JP2002026439A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 筐体における戻り光が、半導体発行素子の使
用目的を妨げる迷光となることを防止することができる
半導体発光素子を提供すること。 【解決手段】 半導体発光素子５は、ステム１１の前方
の表面にて、柱状の台座１３がレーザ光の出射方向に立
設されており、台座１３の上部には板状のサブマウント
１５が配置されている。サブマウント１５の上部には、
レーザ光を出射方向に射出する半導体発光チップ１７が
配置されている。この半導体発光チップ１７には、ステ
ム１１を貫いて伸びる二本のリード線１９が電気的に接
続されている。特に、台座正面１３ａには光吸収膜とし
て機能する黒体塗膜２９が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば台座上に半
導体発光素子をはんだ付けして使用する半導体発光素子
に関するものであり、例えば車間距離を計測するレーダ
光源として好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザ（半導体発光素子）
を利用したレーザセンサを用いて、自動車間の距離を測
定し、車間距離を一定に保つ制御、前方の車に接近し過
ぎた場合に警報を発する制御、前方の車に接近し過ぎた
場合にブレーキをかける制御などの各種の制御を行うシ
ステムが検討されている。

【０００３】このような用途で使用される半導体発光素
子は、レーザ光を発生する半導体発光チップにおける発
光部分の幅が１００μｍ以上と大きく、光出力も１０Ｗ
以上と大出力である。ところで、上述したセンサでは、
半導体発光素子から出射した光は、センサの筐体内に設
けられたミラー、レンズ等の光学部品を介して測距対象
物に到達し、そこからの反射光を、半導体発光チップに
隣接して設けられている受光部（例えばフォトダイオー
ド）で検出して信号処理を行っている。

【０００４】この場合、不要な反射成分を除去するため
には、図１７に示す様に、センサの筐体の前面ガラスを
傾斜させるという構造も有効であるが、陰の部分に雨水
がたまりやすく、意匠上も好ましくない。また、筐体内
部には必要に応じて無反射処理を施すのが一般的である
が、不要な反射成分を完全に除去することは困難であ
る。

【０００５】特に、筐体内の光学部品による不要な反射
光は、出射光の経路と全く逆の経路により半導体発光素
子に戻ってくる戻り光となることがあるが、この戻り光
が半導体発光チップを載置してあるステムの台座やサブ
マウントにて反射すると、本来の出射光と同一の経路で
再度出射されてしまう。

【０００６】このような多重反射光（迷光）は、本来の
出射光と出射角度および出射タイミングがずれているた
め、検知距離を従来より更に拡大しようとする場合に
は、測定誤差の原因となる可能性がある。このような迷
光の影響を抑制するために、特開平８−３７３３９号公
報に記載の技術が提案されている。この技術は、半導体
発光チップを載置するステムの台座前端面に、半導体発
光チップからの出射光方向に対して斜面を形成すること
により、戻り光が再度本来の出射光と同じ方向に反射さ
れるのを防ぎ、測定誤差を抑制するというものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この技術で
は、斜面の角度が４５°であるため、斜面で反射した戻
り光が、半導体発光素子のキャップ内面を介して再び斜
面に当たり、迷光として前方へ出射されてしまうという
問題がある。

【０００８】更に、この技術では、戻り光を半導体発光
チップの活性層に垂直な方向に反射させる構造となって
いるが、元来半導体発光チップの放射光は活性層に垂直
な方向に広く、平行な方向に狭い長楕円形となっている
ため、活性層に垂直な方向に戻り光を反射させても、本
来の出射方向に反射される光をなくすことは困難であ
る。

【０００９】また、特開平７−３２５２３０号公報、特
開平１０−３３５７５４号公報には、半導体発光チップ
の構造を結晶成長させて形成した半導体基板の前端面
に、エッチングにより斜面を形成することにより、戻り
光が本来の出射方向に反射されることを防止して、戻り
光が迷光となることを抑制するという技術が開示されて
いる。

【００１０】しかし、これらの技術の場合は、複雑なエ
ッチング工程と高いエッチング精度を必要とするため、
製造が非常に困難であるという別の問題があり、十分で
はない。本発明は、前記課題を解決するためになされた
ものであり、その目的は、筐体における戻り光が、半導
体発行素子の使用目的を妨げる迷光となることを防止す
ることができる半導体発光素子を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び発明の効果】（１）請
求項１の発明は、半導体発光チップから所定の出射方向
にレーザ光を出射する半導体発光素子に関するものであ
り、出射されたレーザ光の戻り光が入射する台座正面
に、戻り光を吸収する光吸収膜を設けている。

【００１２】従って、半導体発光チップから前方に出射
されたレーザ光が、筐体内の光学部品により一部が反射
して台座の方向に至る戻り光となった場合でも、本発明
では、戻り光は台座正面に設けられた光吸収膜により吸
収されてしまう。よって、戻り光は、従来の様に、（台
座正面で本来の出射方向に反射されて）本来の出射光と
は発光タイミングがずれた迷光となることを抑制できる
ので、迷光による測定誤差を低減できる。そのため、検
知距離を今以上に上げることができる。

【００１３】（２）請求項２の発明は、半導体発光チッ
プから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発光
素子に関するものであり、出射されたレーザ光の戻り光
が入射する台座正面に、戻り光を散乱させる粗目加工面
を設けている。従って、本発明では、出射されたレーザ
光の戻り光は、台座正面に設けられた粗目加工面により
散乱してしまう。

【００１４】よって、戻り光は、従来の様に出射方向に
再反射して迷光となることを抑制できるので、迷光によ
る測定誤差を低減できる。そのため、検知距離を今以上
に上げることができる。 （３）請求項３の発明は、粗目加工面における粗目サイ
ズを例示している。

【００１５】ここでは、粗目サイズは、０．０１μｍ以
上１μｍ以下であるので、戻り光を好適に散乱させるこ
とができる。 （４）請求項４の発明は、粗目加工面に戻り光を吸収す
る光吸収膜を設けている。

【００１６】これにより、光吸収膜の表面にも粗目加工
面のような凹凸が現れるので、戻り光は、（光吸収膜の
表面に現われた）粗目加工面で散乱するとともに、散乱
し切れなかった戻り光は、光吸収膜で吸収される。よっ
て、粗目加工面又は光吸収膜単独の場合よりも、迷光が
低減するという効果がある。

