JPS62104093A

JPS62104093A - 半導体レ−ザ

Info

Publication number: JPS62104093A
Application number: JP24306785A
Authority: JP
Inventors: Isao Motohori; 勲本堀; Michiro Chiba; 道郎千葉; Masabumi Kamei; 正文亀井; Tatsuji Oda; 小田　達治
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1985-10-30
Filing date: 1985-10-30
Publication date: 1987-05-14
Anticipated expiration: 2010-02-08
Also published as: JPH0712104B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明半導体レーザを以下の項目に従って説明する。

Ａ、産業上の利用分野Ｂ１発明の概要Ｃ４従来技術り０発明が解決しようとする問題点［第３図乃至第７図
コＥ３問題点を解決するための手段Ｆ０作用Ｇ、実施例〔第１図、第２図］ａ、構造［第１図」ｂ、製造方法［第２図］Ｈ９発明の効果（Ａ、産業上の利用分野）本発明は新規な半導体レーザ、特に光出射端面を端面保
護膜により保護してなる半導体レーザに関するものであ
る。

（Ｂ、発明の概要）本発明は、光出射端面に端面保護膜を形成してなる半導
体レーザにおいて、活性層から外部へ出射されるレーザ
ビームを端面保護膜によって吸収することなく光出射端
面へ戻る戻り光を反射して戻り光による干渉が生じるこ
とを防止するため、光出射端面を保護する端面保護膜の
膜厚を活性層を覆う部分と戻り光入射部を覆う部分とで
変え、活性層を覆う部分における膜厚を吸収が少なくな
る厚さにし、戻り光入射部を覆う部分における膜厚を無
反射条件を満たす厚さにしたものである。

（Ｃ，従来技術）ＣＤ（コンタクトディスク）プレーヤー等の光学式ヘッ
ドには光源として一般に半導体レーザが用いられる。そ
して、半導体レーザは、一般にある導電型のＧａＡｓ基
板上にそれと同じ導電型のＡＬＧａＡｓからなるクラッ
ド層を形成し、該クラッド層上にＡＬＧａＡｓからなる
活性層を形成し、該活性層上に上記導電型と逆の導電型
のＡｔＧａＡｓからなるクラッド層を形成し更に該クラ
ッド層上にこれと略同じ導電型のＧａＡ　ｓからなるキ
ャップ層を形成した構造を有する。このような半導体レ
ーザにおいてレーザビームはその半導体レーザの活性層
が光出射端面に露出した部分から出射される。そして、
半導体レーザにおいてはその活性層の光出射端面に露出
した部分が汚染されると特性が劣化するので、特開昭６
０−８５５８６号公開公報等によって紹介されているよ
うに半導体レーザの光出射端面をシリコンナイトライド
等からなる保護膜によって保護することが多い。

このような半導体レーザは、一般に、ヒートシンクに活
性層と近い側の電極面にてポンディングされた状態で実
装され、例えば、ＣＤプレーヤー等の装置の光学式ヘッ
ドに光源として使用されることが多い。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第３図乃至第
７図］ところで、上述した半導体レーザをヒートシンクにポン
ディングしたものを所謂３ビ一ム方式の光学式記録装置
、光学式再生装置あるいは光学式記録再生装置の光学式
ヘッドに光源として用いた場合、トラッキングエラー信
号がコンパクトディスク（ＣＤ）等の光学式記録体のレ
ーザビームの０次ビームに対する角度の変化によって変
化するという問題が発生した。

そこで、その光学式記録媒体のレーザビームの０次ビー
ムに対する角度の変化によってトラッキングエラー信号
が変化するという問題点について詳細に説明することと
するが、それに先立ってヒートシンク上にポンディング
した半導体レーザを光源とする光学式ヘッド及びトラッ
キング誤差検出方法について第３図に従って説明する。

１は半導体レーザ（レーザダイオード）で、これのレー
ザビーム出射端面ＩＡ側より出射した断面形状が楕円の
レーザビームはコリメータレンズ（不用の場合もある）
２に入射せしめられて平行ビームとされ、回折格子（グ
レーティング）３に入射せしめられる。該回折格子３よ
り出射したＯ次ビームＬＯ及び±１次ビームＬ＋１、Ｌ
−１（尚、＋２次以上、−２次以下のビームは無視する
）は非偏光ビームスプリッタ（ハーフミラ−）４を通過
した後、対物レンズ５により集束せしめられ、その集束
された０次ビームＬｏ及び±１次ビームＬ＋１、Ｌ−１
は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む）６の記録面
に所定間隔（例えば１０ｇｍ）を置いて入射せしめられ
る。尚、上記ビームスプリッタ４として非偏光ではなく
偏光ビームスプリッタを用いる場合にはその偏光ビーム
スプリッタと回折格子３との間に１／４波長板を配置す
る必要がある。

