JP2000058962A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2000058962A JP2000058962A JP10228220A JP22822098A JP2000058962A JP 2000058962 A JP2000058962 A JP 2000058962A JP 10228220 A JP10228220 A JP 10228220A JP 22822098 A JP22822098 A JP 22822098A JP 2000058962 A JP2000058962 A JP 2000058962A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ素子からの後方光が外乱光として前面
側から外部に出力されないように構成する。 【解決手段】 ステム３のレーザ素子１の後方光が照射
される箇所に反射防止構造として貫通孔４を設け、さら
に、この貫通孔４をリード部材９を固着させるのに用い
られるものと同一の封止部材２１によって封止する。こ
のことで、レーザ素子１からの後方光を貫通孔４を介し
てそのまま後方へ照射させるか、もしくは、貫通孔４に
おいて散乱あるいは吸収してレーザ素子１に戻ることを
防止すると共に、後方光が反射して前面側から外部に漏
れ出ることを防止する。
側から外部に出力されないように構成する。 【解決手段】 ステム３のレーザ素子１の後方光が照射
される箇所に反射防止構造として貫通孔４を設け、さら
に、この貫通孔４をリード部材９を固着させるのに用い
られるものと同一の封止部材２１によって封止する。こ
のことで、レーザ素子１からの後方光を貫通孔４を介し
てそのまま後方へ照射させるか、もしくは、貫通孔４に
おいて散乱あるいは吸収してレーザ素子１に戻ることを
防止すると共に、後方光が反射して前面側から外部に漏
れ出ることを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、光通信
用機器、光情報処理装置あるいは光センサ等の光源とし
て用いて好適な半導体レーザ装置に関する。
用機器、光情報処理装置あるいは光センサ等の光源とし
て用いて好適な半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置の一例を図５に
示す。図５は、断面図を示し、図５に示すように半導体
レーザ装置がレーザ素子１０１、受光素子１０２、ステ
ム１０３、キャップ窓１０８およびガラス板１０７を有
したキャップ１０６等により構成される。
示す。図５は、断面図を示し、図５に示すように半導体
レーザ装置がレーザ素子１０１、受光素子１０２、ステ
ム１０３、キャップ窓１０８およびガラス板１０７を有
したキャップ１０６等により構成される。
【０００３】ステム１０３には、レーザ素子１０１の後
方光の戻りを防止するための所定の斜面を有した溝１０
４と、素子マウント部１０５とが配設されている。ま
た、ステム１０３には、外部接続用のリード部材１０９
が固着されている。
方光の戻りを防止するための所定の斜面を有した溝１０
４と、素子マウント部１０５とが配設されている。ま
た、ステム１０３には、外部接続用のリード部材１０９
が固着されている。
【０００４】受光素子１０２上にレーザ素子１０１が固
着されて一体化され、この一体化されたレーザ素子１０
１と受光素子１０３とがステム１０３の素子マウント部
１０５に固着されている。また、図示せずも、レーザ素
子１０１と受光素子１０２とのそれぞれに設けられてい
る電極とリード部材１０９との間においてワイヤーボン
ディングがなされている。
着されて一体化され、この一体化されたレーザ素子１０
１と受光素子１０３とがステム１０３の素子マウント部
１０５に固着されている。また、図示せずも、レーザ素
子１０１と受光素子１０２とのそれぞれに設けられてい
る電極とリード部材１０９との間においてワイヤーボン
ディングがなされている。
【０００５】リード部材１０９を介してレーザ素子１０
１に所定の順バイアス電圧が印加されると、レーザ素子
１０１が発光し、レーザ素子１０１から出射された前方
光は、ガラス板１０７およびキャップ窓１０８を介して
対象物に照射される。また、この時、受光素子１０２に
は、例えば、逆バイアス電圧が印加されており、レーザ
素子１０１から出射された後方光が入射すると、光強度
に比例した光電流が受光素子１０２に流れ、レーザ素子
１０１の出力がモニタされる。なお、受光素子１０２に
吸収されなかったレーザ素子１０１からの後方光は、ス
テム１０３に設けられた所定の角度の斜面を有した溝１
０４により反射され、レーザ素子１０１へ戻ることが回
避される。
１に所定の順バイアス電圧が印加されると、レーザ素子
１０１が発光し、レーザ素子１０１から出射された前方
光は、ガラス板１０７およびキャップ窓１０８を介して
対象物に照射される。また、この時、受光素子１０２に
は、例えば、逆バイアス電圧が印加されており、レーザ
素子１０１から出射された後方光が入射すると、光強度