【００１７】（５）請求項５の発明は、半導体発光チッ
プから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発光
素子に関するものであり、出射されたレーザ光の戻り光
が入射する台座正面に、半導体発光チップの発光面に平
行な平面とは異なる面にて、戻り光を出射光の光軸と異
なる向きに反射させる向き変更面を設けている。

【００１８】従って、本発明では、出射されたレーザ光
の戻り光は、台座正面に設けられた向き変更面により反
射方向が分散されてしまう。よって、戻り光が（従来の
様に）出射方向に再反射して迷光となることを抑制でき
るので、迷光による測定誤差を低減できる。そのため、
検知距離を今以上に上げることができる。

【００１９】尚、ここで、発光面とは、図１６に示す様
に、半導体発光チップのうち、レーザ光が出射される側
の（斜線で示す）平面である。（以下他の請求項も同
様） （６）請求項６の発明では、戻り光は、向き変更面によ
り、半導体発光チップの発光面に平行な面とは異なる平
面により、戻り光を出射光の光軸と異なる向きに反射す
る。

【００２０】これにより、迷光の一層の抑制が可能にな
り、測定誤差を一層低減できる。 （７）請求項７の発明は、向き変更面を例示している。 ここでは、台座正面に、半導体発光チップの活性層に平
行な平面にてカーブする曲面加工面を設けてある。これ
により、迷光の一層の抑制が可能になり、測定誤差を一
層低減できる。

【００２１】尚、活性層とは、図１６に示す様に、半導
体発光チップの中にあるエピタキシャル層であり、この
活性層の存在する平面は、通常、発光面とは垂直であ
る。（以下他の請求項も同様） （８）請求項８の発明では、向き変更面に、戻り光を吸
収する光吸収膜を設けている。

【００２２】これにより、戻り光は向き変更面で散乱す
るとともに、散乱し切れなかった戻り光は、光吸収膜で
吸収される。よって、向き変更面又は光吸収膜単独の場
合よりも、迷光が低減するという効果がある。 （９）請求項９の発明は、半導体発光チップをサブマウ
ントを介して搭載する台座を備えた半導体発光素子に関
するものであり、出射されたレーザ光の戻り光が入射す
るサブマウント正面に、戻り光を吸収する光吸収膜を設
けている。

【００２３】従って、出射されたレーザ光の戻り光は、
サブマウント正面に設けられた光吸収膜により吸収され
てしまう。よって、戻り光が迷光となることを低減でき
るので、迷光による測定誤差を低減できる。そのため、
検知距離を今以上に上げることができる。

【００２４】（１０）請求項１０の発明は、半導体発光
チップをサブマウントを介して搭載する台座を備えた半
導体発光素子に関するものであり、レーザ光の戻り光が
入射するサブマウント正面に、戻り光を散乱させる粗目
加工面を設けている。従って、本発明では、出射された
レーザ光の戻り光は、サブマウント正面に設けられた粗
目加工面により散乱してしまう。

【００２５】よって、戻り光は、従来の様に出射方向に
再反射して迷光となることを抑制できるので、迷光によ
る測定誤差を低減できる。そのため、検知距離を今以上
に上げることができる。 （１１）請求項１１の発明では、粗目加工面における粗
目サイズが、０．０１μｍ以上１μｍ以下であるので、
前記請求項３と同様に、戻り光を好適に散乱できる。

【００２６】（１２）請求項１２の発明は、サブマウン
ト正面の粗目加工面に、戻り光を吸収する光吸収膜を設
けているので、前記請求項４と同様に、迷光の発生を一
層好適に防止できる。 （１３）請求項１３の発明は、半導体発光チップをサブ
マウントを介して搭載する台座を備えた半導体発光素子
に関するものであり、レーザ光の戻り光が入射するサブ
マウント正面に、発光面に平行な面とは異なる面によ
り、戻り光を出射光の光軸と異なる向きに反射させる向
き変更面を設けている。

【００２７】従って、本発明では、前記請求項５と同様
に、レーザ光の戻り光は、サブマウント正面に設けられ
た向き変更面により反射方向が分散されてしまう。よっ
て、戻り光が出射方向に再反射して迷光となることを抑
制できるので、迷光による測定誤差を低減できる。その
ため、検知距離を今以上に上げることができる。

【００２８】（１４）請求項１４の発明では、前記請求
項６と同様に、戻り光は、向き変更面（ここでは発光面
に平行な面とは異なる平面）により、戻り光を出射光の
光軸と異なる向きに反射する。これにより、迷光の一層
の抑制が可能になり、測定誤差を一層低減できる。

【００２９】（１５）請求項１５の発明は、向き変更面
を例示している。ここでは、サブマウント正面に、前記
請求項７と同様に、半導体発光チップの活性層に平行な
平面との交線が曲線となる曲面加工面を設けてある。こ
れにより、迷光の一層の抑制が可能になり、測定誤差を
一層低減できる。

【００３０】（１６）請求項１６の発明では、向き変更
面に、戻り光を吸収する光吸収膜を設けている。これに
より、前記請求項８と同様に、戻り光は向き変更面で散
乱するとともに、散乱し切れなかった戻り光は、光吸収
膜で吸収される。よって、向き変更面又は光吸収膜単独
の場合よりも、迷光が低減するという効果がある。

【００３１】（１７）請求項１７の発明では、サブマウ
ント正面にも、戻り光を吸収する光吸収膜を設けている
ので、台座正面のみに光吸収膜などを設けた場合より、
迷光の発生を防止する効果が大きい。 （１８）請求項１８の発明では、サブマウント正面に
も、戻り光を散乱させる粗目加工面を設けているので、
台座正面のみに粗目加工面などを設けた場合より、迷光
の発生を防止する効果が大きい。

【００３２】（１９）請求項１９の発明では、サブマウ
ント正面の粗目加工面に、戻り光を吸収する光吸収膜を
設けているので、粗目加工面や光吸収膜のみを設けた場
合よりも、迷光の発生防止の効果が大きい。 （２０）請求項２０の発明では、サブマウント正面に
も、半導体発光チップの発光面に平行な平面とは異なる
平面にて、戻り光を出射光の光軸と異なる向きに反射さ
せる向き変更面を設けているので、台座正面にのみ向き
変更面などを設けた場合より、迷光の発生防止の効果が
大きい。

