JP2001332799A - モールド型半導体レーザ - Google Patents
モールド型半導体レーザInfo
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Abstract
(57)【要約】
【課題】 常に正確なレーザチップの出力を検出するこ
とにより、正確な光出力制御回路を形成し得るモールド
型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 一端部にダイパッド部２ａが形成された
第１のリード２のダイパッド部２ａにレーザチップ８お
よびモニタ用の受光素子５とが設けられたサブマウント
７がボンディングされている。そして、レーザチップ８
および受光素子５の電極が図示しない金線などのワイヤ
により、第２のリード３、４と電気的にそれぞれ接続さ
れ、レーザチップ８の出射面側を除いた側面および後面
を覆うと共に、第１のリード２および第２のリード３、
４の一端部側を一体に保持するように樹脂製枠体６が設
けられている。そして、レーザチップ８後端面に対向す
る枠体６部分に受光素子５への反射を防止する反射防止
手段９が形成されている。
とにより、正確な光出力制御回路を形成し得るモールド
型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 一端部にダイパッド部２ａが形成された
第１のリード２のダイパッド部２ａにレーザチップ８お
よびモニタ用の受光素子５とが設けられたサブマウント
７がボンディングされている。そして、レーザチップ８
および受光素子５の電極が図示しない金線などのワイヤ
により、第２のリード３、４と電気的にそれぞれ接続さ
れ、レーザチップ８の出射面側を除いた側面および後面
を覆うと共に、第１のリード２および第２のリード３、
４の一端部側を一体に保持するように樹脂製枠体６が設
けられている。そして、レーザチップ８後端面に対向す
る枠体６部分に受光素子５への反射を防止する反射防止
手段９が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（コンパクト
ディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＬＢ
Ｐ（レーザビームプリンタ）、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのピ
ックアップ用光源に用いるのにとくに適した、半導体レ
ーザに関する。さらに詳しくは、リードフレームにレー
ザチップがダイボンディングされ、その周囲を樹脂成形
による枠体により保護しながら、枠体による反射の影響
をなくする構造のモールド型半導体レーザに関する。
ディスク）、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＬＢ
Ｐ（レーザビームプリンタ）、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのピ
ックアップ用光源に用いるのにとくに適した、半導体レ
ーザに関する。さらに詳しくは、リードフレームにレー
ザチップがダイボンディングされ、その周囲を樹脂成形
による枠体により保護しながら、枠体による反射の影響
をなくする構造のモールド型半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】モールド型半導体レーザは、たとえば特
許第２９５１０７７号に示され、図５に示されるような
構造になっている。図５において、リードフレーム１と
して一体に形成された３本のリード２、３、４の内、共
通リード２の先端のダイパッド部２ａにレーザ（ＬＤ）
チップ８がボンディングされたサブマウント７が搭載さ
れている。そのＬＤチップ８およびモニタ用受光素子５
が図示しないワイヤにより、他のリード３、４とワイヤ
ボンディングされている。そして、図５に示されるよう
に、合成樹脂により、たとえばトランスファモールドさ
れ、枠体６がビームの出射側を除く周囲に形成されるこ
とにより、各リード２、３、４が一体化され、リードフ
レーム１から分離されても、各リード２〜４は固定され
ている。
許第２９５１０７７号に示され、図５に示されるような
構造になっている。図５において、リードフレーム１と
して一体に形成された３本のリード２、３、４の内、共
通リード２の先端のダイパッド部２ａにレーザ（ＬＤ）
チップ８がボンディングされたサブマウント７が搭載さ
れている。そのＬＤチップ８およびモニタ用受光素子５
が図示しないワイヤにより、他のリード３、４とワイヤ
ボンディングされている。そして、図５に示されるよう
に、合成樹脂により、たとえばトランスファモールドさ
れ、枠体６がビームの出射側を除く周囲に形成されるこ
とにより、各リード２、３、４が一体化され、リードフ
レーム１から分離されても、各リード２〜４は固定され
ている。
【０００３】この半導体レーザは、たとえば回折格子や
コリメータレンズまたは有限系対物レンズなどの光軸と
合せて取り付けられることにより、ピックアップ装置な
どの光源として用いられる。この場合、図５に示される
ように、サブマウント７をシリコン基板により形成し、
そのサブマウント７の表面で、ＬＤチップ８の出射面と
反対の後ろ側に受光素子５を作り込み、ＬＤチップ８の
出力をモニタしながら、自動的に出力を一定にして（Ａ
ＰＣ：自動光出力制御）、常に一定出力でコンパクトデ
ィスクのピットなどを検出するようになっている。
