法は、例えば１９
９１年電子情報通信学会秋期大会講演論文集４−１７７
ページ等で公知のものである。
ｍ程度の薄型光アイソレータを使用することができる。
薄型光アイソレータの構造及び製造方法は、例えば１９
９１年電子情報通信学会秋期大会講演論文集４−１７７
ページ等で公知のものである。
【００６０】このような構成にすることにより、光ファ
イバ２３から出射された光がレーザダイオードチップ２
０へ入射することを防止することができ、戻り光により
レーザダイオードチップ２０の動作が不安定になること
を防止することができる。
イバ２３から出射された光がレーザダイオードチップ２
０へ入射することを防止することができ、戻り光により
レーザダイオードチップ２０の動作が不安定になること
を防止することができる。
【００６１】図６は、第１の実施例の変形例２による集
積化光装置を示す。図５に示す第１の実施例の変形例１
による集積化光装置のＳｉ3 Ｎ4 膜１５上にボンディン
グパッド３４、３５、３６、３７を形成し、それぞれの
ボンディングパッドにレーザダイオード駆動用ＩＣ３
０、レーザパワーモニタ用プリアンプＩＣ３１、光受信
用プリアンプＩＣ３２及びパワーコントロール用ＩＣ３
３がフリップチップボンディングされている。
積化光装置を示す。図５に示す第１の実施例の変形例１
による集積化光装置のＳｉ3 Ｎ4 膜１５上にボンディン
グパッド３４、３５、３６、３７を形成し、それぞれの
ボンディングパッドにレーザダイオード駆動用ＩＣ３
０、レーザパワーモニタ用プリアンプＩＣ３１、光受信
用プリアンプＩＣ３２及びパワーコントロール用ＩＣ３
３がフリップチップボンディングされている。
【００６２】レーザパワーモニタ用プリアンプＩＣ３１
の出力をＳｉ3 Ｎ4 膜１５上に形成された配線３８を介
してパワーコントロール用ＩＣ３３に入力し、さらにＳ
ｉ3Ｎ4 膜１５上の配線３９を介してレーザダイオード
駆動用ＩＣ３０を制御することができる。
の出力をＳｉ3 Ｎ4 膜１５上に形成された配線３８を介
してパワーコントロール用ＩＣ３３に入力し、さらにＳ
ｉ3Ｎ4 膜１５上の配線３９を介してレーザダイオード
駆動用ＩＣ３０を制御することができる。
【００６３】また、光受信用プリアンプＩＣ３２を同一
基板上に実装することができるため、実装効率を向上す
ることができる。さらに、キューブ型ハーフミラー１８
を、波長１．５μｍの光を反射し、波長１．３μｍの光
を通過させるＷＤＭミラーにすると、１．３μｍと１．
５μｍの２波長の光による双方向送受信装置を構成する
ことができる。
基板上に実装することができるため、実装効率を向上す
ることができる。さらに、キューブ型ハーフミラー１８
を、波長１．５μｍの光を反射し、波長１．３μｍの光
を通過させるＷＤＭミラーにすると、１．３μｍと１．
５μｍの２波長の光による双方向送受信装置を構成する
ことができる。
【００６４】次に、図７、図８を参照して第１の実施例
による集積化光装置の製造方法について説明する。（１
００）シリコン基板表面をＳｉＯ2 膜でマスクし、レン
ズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｄ、キューブ型ハーフミ
ラーガイド孔１９を形成する部分にフォトリソグラフィ
により開口を設ける。
による集積化光装置の製造方法について説明する。（１
００）シリコン基板表面をＳｉＯ2 膜でマスクし、レン
ズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｄ、キューブ型ハーフミ
ラーガイド孔１９を形成する部分にフォトリソグラフィ
により開口を設ける。
【００６５】水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を使用し
て（１００）シリコン基板１１をウェットエッチング
し、レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｄ、キューブ型
ハーフミラーガイド孔１９を形成する（図７（Ａ））。
て（１００）シリコン基板１１をウェットエッチング
し、レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｄ、キューブ型
ハーフミラーガイド孔１９を形成する（図７（Ａ））。
【００６６】ＫＯＨ水溶液は、シリコンの｛１１１｝面
をほとんどエッチングしないので、各孔の側面には、
｛１１１｝面が現れる。ここで、レンズガイド用Ｖ字孔
１７ａ〜１７ｂは、図７（Ａ）に示す断面内にないた
め、図示されていない。
をほとんどエッチングしないので、各孔の側面には、
｛１１１｝面が現れる。ここで、レンズガイド用Ｖ字孔
１７ａ〜１７ｂは、図７（Ａ）に示す断面内にないた
め、図示されていない。
【００６７】レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂを、
断面がＶ字状になるまでエッチングしてもよいが、本実
施例においては、必要な深さは３３３μｍであるため、
逆台形状の孔とした。各孔のエッチング後、マスクとし
て使用したＳｉＯ2 膜は除去する。
断面がＶ字状になるまでエッチングしてもよいが、本実
施例においては、必要な深さは３３３μｍであるため、
逆台形状の孔とした。各孔のエッチング後、マスクとし
て使用したＳｉＯ2 膜は除去する。
【００６８】表面に厚さ２μｍのＳｉＯ2 膜１２が形成
された（１００）シリコン基板１３を、ＳｉＯ2 膜１２
が形成された面がシリコン基板１１のレンズガイド用Ｖ
字孔等を形成した面と向かい合うようにして貼り合わせ
る（図７（Ｂ））。この際、シリコン基板を８００℃以
上に加熱して２枚の基板を分子レベルで結合させる。
された（１００）シリコン基板１３を、ＳｉＯ2 膜１２
が形成された面がシリコン基板１１のレンズガイド用Ｖ
字孔等を形成した面と向かい合うようにして貼り合わせ
る（図７（Ｂ））。この際、シリコン基板を８００℃以
上に加熱して２枚の基板を分子レベルで結合させる。
【００６９】シリコン基板１３を研磨し、厚さ５５μｍ
のシリコン層１３を残す（図７（Ｃ））。次に熱酸化に
より、シリコン層１３表面に厚さ０．３μｍのＳｉＯ2
膜１４を形成し、さらに、熱ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2
膜１４上に厚さ０．３μｍのＳｉ3 Ｎ4 膜１５を形成す
る（図７（Ｄ））。
のシリコン層１３を残す（図７（Ｃ））。次に熱酸化に
より、シリコン層１３表面に厚さ０．３μｍのＳｉＯ2
膜１４を形成し、さらに、熱ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2
膜１４上に厚さ０．３μｍのＳｉ3 Ｎ4 膜１５を形成す
る（図７（Ｄ））。
【００７０】次に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５とＳｉＯ2 膜１４
に、開口部２５及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形成
するための開口４０、４１を設ける（図７（Ｅ））。こ
こで、図７（Ｅ）は、基板の平面図である。
に、開口部２５及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形成
するための開口４０、４１を設ける（図７（Ｅ））。こ
こで、図７（Ｅ）は、基板の平面図である。
【００７１】次に、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５とＳｉＯ2 膜１４
をマスクにして、ＫＯＨ水溶液でウェットエッチングを
行い、開口部２５及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形
成する。
をマスクにして、ＫＯＨ水溶液でウェットエッチングを
行い、開口部２５及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形
成する。
【００７２】さらに、弗酸と弗化アンモニウムの混合液
を使用して露出したＳｉＯ2 膜１２を除去する（図７
（Ｆ））。このようにして、位置決め用のレンズガイド
用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ、キューブ型ハーフミラーガイ
ド孔１９及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形成した基
板を作製することができる。
を使用して露出したＳｉＯ2 膜１２を除去する（図７
（Ｆ））。このようにして、位置決め用のレンズガイド
用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ、キューブ型ハーフミラーガイ
ド孔１９及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形成した基
板を作製することができる。
【００７３】次に真空蒸着とフォトリソグラフィを用い
てＳｉ3 Ｎ4 膜１５の表面にレーザダイオードチップ２
０、エッジ入射型フォトダイオードチップ２１、２２を
ボンディングするためのボンディングパッドを形成する
（図示せず）。
てＳｉ3 Ｎ4 膜１５の表面にレーザダイオードチップ２
０、エッジ入射型フォトダイオードチップ２１、２２を
ボンディングするためのボンディングパッドを形成する
（図示せず）。
【００７４】ボンディングパッドにレーザダイオードチ
ップ２０、フォトダイオードチップ２１、２２をフリッ
プチップボンディングし、球レンズ１６ａ〜１６ｄ、キ
ューブ型ハーフミラー１８及び光ファイバ２３を、それ
ぞれレンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ、キューブ型
ハーフミラーガイド孔１９及び光ファイバガイド用Ｖ溝
２４にはめ込む（図８（Ａ））。
ップ２０、フォトダイオードチップ２１、２２をフリッ
プチップボンディングし、球レンズ１６ａ〜１６ｄ、キ
ューブ型ハーフミラー１８及び光ファイバ２３を、それ
ぞれレンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ、キューブ型
ハーフミラーガイド孔１９及び光ファイバガイド用Ｖ溝
２４にはめ込む（図８（Ａ））。
【００７５】図８（Ｂ）は、開口部２５と光ファイバガ
イド用Ｖ溝２４との接続部を示す。開口部２５と光ファ
イバガイド用Ｖ溝２４のマスクは、図８（Ｂ）の点線で
示すように直角に交差しているが、ＫＯＨ水溶液でシリ
コンをエッチングするとマスクの凸状の部分がアンダー
エッチされ、｛３３１｝面が現れる。
イド用Ｖ溝２４との接続部を示す。開口部２５と光ファ
イバガイド用Ｖ溝２４のマスクは、図８（Ｂ）の点線で
示すように直角に交差しているが、ＫＯＨ水溶液でシリ
コンをエッチングするとマスクの凸状の部分がアンダー
エッチされ、｛３３１｝面が現れる。
【００７６】このため、実際に形成される開口部２５と
光ファイバガイド用Ｖ溝２４との接続部の開口面は直角
に交差せず、図８（Ｂ）の実線で示すように丸みを帯び
た形状となる。
光ファイバガイド用Ｖ溝２４との接続部の開口面は直角
に交差せず、図８（Ｂ）の実線で示すように丸みを帯び
た形状となる。
【００７７】開口部２５の開口面の境界から、光ファイ
バガイド用Ｖ溝２４に沿ってアンダーエッチが生じた部
分の長さＬは、約１５０μｍであり、光ファイバの位置
決めには支障ない。
バガイド用Ｖ溝２４に沿ってアンダーエッチが生じた部
分の長さＬは、約１５０μｍであり、光ファイバの位置
決めには支障ない。
【００７８】上記第１の実施例では、開口部２５の内部
を光ビームが通過するため、光ビームの直径を１００μ
ｍにした場合でも、シリコン基板の表面でケラレを生ず
ることがない。
を光ビームが通過するため、光ビームの直径を１００μ
ｍにした場合でも、シリコン基板の表面でケラレを生ず
ることがない。
【００７９】また、開口部２５は、フォトリソグラフィ
とウェットエッチングで形成されるため、ウエハ単位で
一括して迅速に加工することができる。従って、従来例
の光アシストエッチングを使用する場合に比べて加工時
間を短縮することが可能になる。
とウェットエッチングで形成されるため、ウエハ単位で
一括して迅速に加工することができる。従って、従来例
の光アシストエッチングを使用する場合に比べて加工時
間を短縮することが可能になる。