に比例した光電流が受光素子１０２に流れ、レーザ素子
１０１の出力がモニタされる。なお、受光素子１０２に
吸収されなかったレーザ素子１０１からの後方光は、ス
テム１０３に設けられた所定の角度の斜面を有した溝１
０４により反射され、レーザ素子１０１へ戻ることが回
避される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザ装置においては、受光素子１０２に吸収さ
れなかったレーザ素子１０１からの後方光は、レーザ素
子１０１への戻りに関しては、溝１０４により回避され
るが、図５において矢印１１０の経路で示すように溝１
０４およびキャップ１０６の内面で反射し、ガラス板１
０６およびキャップ窓１０８を介して外部に出力され
る。図６に従来の半導体レーザ装置の発光強度分布特性
を示す。なお、図６における縦軸が発光強度を示し、横
軸が装置の中心軸に対する角度を示す。図６において１
１１で示される実線により出力特性が示される。図６に
示すように、片側の２０°〜６０°付近（図中１１２で
示す）において後方光が反射して出力されているのが分
かる。このように従来の半導体レーザ装置においては、
レーザ素子１０１からの後方光が外部に出力され、外乱
光となり、光計測機器や光情報処理装置における測定の
誤差となる問題点があった。
半導体レーザ装置においては、受光素子１０２に吸収さ
れなかったレーザ素子１０１からの後方光は、レーザ素
子１０１への戻りに関しては、溝１０４により回避され
るが、図５において矢印１１０の経路で示すように溝１
０４およびキャップ１０６の内面で反射し、ガラス板１
０６およびキャップ窓１０８を介して外部に出力され
る。図６に従来の半導体レーザ装置の発光強度分布特性
を示す。なお、図６における縦軸が発光強度を示し、横
軸が装置の中心軸に対する角度を示す。図６において１
１１で示される実線により出力特性が示される。図６に
示すように、片側の２０°〜６０°付近（図中１１２で
示す）において後方光が反射して出力されているのが分
かる。このように従来の半導体レーザ装置においては、
レーザ素子１０１からの後方光が外部に出力され、外乱
光となり、光計測機器や光情報処理装置における測定の
誤差となる問題点があった。
【０００７】従って、この発明の目的は、レーザ素子か
らの後方光が外乱光として外部に出力されないように構
成した半導体レーザ装置を提供することにある。
らの後方光が外乱光として外部に出力されないように構
成した半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
めに請求項１の発明は、電気を光に変換するレーザ素子
と、レーザ素子と電気的導通を図るための導通部が配設
され、レーザ素子がマウントされるステムとを有する半
導体レーザ装置において、レーザ素子の後方光が照射さ
れるステムの部分に反射防止構造を備えたことを特徴と
する半導体レーザ装置である。
めに請求項１の発明は、電気を光に変換するレーザ素子
と、レーザ素子と電気的導通を図るための導通部が配設
され、レーザ素子がマウントされるステムとを有する半
導体レーザ装置において、レーザ素子の後方光が照射さ
れるステムの部分に反射防止構造を備えたことを特徴と
する半導体レーザ装置である。
【０００９】この発明では、ステムのレーザ素子の後方
光が照射される箇所に反射防止構造として貫通孔が設け
られ、さらに、この貫通孔がリード部材を固着させるの
に用いられるものと同一の封止部材によって封止され
る。このため、受光素子に吸収されなかったレーザ素子
からの後方光は、貫通孔を介してそのまま後方へ照射さ
れるか、もしくは貫通孔において散乱もしくは吸収され
てレーザ素子へ戻ることがなく、また、反射して前面側
から外部に漏れ出ることもない。また、この発明では、
ステムのレーザ素子の後方光が照射される箇所に反射防
止構造として溝が設けられ、さらに、この溝に光吸収膜
が形成される。このため、受光素子に吸収されなかった
レーザ素子からの後方光は、溝において吸収されてレー
ザ素子へ戻ることがなく、また、反射して前面側から外
部に漏れ出ることもない。
光が照射される箇所に反射防止構造として貫通孔が設け
られ、さらに、この貫通孔がリード部材を固着させるの
に用いられるものと同一の封止部材によって封止され
る。このため、受光素子に吸収されなかったレーザ素子
からの後方光は、貫通孔を介してそのまま後方へ照射さ
れるか、もしくは貫通孔において散乱もしくは吸収され
てレーザ素子へ戻ることがなく、また、反射して前面側
から外部に漏れ出ることもない。また、この発明では、
ステムのレーザ素子の後方光が照射される箇所に反射防
止構造として溝が設けられ、さらに、この溝に光吸収膜
が形成される。このため、受光素子に吸収されなかった
レーザ素子からの後方光は、溝において吸収されてレー
ザ素子へ戻ることがなく、また、反射して前面側から外
部に漏れ出ることもない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明がキャン型の半導
体レーザ装置に適用された第１、第２および第３の実施