コリメータレンズまたは有限系対物レンズなどの光軸と
合せて取り付けられることにより、ピックアップ装置な
どの光源として用いられる。この場合、図５に示される
ように、サブマウント７をシリコン基板により形成し、
そのサブマウント７の表面で、ＬＤチップ８の出射面と
反対の後ろ側に受光素子５を作り込み、ＬＤチップ８の
出力をモニタしながら、自動的に出力を一定にして（Ａ
ＰＣ：自動光出力制御）、常に一定出力でコンパクトデ
ィスクのピットなどを検出するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、レーザ
チップの出力を受光素子によりモニタしながらＡＰＣを
行う場合、レーザの動作による温度上昇などにより、雰
囲気温度が変動すると、受光素子により受光する出力が
変動する。たとえば、レーザ出力を一定にして、雰囲気
温度を変化させると、周期的に検出出力が変化すること
が検出された。そのため、実際にはレーザチップの出力
が変動していなくても、受光素子により検出する出力は
温度により変動し、その変動出力に基づいてレーザ出力
を制御すると、却ってレーザ出力を一定にできていない
ということを見出した。
チップの出力を受光素子によりモニタしながらＡＰＣを
行う場合、レーザの動作による温度上昇などにより、雰
囲気温度が変動すると、受光素子により受光する出力が
変動する。たとえば、レーザ出力を一定にして、雰囲気
温度を変化させると、周期的に検出出力が変化すること
が検出された。そのため、実際にはレーザチップの出力
が変動していなくても、受光素子により検出する出力は
温度により変動し、その変動出力に基づいてレーザ出力
を制御すると、却ってレーザ出力を一定にできていない
ということを見出した。
【０００５】本発明はこのような問題を解決し、常に正
確なレーザチップの出力を検出することにより、正確な
光出力制御回路を形成し、常に一定出力で動作し得るモ
ールド型半導体レーザを提供することを目的とする。
確なレーザチップの出力を検出することにより、正確な
光出力制御回路を形成し、常に一定出力で動作し得るモ
ールド型半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述のように、レーザチ
ップの後ろ側に受光素子を設け、その受光素子によりレ
ーザチップの後端面から出射される光ビームの出力をモ
ニタしながら、レーザチップの出力を一定にする自動光
出力制御回路により自動制御するモールド型半導体レー
ザでは、キャンタイプ（ステム上にレーザチップをマウ
ントして、キャップを被せるタイプ）と異なり、レーザ
チップ出力の変動とは別に受光素子による検出出力が変
動していることを、本発明者は見出した。そして、さら
に鋭意検討を重ねてその原因を調べた結果、レーザチッ
プおよび受光素子部分の雰囲気温度を変えると周期的に
変化することを見出した。
ップの後ろ側に受光素子を設け、その受光素子によりレ
ーザチップの後端面から出射される光ビームの出力をモ
ニタしながら、レーザチップの出力を一定にする自動光
出力制御回路により自動制御するモールド型半導体レー
ザでは、キャンタイプ（ステム上にレーザチップをマウ
ントして、キャップを被せるタイプ）と異なり、レーザ
チップ出力の変動とは別に受光素子による検出出力が変
動していることを、本発明者は見出した。そして、さら
に鋭意検討を重ねてその原因を調べた結果、レーザチッ
プおよび受光素子部分の雰囲気温度を変えると周期的に
変化することを見出した。
【０００７】すなわち、図４に示されるように、従来の
キャンタイプの半導体レーザＥでは、レーザチップおよ
び受光素子部分の雰囲気温度を変化させても受光素子に
よる検出出力は変化しないで一定なのに対して、前述の
従来のモールド型半導体レーザＤでは、温度の変化に対
して周期的に光出力が変化している。そして、さらによ
く観察すると、受光素子上に干渉縞が形成され、温度に
よりその干渉縞が動き、その干渉縞はレーザチップの後
ろ側から出て直接受光素子の表面にあたる光と、レーザ
チップの後側から出て、枠体で反射して受光素子の表面
にあたる光とが相互に干渉して形成されることを見出し
た。この原因は、周囲温度が変化すると、レーザチップ
の発振波長の変化により、干渉縞が形成されたり、形成
されなくなることが原因で、検出する出力が変動するこ
とにあるのが判明した。そして、レーザチップ後端面に
対向する枠体部分で反射する光が受光素子の表面に余り
戻ってこないようにすることにより、その変動をなくす
ることができることを見出した。
キャンタイプの半導体レーザＥでは、レーザチップおよ
び受光素子部分の雰囲気温度を変化させても受光素子に
よる検出出力は変化しないで一定なのに対して、前述の
従来のモールド型半導体レーザＤでは、温度の変化に対
して周期的に光出力が変化している。そして、さらによ
く観察すると、受光素子上に干渉縞が形成され、温度に
よりその干渉縞が動き、その干渉縞はレーザチップの後
ろ側から出て直接受光素子の表面にあたる光と、レーザ
チップの後側から出て、枠体で反射して受光素子の表面
にあたる光とが相互に干渉して形成されることを見出し
た。この原因は、周囲温度が変化すると、レーザチップ
の発振波長の変化により、干渉縞が形成されたり、形成
されなくなることが原因で、検出する出力が変動するこ
とにあるのが判明した。そして、レーザチップ後端面に
対向する枠体部分で反射する光が受光素子の表面に余り
戻ってこないようにすることにより、その変動をなくす