【００３３】（２１）請求項２１の発明では、サブマウ
ント正面の向き変更面に、戻り光を吸収する光吸収膜を
設けているので、単に向き変更面や光吸収膜を設けた場
合より、迷光の発生防止の効果が大きい。 （２２）請求項２２の発明は、半導体発光チップから所
定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子に関
するものであり、レーザ光の経路に、λ／４波長膜と直
線偏光膜とを、直線偏光膜を半導体発光チップ側にして
配置している。

【００３４】例えばキャップ前面ガラスに、λ／４波長
膜と直線偏光膜を直線偏光膜が半導体発光素子の側にな
るように形成すると、半導体発光チップから出射された
光は、直線偏光膜により直線偏光となり、次のλ／４波
長膜により円偏光に変換される。このように円偏光とし
て出射されたレーザ光は、筐体内の光学部品により反射
されて戻り光となったとき、再度λ／４波長膜を透過
し、直線偏光に変換される。この時の偏光方向は直線偏
光膜の光学的方向と直交するため、戻り光は直線偏光膜
を透過することができない。

【００３５】これにより、戻り光が迷光になることを抑
制できるので、測定誤差を低減できき、よって、検知距
離を向上させることができる。 （２３）請求項２３の発明は、上述した光吸収膜、粗目
加工面、向き変更面の構成に加えて、λ／４波長膜及び
直線偏光膜の構成を組み合わせたものである。

【００３６】これにより、どちらか一方の構成よりも、
迷光の発生を防止する効果が高いという利点がある。 （２４）請求項２４の発明では、λ／４波長膜及び直線
偏光膜を設ける位置を例示している。

【００３７】ここでは、半導体発光素子のレーザ光の出
射側の前面を覆うキャップ前面ガラスに、λ／４波長膜
及び直線偏光膜を設けるので、別途膜を形成するガラス
を設ける必要がないという利点がある。 （２５）請求項２５の発明は、半導体発光チップから所
定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子に関
するものであり、台座正面の前方に、台座正面を覆うよ
うにして、レーザ光を（一部又は全部）遮蔽する遮光体
を設けている。

【００３８】従って、本発明では、レーザ光の戻り光
は、遮蔽体により遮蔽されるので、戻り光は台座正面に
到達し難い。よって、戻り光が出射方向に再反射して迷
光となることを抑制できるので、迷光による測定誤差を
低減できる。そのため、検知距離を今以上に上げること
ができる。

【００３９】（２６）請求項２６の発明は、遮光体を例
示したものであり、ここでは黒体塗膜を用いている。 （２７）請求項２７の発明は、半導体発光チップをサブ
マウントを介して台座に搭載した半導体発光素子に関す
るものであり、サブマウントの正面と半導体発光チップ
の発光面とが、互いに平行でない。

【００４０】例えば、サブマウント正面の向く方向を、
レーザ光の光軸に対して傾けることにより、戻り光の出
射方向への反射を防止する。これにより、迷光の発生を
抑制できるので、測定誤差を低減することができる。 （２８）請求項２８の発明は、サブマウントが、前記請
求項６と同様に、半導体発光チップの発光面に平行な面
とは異なる平面により、戻り光を前記出射光の光軸と異
なる向きに反射させる傾きを有する。

【００４１】これにより、迷光の一層の抑制が可能にな
り、測定誤差を一層低減できる。 （２９）請求項２９の発明は、半導体発光チップから所
定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子に関
するものであり、戻り光の半導体発光チップ近傍の部材
における反射光が、出射光の出射方向と異なる向きとな
る様に、半導体発光チップの向きを設定する。

【００４２】つまり、半導体発光チップの向きを調節す
ることにより、戻り光の出射方向への反射を防止する。
これにより、迷光の発生を抑制できるので、測定誤差を
低減することができる。例えば、半導体発光素子の光軸
とサブマウント前端面のなす角が直角以外の角θである
場合、サブマウントまで到達した戻り光は、本来の出射
角度とφ＝（１８０−２θ）だけ角度が変わる。従っ
て、この角度φを光学部品に再入射しないような角度と
することができるようにθを選ぶことにより、迷光とな
ることを防ぐことができる。

【００４３】（３０）請求項３０の発明は、前記請求項
１〜２６の構成に、前記請求項２９の半導体発光チップ
の向きを設定する構成を加えたものであり、この場合に
は、どちらか一方の構成の場合より、迷光の発生の防止
効果が高いという利点がある。

【００４４】（３１）請求項３１の発明は、半導体発光
チップをどの様に傾けたかを例示するものである。ここ
では、半導体発光素子の軸方向に対して半導体発光チッ
プの光軸が傾いているので、迷光の防止効果が一層大き
いという利点がある。

【００４５】尚、前記請求項の発明において、光吸収膜
としては、レーザ光の戻り光を吸収する性質を持つもの
であればよく、光吸収の能力の高いものほど好適であ
る。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光素子の
好適な実施の形態を、例（実施例）を挙げて図面に基づ
いて詳細に説明する。 （実施例１） ａ）まず、本実施例の半導体発光素子が用いられるレー
ザセンサ（半導体レーザ装置）を説明する。

【００４７】図１に示す様に、レーザセンサ１の筐体３
の後方（図１の右側）には、レーザ光を出射可能な半導
体発光素子５が配置され、筐体３の前方（図１の左側）
には、筐体３と垂直に、レーザ光が透過可能な前面ガラ
ス７が配置され、半導体発光素子５と前面ガラス７との
間には、レーザ光を反射させるミラー９等の光学部品が
配置されている。

【００４８】従って、半導体発光素子５から出射された
レーザ光は、ミラー９等の光学部品を介して、前面ガラ
ス７からレーザセンサ１の前方に出射される。そして、
レーザセンサ１３から出射され、測定対象物（例えば前
方の車両）にて反射したレーザ光は、出射光とほぼ同様
な経路をたどり、前面ガラス７やミラー９等の光学部品
を介して、半導体発光素子５側に戻ってくる。

【００４９】よって、この半導体発光素子５側に戻って
きたレーザ光（戻り光）を、半導体発光素子５に隣接し
て配置された（例えばフォトダイオードからなる）受光
部（図示せず）にて受光する。従って、レーザ光の出射
のタイミングとその反射光を受光するタイミングを検出
することにより、レーザ光の送受信にかかる時間を算出
することにより、例えば測定対象物との距離を求めるこ
とができる。

【００５０】ｂ）次に、本実施例の要部である半導体発
光素子５について説明する。図２に（半導体発光素子５
の断面を水平方向から）示す様に、本実施例の半導体発
光素子５は、ステム１１の前方の表面にて、柱状の台座
１３がレーザ光の出射方向（図２の左方向；正面側）に
立設されており、台座１３の上部（図２の上方向）には
板状のサブマウント１５が配置されている。