【００８０】また、球レンズやハーフミラーを位置決め
するためのガイド孔１６ａ〜１６ｄ、１９と光ファイバ
を位置決めするためのＶ溝２４とをそれぞれ別の工程で
独立に形成することができる。このため、ガイド孔及び
Ｖ溝の形状の精度が向上するという効果がある。特に、
Ｖ溝２４の精度が向上する。これは、以下の理由によ
る。
するためのガイド孔１６ａ〜１６ｄ、１９と光ファイバ
を位置決めするためのＶ溝２４とをそれぞれ別の工程で
独立に形成することができる。このため、ガイド孔及び
Ｖ溝の形状の精度が向上するという効果がある。特に、
Ｖ溝２４の精度が向上する。これは、以下の理由によ
る。
【００８１】レンズ等を位置決めするためのガイド孔１
６ａ〜１６ｄは、Ｖ溝２４に比較して深い孔であるため
エッチング時間が長くなる。例えば、図２０に示すよう
な従来の構造を使用すると、ガイド孔１６ａ〜１６ｄと
Ｖ溝２４とを同時にエッチングする必要がある。従っ
て、Ｖ溝２４が形成された後もガイド孔１６ａ〜１６ｄ
が必要な深さになるまでエッチング液にさらされること
になる。
６ａ〜１６ｄは、Ｖ溝２４に比較して深い孔であるため
エッチング時間が長くなる。例えば、図２０に示すよう
な従来の構造を使用すると、ガイド孔１６ａ〜１６ｄと
Ｖ溝２４とを同時にエッチングする必要がある。従っ
て、Ｖ溝２４が形成された後もガイド孔１６ａ〜１６ｄ
が必要な深さになるまでエッチング液にさらされること
になる。
【００８２】このため、シリコンがオーバエッチングさ
れ、Ｖ溝の幅が広くなる。所望の幅のＶ溝を得るために
は、オーバエッチング量を見込んでマスクの幅を設定す
る必要がある。しかし、エッチング液の温度や濃度の影
響でエッチング速度にずれが生じた場合は、Ｖ溝の幅の
精度が低下する。
れ、Ｖ溝の幅が広くなる。所望の幅のＶ溝を得るために
は、オーバエッチング量を見込んでマスクの幅を設定す
る必要がある。しかし、エッチング液の温度や濃度の影
響でエッチング速度にずれが生じた場合は、Ｖ溝の幅の
精度が低下する。
【００８３】第１の実施例では、Ｖ溝２４の必要な深さ
は約５５μｍであるため、サイドエッチングが少なくな
り、Ｖ溝幅の精度を向上することができる。なお、ガイ
ド孔１６ａ〜１６ｄに必要な深さも、図２０に示す従来
例よりも浅くてよいので、これらのガイド孔の精度も向
上することが可能になる。
は約５５μｍであるため、サイドエッチングが少なくな
り、Ｖ溝幅の精度を向上することができる。なお、ガイ
ド孔１６ａ〜１６ｄに必要な深さも、図２０に示す従来
例よりも浅くてよいので、これらのガイド孔の精度も向
上することが可能になる。
【００８４】次に図９を参照して本発明の第２の実施例
について説明する。図９（Ａ）は、第２の実施例による
集積化光装置の平面図である。図２に示す第１の実施例
による集積化光装置と同一の構成部分には同一の符号を
付してある。第１の実施例による集積化光装置とは、シ
リコン層１３に形成された開口部２５の形状が異なる。
について説明する。図９（Ａ）は、第２の実施例による
集積化光装置の平面図である。図２に示す第１の実施例
による集積化光装置と同一の構成部分には同一の符号を
付してある。第１の実施例による集積化光装置とは、シ
リコン層１３に形成された開口部２５の形状が異なる。
【００８５】レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ、及
びキューブ型ハーフミラーガイド孔１９は、第１の実施
例と同様にシリコン基板１１上に形成されている。シリ
コン層１３には、光ファイバガイド用Ｖ溝２４、及びそ
れぞれの底面が、レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７
ｂ、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９の開口面より
もやや大きくなるように開口部２５ａ〜２５ｄ、及び２
５ｅが形成されている。
びキューブ型ハーフミラーガイド孔１９は、第１の実施
例と同様にシリコン基板１１上に形成されている。シリ
コン層１３には、光ファイバガイド用Ｖ溝２４、及びそ
れぞれの底面が、レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７
ｂ、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９の開口面より
もやや大きくなるように開口部２５ａ〜２５ｄ、及び２
５ｅが形成されている。
【００８６】球レンズを配置するための開口部２５ａ〜
２５ｄとキューブ型ハーフミラーを配置するための開口
部２５ｅとの間には、それぞれ光ビーム通過溝４２ａ〜
４２ｄが形成されている。
２５ｄとキューブ型ハーフミラーを配置するための開口
部２５ｅとの間には、それぞれ光ビーム通過溝４２ａ〜
４２ｄが形成されている。
【００８７】開口部２５ａ〜２５ｅ、光ビーム通過溝４
２ａ〜４２ｄ及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４は、シリ
コン層１３を同時にエッチングすることによって形成さ
れる。
２ａ〜４２ｄ及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４は、シリ
コン層１３を同時にエッチングすることによって形成さ
れる。
【００８８】図９（Ｂ）は、開口部２５ａ〜２５ｅ、光
ビーム通過溝４２ａ〜４２ｄ及び光ファイバガイド用Ｖ
溝２４の接続部の拡大図である。各接続部においては、
前述のようにシリコン層１３のアンダーエッチングが生
じる。ただし、これら接続部は光学部品の位置決めとは
無関係であり、機能的に何ら支障はない。
ビーム通過溝４２ａ〜４２ｄ及び光ファイバガイド用Ｖ
溝２４の接続部の拡大図である。各接続部においては、
前述のようにシリコン層１３のアンダーエッチングが生
じる。ただし、これら接続部は光学部品の位置決めとは
無関係であり、機能的に何ら支障はない。
【００８９】図９（Ｃ）は、光ビーム通過溝４２ａ〜４
２ｄの長さが短い場合のアンダーエッチングの様子を示
す。光ビーム通過溝が短いため、開口部２５ｅからのア
ンダーエッチングと開口部２５ｄからのアンダーエッチ
ングが光ビーム通過溝の中央部で合体し、当初のマスク
の直線部分（図の点線で示す部分）が消滅している。た
だし、この場合にも、機能的には何ら支障はない。
２ｄの長さが短い場合のアンダーエッチングの様子を示
す。光ビーム通過溝が短いため、開口部２５ｅからのア
ンダーエッチングと開口部２５ｄからのアンダーエッチ
ングが光ビーム通過溝の中央部で合体し、当初のマスク
の直線部分（図の点線で示す部分）が消滅している。た
だし、この場合にも、機能的には何ら支障はない。
【００９０】上記第２の実施例においても、第１の実施
例と同様の効果を得ることができる。図１０は、本発明
の第３の実施例による集積化光装置を示す。基板１０
は、第１の実施例に使用したシリコン基板１１とシリコ
ン層１３とを貼り合わせたものと同様のものである。
例と同様の効果を得ることができる。図１０は、本発明
の第３の実施例による集積化光装置を示す。基板１０
は、第１の実施例に使用したシリコン基板１１とシリコ
ン層１３とを貼り合わせたものと同様のものである。
【００９１】レーザダイオードチップ５５から放射され
たレーザ光は、球レンズ５３、光アイソレータ５４及び
球レンズ５２を通過して光ファイバ５１に入射する。球
レンズ５２、５３は、それぞれシリコン基板１１に形成
されたレンズガイド用Ｖ字孔５７、５８にはめ込まれて
いる。
たレーザ光は、球レンズ５３、光アイソレータ５４及び
球レンズ５２を通過して光ファイバ５１に入射する。球
レンズ５２、５３は、それぞれシリコン基板１１に形成
されたレンズガイド用Ｖ字孔５７、５８にはめ込まれて
いる。
【００９２】また、開口部５９、６０が、第２の実施例
と同様にそれぞれの底面の大きさがレンズガイド用Ｖ字
孔５７、５８の開口面よりもやや大きくなるようにシリ
コン層１３に形成されている。
と同様にそれぞれの底面の大きさがレンズガイド用Ｖ字
孔５７、５８の開口面よりもやや大きくなるようにシリ
コン層１３に形成されている。
【００９３】光アイソレータ５４は、基板１０にダイシ
ングソーにより形成された光アイソレータガイド溝６１
にはめ込まれている。ここで、光アイソレータ５４の入
射面及び出射面は基板１０表面と垂直なまま光軸に対し
て所定の角度傾いて配置されている。
ングソーにより形成された光アイソレータガイド溝６１
にはめ込まれている。ここで、光アイソレータ５４の入
射面及び出射面は基板１０表面と垂直なまま光軸に対し
て所定の角度傾いて配置されている。
【００９４】開口部５９、６０と光アイソレータガイド
溝６１との間には、レーザ光が通過する部分に光ビーム
通過溝６２、６３が形成されている。光ビーム通過溝６
２、６３は、開口部５９、６０及び光ファイバガイド用
Ｖ溝５６と同時にシリコン層１３をエッチングすること
により形成される。
溝６１との間には、レーザ光が通過する部分に光ビーム
通過溝６２、６３が形成されている。光ビーム通過溝６
２、６３は、開口部５９、６０及び光ファイバガイド用
Ｖ溝５６と同時にシリコン層１３をエッチングすること
により形成される。
【００９５】このとき、図９に示す第２の実施例の場合
と同様に、開口部５９、６０、光ファイバガイド用Ｖ溝
５６及び光ビーム通過溝６２、６３の各接続部では、ア
ンダーエッチングが生じるが、光学部品の位置決めには
何ら支障はない。
と同様に、開口部５９、６０、光ファイバガイド用Ｖ溝
５６及び光ビーム通過溝６２、６３の各接続部では、ア
ンダーエッチングが生じるが、光学部品の位置決めには
何ら支障はない。
【００９６】このような構造にすることにより、小型の
光アイソレータを挿入することができ、戻り光によりレ
ーザダイオードの動作が不安定になることを抑制するこ
とができる。
光アイソレータを挿入することができ、戻り光によりレ
ーザダイオードの動作が不安定になることを抑制するこ
とができる。
【００９７】さらに、本実施例の場合には、光軸に対し
て斜めに光アイソレータを挿入しているため、光アイソ
レータ自体からの反射も減衰され、レーザダイオードの
動作をより安定にすることができる。
て斜めに光アイソレータを挿入しているため、光アイソ
レータ自体からの反射も減衰され、レーザダイオードの
動作をより安定にすることができる。
【００９８】なお、シリコンの貼り合わせ基板を使用す
ることによる効果は、第１の実施例の場合と同様であ
る。図１１は、本発明の第４の実施例による集積化光装
置の製造工程の一部を示す。図２に示す第１の実施例に
よる集積化光装置と同一の構成部分には同一の符号を付
してある。
ることによる効果は、第１の実施例の場合と同様であ
る。図１１は、本発明の第４の実施例による集積化光装
置の製造工程の一部を示す。図２に示す第１の実施例に
よる集積化光装置と同一の構成部分には同一の符号を付
してある。
【００９９】本実施例の特徴は、図２に示す第１の実施
例による集積化光装置のキューブ型ハーフミラーガイド
孔１９の形成に、ＫＯＨ水溶液による異方性エッチング
ではなく、ドライエッチング法を使用することである。
例による集積化光装置のキューブ型ハーフミラーガイド
孔１９の形成に、ＫＯＨ水溶液による異方性エッチング
ではなく、ドライエッチング法を使用することである。
【０１００】シリコン基板１１表面に形成したＳｉＯ2
膜６５ａをマスクとして、リアクティブイオンビームエ
ッチング（ＲＩＢＥ）によりキューブ型ハーフミラーガ
イド孔１９ａを形成する（図１１（Ａ））。
膜６５ａをマスクとして、リアクティブイオンビームエ
ッチング（ＲＩＢＥ）によりキューブ型ハーフミラーガ
イド孔１９ａを形成する（図１１（Ａ））。
【０１０１】ここで、ＲＩＢＥは、基板を垂直方向にの
みエッチングし、ほとんどサイドエッチングをしないた
め、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９ａの側面は基
板表面に対して垂直になる。
みエッチングし、ほとんどサイドエッチングをしないた
め、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９ａの側面は基
板表面に対して垂直になる。
【０１０２】次に、ＳｉＯ2 膜６５ａを除去して、シリ
コン基板１１の上面全面を熱酸化してＳｉＯ2 膜６５ｂ
を形成する。ＳｉＯ2 膜６５ｂのレンズガイド用Ｖ字孔