ることができることを見出した。
【０００８】本発明によるモールド型半導体レーザは、
一端部にダイパッド部が形成された第１のリードと、該
ダイパッド部に搭載されるレーザチップおよび受光素子
と、該レーザチップおよび受光素子の電極と電気的に接
続される第２のリードと、前記レーザチップの出射面側
を除いた側面および後端面側を覆い、第１および第２の
リードの一端部側を一体に保持する樹脂製枠体とからな
り、前記レーザチップ後端面に対向する前記枠体部分に
前記受光素子への反射を防止する反射防止手段が形成さ
れている。
一端部にダイパッド部が形成された第１のリードと、該
ダイパッド部に搭載されるレーザチップおよび受光素子
と、該レーザチップおよび受光素子の電極と電気的に接
続される第２のリードと、前記レーザチップの出射面側
を除いた側面および後端面側を覆い、第１および第２の
リードの一端部側を一体に保持する樹脂製枠体とからな
り、前記レーザチップ後端面に対向する前記枠体部分に
前記受光素子への反射を防止する反射防止手段が形成さ
れている。
【０００９】ここにレーザチップ後端面とは、レーザチ
ップからビームを出射する出射面と反対側の端面を意味
する。
ップからビームを出射する出射面と反対側の端面を意味
する。
【００１０】この構造にすることにより、レーザチップ
の後端面から出た光ビームが、枠体で反射して、受光素
子面上で干渉することがなくなり、レーザチップの後端
面から直接受光素子に達する光のみを受光し、安定した
光出力の検出をすることができる。その結果、レーザチ
ップの出力を正確にモニタし、本当のレーザチップの出
力変動を補正するように自動光出力制御をすることがで
きる。
の後端面から出た光ビームが、枠体で反射して、受光素
子面上で干渉することがなくなり、レーザチップの後端
面から直接受光素子に達する光のみを受光し、安定した
光出力の検出をすることができる。その結果、レーザチ
ップの出力を正確にモニタし、本当のレーザチップの出
力変動を補正するように自動光出力制御をすることがで
きる。
【００１１】前記反射防止手段は、前記レーザチップの
後端面に対向する部分における枠体に傾斜面が形成され
たり、前記レーザチップの後端面に対向する部分におけ
る枠体の一部が除去されることにより形成される。
後端面に対向する部分における枠体に傾斜面が形成され
たり、前記レーザチップの後端面に対向する部分におけ
る枠体の一部が除去されることにより形成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明のモールド型半導体レーザについて説明をする。本発
明によるモールド型半導体レーザは、図１にその一実施
形態の説明図が示されるように、一端部にダイパッド部
２ａが形成された第１のリード（共通リード）２のダイ
パッド部２ａにレーザチップ８およびモニタ用の受光素
子５とが設けられたサブマウント７が搭載されている。
そして、レーザチップ８および受光素子５の電極が図示
しない金線などのワイヤにより、第２のリード３、４と
電気的にそれぞれ接続され、レーザチップ８の出射面側
を除いた側面および後端面側を覆うと共に、第１および
第２のリード２、３、４の一端部側を一体に保持するよ
うに樹脂製の枠体６が設けられている。そして、レーザ
チップ８後端面に対向する枠体６部分に受光素子５への
反射を防止する反射防止手段９（９ａ）が形成されてい
る。
明のモールド型半導体レーザについて説明をする。本発
明によるモールド型半導体レーザは、図１にその一実施
形態の説明図が示されるように、一端部にダイパッド部
２ａが形成された第１のリード（共通リード）２のダイ
パッド部２ａにレーザチップ８およびモニタ用の受光素
子５とが設けられたサブマウント７が搭載されている。
そして、レーザチップ８および受光素子５の電極が図示
しない金線などのワイヤにより、第２のリード３、４と
電気的にそれぞれ接続され、レーザチップ８の出射面側
を除いた側面および後端面側を覆うと共に、第１および
第２のリード２、３、４の一端部側を一体に保持するよ
うに樹脂製の枠体６が設けられている。そして、レーザ
チップ８後端面に対向する枠体６部分に受光素子５への
反射を防止する反射防止手段９（９ａ）が形成されてい
る。
【００１３】前述のように、本発明者は、リードフレー
ムのダイパッド部２ａ上に、レーザチップ８をボンディ
ングすると共に受光素子５が形成されたシリコン製のサ
ブマウント７を搭載し、その周囲を樹脂製の枠体６によ
り囲うモールド型半導体レーザでは、レーザチップ８の
後方に存在する後壁面の反射により、受光素子５上に干
渉縞が形成され、レーザチップ８の出力が変化しなくて
も、検出する出力が温度により変動することを見出し
た。すなわち、レーザチップ８の後ろ側に、壁面を設
け、その壁面を垂直面に対して前後に傾けると、図３に
示されるように、検出出力の変化の割合が変動した。
ムのダイパッド部２ａ上に、レーザチップ８をボンディ
ングすると共に受光素子５が形成されたシリコン製のサ
ブマウント７を搭載し、その周囲を樹脂製の枠体６によ
り囲うモールド型半導体レーザでは、レーザチップ８の
後方に存在する後壁面の反射により、受光素子５上に干
渉縞が形成され、レーザチップ８の出力が変化しなくて
も、検出する出力が温度により変動することを見出し
た。すなわち、レーザチップ８の後ろ側に、壁面を設
け、その壁面を垂直面に対して前後に傾けると、図３に
示されるように、検出出力の変化の割合が変動した。
【００１４】図３において、Ａは後壁面１０の垂直面に