【００５１】サブマウント１５の上部には、レーザ光を
出射方向に射出する半導体発光チップ（半導体レーザチ
ップ）１７が配置されている。この半導体発光チップ１
７には、ステム１１を貫いて伸びる二本のリード線１９
が電気的に接続されている。前記台座１３、サブマウン
ト１５、半導体発光チップ１７からなる発光部２１は、
その周囲を、ステム１１の前方の表面の外周端に立設さ
れた略円筒状のキャップ２３により覆われている。

【００５２】また、キャップ２３の先端（図２の左方
向）には、円形の開口部２５が設けられ、この開口部２
５を覆う様に、レーザ光が透過可能なキャップ前面ガラ
ス２７が取り付けられている。特に本実施例では、台座
正面１３ａには光吸収膜として機能する黒体塗膜２９が
形成されている。この黒体塗膜１９は、例えばカーボン
を主成分とする厚さ１０μｍの塗膜である。

【００５３】ｃ）次に、本実施例の半導体発光素子５の
動作を説明する。図２に示す様に、半導体発光チップ１
７に電圧が印加されると、半導体発光チップ２９から、
所定の出射方向（ここでは図２の左方向；半導体発光素
子５の軸方向）にレーザ光（出射光）が出射される。

【００５４】この出射光の大部分は、キャップ前面ガラ
ス２７を透過し、筐体３内を通過して、レーザセンサ１
の外側に出射されるが、一部は例えば前面ガラス７や筐
体３内の光学部品などにて反射し（即ち筐体３にて反射
し）、戻り光として半導体発光素子５の発光部２１側に
戻ってくる。

【００５５】従って、従来では、この戻り光が台座正面
１３ａ等で反射して、出射光と出射タイミングなどがず
れた迷光として、再度キャップ前面ガラス２７等を介し
てレーダセンサ１の外側に出射されて、測定誤差の原因
となる。それに対して、本実施例では、台座正面１３ａ
に黒体塗膜２９が形成してあるので、筐体３内で反射し
発光部２１側に戻ってきた戻り光は、黒体塗膜２９によ
り吸収されてしまい、迷光は生じ難い。

【００５６】そのため、迷光による測定誤差を抑制する
ことができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシ
ステム光源を得ることができる。 （実施例２）次に、実施例２について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００５７】図３に（半導体発光素子３１の断面を水平
方向から）示す様に、本実施例の半導体発光素子３１
は、前記実施例１と同様に、ステム３３、台座３５、サ
ブマウント３７、半導体発光チップ３９、リード線４
１、キャップ４３、キャップ前面ガラス４５を備えてい
る。

【００５８】特に本実施例では、台座正面３５ａに、粗
目加工により形成された粗目加工面４７を備えている。
この粗目加工面４７における粗目サイズは、例えば０．
０１μｍ以上１μｍ以下である。この様に、本実施例で
は、台座正面３５ａに粗目加工面４７を備えているの
で、前記筐体３内で反射し発光部４９側に戻ってきた戻
り光は、粗目加工面４７により散乱されて散乱光となっ
てしまい、測定誤差の原因となるような迷光、即ち台座
正面３５ａで反射して再度出射方向に出射されるような
迷光となることを防止できる。

【００５９】そのため、迷光による測定誤差を抑制する
ことができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシ
ステム光源を得ることができる。尚、他の応用例とし
て、図４にサブマウント３７を拡大して示す様に、サブ
マウント正面３７ａにも、前記台座正面３５ａと同様な
粗目加工面４８を設けてもよい。この場合には、戻り光
を散乱させる面積が増えるので、前記実施例２より、測
定誤差の防止効果が一層大きいという利点がある。 （実施例３）次に、実施例３について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００６０】図５に（半導体発光素子５１の断面を活性
層に垂直な方向（上方）から）示す様に、本実施例の半
導体発光素子５１は、前記実施例１と同様に、ステム５
３、台座５５、サブマウント５７、半導体発光チップ５
９、リード線６１、キャップ６３、キャップ前面ガラス
６５を備えている。

【００６１】特に本実施例では、台座正面５５ａに、曲
面加工により形成された曲面（曲面加工面）６７を備え
ており、この曲面６７のカーブは、半導体発光チップ５
９の活性層に平行な平面との交線が曲線となる様に、例
えば１ｍｍの半径で湾曲している。

【００６２】この様に、本実施例では、台座正面５５ａ
に曲面６７を備えているので、前記筐体３内で反射し発
光部６９側に戻ってきた戻り光は、曲面６７により、レ
ーザ光の出射方向（従って戻り光の入射方向）とは異な
る方向に反射されてしまう。従って、この異なる方向に
反射された光は、再度出射方向に出射されるような迷光
とはならないので、迷光による測定誤差を抑制すること
ができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシステ
ム光源を得ることができる。 （実施例４）次に、実施例４について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００６３】図６に（半導体発光素子７１の断面を水平
方向から）示す様に、本実施例の半導体発光素子７１
は、前記実施例１と同様に、ステム７３、台座７５、サ
ブマウント７７、半導体発光チップ７９、リード線８
１、キャップ８３、キャップ前面ガラス８５を備えてい
る。

【００６４】特に本実施例では、台座正面７５ａに、粗
目加工により形成された（前記実施例２と同様な）粗目
加工面８７を備えるとともに、粗目加工面８７を覆うよ
うに形成された（前記実施例１と同様な）黒体塗膜８９
を備えている。この粗目加工面８７における粗目サイズ
は、０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、黒体塗膜８９
の厚さは例えば１０μｍである。

【００６５】ここでは、黒体塗膜８９の厚さは薄いの
で、粗目加工面８７の表面に黒体塗膜８９を塗って形成
した場合でも、粗目加工面８７の凹凸は埋められず、黒
体塗膜８９の表面にその凹凸が現れる。即ち、実質的
に、黒体塗膜８９の表面に粗目加工が施されて粗目加工
面８９ａが形成された様な状態となる。

【００６６】この様に、本実施例では、台座正面７５ａ
に粗目加工面８７及び黒色塗膜８９を備えているので、
前記筐体３内で反射し発光部９１側に戻ってきた戻り光
は、黒色塗膜８９に吸収されるとともに、吸収されない
戻り光は、黒体塗膜８９の表面の（粗目加工面８９ａ
の）凹凸により散乱されて散乱光となってしまい、測定
誤差の原因となるような迷光となることを抑制できる。