光学式記録媒体６で反射したＯ次ビームＬｏ反び±１次
ビームＬ＋１、Ｌ−、は対物レンズ５を通過してビーム
スプリッタ４に入射せしめられ、その一部はその入射面
４ａで反射して光検出器７に入射せしめられる。この光
検出器７はＯ次ビームＬＯ及び±１次Ｌ＋１、Ｌ−、が
各別に入射せしめられる３個の光検出部により構成され
る。そして、±１次ビームが入射せしめられる一対の光
検出部からの一対の光検出出力の差を検出することによ
り、０次ビームＬｏの光学式記録媒体６の記録面上での
トラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得る
ようにされる。又、０次ビームが入射せしめられる光検
出部からは、再生信号、フォーカスエラー信号等を得る
。

次に、半導体レーザの一例１について第４図に従って説
明する。この半導体レーザ１はチップ状で通常一方の電
極を兼ねた銅等からなるヒートシンク８上に固着されて
いる。半導体レーザ１の構造を上層から下層の順で説明
すると、１ａは電極層、１ｂはｎ型のＧａＡｓ層（基板
層）、ｌｃはｎ型のＧａＡＬＡｓ　（クラッド層）、１
ｄはＧａＡ　ＬＡｓ層（活性層）、１ｅはＰ型のＧａＡ
ｓ層（クラッド層）、１ｆはＰ型のＧａＡｓ層である。

そして、活性層１ｄ、特にその中央部から上述のレーザ
ビームＬが出射される。この半導体レーザ１のレーザビ
ーム出射端面（ＮＪ開面）ＩＡを正面とすると、その幅
が１００〜３００４ｍ、高さく厚さ）が８０〜１００鉢
ｍ、奥行が２００〜３００　ｐｍである。活性層１ｄの
ヒートシンク８の上面からの高さは数Ｂｍである。

ところで、０次ビームＬｏの光学式記録媒体６の記録面
に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると、前
述のとおりトラッキングエラー信号もそれに応じて周期
的に変化し、正確なトラッキングエラーを検出すること
ができなかった。

そこで、その原因を探究したところ、次のことが判明し
た。光学式記録媒体６で反射した０次ビームＬＯ及び±
１次ビームＬ＋１、Ｌ−１は対物レンズ５を通過した後
、ビームスプリッタ４の反射面４ａで反射するのみなら
ず、ビームスプリッタ４を通過し、回折格子３に入射す
る。すると、入射した各ビームに対応して０次ビーム及
び±１次ビームが発生し、コリメータレンズ２を通過し
て半導体レーザｌに向う。この半導体レーザ１に向うビ
ームのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用いた場
合には多く、偏光ビームスプリフタを用いた場合は少な
い、この場合、半導体レーザ１のレーザビーム出射端面
ＩＡの回折格子３に対する相対回動角位置に応じて半導
体レーザ１上の中心ビーム１ａの入射位置とその両側に
位置する両側ビームＬｂ、Ｌｃの入射位置との位置関係
が異なり、３種類の位置関係がある。その第１のものは
、中心ビームＬａの入射位置がレーザビーム出射端面１
ａ上の活性層１ｄに位置し、両側ビームＬｂ、Ｌｃが中
心ビームＬａの位置を通り活性層１ｄと直交する直線上
においてその中心ビーム１ａの上下に位置する部分に入
射される場合である。又、第２のものは、中心ビームＬ
ａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃが共に、活性層ｌｄ上に位
置し、そして、第３のものは中心ビームＬａ及び両側ビ
ームＬｂ、Ｌｃの入射位置を結ぶ直線が上記２つの場合
の中間のある角度になる。そして、これら中心ビームＬ
ａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃは、１次ビームＬｏと±１
次ビームＬ＋１、Ｌ−１が回折格子３によって再回折さ
れ、且つ混在して重畳される。