対する角度が＋１５°（外側への傾斜）の場合、Ｂは０
°（垂直）の場合、Ｃは−１５°（内側への傾斜）の場
合についてそれぞれ示している。図３から明らかなよう
に、受光素子５側への反射が大きくなる内側への傾きが
あると、非常に出力変動が大きくなる。一方、外側に傾
かせると、受光素子５への反射光の照射は非常に少なく
なるため、検出出力の変動は非常に小さくなっている。
このことから、レーザチップ８の後端面から出射するビ
ームが、レーザチップ８の後壁面１０で、受光素子５側
に反射しないようにすることにより、受光素子５による
検出出力の変動を抑制することができることが判明し
た。これは、トランスファモールド成形により形成され
る枠体６の露出面が、金型の鏡面仕上げに伴って、枠体
６の表面も鏡面に近い滑らかな面で形成されており、反
射しやすいためと考えられる。
対する角度が＋１５°（外側への傾斜）の場合、Ｂは０
°（垂直）の場合、Ｃは−１５°（内側への傾斜）の場
合についてそれぞれ示している。図３から明らかなよう
に、受光素子５側への反射が大きくなる内側への傾きが
あると、非常に出力変動が大きくなる。一方、外側に傾
かせると、受光素子５への反射光の照射は非常に少なく
なるため、検出出力の変動は非常に小さくなっている。
このことから、レーザチップ８の後端面から出射するビ
ームが、レーザチップ８の後壁面１０で、受光素子５側
に反射しないようにすることにより、受光素子５による
検出出力の変動を抑制することができることが判明し
た。これは、トランスファモールド成形により形成され
る枠体６の露出面が、金型の鏡面仕上げに伴って、枠体
６の表面も鏡面に近い滑らかな面で形成されており、反
射しやすいためと考えられる。
【００１５】この反射を防止するためには、前述のよう
に傾斜面にして外側に反射させる他に、枠体６の光ビー
ムが照射する部分を除去して後方に光ビームを進ませた
り、光ビーム照射部分の表面を乱反射するように凹凸面
にしたり、光吸収体を塗布することなどにより達成でき
る。
に傾斜面にして外側に反射させる他に、枠体６の光ビー
ムが照射する部分を除去して後方に光ビームを進ませた
り、光ビーム照射部分の表面を乱反射するように凹凸面
にしたり、光吸収体を塗布することなどにより達成でき
る。
【００１６】図１に示される例では、この反射防止手段
９が、枠体６のレーザチップ８の後端面に対向する部分
の内壁に傾斜面９ａが形成されることにより形成されて
いる。すなわち、図１（ｂ）にサブマウント７部と枠体
６の傾斜面９ａが形成されている部分のみの拡大説明図
が示されるように、傾斜面９ａが設けられることによ
り、レーザチップ８の後端面から出射する光ビームＰ
は、傾斜面９ａに当って上方に反射し、受光素子５の方
には殆ど戻らなくすることができる。そのため、受光素
子５の表面で、レーザチップ８から直接入射する光ビー
ムと、枠体６の内壁で反射して受光素子５の表面に達す
る光ビームとが相互に干渉することはない。
９が、枠体６のレーザチップ８の後端面に対向する部分
の内壁に傾斜面９ａが形成されることにより形成されて
いる。すなわち、図１（ｂ）にサブマウント７部と枠体
６の傾斜面９ａが形成されている部分のみの拡大説明図
が示されるように、傾斜面９ａが設けられることによ
り、レーザチップ８の後端面から出射する光ビームＰ
は、傾斜面９ａに当って上方に反射し、受光素子５の方
には殆ど戻らなくすることができる。そのため、受光素
子５の表面で、レーザチップ８から直接入射する光ビー
ムと、枠体６の内壁で反射して受光素子５の表面に達す
る光ビームとが相互に干渉することはない。
【００１７】この傾斜面９ａが形成される幅は、レーザ
チップ８から出射する光ビームＰの広がりと、レーザチ
ップ８および枠体６間の距離により定まるが、レーザチ
ップ８の中心部（光ビームの出射部）から±１５°、す
なわちθ＝３０°の範囲に形成されれば、光ビームの殆
どが傾斜面９ａに当る。また、傾斜面９ａの垂直面との
角度αは、１０°以上に形成されれば、受光素子５側へ
の光ビームの反射を、殆ど完全に防止することができる
ことが確認された。
チップ８から出射する光ビームＰの広がりと、レーザチ
ップ８および枠体６間の距離により定まるが、レーザチ
ップ８の中心部（光ビームの出射部）から±１５°、す
なわちθ＝３０°の範囲に形成されれば、光ビームの殆
どが傾斜面９ａに当る。また、傾斜面９ａの垂直面との
角度αは、１０°以上に形成されれば、受光素子５側へ
の光ビームの反射を、殆ど完全に防止することができる
ことが確認された。
【００１８】レーザチップ８は、従来と同様のたとえば
ＡｌＧａＡｓ系またはＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体の
ダブルヘテロ構造からなり、シリコンからなるサブマウ
ント７などにボンディングされ、そのシリコンサブマウ
ント７が共通リードである第１のリード２のダイパッド
部２ａに搭載されている。サブマウント７には、前述の
ように、レーザチップ８の光出力を自動的にコントロー
ルすることができるように、モニタ用の受光素子５が形
成されており、それぞれの一方の電極は第１（共通）の
リード２に導電性のボンディング剤などにより電気的に
接続され、他方の電極は、図示しない金線などのワイヤ
により第２のリード３、４とそれぞれ電気的に接続され
ている。
ＡｌＧａＡｓ系またはＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体の