１７ａ〜１７ｄを形成する部分に開口を設け、ＫＯＨ水
溶液でシリコン基板１１をエッチングする（図１１
（Ｂ））。
コン基板１１の上面全面を熱酸化してＳｉＯ2 膜６５ｂ
を形成する。ＳｉＯ2 膜６５ｂのレンズガイド用Ｖ字孔
１７ａ〜１７ｄを形成する部分に開口を設け、ＫＯＨ水
溶液でシリコン基板１１をエッチングする（図１１
（Ｂ））。
【０１０３】次に、ＳｉＯ2 膜６５ｂを除去し、図７
（Ｂ）に示す基板貼り合わせ工程以降の工程を第１の実
施例と同様に実施する。本実施例によると、キューブ型
ハーフミラーガイド孔１９ａの側面が垂直になるため、
キューブ型ハーフミラー１８を取り付ける位置精度を向
上することができる。以下に、その理由について説明す
る。
（Ｂ）に示す基板貼り合わせ工程以降の工程を第１の実
施例と同様に実施する。本実施例によると、キューブ型
ハーフミラーガイド孔１９ａの側面が垂直になるため、
キューブ型ハーフミラー１８を取り付ける位置精度を向
上することができる。以下に、その理由について説明す
る。
【０１０４】キューブ型ハーフミラー１８は、上下左右
方向の位置精度は要求されない。しかし、回転すると光
ビームの反射角度が変動するため、回転方向については
高精度に位置決めする必要がある。
方向の位置精度は要求されない。しかし、回転すると光
ビームの反射角度が変動するため、回転方向については
高精度に位置決めする必要がある。
【０１０５】キューブ型ハーフミラーガイド孔１９ａの
底面には基板表面と同じ（１００）面が現れるため、基
板表面に平行な軸を中心とした回転方向については精度
よく位置決めすることができる。
底面には基板表面と同じ（１００）面が現れるため、基
板表面に平行な軸を中心とした回転方向については精度
よく位置決めすることができる。
【０１０６】しかし、キューブ型ハーフミラーガイド孔
１９ａの底面の大きさをキューブ型ハーフミラー１８の
底面よりもやや大きくした場合には、基板表面に垂直な
軸を中心として回転する可能性がある。
１９ａの底面の大きさをキューブ型ハーフミラー１８の
底面よりもやや大きくした場合には、基板表面に垂直な
軸を中心として回転する可能性がある。
【０１０７】本実施例の場合には、キューブ型ハーフミ
ラーガイド孔１９ａの側面を垂直にしたことにより、図
１１（Ｃ）に示すように互いに直交する側面にキューブ
型ハーフミラーの側面を押し当てることにより、回転方
向の位置決めを行うことができる。
ラーガイド孔１９ａの側面を垂直にしたことにより、図
１１（Ｃ）に示すように互いに直交する側面にキューブ
型ハーフミラーの側面を押し当てることにより、回転方
向の位置決めを行うことができる。
【０１０８】図１２は、本発明の第５の実施例による集
積化光装置の製造工程の一部を示す。本実施例の特徴
は、図２に示す第１の実施例における開口部２５の形成
を、指向性の強いドライエッチング、例えばＲＩＢＥ等
で行うことである。以下に図１２に従って製造方法につ
いて説明する。
積化光装置の製造工程の一部を示す。本実施例の特徴
は、図２に示す第１の実施例における開口部２５の形成
を、指向性の強いドライエッチング、例えばＲＩＢＥ等
で行うことである。以下に図１２に従って製造方法につ
いて説明する。
【０１０９】第１の実施例と同様の工程で、図７（Ｅ）
に示すようにＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ 3 Ｎ4 膜１５に開口
４０を形成する。ただし、光ファイバガイド用Ｖ溝を形
成するための開口４１は設けない。
に示すようにＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ 3 Ｎ4 膜１５に開口
４０を形成する。ただし、光ファイバガイド用Ｖ溝を形
成するための開口４１は設けない。
【０１１０】次に、ＲＩＢＥにより、シリコン層１３を
エッチングし開口部２５ｃを形成する（図１２
（Ａ））。このとき、ＳｉＯ2 膜１２が、エッチング停
止層として作用する。
エッチングし開口部２５ｃを形成する（図１２
（Ａ））。このとき、ＳｉＯ2 膜１２が、エッチング停
止層として作用する。
【０１１１】ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５を残し
たまま、基板上面の全面を熱酸化する。このとき、Ｓｉ
3 Ｎ4 膜１５で覆われた部分は酸化されず、開口部２５
ｃの側面に現れたシリコン層１３が酸化され、ＳｉＯ2
膜６６が形成される（図１２（Ｂ））。
たまま、基板上面の全面を熱酸化する。このとき、Ｓｉ
3 Ｎ4 膜１５で覆われた部分は酸化されず、開口部２５
ｃの側面に現れたシリコン層１３が酸化され、ＳｉＯ2
膜６６が形成される（図１２（Ｂ））。
【０１１２】ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５に光フ
ァイバガイド用Ｖ溝を形成するための開口を形成する。
開口形成後、ＫＯＨ水溶液でシリコン層１３をエッチン
グし、光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形成する（図１２
（Ｂ））。
ァイバガイド用Ｖ溝を形成するための開口を形成する。
開口形成後、ＫＯＨ水溶液でシリコン層１３をエッチン
グし、光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形成する（図１２
（Ｂ））。
【０１１３】次に、開口部２５ｃ及び光ファイバガイド
用Ｖ溝２４の底面に露出したＳｉＯ 2 膜１２を除去し、
レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ及びキューブ型ハ
ーフミラーガイド孔１９を露出させる（図１２
（Ｃ））。このとき、開口部２５ｃの側面に形成された
ＳｉＯ2 膜６６も除去される。
用Ｖ溝２４の底面に露出したＳｉＯ 2 膜１２を除去し、
レンズガイド用Ｖ字孔１７ａ〜１７ｂ及びキューブ型ハ
ーフミラーガイド孔１９を露出させる（図１２
（Ｃ））。このとき、開口部２５ｃの側面に形成された
ＳｉＯ2 膜６６も除去される。
【０１１４】本実施例では、開口部２５ｃの側面が垂直
になるため、図３に示す集積化光装置において、光ファ
イバ２３、レーザダイオードチップ２０及び図には示さ
れていないがフォトダイオードチップ２１、２２とそれ
ぞれに対応した球レンズ１６ａ〜１６ｄとの距離を短く
することができる。このため、ＮＡの大きいレンズの使
用が可能になり、光結合効率を向上させることが可能に
なる。
になるため、図３に示す集積化光装置において、光ファ
イバ２３、レーザダイオードチップ２０及び図には示さ
れていないがフォトダイオードチップ２１、２２とそれ
ぞれに対応した球レンズ１６ａ〜１６ｄとの距離を短く
することができる。このため、ＮＡの大きいレンズの使
用が可能になり、光結合効率を向上させることが可能に
なる。
【０１１５】図１３、図１４（Ａ）、（Ｂ）は、第６の
実施例による集積化光装置を示す。集積化光装置の構成
部分のうち図９に示す集積化光装置と同一の構成部分に
ついては、同一の符号を付してある。
実施例による集積化光装置を示す。集積化光装置の構成
部分のうち図９に示す集積化光装置と同一の構成部分に
ついては、同一の符号を付してある。
【０１１６】本実施例の特徴は、図９に示す第２の実施
例による集積化光装置の開口部２５ｅをエッチングの指
向性の高いＲＩＢＥ等のドライエッチングにより形成
し、開口部２５ｅの大きさをキューブ型ハーフミラーガ
イド孔１９の底面よりも小さくすることを特徴とする。
例による集積化光装置の開口部２５ｅをエッチングの指
向性の高いＲＩＢＥ等のドライエッチングにより形成
し、開口部２５ｅの大きさをキューブ型ハーフミラーガ
イド孔１９の底面よりも小さくすることを特徴とする。
【０１１７】次に、図１５を参照して上記第６の実施例
による集積化光装置の製造方法について説明する。第１
の実施例と同様の方法で図７（Ｃ）に示す貼り合わせ基
板を作製する。次に、シリコン層１３の表面に熱酸化に
よりＳｉＯ2 膜１４を０．３μｍ形成する。次に、Ｓｉ
3 Ｎ4 膜１５を熱ＣＶＤ法により０．５μｍ堆積する。
による集積化光装置の製造方法について説明する。第１
の実施例と同様の方法で図７（Ｃ）に示す貼り合わせ基
板を作製する。次に、シリコン層１３の表面に熱酸化に
よりＳｉＯ2 膜１４を０．３μｍ形成する。次に、Ｓｉ
3 Ｎ4 膜１５を熱ＣＶＤ法により０．５μｍ堆積する。
【０１１８】次に、ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５
に、シリコン層１３をエッチングし開口部２５ａ〜２５
ｅを形成するための開口をフォトリソグラフィにより形
成する。
に、シリコン層１３をエッチングし開口部２５ａ〜２５
ｅを形成するための開口をフォトリソグラフィにより形
成する。
【０１１９】エッチングガスとして、ＣＦ4 と酸素プラ
ズマのガスを使用してドライエッチングにより開口部２
５ａ〜２５ｅを形成する。このとき、ＳｉＯ2 膜１２が
エッチング停止層として作用する。また、このエッチン
グは指向性のあるエッチングであるため、形成された開
口部の側面は、基板表面に対してほぼ垂直になる（図１
５（Ａ））。
ズマのガスを使用してドライエッチングにより開口部２
５ａ〜２５ｅを形成する。このとき、ＳｉＯ2 膜１２が
エッチング停止層として作用する。また、このエッチン
グは指向性のあるエッチングであるため、形成された開
口部の側面は、基板表面に対してほぼ垂直になる（図１
５（Ａ））。
【０１２０】次に、熱酸化により、開口部２５ａ〜２５
ｅの側面にＳｉＯ2 膜６６ａ〜６６ｅを形成する（図１
５（Ｂ））。ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５に、光
ビーム通過溝４２ａ〜４２ｄ、及び光ファイバガイド用
Ｖ溝２４を形成するための開口を設ける。
ｅの側面にＳｉＯ2 膜６６ａ〜６６ｅを形成する（図１
５（Ｂ））。ＳｉＯ2 膜１４、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１５に、光
ビーム通過溝４２ａ〜４２ｄ、及び光ファイバガイド用
Ｖ溝２４を形成するための開口を設ける。
【０１２１】次に、ＫＯＨ水溶液でウェットエッチング
によりシリコン層１３をエッチングし、光ビーム通過溝
４２ａ〜４２ｄ、及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形
成する（図１５（Ｃ））。
によりシリコン層１３をエッチングし、光ビーム通過溝
４２ａ〜４２ｄ、及び光ファイバガイド用Ｖ溝２４を形
成する（図１５（Ｃ））。
【０１２２】次に、弗酸と弗化アンモニウム溶液の混合
液を使用して、開口部２５ａ〜２５ｅの側面に形成され
たＳｉＯ2 膜６６ａ〜６６ｅ、及び開口部２５ａ〜２５
ｅと光ファイバガイド用Ｖ溝２４の底面に露出したＳｉ
Ｏ2 膜１２を除去する（図１５（Ｄ））。
液を使用して、開口部２５ａ〜２５ｅの側面に形成され
たＳｉＯ2 膜６６ａ〜６６ｅ、及び開口部２５ａ〜２５
ｅと光ファイバガイド用Ｖ溝２４の底面に露出したＳｉ
Ｏ2 膜１２を除去する（図１５（Ｄ））。
【０１２３】次に、図１４を参照して、第６の実施例に
よる集積化光装置の効果を説明する。図１４（Ａ）は、
集積化光装置の平面図、図１４（Ｂ）は、直線Ｄで切断
した断面を示す。
よる集積化光装置の効果を説明する。図１４（Ａ）は、
集積化光装置の平面図、図１４（Ｂ）は、直線Ｄで切断
した断面を示す。
【０１２４】本実施例では、キューブ型ハーフミラーガ
イド孔１９の底面は開口部２５ｅよりも大きい。このた
め、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９は、キューブ
型ハーフミラー１８の上下方向及び基板表面に平行な軸
を回転軸とした回転方向の位置決めのみを行う。
イド孔１９の底面は開口部２５ｅよりも大きい。このた
め、キューブ型ハーフミラーガイド孔１９は、キューブ
型ハーフミラー１８の上下方向及び基板表面に平行な軸
を回転軸とした回転方向の位置決めのみを行う。
【０１２５】また、開口部２５ｅの側面が基板表面に対
して垂直になるため、この側面にキューブ型ハーフミラ
ー１８の側面を押し当てることにより、キューブ型ハー
フミラーの基板表面に垂直な軸を回転軸とした回転方向
及び基板表面内の位置決めを行うことができる。