【００６７】そのため、迷光による測定誤差を抑制する
ことができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシ
ステム光源を得ることができる。本実施例では、前記実
施例１の効果に加え、粗目加工面８７及び黒色塗膜８９
（即ち粗目加工面８９ａを有する黒色塗膜８９）によ
り、測定誤差の原因となるような迷光の発生を防止する
構成であるので、粗目加工面８７又は黒色塗膜８９のみ
の構成と比べて、測定誤差の防止効果が一層大きいとい
う利点がある。

【００６８】尚、他の応用例として、図７にサブマウン
ト７７を拡大して示す様に、サブマウント正面７７ａに
も、前記台座正面７５ａと同様な粗目加工面７８及び黒
体塗膜８０を設けてもよい。この場合には、戻り光を吸
収したり散乱させる面積が増えるので、前記実施例４よ
り、測定誤差の防止効果が一層大きいという利点があ
る。 （実施例５）次に、実施例５について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００６９】図８に（半導体発光素子１０１の断面を垂
直方向（上方）から）示す様に、本実施例の半導体発光
素子１０１は、前記実施例１と同様に、ステム１０３、
台座１０５、サブマウント１０７、半導体発光チップ１
０９、リード線１１１、キャップ１１３、キャップ前面
ガラス１１５を備えている。

【００７０】特に本実施例では、前記実施例３と同様
に、台座正面１０５ａに、同様なカーブを有する曲面１
１７を備えるとともに、曲面１１７を覆うように、（前
記実施例１と同様な）黒体塗膜１１９を備えている。こ
こでは、黒体塗膜１１９は、曲面１１７に沿って形成さ
れているので、黒体塗膜１１９自身も曲面１１７と同様
なカーブを有する。

【００７１】この様に、本実施例では、台座正面１０５
ａに曲面１１７及び黒体塗膜１１９を備えているので、
前記筐体３内で反射し発光部１１７側に戻ってきた戻り
光は、黒色塗膜１１９に吸収されるとともに、吸収され
ない戻り光は、黒体塗膜１１９の表面のカーブ（曲面１
１９ａ）により、レーザ光の出射方向とは異なる方向に
反射されてしまう。

【００７２】従って、この異なる方向に反射された光
は、再度出射方向に出射されるような迷光とはならない
ので、迷光による測定誤差を抑制することができ、遠距
離までの正確な測距が可能なレーダシステム光源を得る
ことができる。本実施例では、前記実施例１の効果に加
え、曲面１１７及び黒色塗膜１１９（即ち曲面１１９ａ
を有する黒色塗膜１１９）により、測定誤差の原因とな
るような迷光の発生を防止する構成であるので、曲面１
１７又は黒色塗膜１１９のみの構成と比べて、測定誤差
の防止効果が一層大きいという利点がある。 （実施例６）次に、実施例６について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００７３】図９に（半導体発光素子１２１の断面を水
平方向から）示す様に、本実施例の半導体発光素子１２
１は、前記実施例１と同様に、ステム１２３、台座１２
５、サブマウント１２７、半導体発光チップ１２９、リ
ード線１３１、キャップ１３３、キャップ前面ガラス１
３５を備えている。

【００７４】特に本実施例では、台座正面１２５ａに、
前記実施例１と同様な黒体塗膜１３７を備えるととも
に、サブマウント正面１２７ａにも、同様な黒体塗膜１
３８を備えている。そのため、前記筐体３内で反射し発
光部１３９側に戻ってきた戻り光は、両黒体塗膜１３
７、１３８により吸収されてしまい、迷光は生じ難い。

【００７５】よって、迷光による測定誤差を抑制するこ
とができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシス
テム光源を得ることができる。特に本実施例の場合に
は、両黒体塗膜１３７、１３８により、戻り光を吸収す
る面積が広いので、前記実施例１より、測定誤差の防止
効果が一層大きいという利点がある。 （実施例７）次に、実施例７について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００７６】図１０に（半導体発光素子１４１の断面を
水平方向から）示す様に、本実施例の半導体発光素子１
４１は、前記実施例１と同様に、ステム１４３、台座１
４５、サブマウント１４７、半導体発光チップ１４９、
リード線１５１、キャップ１５３、キャップ前面ガラス
１５５を備えている。

【００７７】特に本実施例では、前記実施例４と同様
に、台座正面１４５ａに粗目加工面１５７及び黒体塗膜
１５８を備えるとともに、前記実施例６と同様に、サブ
マウント正面１４７ａに黒体塗膜１５９を備える。その
ため、前記筐体３内で反射し発光部１５６側に戻ってき
た戻り光は、両黒体塗膜１５８、１５９により吸収され
るとともに、吸収されない戻り光は、台座正面１４５ａ
の黒体塗膜１５８の表面の凹凸（粗目加工面１５８ａ）
により散乱されてしまい、迷光は生じ難い。

【００７８】よって、迷光による測定誤差を抑制するこ
とができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシス
テム光源を得ることができる。特に本実施例の場合に
は、両黒体塗膜１５８、１５９により、戻り光を吸収す
る面積が広いだけでなく、広い面積側の一方の黒体塗膜
１５８の表面が粗目加工面１５８ａとして機能するの
で、前記実施例６より、測定誤差の防止効果が一層大き
いという利点がある。 （実施例８）次に、実施例８について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００７９】図１１に（半導体発光素子１６１の断面を
垂直方向（上方）から）示す様に、本実施例の半導体発
光素子１６１は、前記実施例１と同様に、ステム１６
３、台座１６５、サブマウント１６７、半導体発光チッ
プ１６９、リード線１７１、キャップ１７３、キャップ
前面ガラス１７５を備えている。

【００８０】特に本実施例では、前記実施例５と同様
に、台座正面１６５ａに、曲面１７９及び黒体塗膜１８
１を備えるとともに、前記実施例６と同様に、サブマウ
ント正面１６７ａに黒体塗膜１８３を備える。そのた
め、前記筐体３内で反射し発光部１７７側に戻ってきた
戻り光は、両黒色塗膜１８１、１８３に吸収されるとと
もに、吸収されない戻り光は、台座正面１６５ａの黒体
塗膜１８１の表面のカーブ（曲面１８５）により、レー
ザ光の出射方向とは異なる方向に反射される。