形態について図面参照して説明する。図１は、この発明
の第１の実施形態の断面図を示す。図１に示すように半
導体レーザ装置がレーザ素子１、受光素子２、ステム
３、キャップ窓８およびガラス板７を有したキャップ６
等により構成される。
体レーザ装置に適用された第１、第２および第３の実施
形態について図面参照して説明する。図１は、この発明
の第１の実施形態の断面図を示す。図１に示すように半
導体レーザ装置がレーザ素子１、受光素子２、ステム
３、キャップ窓８およびガラス板７を有したキャップ６
等により構成される。
【００１１】ステム３のレーザ素子１の後方光の照射さ
れる部分には、後方光の反射を防止するための構造とし
て貫通孔４が配設されている。なお、このステム３の貫
通孔４の形成は、例えば、プレスにて他の加工部分と同
時になされ、貫通孔４を形成するための工程を特に追加
することなく従来のステム製造工程で対応することが可
能とされている。また、ステム３には、素子マウント部
５が配設されると共に、外部接続用のリード部材１０９
がガラス材により固着されている。
れる部分には、後方光の反射を防止するための構造とし
て貫通孔４が配設されている。なお、このステム３の貫
通孔４の形成は、例えば、プレスにて他の加工部分と同
時になされ、貫通孔４を形成するための工程を特に追加
することなく従来のステム製造工程で対応することが可
能とされている。また、ステム３には、素子マウント部
５が配設されると共に、外部接続用のリード部材１０９
がガラス材により固着されている。
【００１２】受光素子２は、例えば、シリコン基板上の
一部にフォトダイオードが形成されたもので、レーザ素
子１の熱を放散させるためのサブマンウトとしても機能
する。つまり、受光素子２上にレーザ素子１が固着され
て一体化され、この一体化されたレーザ素子１と受光素
子１０３とがステム３の素子マウント部５に固着されて
いる。また、図示せずも、レーザ素子１と受光素子３と
のそれぞれに設けられている電極とリード部材９との間
においてワイヤーボンディングがなされている。
一部にフォトダイオードが形成されたもので、レーザ素
子１の熱を放散させるためのサブマンウトとしても機能
する。つまり、受光素子２上にレーザ素子１が固着され
て一体化され、この一体化されたレーザ素子１と受光素
子１０３とがステム３の素子マウント部５に固着されて
いる。また、図示せずも、レーザ素子１と受光素子３と
のそれぞれに設けられている電極とリード部材９との間
においてワイヤーボンディングがなされている。
【００１３】リード部材９を介してレーザ素子１に所定
の順バイアス電圧が印加されると、レーザ素子１が発光
し、レーザ素子１から出射された前方光は、ガラス板７
およびキャップ窓８を介して対象物に照射される。ま
た、この時、受光素子２には、例えば、逆バイアス電圧
が印加されており、レーザ素子１から出射された後方光
が入射すると、光強度に比例した光電流が受光素子２に
流れ、レーザ素子１の出力がモニタされる。なお、受光
素子２に吸収されなかったレーザ素子１からの後方光
は、図１において矢印１０の経路で示すように貫通孔９
を介してそのまま後方へ照射されてレーザ素子１へ戻る
ことがなく、また、反射して前面に配されたガラス板７
およびキャップ窓８を介して外部に漏れ出ることもな
い。
の順バイアス電圧が印加されると、レーザ素子１が発光
し、レーザ素子１から出射された前方光は、ガラス板７
およびキャップ窓８を介して対象物に照射される。ま
た、この時、受光素子２には、例えば、逆バイアス電圧
が印加されており、レーザ素子１から出射された後方光
が入射すると、光強度に比例した光電流が受光素子２に
流れ、レーザ素子１の出力がモニタされる。なお、受光
素子２に吸収されなかったレーザ素子１からの後方光
は、図１において矢印１０の経路で示すように貫通孔９
を介してそのまま後方へ照射されてレーザ素子１へ戻る
ことがなく、また、反射して前面に配されたガラス板７
およびキャップ窓８を介して外部に漏れ出ることもな
い。
【００１４】図２に上述した第１の実施形態の発光強度
分布特性を示す。なお、図２における縦軸が発光強度を
示し、横軸が装置の中心軸に対する角度を示す。図２に
おいて１１で示される実線により出力特性が示される。
図２に示すように、従来の半導体レーザ装置において発
生していた片側の２０°〜６０°付近（図６参照）にお
ける後方光の出力が除去され、良好な出力とされてい
る。このように外乱光が除去され、レーザ素子の前方光
のみの出力とされるため、光計測機器や光情報処理装置
における測定の誤差が未然に防止される。
分布特性を示す。なお、図２における縦軸が発光強度を
示し、横軸が装置の中心軸に対する角度を示す。図２に
おいて１１で示される実線により出力特性が示される。
図２に示すように、従来の半導体レーザ装置において発
生していた片側の２０°〜６０°付近（図６参照）にお
ける後方光の出力が除去され、良好な出力とされてい
る。このように外乱光が除去され、レーザ素子の前方光
のみの出力とされるため、光計測機器や光情報処理装置
における測定の誤差が未然に防止される。