して垂直になるため、この側面にキューブ型ハーフミラ
ー１８の側面を押し当てることにより、キューブ型ハー
フミラーの基板表面に垂直な軸を回転軸とした回転方向
及び基板表面内の位置決めを行うことができる。
【０１２６】このように、光ビームが通過するシリコン
層１３に形成された側面を使用してキューブ型ハーフミ
ラー１８の位置決めを行うため、位置決め精度を向上す
ることができる。
層１３に形成された側面を使用してキューブ型ハーフミ
ラー１８の位置決めを行うため、位置決め精度を向上す
ることができる。
【０１２７】図１６は、本発明の第６の実施例の変形例
１を示す。本実施例は、上記第６の実施例とは、開口部
２５ｅの大きさがキューブ型ハーフミラーガイド孔１９
の底面よりも大きい点が異なる。
１を示す。本実施例は、上記第６の実施例とは、開口部
２５ｅの大きさがキューブ型ハーフミラーガイド孔１９
の底面よりも大きい点が異なる。
【０１２８】この場合に、キューブ型ハーフミラー１８
ａのキューブ型ハーフミラーガイド孔１９に挿入される
部分を小さくし、開口部２５ｅにはめ込まれる部分を開
口部２５ｅとほぼ同じ大きさにすることにより、第６の
実施例と同様の効果を得ることができる。
ａのキューブ型ハーフミラーガイド孔１９に挿入される
部分を小さくし、開口部２５ｅにはめ込まれる部分を開
口部２５ｅとほぼ同じ大きさにすることにより、第６の
実施例と同様の効果を得ることができる。
【０１２９】なお、キューブ型ハーフミラーガイド孔１
９をなくしてもよい。この場合には、キューブ型ハーフ
ミラーは、開口部２５ｅの底面に露出したシリコン基板
１１の表面と開口部２５ｅの側面により位置決めされ
る。
９をなくしてもよい。この場合には、キューブ型ハーフ
ミラーは、開口部２５ｅの底面に露出したシリコン基板
１１の表面と開口部２５ｅの側面により位置決めされ
る。
【０１３０】図１７は、第６の実施例の変形例２を示
す。本実施例は、図１４（Ａ）に示す第６の実施例の開
口部２５ａ〜２５ｄを拡大して、開口部２５ｅを取り囲
むような開口部２５ｆとしたものである。
す。本実施例は、図１４（Ａ）に示す第６の実施例の開
口部２５ａ〜２５ｄを拡大して、開口部２５ｅを取り囲
むような開口部２５ｆとしたものである。
【０１３１】図１５に示す第６の実施例においては、球
レンズを挿入するための開口部２５ａ〜２５ｄを、キュ
ーブ型ハーフミラーを位置決めするための開口部２５ｅ
と同様にＲＩＢＥ等を使用してエッチングする方法につ
いて示した。
レンズを挿入するための開口部２５ａ〜２５ｄを、キュ
ーブ型ハーフミラーを位置決めするための開口部２５ｅ
と同様にＲＩＢＥ等を使用してエッチングする方法につ
いて示した。
【０１３２】しかし、開口部２５ａ〜２５ｄは、球レン
ズを位置決めする必要はないため、ＫＯＨ水溶液による
ウェットエッチングを使用して光ファイバガイド用Ｖ溝
２４と同時に形成してもよい。
ズを位置決めする必要はないため、ＫＯＨ水溶液による
ウェットエッチングを使用して光ファイバガイド用Ｖ溝
２４と同時に形成してもよい。
【０１３３】図１８は、本発明の第７の実施例による集
積化光装置を示す。図１８（Ａ）は、光ファイバ２３の
光軸を含む平面により切断した断面、図１８（Ｂ）は、
光ファイバ２３を光軸に垂直な平面で切断した断面を示
す。
積化光装置を示す。図１８（Ａ）は、光ファイバ２３の
光軸を含む平面により切断した断面、図１８（Ｂ）は、
光ファイバ２３を光軸に垂直な平面で切断した断面を示
す。
【０１３４】本実施例の特徴は、図３に示す第１の実施
例のシリコン層１３として、（１１０）面のシリコン層
を使用することである。（１１０）面のシリコン層をＫ
ＯＨ水溶液で選択的にウェットエッチングを行うと、エ
ッチングされた孔の側面は基板表面に対して垂直にな
る。従って、光ファイバガイド用溝及び開口部２５の側
面は、基板表面に対して垂直になる。
例のシリコン層１３として、（１１０）面のシリコン層
を使用することである。（１１０）面のシリコン層をＫ
ＯＨ水溶液で選択的にウェットエッチングを行うと、エ
ッチングされた孔の側面は基板表面に対して垂直にな
る。従って、光ファイバガイド用溝及び開口部２５の側
面は、基板表面に対して垂直になる。
【０１３５】このため、光ファイバ２３を光ファイバガ
イド用溝にはめ込むと、光ファイバ２３は光ファイバガ
イド用溝２４ａの底面に露出したシリコン基板１１の表
面に接する。
イド用溝にはめ込むと、光ファイバ２３は光ファイバガ
イド用溝２４ａの底面に露出したシリコン基板１１の表
面に接する。
【０１３６】図１８（Ｂ）に示すように、光ファイバガ
イド用溝の幅を光ファイバ直径と同等として光ファイバ
の横方向の位置決めを行う。このため、シリコン層１３
は、光ファイバの半径分以上の厚さとすることが好まし
い。
イド用溝の幅を光ファイバ直径と同等として光ファイバ
の横方向の位置決めを行う。このため、シリコン層１３
は、光ファイバの半径分以上の厚さとすることが好まし
い。
【０１３７】レーザダイオードチップ２０は、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜１５上にボンディングされているため、光ファイバ
のコアの位置よりも上に配置される。従って、レーザダ
イオードチップ２０の活性層と光ファイバ２３のコアの
高さが一致しない。そのため、光軸の高さをシフトする
必要がある。
4 膜１５上にボンディングされているため、光ファイバ
のコアの位置よりも上に配置される。従って、レーザダ
イオードチップ２０の活性層と光ファイバ２３のコアの
高さが一致しない。そのため、光軸の高さをシフトする
必要がある。
【０１３８】本実施例では、光軸の高さをシフトするた
めに、図３に示す第１の実施例による集積化光装置の球
レンズ１６ｂとキューブ型ハーフミラー１８との間に平
行平板光学部材６７を光軸に対して斜めに挿入してい
る。
めに、図３に示す第１の実施例による集積化光装置の球
レンズ１６ｂとキューブ型ハーフミラー１８との間に平
行平板光学部材６７を光軸に対して斜めに挿入してい
る。
【０１３９】光ファイバガイド用溝２４ａ及び開口部２
５の側面が基板表面に対して垂直であり、球レンズ１６
ｂとキューブ型ハーフミラー１８との間に平行平板光学
部材６７が挿入されていること以外は、図３に示す第１
の実施例と同様の構成である。
５の側面が基板表面に対して垂直であり、球レンズ１６
ｂとキューブ型ハーフミラー１８との間に平行平板光学
部材６７が挿入されていること以外は、図３に示す第１
の実施例と同様の構成である。
【０１４０】平行平板光学部材６７は、ダイシングソー
で形成された平行平板用ガイド溝６８により、位置決め
される。平行平板光学部材６７の光軸に対する傾き角
は、平行平板光学部材６７の厚さ、平行平板用ガイド溝
６８の深さ及び幅により決定することができる。
で形成された平行平板用ガイド溝６８により、位置決め
される。平行平板光学部材６７の光軸に対する傾き角
は、平行平板光学部材６７の厚さ、平行平板用ガイド溝
６８の深さ及び幅により決定することができる。
【０１４１】本実施例では、開口部２５の側面が基板表
面に対して垂直であるため、レーザダイオードチップと
球レンズ、フォトダイオードチップと球レンズの距離を
短くすることができる。その結果、ＮＡの大きいレンズ
の使用が可能になり、光結合効率を向上することが可能
になる。
面に対して垂直であるため、レーザダイオードチップと
球レンズ、フォトダイオードチップと球レンズの距離を
短くすることができる。その結果、ＮＡの大きいレンズ
の使用が可能になり、光結合効率を向上することが可能
になる。
【０１４２】また、シリコン層１３に形成する開口部
を、図１３に示す第６の実施例のように開口部２５ａ〜
２５ｅに５分割、または図１７に示す第６の実施例の他
の例のように開口部２５ｅ、２５ｆに２分割することに
より、開口部２５ｅの側面でキューブ型ハーフミラー１
８の基板表面に垂直な回転軸のまわりの回転方向の位置
決めを行うことができる。
を、図１３に示す第６の実施例のように開口部２５ａ〜
２５ｅに５分割、または図１７に示す第６の実施例の他
の例のように開口部２５ｅ、２５ｆに２分割することに
より、開口部２５ｅの側面でキューブ型ハーフミラー１
８の基板表面に垂直な回転軸のまわりの回転方向の位置
決めを行うことができる。
【０１４３】特に、本実施例の場合には、シリコン層１
３に形成する開口部を、指向性の高いドライエッチング
ではなくウェットエッチングを使用して形成することが
できるという利点がある。このため、エッチングの処理
時間を短くすることが可能になる。
３に形成する開口部を、指向性の高いドライエッチング
ではなくウェットエッチングを使用して形成することが
できるという利点がある。このため、エッチングの処理
時間を短くすることが可能になる。
【０１４４】さらに、平行平板光学部材６７に、光アイ
ソレータを使用すると、反射光を除去することも可能に
なる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明
はこれらに制限されるものではない。例えば、ＫＯＨ水
溶液の代わりにエチレンジアミン溶液を用いてウェット
エッチングを行ってもよい。その他、種々の変更、改
良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。
ソレータを使用すると、反射光を除去することも可能に
なる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明
はこれらに制限されるものではない。例えば、ＫＯＨ水
溶液の代わりにエチレンジアミン溶液を用いてウェット
エッチングを行ってもよい。その他、種々の変更、改
良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろ
う。
【０１４５】
【発明の効果】本発明によれば、光軸調整をする必要が
なく、光結合効率が高い集積化光装置を、短時間に製造
することができる。
なく、光結合効率が高い集積化光装置を、短時間に製造
することができる。
【図１】本発明の概念を説明するための集積化光装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による集積化光装置の斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明の第１の実施例による集積化光装置の断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第１の実施例による集積化光装置の機
能を説明するための概略図である。
能を説明するための概略図である。
【図５】本発明の第１の実施例の変形例１による集積化
光装置の断面図である。
光装置の断面図である。
【図６】本発明の第１の実施例の変形例２による集積化
光装置の平面図である。
光装置の平面図である。
【図７】本発明の第１の実施例による集積化光装置の製
造方法を説明するための集積化光装置の断面図及び平面
図である。
造方法を説明するための集積化光装置の断面図及び平面
図である。
【図８】本発明の第１の実施例による集積化光装置の製
造方法を説明するための集積化光装置の断面図及び平面
図である。
造方法を説明するための集積化光装置の断面図及び平面
図である。
【図９】本発明の第２の実施例による集積化光装置の平
面図である。
面図である。
【図１０】本発明の第３の実施例による集積化光装置の
平面図である。
平面図である。
【図１１】本発明の第４の実施例による集積化光装置の
製造方法を説明するための集積化光装置の断面図であ
る。
製造方法を説明するための集積化光装置の断面図であ
る。
【図１２】本発明の第５の実施例による集積化光装置の
製造方法を説明するための集積化光装置の断面図であ
る。
製造方法を説明するための集積化光装置の断面図であ
る。
【図１３】本発明の第６の実施例による集積化光装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図１４】本発明の第６の実施例による集積化光装置の
平面図及び断面図である。
平面図及び断面図である。
【図１５】本発明の第６の実施例による集積化光装置の
製造方法を説明するための集積化光装置の断面図であ
る。
製造方法を説明するための集積化光装置の断面図であ
る。
【図１６】本発明の第６の実施例の変形例１による集積
化光装置の斜視図である。
化光装置の斜視図である。