ところで、両側ビームｌｂ、ｌｃの片方がヒートシンク
８の面に入射した場合は、その面が粗面であるので、そ
のビームについてはそこで乱反射されるので問題はない
、しかし２両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方が半
導体レーザ１のレーザビーム出射端面ＩＡに入射する。

そして、この端面ＩＡの反射率が大きいのでこの端面Ｉ
Ａでそのビームが反射し、上述の光路を通過して光検出
器７に入射し、＋１次又は−１次ビームと干渉を起す、
このため、０次ビームＬＯの光学式記録媒体６の記録面
に対するタンジェンシャルスキュー角に応じて光検出器
７に入射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、
トラッキングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期
的に変化する。第６図は両側ビームＬ　ｂ、　　Ｌ　ｃ
ノ一方Ｌ　ｂが半導体レーザ１のレーザビーム発光端面
ＩＡに入射し、他方Ｌｃがヒートシンク８に入射した場
合におけるＯ次ビームＬＯの記録面に対するタンジェン
シャルスキュー角α０とトラッキングエラー信号Ｓｅの
レベルとの理想的関係を示す曲線図である。この図から
解るように、スキュー角α０の変化に応じてトラッキン
グエラー信号Ｓｅのレーザビームの波長入に対し、入／
２毎の周期でレベルが変化する。具体的には１α１が増
大するにつれてトラッキングエラー信号Ｓｅのレベルが
減衰する。尚、両側ビームＬｂ、Ｌｃはレーザビーム出
射端面ＩＡに入射する場合は、波形の振幅が中心Ｌｏの
場合の２倍になり、又、位相も第６図に示す場合とは異
なる。

次に、一方の側のビームＬｂがレーザビーム出射面ＩＡ
に入射し、他方の側のビームＬｃがヒートシンク８に入
射する場合の干渉について第７図によって説明する。尚
、この図ではレンズ系の図示を省略しである。この図に
おいて、出射端面ＩＡは正規の状態が破線にて示され、
正規の状態から傾いた一般的な状態が実線で示される。

又、光学式記録媒体６も正規な状態が破線で示され、正
規な状態から傾いた一般的な状態が実線で示される。

Ｏ次ビームＬＯは上記正規の状態におけるレーザビーム
出射端面ＩＡ及び同じく光学式媒体６（の記録面）に対
して鉛直である。第７図あるいは下記の式（１）〜（６
）において、θは＋１次ビームＬ＋ｔのＯ次ビームＬＯ
に対する角度、ｔｌがレーザ出射端面ＩＡと回折格子３
との間の位相長、＋２は回折格子３と光学式記録媒体６
（の記録面）との間の位相長、Δｔ１、Δｔ２は位相長
ｔ１、＋２に対するＯ次ビームＬＯ及び＋１ビ一ムＬ＋
１間の位相差である。Δｔ３、Δｔ４は光学式記録媒体
６、レーザビーム出射端面ＩＡのスキュー位相であり、
ｇは回折格子３における０次ビームＬｏと＋１次ビーム
Ｌ＋１との間の位相差、ｉｏ、＋１は回折格子３におけ
る０次ビーム、＋１次ビームの透過率、ｔはハーフミラ
−４の透過率、ｒ、ｆは光学式記録媒体６の記録面上、
レーザビーム出射端面ＩＡ上の反射率である。