【００８１】よって、迷光による測定誤差を抑制するこ
とができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシス
テム光源を得ることができる。特に本実施例では、曲面
１７９及び両黒色塗膜１８１、１８３（即ち曲面１８５
を有する黒体塗膜１８１及び平面状の黒体塗膜１８３）
により、測定誤差の原因となるような迷光の発生を防止
する構成であるので、前記実施例５より測定誤差の防止
効果が一層大きいという利点がある。 （実施例９）次に、実施例９について説明するが、前記
実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００８２】図１２に（半導体発光素子１９１の断面を
水平方向から）示す様に、本実施例の半導体発光素子１
９１は、前記実施例１と同様に、ステム１９３、台座１
９５、サブマウント１９７、半導体発光チップ１９９、
リード線２０１、キャップ２０３、キャップ前面ガラス
２０５を備えている。

【００８３】特に本実施例では、キャップ前面ガラス２
０５の内側に、キャップ前面ガラス２０５の全面を覆う
ように、λ／４波長膜２０７と直線偏光膜２０９とが順
次積層されている。前記λ／４波長膜２０７は、厚さ約
２００μｍの誘電体からなる膜であり、光の位相をπ／
２だけ変化させるという機能を有する。

【００８４】また、前記直線偏光膜２０９は、厚さ例え
ば１μｍの誘電体からなる膜であり、透過光を直線偏光
に変換するという機能を有する。つまり、本実施例で
は、キャップ前面ガラス２０５に、λ／４波長膜２０７
と直線偏光膜２０９を、直線偏光膜２０９が発光部２０
８の側になるように形成すると、発光部２０８から出射
された光は、直線偏光膜２０９により直線偏光となり、
次のλ／４波長膜２０７により円偏光に変換される。こ
のように円偏光として出射されたレーザ光は、筐体３内
の光学部品により反射されて戻り光となったとき、再度
λ／４波長膜２０７を透過し、直線偏光に変換される。
この時の偏光方向は直線偏光膜の光学的方向と直交する
ため、戻り光は直線偏光膜２０９を透過することができ
ない。

【００８５】これにより、戻り光が迷光になることを抑
制できるので、迷光による測定誤差を低減する効果が大
きく、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシステム
光源を得ることができる。 （実施例１０）次に、実施例１０について説明するが、
前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００８６】図１３に（半導体発光素子２１１の断面を
水平方向から）示す様に、本実施例の半導体発光素子２
１１は、前記実施例１と同様に、ステム２１３、台座２
１５、サブマウント２１７、半導体発光チップ２１９、
リード線２２１、キャップ２２３、キャップ前面ガラス
２２５を備えている。

【００８７】特に本実施例では、キャップ前面ガラス２
２５の前面（図の左側）の一部に、即ち台座前方に、台
座正面２１５ａを隠すように、黒体塗膜２２７が形成さ
れている。そのため、前記筐体３内で反射し半導体発光
素子２１１側に戻ってきた戻り光は、黒色塗膜２２７に
吸収され、台座正面２１５ａに至らないので、（台座表
面２１５ａにて反射することにより発生する）迷光の発
生を抑制できる。

【００８８】よって、迷光による測定誤差を低減するこ
とができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダシス
テム光源を得ることができる。 （実施例１１）次に、実施例１１について説明するが、
前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００８９】図１４に（半導体発光素子２３１の断面を
垂直方向（上方）から）示す様に、本実施例の半導体発
光素子２３１は、前記実施例１と同様に、ステム２３
３、台座２３５、サブマウント２３７、半導体発光チッ
プ２３９、リード線２４１、キャップ２４３、キャップ
前面ガラス２４５を備えている。

【００９０】特に本実施例では、直方体のサブマウント
２３７が、図の左右方向に伸びる光軸に対して、紙面と
平行な平面において、θ（例えば１０度）傾斜している
ので、サブマウント表面（前端面）２３７ａも光軸に対
してθ傾斜している。そのため、前記筐体３内で反射し
発光部２４７側に戻ってきた戻り光のうち、サブマウン
ト表面２３７ａに達した戻り光は、出射方向とは異なる
方向に反射されるので、（サブマウント表面２３７ａに
て反射することにより発生する）迷光の発生を抑制でき
る。

【００９１】つまり、サブマント表面２３７ａでの反射
により、本来の出射角度とφ＝（１８０−２θ）だけ角
度が変わるので、この角度φを光学部品に再入射しない
ような角度とすることができるようにθを選ぶことによ
り、迷光となることを抑制することができる。

【００９２】これにより、迷光による測定誤差を低減す
ることができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダ
システム光源を得ることができる。 （実施例１２）次に、実施例１２について説明するが、
前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。

【００９３】図１５に（半導体発光素子２５１の断面を
垂直方向（上方）から）示す様に、本実施例の半導体発
光素子２５１は、前記実施例１と同様に、ステム２５
３、台座２５５、サブマウント２５７、半導体発光チッ
プ２５９、リード線２６１、キャップ２６３、キャップ
前面ガラス２６５を備えている。

【００９４】特に本実施例では、直方体の半導体発光チ
ップ２５６が、図の左右方向に対して、紙面と平行な平
面において、α（例えば８０度）傾斜しており、そのレ
ーザ光の出射方向（従って戻り光の入射方向）の光軸
も、図の左右方向に対して、同様に、β（例えば１０
度）傾斜している。

【００９５】そのため、前記筐体３内で反射し発光部２
６７側に戻ってきた戻り光のうち、サブマウント表面２
５７ａや台座表面２５５ａに達した戻り光は、出射方向
とは異なる方向に反射されるので、（サブマウント表面
２５７ａや台座表面２５５ａにて反射することにより発
生する）迷光の発生を抑制できる。

【００９６】これにより、迷光による測定誤差を低減す
ることができ、遠距離までの正確な測距が可能なレーダ
システム光源を得ることができる。尚、本発明は上記実
施例に何ら限定されることなく、本発明の技術的範囲を
逸脱しない限り、種々の態様で実施できることはいうま
でもない。

【００９７】（１）例えば、実施例１〜１２の構成を適
宜組み合わせることができる。具体的には、例えば黒体
塗膜、粗目加工面、曲面は、台座正面やサブマウント正
面にそれぞれ形成でき、黒体塗膜は、粗目加工面や曲面
に形成して、迷光の発生防止効果を一層高めることがで
きる。