【図１７】本発明の第６の実施例の変形例２による集積
化光装置の平面図である。
化光装置の平面図である。
【図１８】本発明の第７の実施例による集積化光装置の
断面図である。
断面図である。
【図１９】従来例による光装置の断面図である。
【図２０】従来例による集積化光装置の斜視図である。
１、１２０ シリコン基板 ２、２０、５５、１０３、１２２ レーザダイオ
ードチップ ３、４、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、５２、５３
球レンズ ５、２３、５１、１１０ 光ファイバ ６ 貼り合わせシリコン基板 ７、８、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、５７、５８
レンズガイド用Ｖ字孔 １０ 光学部品搭載基板 １１ （１００）シリコン基板 １２、１４、６５ａ、６５ｂ、６６、６６ａ〜６６ｅ
ＳｉＯ2 膜 １３ （１００）シリコン層 １５ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 １８、１８ａ キューブ型ハーフミラー １９、１９ａ キューブ型ハーフミラーガイド孔 ２１、２２ エッジ入射型フォトダイオードチップ ２４、５６ 光ファイバガイド用Ｖ溝 ２４ａ 光ファイバガイド用溝 ２５、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５
ｆ、２５ｇ、５９、６０ 開口部 ２６、５４ 光アイソレータ ２７、６１ 光アイソレータガイド溝 ３０ レーザダイオード駆動用ＩＣ ３１ レーザパワーモニタ用プリアンプＩＣ ３２ 光受信用プリアンプＩＣ ３３ パワーコントロール用ＩＣ ３４、３５、３６、３７ ボンディングパッド ３８、３９ 配線 ４０、４１ 開口 ４２ａ〜４２ｄ、６２、６３ 光ビーム通過溝 ５０、１００ 基板 ６７ 平行平板光学部材 ６８ 平行平板用ガイド溝 １０１ サブキャリア １０２ ヒートシンク １０４、１０７ レンズホルダ １０５、１０８ レンズ １０６ 光学部品 １０９ 光軸 １１１ 光ファイバホルダ １２１、１２４ レンズ １２３、１２５ フォトダイオードチップ １２６ フィルタ型プリズム １２７、１２８ レンズガイド孔 １２９、１３０ レーザ光通過溝
ードチップ ３、４、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、５２、５３
球レンズ ５、２３、５１、１１０ 光ファイバ ６ 貼り合わせシリコン基板 ７、８、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、５７、５８
レンズガイド用Ｖ字孔 １０ 光学部品搭載基板 １１ （１００）シリコン基板 １２、１４、６５ａ、６５ｂ、６６、６６ａ〜６６ｅ
ＳｉＯ2 膜 １３ （１００）シリコン層 １５ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 １８、１８ａ キューブ型ハーフミラー １９、１９ａ キューブ型ハーフミラーガイド孔 ２１、２２ エッジ入射型フォトダイオードチップ ２４、５６ 光ファイバガイド用Ｖ溝 ２４ａ 光ファイバガイド用溝 ２５、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅ、２５
ｆ、２５ｇ、５９、６０ 開口部 ２６、５４ 光アイソレータ ２７、６１ 光アイソレータガイド溝 ３０ レーザダイオード駆動用ＩＣ ３１ レーザパワーモニタ用プリアンプＩＣ ３２ 光受信用プリアンプＩＣ ３３ パワーコントロール用ＩＣ ３４、３５、３６、３７ ボンディングパッド ３８、３９ 配線 ４０、４１ 開口 ４２ａ〜４２ｄ、６２、６３ 光ビーム通過溝 ５０、１００ 基板 ６７ 平行平板光学部材 ６８ 平行平板用ガイド溝 １０１ サブキャリア １０２ ヒートシンク １０４、１０７ レンズホルダ １０５、１０８ レンズ １０６ 光学部品 １０９ 光軸 １１１ 光ファイバホルダ １２１、１２４ レンズ １２３、１２５ フォトダイオードチップ １２６ フィルタ型プリズム １２７、１２８ レンズガイド孔 １２９、１３０ レーザ光通過溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/12 Ｚ 7210−4Ｍ 33/00 Ｍ Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (19)
- 【請求項１】 シリコン基板（１１）、誘電体層（１
２）及び該誘電体層上に形成されたシリコン層（１３）
を含む基板（１０）と、 光ファイバ（２３）を位置決めするための前記シリコン
層（１３）に設けられた光ファイバガイド用溝（２４）
と、 前記光ファイバガイド用溝（２４）に連続するようにし
て、前記シリコン層（１３）及び前記誘電体層（１２）
に形成され、前記シリコン基板（１１）を露出させる開
口部（２５）と、 前記光ファイバガイド用溝（２４）に位置決めされる光
ファイバ（２３）の光軸を延長した主光軸上であって、
該光ファイバの端面が焦点となるような位置に配置され
た第１の球レンズ（１６ｄ）と、 前記第１の球レンズ（１６ｄ）を位置決めするために、
前記開口部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板
（１１）の表面に形成された第１のレンズガイド用孔
（１７ｄ）と、 前記主光軸上であって、前記光ファイバ（２３）から前
記第１の球レンズ（１６ｄ）よりも離れた位置に配置さ
れた第２の球レンズ（１６ｂ）と、 前記第２の球レンズ（１６ｂ）を位置決めするために、
前記開口部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板
（１１）の表面に形成された第２のレンズガイド用孔
（１７ｂ）と、 前記光軸上であって、前記第２の球レンズ（１６ｂ）の
ほぼ焦点位置に配置されるように前記基板（１０）の表
面に搭載された第１の光半導体部品（２０）とを含む集
積化光装置。 - 【請求項２】 さらに、前記第１の球レンズ（１６ｄ）
と前記第２の球レンズ（１６ｂ）との間の前記主光軸上
に配置されたキューブ型ハーフミラー（１８）と、 前記キューブ型ハーフミラー（１８）を位置決めするた
めに、その開口面の少なくとも一部が前記開口部（２
５）の底面に現れるように前記シリコン基板の表面に形
成されたキューブ型ハーフミラーガイド孔（１９）と、 前記光軸上を伝搬する光の一部が前記キューブ型ハーフ
ミラー（１８）によって反射される反射光の光軸上に配
置された第３の球レンズ（１６ａ）と、 前記第３の球レンズ（１６ａ）を位置決めするために、
前記開口部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板
（１１）の表面に形成された第３のレンズガイド用孔
（１７ａ）と、 前記反射光の光軸上であって、前記第３の球レンズ（１
６ａ）のほぼ焦点位置に配置されるように前記基板（１
０）の表面に搭載された第２の光半導体部品（２１）と
を含む請求項１記載の集積化光装置。 - 【請求項３】 さらに、前記主光軸上を伝搬する光の一
部が前記キューブ型ハーフミラー（１８）によって前記
反射光の光軸と反対の方向に反射される他の反射光の光
軸上に配置された第４の球レンズ（１６ｃ）と、 前記第４の球レンズ（１６ｃ）を位置決めするために、
前記開口部（２５）の底面に露出した前記シリコン基板
（１１）の表面に形成された第４のレンズガイド用孔
（１７ｃ）と、 前記他の反射光の光軸上であって、前記第４の球レンズ
（１６ｃ）のほぼ焦点位置に配置されるように前記基板
（１０）の表面に搭載された第３の光半導体部品（２
２）とを含む請求項２記載の集積化光装置。 - 【請求項４】 前記キューブ型ハーフミラーガイド孔
（１９）の側面は、前記シリコン基板（１１）の表面に
対して垂直であり、少なくとも一組の互いに直交する平
面を含む請求項２または３記載の集積化光装置。 - 【請求項５】 前記シリコン基板（１１）は、（１０
０）面シリコン基板であり、前記キューブ型ハーフミラ
ーガイド孔（１９）の側面は、シリコン基板の｛１１
１｝面により構成されている請求項２または３記載の集
積化光装置。 - 【請求項６】 前記シリコン層（１３）は、（１００）
面シリコン層であり、前記光ファイバガイド用溝（２
４）の側面は、シリコン層の｛１１１｝面によって構成
されている請求項１〜５のいずれかに記載の集積化光装
置。 - 【請求項７】 前記開口部（２５）の側面は、シリコン
層の｛１１１｝面によって構成されている請求項１〜６
のいずれかに記載の集積化光装置。 - 【請求項８】 前記開口部（２５）の側面は、前記シリ
コン層（１３）の表面に対して垂直である請求項１〜６
のいずれかに記載の集積化光装置。 - 【請求項９】 前記開口部（２５）は、 球レンズを配置するための少なくとも１個以上の球レン
ズ用開口部（２５ａ〜２５ｄ、２５ｆ）と、 キューブ型ハーフミラー（１８）を配置するためのハー
フミラー用開口部（２５ｅ）と、 前記球レンズ用開口部と前記ハーフミラー用開口部とを
連結するように、光軸に沿って形成された光ビーム通過
溝（４２ａ〜４２ｄ）とを含んで構成されており、 前記ハーフミラー用開口部の側面は、前記シリコン層表
面に対して垂直であり、少なくとも一組の互いに直交す
る平面を含む請求項２または３記載の集積化光装置。 - 【請求項１０】 前記ハーフミラー用開口部（２５ｅ）
は、前記キューブ型ハーフミラーガイド孔（１９）の底
面よりも小さい請求項９記載の集積化光装置。 - 【請求項１１】 前記ハーフミラー用開口部（２５ｅ）
は、前記キューブ型ハーフミラーガイド孔（１９）の底
面よりも大きく、かつ、前記キューブ型ハーフミラー
（１８）は、前記キューブ型ハーフミラーガイド孔（１
９）に挿入するための、前記キューブ型ハーフミラーガ
イド孔（１９）の底面よりも小さい断面を有するハーフ
ミラー下部と、前記ハーフミラー用開口部（２５ｅ）の
側面に接触して位置決めするために少なくとも一組の互
いに直交する側面を有するハーフミラー上部とを含んで
構成されている請求項９記載の集積化光装置。 - 【請求項１２】 前記球レンズ用開口部（２５ａ〜２５
ｄ、２５ｆ）の側面は、前記シリコン層の表面に対して
垂直である請求項９〜１１のいずれかに記載の集積化光
装置。 - 【請求項１３】 さらに、前記光軸上に配置された光ア
イソレータ（２６）と、 前記光アイソレータを位置決めするための、前記基板
（１０）表面に形成された光アイソレータガイド用溝
（２７）とを含む請求項１〜１２のいずれかに記載の集
積化光装置。 - 【請求項１４】 前記光アイソレータの入射面及び出射
面の法線方向が前記シリコン基板表面と平行になり、か
つ、光軸に対して所定の角度傾いて配置されている請求
項１３記載の集積化光装置。 - 【請求項１５】 前記シリコン層は、（１１０）面シリ
コン層であり、 前記開口部（２５）及び前記光ファイバガイド用溝（２
４）の側面はシリコン層の｛１１１｝面であり、 前記光軸上に、光軸に対して所定の角度傾いて配置され
ている平行平板光学部材（６７）と、 前記平行平板光学部材を位置決めするために、前記基板
（１０）表面に形成された平行平板用ガイド溝（６８）
とを含む請求項１〜３のいずれかに記載の集積化光装
置。 - 【請求項１６】 シリコン基板（１１）の表面を選択的
にエッチングして光学部品を位置決めするためのガイド
孔（１７ａ〜１７ｄ、１９）を形成するためのガイド孔
形成工程と、 表面に誘電体膜（１２）が形成された他のシリコン基板
を、該誘電体膜が形成された面と前記シリコン基板のガ
イド孔が形成された面が向かい合うように貼り合わせる
貼り合わせ工程と、 前記他のシリコン基板を所定の厚さになるまで前記誘電
体膜が形成されていない面から薄くする工程と、 前記他のシリコン基板の、前記ガイド孔によって位置決
めされる光学部品が実装される部分に、開口部を形成し
て前記ガイド孔を露出させる開口部形成工程と、 光ビームが通過する部分を取り除いて光ビーム通過溝を
形成する光ビーム通過溝形成工程と、 光ファイバ（２３）を位置決めするための光ファイバガ
イド用溝を形成する光ファイバガイド用溝形成工程とを
含む集積化光装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記開口部形成工程、光ビーム通過溝
形成工程、及び光ファイバガイド用溝形成工程は、前記