【００１５】図３は、この発明の第２の実施形態の断面
図を示す。図３に示すように第２の実施形態は、前述し
た第１の実施形態におけるステム３に配設された貫通孔
４以外の部分に関して同一とされている。なお、第１の
実施形態と同一部分に関しては、同一の参照符号を付
し、説明を簡単とするため、同一部分に関しての説明を
省略する。
図を示す。図３に示すように第２の実施形態は、前述し
た第１の実施形態におけるステム３に配設された貫通孔
４以外の部分に関して同一とされている。なお、第１の
実施形態と同一部分に関しては、同一の参照符号を付
し、説明を簡単とするため、同一部分に関しての説明を
省略する。
【００１６】図３において２１で示されるのが封止部材
であり、貫通孔４に封止部材２１が充填されている。封
止部材２１としては、例えば、リード部材９を固着させ
るのに用いられるものと同一のガラス材が用いられる。
ガラス材は硬化時に収縮するるため、レーザ素子１の後
方光が照射される箇所に凹面２２が形成され、後方光が
照射された際には、大部分の光に関しては、一様に反射
せずに散乱する。また、ガラス材は透光性を有している
ので一部分の光に関しては、封止部材２１をそのまま透
過するか、もしくは、吸収する。従って、第１の実施形
態と同様に従来の半導体レーザ装置において発生してい
た片側の２０°〜６０°付近（図６参照）における後方
光の出力が図２に示すように除去され、良好な出力とさ
れる。
であり、貫通孔４に封止部材２１が充填されている。封
止部材２１としては、例えば、リード部材９を固着させ
るのに用いられるものと同一のガラス材が用いられる。
ガラス材は硬化時に収縮するるため、レーザ素子１の後
方光が照射される箇所に凹面２２が形成され、後方光が
照射された際には、大部分の光に関しては、一様に反射
せずに散乱する。また、ガラス材は透光性を有している
ので一部分の光に関しては、封止部材２１をそのまま透
過するか、もしくは、吸収する。従って、第１の実施形
態と同様に従来の半導体レーザ装置において発生してい
た片側の２０°〜６０°付近（図６参照）における後方
光の出力が図２に示すように除去され、良好な出力とさ
れる。
【００１７】なお、ステム３の貫通孔４に対する封止部
材２１の充填は、この場合においては、リード部材９を
固着させるのに用いられるものと同一のガラス材が用い
られているため、ガラス材の焼成処理によるリード部材
９の固着と同時になすことができ、封止部材２１を充填
するための工程を特に追加することなく従来のステム製
造工程で対応することが可能とされている。
材２１の充填は、この場合においては、リード部材９を
固着させるのに用いられるものと同一のガラス材が用い
られているため、ガラス材の焼成処理によるリード部材
９の固着と同時になすことができ、封止部材２１を充填
するための工程を特に追加することなく従来のステム製
造工程で対応することが可能とされている。
【００１８】また、上述した第２の実施形態において
は、封止部材２１としてリード部材９を固着させるのに
用いられるものと同一のガラス材を用いる場合について
説明したが、硬化時に収縮する樹脂や光吸収性を有した
他の樹脂等を充填するようにしても良い。また、光吸収
性や透光性を有した固体の部材を取り付けるようにして
も良い。
は、封止部材２１としてリード部材９を固着させるのに
用いられるものと同一のガラス材を用いる場合について
説明したが、硬化時に収縮する樹脂や光吸収性を有した
他の樹脂等を充填するようにしても良い。また、光吸収
性や透光性を有した固体の部材を取り付けるようにして
も良い。
【００１９】さらに、上述した第２の実施形態において
は、封止部材２１としてリード部材９を固着させるのに
用いられるものと同一のガラス材を用いる場合について
説明したが、キャン型以外の半導体レーザ装置における
導通部を形成するために用いる部材を充填するようにし
ても良く、つまり、ステム製造過程で扱われるものを用
いれば良い。
は、封止部材２１としてリード部材９を固着させるのに
用いられるものと同一のガラス材を用いる場合について
説明したが、キャン型以外の半導体レーザ装置における
導通部を形成するために用いる部材を充填するようにし
ても良く、つまり、ステム製造過程で扱われるものを用
いれば良い。
【００２０】図４は、この発明の第３の実施形態の断面
図を示す。図４に示すように第３の実施形態は、前述し
た第１および第２の実施形態におけるステム３に配設さ
れた貫通孔４以外の部分に関して同一とされている。な
お、第１および第２の実施形態と同一部分に関しては、
同一の参照符号を付し、説明を簡単とするため、同一部
分に関しての説明を省略する。
図を示す。図４に示すように第３の実施形態は、前述し
た第１および第２の実施形態におけるステム３に配設さ
れた貫通孔４以外の部分に関して同一とされている。な
お、第１および第２の実施形態と同一部分に関しては、
同一の参照符号を付し、説明を簡単とするため、同一部
分に関しての説明を省略する。
【００２１】図４において３１で示されるのが後方光の
反射を防止するための構造として配設された断面三角状