ダブルヘテロ構造からなり、シリコンからなるサブマウ
ント７などにボンディングされ、そのシリコンサブマウ
ント７が共通リードである第１のリード２のダイパッド
部２ａに搭載されている。サブマウント７には、前述の
ように、レーザチップ８の光出力を自動的にコントロー
ルすることができるように、モニタ用の受光素子５が形
成されており、それぞれの一方の電極は第１（共通）の
リード２に導電性のボンディング剤などにより電気的に
接続され、他方の電極は、図示しない金線などのワイヤ
により第２のリード３、４とそれぞれ電気的に接続され
ている。
【００１９】枠体６は、第１のリード２および第２のリ
ード３、４がリードフレームから切り離されても、保持
できるように、サブマウントの搭載およびワイヤボンデ
ィングがされた状態で、各リードを一体にできるように
レーザチップの出射面側を除いて、サブマウント７の周
囲が覆われるように、エポキシ樹脂などをトランスファ
モールドすることにより、形成されている。図１に示さ
れる例では、上面および下面には樹脂成形がなされてお
らず、上面は開放され、下面はダイパッド部２ａが露出
した構造になっている。そして、図１に示される例で
は、前述のように、周囲を覆う枠体６の開放された出射
面側と対向するレーザチップ８の後端面に対向する部分
に、傾斜面９ａが形成されることにより、受光素子５へ
の反射を防止する反射防止手段９が設けられている。
ード３、４がリードフレームから切り離されても、保持
できるように、サブマウントの搭載およびワイヤボンデ
ィングがされた状態で、各リードを一体にできるように
レーザチップの出射面側を除いて、サブマウント７の周
囲が覆われるように、エポキシ樹脂などをトランスファ
モールドすることにより、形成されている。図１に示さ
れる例では、上面および下面には樹脂成形がなされてお
らず、上面は開放され、下面はダイパッド部２ａが露出
した構造になっている。そして、図１に示される例で
は、前述のように、周囲を覆う枠体６の開放された出射
面側と対向するレーザチップ８の後端面に対向する部分
に、傾斜面９ａが形成されることにより、受光素子５へ
の反射を防止する反射防止手段９が設けられている。
【００２０】前述の例は、枠体６のレーザチップ８の後
端面に対向する部分に、傾斜面９ａを形成することによ
り、受光素子５側への反射を防止する反射防止手段９と
したが、前述のように、傾斜面でなくても、受光素子５
の受光面に光ビームが反射しないようにすればよい。図
２に示される例は、枠体６のレーザチップ８の後端面に
対向する部分を削除した例である。
端面に対向する部分に、傾斜面９ａを形成することによ
り、受光素子５側への反射を防止する反射防止手段９と
したが、前述のように、傾斜面でなくても、受光素子５
の受光面に光ビームが反射しないようにすればよい。図
２に示される例は、枠体６のレーザチップ８の後端面に
対向する部分を削除した例である。
【００２１】図２に示される例も、図２（ｂ）にサブマ
ウント７部と枠体６の除去部分９ｂのみの拡大説明図が
示されるように、除去部分９ｂが形成されることによ
り、レーザチップ８の後端面から漏れる光ビームＰは、
除去部９ｂを通過して後方に進み、受光素子５の方には
殆ど戻らなくすることができる。そのため、受光素子５
の表面で、レーザチップ８から直接入射する光ビーム
と、枠体６の内壁で反射して受光素子５の表面に達する
光ビームとが相互に干渉することはない。この除去部９
ｂが形成される幅は、前述の例と同様に、レーザチップ
８の中心部（光ビームの出射部）から±１５°、すなわ
ちθ＝３０°の範囲に形成されれば、光ビームＰの殆ど
が除去部９ｂを通過する。
ウント７部と枠体６の除去部分９ｂのみの拡大説明図が
示されるように、除去部分９ｂが形成されることによ
り、レーザチップ８の後端面から漏れる光ビームＰは、
除去部９ｂを通過して後方に進み、受光素子５の方には
殆ど戻らなくすることができる。そのため、受光素子５
の表面で、レーザチップ８から直接入射する光ビーム
と、枠体６の内壁で反射して受光素子５の表面に達する
光ビームとが相互に干渉することはない。この除去部９
ｂが形成される幅は、前述の例と同様に、レーザチップ
８の中心部（光ビームの出射部）から±１５°、すなわ
ちθ＝３０°の範囲に形成されれば、光ビームＰの殆ど
が除去部９ｂを通過する。
【００２２】この反射防止手段９は、このような傾斜面
や除去部によらなくても、たとえばその表面に凹凸がで
きるようなざらざらな面にすれば、乱反射して、たとえ
いくらかの光が受光素子５の表面に戻っても、光の位相
が乱れ、レーザチップ８から直接受光素子５の表面に入
射する光ビームと干渉することはなく、温度変化による
出力変化を大幅に減らすことができる。さらに、黒色塗
料などの光吸収材をその部分に塗布しても、反射を防止
することができ、同様の効果を得ることができる。しか
し、モールド金型の離型性という面、またはモールド後
の加工を省くという面からは、図１および２に示される
ような構造にすることにより、モールド成形時の金型を
そのような形状に形成しておくだけで、工数増にならず
に形成できるため好ましい。
や除去部によらなくても、たとえばその表面に凹凸がで
きるようなざらざらな面にすれば、乱反射して、たとえ
いくらかの光が受光素子５の表面に戻っても、光の位相
が乱れ、レーザチップ８から直接受光素子５の表面に入
射する光ビームと干渉することはなく、温度変化による
出力変化を大幅に減らすことができる。さらに、黒色塗