他のシリコン基板及び前記誘電体膜をエッチングするこ
とにより同時に加工されることを特徴とする請求項１６
記載の集積化光装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記他のシリコン基板は、（１００）
面シリコン基板であり、前記前記開口部形成工程、光ビ
ーム通過溝形成工程、及び光ファイバガイド用溝形成工
程は、マスクに開口を形成し、異方性エッチング液によ
って前記他のシリコン基板をエッチングする工程である
請求項１７記載の集積化光装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記シリコン基板は、（１００）面シ
リコン基板であり、前記ガイド孔形成工程は、マスクに
開口を形成し、異方性エッチングによって、前記シリコ
ン基板エッチングする工程である請求項１６〜１８のい
ずれかに記載の集積化光装置の製造方法。
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| DE69419086T DE69419086T2 (de) | 1993-08-31 | 1994-07-19 | Integriert optischer Hybridbaustein mit zweischichtigem Substrat |
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|---|---|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510405A (ja) * | 1997-07-01 | 2002-04-02 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 単一基板上に集積された改良式マイクロフォトニクスモジュール |
| JP2004178755A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 光学デバイス、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
| WO2005066678A1 (en) * | 2003-12-23 | 2005-07-21 | 3M Innovative Properties Company | Laser submounts with standoff structures |
| CN100405105C (zh) * | 2004-09-06 | 2008-07-23 | 三菱电机株式会社 | 光收发模块 |
| US7486846B2 (en) | 2004-02-17 | 2009-02-03 | Hammatsu Photonics K.K. | Optical transmitting /receiving module |
| JP2010276606A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Honeywell Internatl Inc | シリコンオプティカルベンチフロントエンドによる干渉型光ファイバジャイロスコープ |
| KR101105680B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2012-01-18 | 한국광기술원 | 대면적 광 ｐｃｂ 및 그 제작방법 |
| US8772692B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-07-08 | Fujitsu Limited | Optical transmission device, laser module, failure detection method for laser module, and failure detection program for laser module |
| JP2014517936A (ja) * | 2011-05-19 | 2014-07-24 | インジェネリック・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 光導波路用結合装置 |
| JP2015068997A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | パナソニック株式会社 | 光電気変換装置およびそれを用いた光モジュール |
| JP2015073139A (ja) * | 2015-01-19 | 2015-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 光アセンブリ |
| US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| JP2017028331A (ja) * | 2016-11-09 | 2017-02-02 | 住友電気工業株式会社 | 光アセンブリ |
Families Citing this family (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528724A (en) * | 1995-03-15 | 1996-06-18 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for aligning optical fibers with respect to one another |
| DE19518021A1 (de) * | 1995-05-17 | 1996-11-21 | Sel Alcatel Ag | Optischer Verstärker |
| JP3592406B2 (ja) * | 1995-07-10 | 2004-11-24 | 富士通株式会社 | 光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
| WO1997012271A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | The Whitaker Corporation | Bi-directional link submodule with holographic beamsplitter |
| US5933551A (en) * | 1995-09-29 | 1999-08-03 | The Whitaker Corp. | Bidirectional link submodule with holographic beamsplitter |
| JPH09132500A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Sony Corp | 三角錐形状半導体構造とこれを用いた光学素子 |
| US5808793A (en) * | 1996-01-17 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Low-cost compact optical isolators |
| GB2307786B (en) * | 1996-05-16 | 1997-10-15 | Bookham Technology Ltd | Assembly of an optical component and an optical waveguide |
| GB9610621D0 (en) * | 1996-05-21 | 1996-07-31 | Hewlett Packard Co | Optical isolator |
| US5862283A (en) * | 1996-08-28 | 1999-01-19 | Hewlett-Packard Company | Mounting a planar optical component on a mounting member |
| US5771323A (en) * | 1996-08-28 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Micro-photonics module |
| US5731904A (en) * | 1996-08-28 | 1998-03-24 | Hewlett-Packard Co. | Fabricating an optical device having at least an optical filter and a mirror |
| US5848211A (en) * | 1996-08-28 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Photonics module having its components mounted on a single mounting member |
| US5808293A (en) * | 1996-08-28 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Photo detector with an integrated mirror and a method of making the same |
| DE19640423C1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-03-26 | Siemens Ag | Optoelektronisches Modul zur bidirektionalen optischen Datenübertragung |
| US5706371A (en) * | 1996-12-03 | 1998-01-06 | E-Tek Dynamics, Inc. | Optical isolator array device |
| JP3514609B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2004-03-31 | 新光電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレームと光半導体装置 |
| US5929518A (en) * | 1997-07-20 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Circuit board and method |
| US5937114A (en) * | 1997-07-21 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Micro-photonics module with a partition wall |
| US5946435A (en) * | 1997-08-26 | 1999-08-31 | Oplink Communications, Inc. | Method and system for providing an improved three port wavelength division multiplexer |
| US6822271B2 (en) * | 1997-08-28 | 2004-11-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor photodetector and optical transmitting device |
| US6445837B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-09-03 | Nu-Wave Photonics, Inc. | Hybrid opto-electronic circuits and method of making |
| US6288821B1 (en) | 1999-10-01 | 2001-09-11 | Lucent Technologies, Inc. | Hybrid electro-optic device with combined mirror arrays |
| US6568864B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-05-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and process for manufacturing the same |