の溝である。溝３１のレーザ素子１の後方光が照射され
る箇所には、所定の角度の斜面が設けられている。そし
て、さらに図４に示すように溝３１に光吸収膜３２が形
成される。光吸収膜３２としては、例えば、カーボンブ
ラック入りの樹脂が用いられ、この樹脂を塗布すること
で光吸収膜３２が形成される。この光吸収膜３２が形成
されているため、第１および第２の実施形態と同様に従
来の半導体レーザ装置において発生していた片側の２０
°〜６０°付近（図６参照）における後方光の出力が図
２に示すように除去され、良好な出力とされる。
反射を防止するための構造として配設された断面三角状
の溝である。溝３１のレーザ素子１の後方光が照射され
る箇所には、所定の角度の斜面が設けられている。そし
て、さらに図４に示すように溝３１に光吸収膜３２が形
成される。光吸収膜３２としては、例えば、カーボンブ
ラック入りの樹脂が用いられ、この樹脂を塗布すること
で光吸収膜３２が形成される。この光吸収膜３２が形成
されているため、第１および第２の実施形態と同様に従
来の半導体レーザ装置において発生していた片側の２０
°〜６０°付近（図６参照）における後方光の出力が図
２に示すように除去され、良好な出力とされる。
【００２２】なお、上述したこの発明の第３の実施形態
においては、断面三角状の溝３１を設けて、さらに光吸
収膜３２を形成する場合について説明したが、例えば、
溝３１の形状を断面半円状としても良く、また、他の形
状として光吸収膜３２を形成するようにしても良い。
においては、断面三角状の溝３１を設けて、さらに光吸
収膜３２を形成する場合について説明したが、例えば、
溝３１の形状を断面半円状としても良く、また、他の形
状として光吸収膜３２を形成するようにしても良い。
【００２３】また、上述した第１、第２、第３の実施形
態においては、一つのレーザ素子１を有した半導体レー
ザ装置にこの発明を適用した場合について説明したが、
当然のことながら、レーザ素子を複数個有したマルチ出
力型の装置にも対応することかでき、その場合には、後
方光が照射される箇所にそれぞれ反射防止構造が配設さ
れる。
態においては、一つのレーザ素子１を有した半導体レー
ザ装置にこの発明を適用した場合について説明したが、
当然のことながら、レーザ素子を複数個有したマルチ出
力型の装置にも対応することかでき、その場合には、後
方光が照射される箇所にそれぞれ反射防止構造が配設さ
れる。
【００２４】さらに、上述した第１、第２、第３の実施
形態においては、キャン型の半導体レーザ装置にこの発
明を適用した場合について説明したが、当然のことなが
ら、他の形状の半導体レーザ装置にも容易にこの発明を
適用することができ、その外形に限定されない。
形態においては、キャン型の半導体レーザ装置にこの発
明を適用した場合について説明したが、当然のことなが
ら、他の形状の半導体レーザ装置にも容易にこの発明を
適用することができ、その外形に限定されない。
【００２５】
【発明の効果】この発明では、ステムのレーザ素子の後
方光が照射される箇所に反射防止構造が設けられる。従
って、この発明に依れば、レーザ素子からの後方光が外
乱光として外部に出力されることが防止される。このた
め、光計測機器や光情報処理装置における測定の精度を
向上させることが可能となる。
方光が照射される箇所に反射防止構造が設けられる。従
って、この発明に依れば、レーザ素子からの後方光が外
乱光として外部に出力されることが防止される。このた
め、光計測機器や光情報処理装置における測定の精度を
向上させることが可能となる。
【００２６】また、この発明では、反射防止構造として
設けられた貫通孔を封止するための部材として、リード
部材を固着させるのに用いられるものと同一の部材が選
定されているため、工程を複雑とすることなく、簡単で
安価に外乱光を防止することができる。
設けられた貫通孔を封止するための部材として、リード
部材を固着させるのに用いられるものと同一の部材が選
定されているため、工程を複雑とすることなく、簡単で
安価に外乱光を防止することができる。
【図１】この発明の第１の実施形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】この発明の第１の実施形態の説明に用いる特性
図である。
図である。
【図３】この発明の第２の実施形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図４】この発明の第３の実施形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図５】従来の半導体レーザ装置の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】従来の半導体レーザ装置の説明に用いる特性図
である。
である。
１・・・レーザ素子、２・・・受光素子、３・・・ステ
ム、４・・・貫通孔、５・・・素子マウント部、６・・
・キャップ、７・・・ガラス板、８・・・キャップ窓、
９・・・リード部材、２１・・・封止部材、２２・・・