料などの光吸収材をその部分に塗布しても、反射を防止
することができ、同様の効果を得ることができる。しか
し、モールド金型の離型性という面、またはモールド後
の加工を省くという面からは、図１および２に示される
ような構造にすることにより、モールド成形時の金型を
そのような形状に形成しておくだけで、工数増にならず
に形成できるため好ましい。
【００２３】本発明によるモールド型半導体レーザは、
枠体におけるレーザチップの後端面に対向する部分に、
受光素子側への反射を防止する反射防止手段が設けられ
ているため、レーザチップの後端面から出る光ビームが
枠体により反射して受光素子に入り、レーザチップから
直接受光素子に入る光ビームと干渉することがなくな
る。その結果、周囲温度の変化があり、その温度変化に
よる発振波長が変っても、検出する光出力が干渉により
周期的に変動することがなくなり、レーザチップの正確
な光出力を検出でき、ＡＰＣ回路により、自動的に精度
よく光出力を制御することができる。
枠体におけるレーザチップの後端面に対向する部分に、
受光素子側への反射を防止する反射防止手段が設けられ
ているため、レーザチップの後端面から出る光ビームが
枠体により反射して受光素子に入り、レーザチップから
直接受光素子に入る光ビームと干渉することがなくな
る。その結果、周囲温度の変化があり、その温度変化に
よる発振波長が変っても、検出する光出力が干渉により
周期的に変動することがなくなり、レーザチップの正確
な光出力を検出でき、ＡＰＣ回路により、自動的に精度
よく光出力を制御することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
受光素子を形成したサブマウントにレーザチップをボン
ディングして、ダイパッド上に搭載し、周囲を覆うよう
に樹脂製枠体で各リードを固定するモールド型半導体レ
ーザにおいても、モニタ用の光ビームと、枠体で反射し
た光ビームとが干渉することがなくなるため、受光素子
により非常に正確にレーザ出力を検出することができ
る。その結果、ＡＰＣ回路により、非常に精度よくレー
ザ出力を制御することができ、高精細なＤＶＤなどでも
きれいに再生することができる。
受光素子を形成したサブマウントにレーザチップをボン
ディングして、ダイパッド上に搭載し、周囲を覆うよう
に樹脂製枠体で各リードを固定するモールド型半導体レ
ーザにおいても、モニタ用の光ビームと、枠体で反射し
た光ビームとが干渉することがなくなるため、受光素子
により非常に正確にレーザ出力を検出することができ
る。その結果、ＡＰＣ回路により、非常に精度よくレー
ザ出力を制御することができ、高精細なＤＶＤなどでも
きれいに再生することができる。
【図１】本発明によるモールド型半導体レーザの一実施
形態を示す説明図である。
形態を示す説明図である。
【図２】本発明によるモールド型半導体レーザの他の実
施形態を示す説明図である。
施形態を示す説明図である。
【図３】レーザチップ後端面に対向して設けられる壁面
を傾けたときの受光素子により検出される光出力の温度
による変化を示す図である。
を傾けたときの受光素子により検出される光出力の温度
による変化を示す図である。
【図４】従来のモールド型半導体レーザで温度を変化さ
せたときの受光素子による出力変化を示す図である。
せたときの受光素子による出力変化を示す図である。
【図５】従来のモールド型半導体レーザの構造例を示す
説明図である。
説明図である。
２ 第１のリード ３、４ 第２のリード ５ 受光素子 ６ 枠体 ７ サブマウント ８ レーザチップ ９ 反射防止手段 ９ａ 傾斜面 ９ｂ 除去部
Claims (3)
- 【請求項１】 一端部にダイパッド部が形成された第１
のリードと、該ダイパッド部に搭載されるレーザチップ
および受光素子と、該レーザチップおよび受光素子の電
極と電気的に接続される第２のリードと、前記レーザチ
ップの出射面側を除いた側面および後端面側を覆い、第
１および第２のリードの一端部側を一体に保持する樹脂
製枠体とからなり、前記レーザチップ後端面に対向する
前記枠体部分に前記受光素子への反射を防止する反射防
止手段が形成されてなるモールド型半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記反射防止手段が、前記レーザチップ
の後端面に対向する部分における枠体に形成された傾斜
面である請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記反射防止手段が、前記レーザチップ
の後端面に対向する部分における枠体の一部が除去され
ることにより形成されてなる請求項１記載の半導体レー
ザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000148673A JP2001332799A (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | モールド型半導体レーザ |
| CNB011180323A CN1213524C (zh) | 2000-05-19 | 2001-05-16 | 模制型半导体激光器 |
| US09/858,508 US6970486B2 (en) | 2000-05-19 | 2001-05-17 | Mold type semiconductor laser |