| US6375365B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-04-23 | Onix Microsystems, Inc. | Apparatus and packaging method to assemble optical modules to a common substrate with adjustable plugs |
| US6826324B2 (en) * | 2000-04-13 | 2004-11-30 | Shipley Company, L.L.C. | Optical waveguide switch |
| US6832016B2 (en) * | 2000-04-13 | 2004-12-14 | Shipley Company, L.L.C. | Fiber array switch having micromachined front face with roller balls |
| US6798933B2 (en) * | 2000-04-14 | 2004-09-28 | Shipley Company, L.L.C. | Fiber optic array switch |
| US6842552B1 (en) | 2000-04-13 | 2005-01-11 | Shipley Company, L.L.C. | Optical waveguide switch |
| US6633691B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-10-14 | Shipley Company, L.L.C. | Optical waveguide switch having stepped waveguide holding member |
| US6748131B2 (en) * | 2000-05-19 | 2004-06-08 | Shipley Company, L.L.C. | Optical waveguide devices and methods of fabricating the same |
| JP4836102B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2011-12-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | 光学素子の位置決め部材、光学素子の位置決め部材の製造方法、光学ユニット、光学ユニットの製造方法、レンズチップ、光メモリ媒体用浮上型ヘッド |
| US6870981B2 (en) | 2000-08-24 | 2005-03-22 | Shipley Company, L.L.C. | Optical switch and method for making |
| US6853764B2 (en) * | 2000-08-28 | 2005-02-08 | Shipley Company, L.L.C. | Optical switch assembly and method for making |
| JP4008649B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2007-11-14 | 沖電気工業株式会社 | 光学装置 |
| WO2002031562A1 (de) * | 2000-10-09 | 2002-04-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Positionsfixierung in leiterplatten |
| JP3902394B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2007-04-04 | 日本電気株式会社 | 光通信モジュール及び光通信装置 |
| US6810162B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-10-26 | Shipley Company, L.L.C. | Optical switch assembly with flex plate and method for making |
| WO2002071371A2 (en) * | 2001-01-09 | 2002-09-12 | Coventor, Incorporated | Fabrication integration of micro-components |
| US6885786B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-04-26 | Shipley Company, L.L.C. | Combined wet and dry etching process for micromachining of crystalline materials |
| US6907150B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-06-14 | Shipley Company, L.L.C. | Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby |
| US20030021572A1 (en) * | 2001-02-07 | 2003-01-30 | Steinberg Dan A. | V-groove with tapered depth and method for making |
| US6964804B2 (en) * | 2001-02-14 | 2005-11-15 | Shipley Company, L.L.C. | Micromachined structures made by combined wet and dry etching |
| US20020195417A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-12-26 | Steinberg Dan A. | Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures |
| US6986609B2 (en) * | 2001-05-08 | 2006-01-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical module and method for manufacturing the same |
| US6704488B2 (en) * | 2001-10-01 | 2004-03-09 | Guy P. Lavallee | Optical, optoelectronic and electronic packaging platform, module using the platform, and methods for producing the platform and the module |
| US7410304B2 (en) * | 2001-11-08 | 2008-08-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Optical fiber right angle transition |
| US6700388B1 (en) | 2002-02-19 | 2004-03-02 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Methods and apparatus for detecting electromagnetic interference |
| US7204647B2 (en) * | 2002-03-01 | 2007-04-17 | Ohm David R | Monitoring a semiconductor laser utilizing an incorporated beam splitter device |
| US20040033049A1 (en) * | 2002-08-14 | 2004-02-19 | Pactonix, Inc. | Compact platform for manufacturing coarse wavelength division multiplexing optical components |
| JP2004233484A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光モジュール |
| GB2400183A (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-06 | Agilent Technologies Inc | Mounting optic fibre and optical waveguide on substrate |
| US6836015B2 (en) * | 2003-05-02 | 2004-12-28 | International Business Machines Corporation | Optical assemblies for transmitting and manipulating optical beams |
| US6922294B2 (en) * | 2003-05-02 | 2005-07-26 | International Business Machines Corporation | Optical communication assembly |
| TWI254025B (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby |
| TWM241892U (en) * | 2003-10-03 | 2004-08-21 | Foci Fiber Optic Communication | A silicon optical bench based bi-directional transceiver module |
| JP4225179B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2009-02-18 | 株式会社日立製作所 | 光学素子実装用基板およびその製造方法 |
| WO2005045498A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Bookham Technology Plc | An optoelectric subassembly |
| JP4338036B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2009-09-30 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 光モジュール |
| KR100754641B1 (ko) | 2006-03-02 | 2007-09-05 | 삼성전자주식회사 | 모니터들을 구비한 다파장 양방향 광송수신기 |
| US8160451B2 (en) * | 2007-02-13 | 2012-04-17 | Finisar Corporation, Inc. | Optical network unit transceiver module with arrayed I/O video contacts |
| EP2115507A4 (en) * | 2007-02-14 | 2017-11-22 | Finisar Corporation | Collimated ball lenses for optical triplexers |
| KR100822691B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2008-04-17 | (주) 빛과 전자 | 일체형 광모듈 |
| US7802928B2 (en) * | 2008-01-04 | 2010-09-28 | Honeywell International Inc. | System and method for fiber based resonator coupling |