【００９８】更に、台座正面やサブマウント正面に設け
た、黒体塗膜、粗目加工面、曲面の構成を、λ／４波長
膜等を用いた構成や、キャップ前面ガラス等に設けた黒
体塗膜の構成や、サブマウント又は半導体発光チップを
傾けた構成と組み合わせることもできる。

【００９９】（２）また、台座正面やサブマウントに施
す塗膜は、必ずしも黒体である必要はない。膜厚も１０
μｍに限定する必要はない。光の波長を考慮すると、１
μｍ以上あれば、十分な効果を期待できる。例えば、黒
色、その他使用する光の波長に対して十分な吸収を有す
る別の着色塗料でもよいし、誘電体による光学干渉多層
膜であってもよい。また、Ｃｒ、Ｚｎなどの着色金属膜
を用いてもよいし、着色板、ゴム等の吸光体を取り付け
てもよい。即ち、戻り光を吸収するものであれば同様の
効果が得られる。

【０１００】（３）更に、台座正面に施す曲面加工は任
意の形状でよいが、球面、楕円体面、円筒面など、正反
射成分が少なくなるような曲面が、より望ましい。ま
た、曲面は、凸面に限定する必要はなく、凹面であって
もかまわない。更に、台座正面に形成する曲面は、台座
の加工によって形成するに限らず、曲面形状を有する部
品を装着して曲面を得てもよい。

【０１０１】（４）その上、λ／４波長膜及び直線偏光
膜は、必ずしもキャップ前面ガラスの内側（発光部側）
に設ける必要はなく、キャップ前面ガラスの外側であっ
てもよい。この場合、発光部に近い側に直線偏光膜を設
ける必要がある。また、いずれの膜も必ずしも膜として
ガラス面に施す必要はなく、板状の部材を貼り付けても
よい。

【０１０２】（５）また、サブマウントを半導体発光素
子の光軸に対してずらす場合には、サブマウント正面と
半導体発光素子の光軸のなす角θが８５°以下あれば十
分な効果が得られる。また製造上のマージンを考慮する
と、前記角θは８０°以下とするのがより望ましい。

【０１０３】（６）粗目のサイズについて、必ずしも、
０．０１〜１μｍの範囲である必要はないが、製造上の
作り易さ及び光の波長を考慮すると、この範囲であれ
ば、十分な散乱効果が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１のレーザセンサ１を示す説明図であ
る。

【図２】 実施例１の半導体発光素子の断面を側面から
示す説明図である。

【図３】 実施例２の半導体発光素子の断面を側面から
示す説明図である。

【図４】 実施例２の半導体発光素子のサブマントの他
の例を示す平面図である。

【図５】 実施例３の半導体発光素子の断面を上面から
示す説明図である。

【図６】 実施例４の半導体発光素子の断面を側面から
示す説明図である。

【図７】 実施例４の半導体発光素子のサブマントの他
の例を示す平面図である。

【図８】 実施例５の半導体発光素子の断面を上面から
示す説明図である。

【図９】 実施例６の半導体発光素子の断面を側面から
示す説明図である。

【図１０】 実施例７の半導体発光素子の断面を側面か
ら示す説明図である。

【図１１】 実施例８の半導体発光素子の断面を上面か
ら示す説明図である。

【図１２】 実施例９の半導体発光素子の断面を側面か
ら示す説明図である。

【図１３】 実施例１０の半導体発光素子の断面を側面
から示す説明図である。

【図１４】 実施例１１の半導体発光素子の断面を上面
から示す説明図である。

【図１５】 実施例１２の半導体発光素子の断面を上面
から示す説明図である。

【図１６】 半導体発光素子の構成を示す説明図であ
る。

【図１７】 従来技術の説明図である。

【符号の説明】

１…レーザセンサ ５、３１、５１、７１、１０１、１２１、１４１、１６
１、１９１、２１１、２３１、２５１…半導体発光素子 １３、３５、５５、７５、１０５、１２５、１４５、１
６５、１９５、２１５、２３５、２５５…台座 １５、３７、５７、７７、１０７、１２７、１４７、１
６７、１９７、２１７、２３７、２５７…サブマウント １７、３９、５９、７９、１０９、１２９、１４９、１
６９、１９９、２１９、２３９、２５９…半導体発光チ
ップ ２１、４９、６９、９１、１１７、１３９、１５６、１
７７、２４７…発光部 ２９、８０、８９、１１９、１３７、１５８、１８１、
１８３、２２７…黒体塗膜 ４７、４７、４８、７８、８７、１５７、１５７ａ…粗
目加工面 ６７、１１７、１７８…曲面 ２０７…λ／４波長膜 ２０９…直線偏光膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 照井 武和 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 5F073 AB21 AB25 AB29 EA26 FA02 FA16 FA17 FA23 FA30