| KR1020010026937A KR100763068B1 (ko) | 2000-05-19 | 2001-05-17 | 몰드형 반도체레이저 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000148673A JP2001332799A (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | モールド型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332799A true JP2001332799A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18654663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000148673A Pending JP2001332799A (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | モールド型半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6970486B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001332799A (ja) |
| KR (1) | KR100763068B1 (ja) |
| CN (1) | CN1213524C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498481B1 (ko) * | 2003-01-24 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 광픽업장치 |
| US7567602B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device, semiconductor laser device and housing usable for the optical pickup device, and method of manufacturing semiconductor laser device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3737769B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-01-25 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| JP2004006753A (ja) * | 2002-04-05 | 2004-01-08 | Canon Inc | 光半導体用パッケージ |
| CN100416952C (zh) * | 2003-10-15 | 2008-09-03 | 三洋电机株式会社 | 半导体激光器 |
| JP4970924B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
| JP6298225B1 (ja) * | 2016-04-18 | 2018-03-20 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用部材、アレイ部材および発光装置 |
| US11309680B2 (en) * | 2017-09-28 | 2022-04-19 | Nichia Corporation | Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918521A (en) * | 1987-01-20 | 1990-04-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid state imaging apparatus |
| US5065390A (en) * | 1988-04-22 | 1991-11-12 | Sony Corporation | Optical playback head |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5327443A (en) * | 1991-10-30 | 1994-07-05 | Rohm Co., Ltd. | Package-type semiconductor laser device |
| US5307362A (en) * | 1991-11-06 | 1994-04-26 | Rohm Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device |
| US5350917A (en) * | 1991-12-27 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Opto-magnetic recording polarization optical apparatus including a laser diode and a light absorbing film |
| JP3524579B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2004-05-10 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPH08107252A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置，及び半導体レーザアレイ装置 |