| US8049890B2 (en) * | 2009-02-13 | 2011-11-01 | James Neus | System and method for passive alignment of components in an optical bench |
| GB2494640A (en) * | 2011-09-13 | 2013-03-20 | Zinir Ltd | Optical substrate with recesses for passive alignment of optical components |
| CN104380160B (zh) * | 2013-05-27 | 2017-12-05 | 华为技术有限公司 | 滤波器、滤波器的制造方法和激光波长监控装置 |
| TW201530208A (zh) * | 2014-01-20 | 2015-08-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 光纖耦合連接器與光通訊裝置 |
| US9419718B2 (en) * | 2014-08-18 | 2016-08-16 | Cisco Technology, Inc. | Aligning optical components in a multichannel receiver or transmitter platform |
| US9692522B2 (en) * | 2015-04-15 | 2017-06-27 | Cisco Technology, Inc. | Multi-channel optical receiver or transmitter with a ball lens |
| WO2017066022A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 3M Innovative Properties Company | Optical waveguide positioning feature in a multiple waveguides connector |
| CA3013511A1 (en) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Single-fiber bidirectional sub assembly |
| KR101843469B1 (ko) | 2016-04-19 | 2018-03-30 | 옵티시스 주식회사 | 광 커넥터 |
| US10107975B1 (en) | 2017-11-13 | 2018-10-23 | Denselight Semiconductors Pte. Ltd. | Optoelectronic assembly for optical coupling |
| CN108897105B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-06-19 | 苏州易锐光电科技有限公司 | 应用于激光器器件的单透镜耦合方法 |
| JP2020101735A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 光電変換モジュール |
| CN110389414A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-29 | 杭州耀芯科技有限公司 | 一种单纤双向多模波分复用光电转换装置及制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172308A (en) * | 1981-04-16 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Coupling method of semiconductor laser and optical waveguide |
| CA1255382A (en) * | 1984-08-10 | 1989-06-06 | Masao Kawachi | Hybrid optical integrated circuit with alignment guides |
| US4875750A (en) * | 1987-02-25 | 1989-10-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic coupling element and method for its manufacture |
| GB8723595D0 (en) * | 1987-10-08 | 1987-11-11 | British Telecomm | Optical package |
| DE3809396A1 (de) * | 1988-03-21 | 1989-10-05 | Siemens Ag | Optischer sende- und empfangsmodul |
| DE3925201A1 (de) * | 1989-07-29 | 1991-02-07 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Optische bank zur halterung optischer, elektrischer u.a. komponenten |
| US5064266A (en) * | 1990-07-05 | 1991-11-12 | Photonic Integration Research, Inc. | Circular channel waveguides and lenses formed from rectangular channel waveguides |
| US5113404A (en) * | 1990-07-05 | 1992-05-12 | At&T Bell Laboratories | Silicon-based optical subassembly |
| FR2694841B1 (fr) * | 1992-08-14 | 1994-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Procédé d'hybridation et de positionnement d'un composant opto-électronique et application de ce procédé au positionnement de ce composant par rapport à un guide optique intégré. |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21663393A patent/JPH0774343A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-07-15 US US08/275,309 patent/US5611006A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-19 EP EP94111228A patent/EP0640853B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-19 DE DE69419086T patent/DE69419086T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510405A (ja) * | 1997-07-01 | 2002-04-02 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 単一基板上に集積された改良式マイクロフォトニクスモジュール |
| JP4632325B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2011-02-16 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 単一基板上に集積された改良式マイクロフォトニクスモジュール |
| JP2004178755A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 光学デバイス、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
| WO2005066678A1 (en) * | 2003-12-23 | 2005-07-21 | 3M Innovative Properties Company | Laser submounts with standoff structures |
| US7486846B2 (en) | 2004-02-17 | 2009-02-03 | Hammatsu Photonics K.K. | Optical transmitting /receiving module |
| CN100405105C (zh) * | 2004-09-06 | 2008-07-23 | 三菱电机株式会社 | 光收发模块 |
| JP2010276606A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Honeywell Internatl Inc | シリコンオプティカルベンチフロントエンドによる干渉型光ファイバジャイロスコープ |
| KR101105680B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2012-01-18 | 한국광기술원 | 대면적 광 ｐｃｂ 및 그 제작방법 |
| US8772692B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-07-08 | Fujitsu Limited | Optical transmission device, laser module, failure detection method for laser module, and failure detection program for laser module |
| JP2014517936A (ja) * | 2011-05-19 | 2014-07-24 | インジェネリック・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 光導波路用結合装置 |
| US9366577B2 (en) | 2011-05-19 | 2016-06-14 | Ingeneric Gmbh | Coupling device for connecting an optical waveguide to an associated optical waveguide connection |
| US9759616B2 (en) | 2011-05-19 | 2017-09-12 | Ingeneric Gmbh | Coupling device for connecting an optical waveguide to an associated optical waveguide connection |
| US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| US9644805B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| JP2015068997A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | パナソニック株式会社 | 光電気変換装置およびそれを用いた光モジュール |
| JP2015073139A (ja) * | 2015-01-19 | 2015-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 光アセンブリ |
| JP2017028331A (ja) * | 2016-11-09 | 2017-02-02 | 住友電気工業株式会社 | 光アセンブリ |
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