凹面、３１・・・溝、３２・・・光吸収膜
ム、４・・・貫通孔、５・・・素子マウント部、６・・
・キャップ、７・・・ガラス板、８・・・キャップ窓、
９・・・リード部材、２１・・・封止部材、２２・・・
凹面、３１・・・溝、３２・・・光吸収膜
Claims (7)
- 【請求項１】 電気を光に変換するレーザ素子と、上記
レーザ素子と電気的導通を図るための導通部が配設さ
れ、上記レーザ素子がマウントされるステムとを有する
半導体レーザ装置において、 上記レーザ素子の後方光が照射される上記ステムの部分
に反射防止構造を備えたことを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 上記反射防止構造として貫通孔が形成されることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項２において、 上記貫通孔は、硬化時に収縮する部材により封止される
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項２において、 上記貫通孔は、透光性もしくは光吸収性の部材により封
止されることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項３または４において、 上記貫通孔を封止する部材は、上記ステムの導通部を形
成する際に用いられる部材と同一であることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 請求項１において、 上記反射防止構造として溝が形成され、上記溝にさらに
光吸収膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項７】 請求項６において、 上記光吸収膜は、カーボン入り樹脂を塗布することで形
成されることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10228220A JP2000058962A (ja) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10228220A JP2000058962A (ja) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058962A true JP2000058962A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16873066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10228220A Pending JP2000058962A (ja) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058962A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340807A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体レーザダイオードパッケージ |
| KR100763068B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2007-10-02 | 로무 가부시키가이샤 | 몰드형 반도체레이저 |
| JP2012060044A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
| JP2016029718A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-03-03 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1998
- 1998-08-12 JP JP10228220A patent/JP2000058962A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763068B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2007-10-02 | 로무 가부시키가이샤 | 몰드형 반도체레이저 |
| JP2005340807A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体レーザダイオードパッケージ |
| JP2012060044A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
| JP2016029718A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-03-03 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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