| JP3438365B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2003-08-18 | ソニー株式会社 | 複合光学装置およびその製造方法 |
| FR2734094B1 (fr) * | 1995-05-12 | 1997-06-06 | Commissariat Energie Atomique | Emetteur infrarouge monolithique a semi-conducteur pompe par un microlaser solide declenche |
| US6219113B1 (en) * | 1996-12-17 | 2001-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for driving an active matrix display panel |
| US6252252B1 (en) * | 1998-04-16 | 2001-06-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device and optical semiconductor module equipped with the same |
| US6248948B1 (en) * | 1998-05-15 | 2001-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of producing the same |
| JP2000058962A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP3906956B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2007-04-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP3091448B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2000-09-25 | 松下電子工業株式会社 | 光半導体装置 |
| US6425673B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-07-30 | Mitsubisshi Chemical Corporation | Light guide pipe having elongate roughened protrusions and/or roughened concaves, planar light source unit having a broad viewing angle characteristic, and liquid crystal display device |
-
2000
- 2000-05-19 JP JP2000148673A patent/JP2001332799A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-16 CN CNB011180323A patent/CN1213524C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-17 US US09/858,508 patent/US6970486B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-17 KR KR1020010026937A patent/KR100763068B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498481B1 (ko) * | 2003-01-24 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 광픽업장치 |
| US7417934B2 (en) | 2003-01-24 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup |
| US7567602B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device, semiconductor laser device and housing usable for the optical pickup device, and method of manufacturing semiconductor laser device |
Also Published As
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| KR100763068B1 (ko) | 2007-10-02 |
| US20020009112A1 (en) | 2002-01-24 |
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| CN1213524C (zh) | 2005-08-03 |
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