Claims (31)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気を光に変換する半導体発光チップ
   と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して又は
   介さずして搭載する台座と、を備え、前記半導体発光チ
   ップから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発
   光素子において、 前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記台座正
   面に、前記戻り光を吸収する光吸収膜を設けたことを特
   徴とする半導体発光素子。
2. 【請求項２】 電気を光に変換する半導体発光チップ
   と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して又は
   介さずして搭載する台座と、を備え、前記半導体発光チ
   ップから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発
   光素子において、 前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記台座正
   面に、前記戻り光を散乱させる粗目加工面を設けたこと
   を特徴とする半導体発光素子。
3. 【請求項３】 前記粗目加工面における粗目サイズが、
   ０．０１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする前
   記請求項２に記載の半導体発光素子。
4. 【請求項４】 前記粗目加工面に、前記戻り光を吸収す
   る光吸収膜を設けたことを特徴とする前記請求項２又は
   ３に記載の半導体発光素子。
5. 【請求項５】 電気を光に変換する半導体発光チップ
   と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して又は
   介さずして搭載する台座と、を備え、前記半導体発光チ
   ップから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発
   光素子において、 前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記台座正
   面に、前記半導体発光チップの発光面に平行な平面とは
   異なる面にて、前記戻り光を前記出射光の光軸と異なる
   向きに反射させる向き変更面を設けたことを特徴とする
   半導体発光素子。
6. 【請求項６】 前記向き変更面は、前記半導体発光チッ
   プの発光面に平行な面とは異なる平面により、前記戻り
   光を前記出射光の光軸と異なる向きに反射させることを
   特徴とする前記請求項５に記載の半導体発光素子。
7. 【請求項７】 前記向き変更面は、前記半導体発光チッ
   プの活性層に平行な平面との交線が曲線となる曲面加工
   面であることを特徴とする前記請求項５に記載の半導体
   発光素子。
8. 【請求項８】 前記向き変更面に、前記戻り光を吸収す
   る光吸収膜を設けたことを特徴とする前記請求項５〜７
   のいずれかに記載の半導体発光素子。
9. 【請求項９】 電気を光に変換する半導体発光チップ
   と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して搭載
   する台座と、を備え、前記半導体発光チップから所定の
   出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子におい
   て、 前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記サブマ
   ウント正面に、前記戻り光を吸収する光吸収膜を設けた
   ことを特徴とする前記半導体発光素子。
10. 【請求項１０】 電気を光に変換する半導体発光チップ
    と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して搭載
    する台座と、を備え、前記半導体発光チップから所定の
    出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子におい
    て、 前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記サブマ
    ウント正面に、前記戻り光を散乱させる粗目加工面を設
    けたことを特徴とする半導体発光素子。
11. 【請求項１１】 前記粗目加工面における粗目サイズ
    が、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とす
    る前記請求項１０に記載の半導体発光素子。
12. 【請求項１２】 前記サブマウント正面の粗目加工面
    に、前記戻り光を吸収する光吸収膜を設けたことを特徴
    とする前記請求項１０又は１１に記載の半導体発光素
    子。
13. 【請求項１３】 電気を光に変換する半導体発光チップ
    と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して搭載
    する台座と、を備え、前記半導体発光チップから所定の
    出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子におい
    て、 前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記サブマ
    ウント正面に、前記半導体発光チップの発光面に平行な
    面とは異なる面により、前記戻り光を前記出射光の光軸
    と異なる向きに反射させる向き変更面を設けたことを特
    徴とする半導体発光素子。
14. 【請求項１４】 前記向き変更面は、前記半導体発光チ
    ップの発光面に平行な面とは異なる平面により、前記戻
    り光を前記出射光の光軸と異なる向きに反射させること
    を特徴とする前記請求項１３に記載の半導体発光素子。
15. 【請求項１５】 前記向き変更面は、前記半導体発光チ
    ップの活性層に平行な平面との交線が曲線となる曲面加
    工面であることを特徴とする前記請求項１４に記載の半
    導体発光素子。
16. 【請求項１６】 前記向き変更面に、前記戻り光を吸収
    する光吸収膜を設けたことを特徴とする前記請求項１３
    〜１５のいずれかに記載の半導体発光素子。
17. 【請求項１７】 前記サブマウント正面にも、前記戻り
    光を吸収する光吸収膜を設けたことを特徴とする前記請
    求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光素子。
18. 【請求項１８】 前記サブマウント正面にも、前記戻り
    光を散乱させる粗目加工面を設けたことを特徴とする前
    記請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光素子。
19. 【請求項１９】 前記サブマウント正面の粗目加工面
    に、前記戻り光を吸収する光吸収膜を設けたことを特徴
    とする前記請求項１８に記載の半導体発光素子。
20. 【請求項２０】 前記サブマウント正面にも、前記半導
    体発光チップの発光面に平行な平面とは異なる平面に
    て、前記戻り光を前記出射光の光軸と異なる向きに反射
    させる向き変更面を設けたことを特徴とする前記請求項
    １〜８のいずれかに記載の半導体発光素子。
21. 【請求項２１】 前記サブマウント正面の向き変更面
    に、前記戻り光を吸収する光吸収膜を設けたことを特徴
    とする前記請求項２０に記載の半導体発光素子。
22. 【請求項２２】 電気を光に変換する半導体発光チップ
    と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して又は
    介さずして搭載する台座と、を備え、前記半導体発光チ
    ップから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発
    光素子において、 前記レーザ光の経路に、λ／４波長膜と直線偏光膜と
    を、該直線偏光膜を前記半導体発光チップ側にして配置
    したことを特徴とする半導体発光素子。
23. 【請求項２３】 前記レーザ光の経路に、λ／４波長膜
    と直線偏光膜とを、該直線偏光膜を前記半導体発光チッ
    プ側にして配置したことを特徴とする前記請求項１〜２
    １のいずれかに記載の半導体発光素子。
24. 【請求項２４】 前記半導体発光素子のレーザ光の出射
    側の前面を覆うキャップ前面ガラスに、前記λ／４波長
    膜と直線偏光膜とを設けたことを特徴とする前記請求項
    ２２又は２３に記載の半導体発光素子。
25. 【請求項２５】 電気を光に変換する半導体発光チップ
    と、前記半導体発光チップをサブマウントを介して又は
    介さずして搭載する台座と、を備え、前記半導体発光チ
    ップから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発
    光素子において、 前記台座正面の前方に、前記台座正面を覆うようにし
    て、前記レーザ光を遮蔽する遮光体を設けたことを特徴
    とする半導体発光素子。
26. 【請求項２６】 前記遮光体が、黒体塗膜であることを
    特徴とする前記請求項２５に記載の半導体発光素子。
27. 【請求項２７】 電気を光に変換する半導体発光チップ
    を、サブマウントを介して台座に搭載する半導体発光素
    子において、 前記サブマウントの正面と前記半導体発光チップの発光
    面とが、互いに平行でないことを特徴とする半導体発光
    素子。
28. 【請求項２８】 前記サブマウントが、前記半導体発光
    チップの発光面に平行な面とは異なる平面により、前記
    戻り光を前記出射光の光軸と異なる向きに反射させる傾
    きを有することを特徴とする前記請求項１〜８のいずれ
    かに記載の半導体発光素子。
29. 【請求項２９】 電気を光に変換する半導体発光チップ
    を備え、前記半導体発光チップから所定の出射方向にレ
    ーザ光を出射する半導体発光素子において、 戻り光の半導体発光チップ近傍の部材における反射光
    が、出射光の出射方向と異なる向きとなる様に、前記半
    導体発光チップの向きを設定したことを特徴とする半導
    体発光素子。
30. 【請求項３０】 前記戻り光の半導体発光チップ近傍の
    部材における反射光が、出射光の出射方向と異なる向き
    となる様に、前記半導体発光チップの向きを設定したこ
    とを特徴とする前記請求項１〜２６のいずれかに記載の
    半導体発光素子。
31. 【請求項３１】 前記半導体発光素子の軸方向に対して
    半導体発光チップの光軸が傾いていることを特徴とする
    前記請求項２９又は３０に記載の半導体発光素子。