ここで、＋１次ビームＬ＋１が入射する光学式記録媒体
６の記録面上の点Ａにおける入射光の複素振幅を下記の
４つの場合（１）〜（４）（ａ１〜ａ４）に分けて考え
る。

（１）＆ｌ　：＋１次ビームＬ＋１が直接に点Ａに入射
した場合の入射光の複素振幅（２）ａ２：Ｏ次ビームＬＯが光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによって得られた０
次ビームがレーザビーム出射端１１ｆＴＩＡで反射し、
再度回折格子３に入射することによって得られた＋１次
ビームが点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅（３）ａ３：０次ビームＬｏが光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによって得られた＋
１次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再度
回折格子３に入射することによって得られた０次ビーム
が点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅（４）ａ４：＋Ｌ次ビームＬ＋１が光学式記録媒体６で
反射し、再度回折格子３に入射することによって得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再
度回折格子３に入射することによって得られた０次ビー
ムが点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅次に、ａ１〜ａ４を式にして示すａ＋＝ｉｔｔφｅｓｐ　　（ｊ　（Ｌｔ＋ｇ＋Ｌ２＋Δ
ｔ２＋Δｔ３））　　　・Φ・　（１）ａ２＝ｉ０　２
　ｉ　　１　　ｔ　３　ｒｆ　　＊ｅｓｐ　　［ｊ　　
（３（Ｌｔ＋Ｌ２）＋ｇ＋Δｔ２＋Δｔ３）　］・　・
　・　（２）ａ３＝ｔ０　２　　ｉ　　１　　ｔ　　３ｒ　　ｆ　　
ｅｅｘｐ　　［ｊ　　（３（１１＋１２）＋ｇ＋２Δ　
ｔ　１＋Δ　＋２＋Δｔ　３＋２Δ　＋４）　］・　・　・　・　（３）ａ４＝ｉ０　２　ｔ　　１　ｔ　　３　ｒｆ　　ｅｅｘ
ｐ　　［ｊ　　（３（Ｌ　　Ｌ＋１２）　　＋ｇ＋３　
　（Δ　１２　＋ΔＬ３）＋２Δｔ　１＋２Δｔ４）　
］・　・　・　（４）計算の簡略化のため、レーザビームの可干渉距離を２（
ｔｌ＋ｔ２）以下とすると、点Ａにおける光の強度Ｉａ
は次式で表わされる。

Ｉａ＝ｌａ１１２＋ｌａ２＋ａ３＋ａ４１２＝ｉ　＞　
”ｔ　２　［１＋ｉ０’ｔ　’ｒ　２ｆ　２（３＋２ｃ
ｏｓ２（Δｔ１＋Δｔ４）＋２　　ｃｏｓ２　　（Δｔ
１＋Δｔ４＋Δｔ２＋Δ　ｔ　３）＋２ｃｏｓ　　２　
　（Δｔ　２＋Δ　ｔ　３）　］・　・　・　φ　（５
）又、両側ビームＬｂ、Ｌｃがレーザビーム出射端面ｌＡ
に入射する場合において、＋１次ビームＬ＋１が光学式
記録媒体６の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビームＬ
−１がＯ次ビームＬｏに対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度Ｉａは前記式（５）のとおりである
が、その点Ｂの光の強度Ｉｂは次式で表わされる。

Ｉｂ＝ｉ１２ｔ２［１＋ｉ０’ｔ’ｒ２ｆ２（３＋２ｃ
ｏｇ　２　（Δｔ１−Δ１４）＋２ｃｏｓ　　２　　（
Δ１１−Δｔ４＋ΔＬ２−Δ　Ｌ　　３）　　＋２ｃｏ
ｓ　　２　　（ΔＬ２−ΔＬ３））］　　　　　　　・
・・（６）このように、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なく
とも一方がビーム出射端面ＩＡに入射し、その結果、そ
の端面ＩＡで反射し、光検出器７に入射するので＋１次
又は−１次ビームと干渉を起す、そのため、０次ビーム
の光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角
の変化によって光検出器７に入射する＋１次あるいは一
１次ビームの強度が変化する。即ち、トラッキングエラ
ー信号のレベルがトラッキング状態によってだけでなく
、タンジェンシャルスキュー角の変化によっても変化し
てしまう。

その結果、トラッキングエラーが生じることとなる。従
って、活性層１ｄと直交する線上に戻り光Ｌａ、Ｌｂ、
Ｌｃが戻る場合においてはそのＲり光たるＬｂ、’Ｌｃ
が反射しないようにすることが必要である。尤も、ヒー
トシンク８上に戻る戻り光Ｌｃに対してはヒートシンク
８上を粗面にしても乱反射させる等して干渉を防止する
ことは比較的容易であるが、しかし、半導体レーザ１の
光出射端面ＩＡに戻る戻り光については特にそれを反射
しないようにするだめの配慮が為されていなかった。ち
なみに、前述の特開昭６０−８５５８６号公報に記載さ
れた半導体レーザの製法においても保護膜が活性層から
出射されるレーザビームを吸収することのないようにす
るための配慮が為されているけれど戻り光の反射を防止
することについての配慮は全く為されていなかった。

本発明はこのような事情に鑑みて為されたもので、光出
射端面に端面保護膜を形成してなる半導体レーザにおい
て、活性層から外部へ出射されるレーザビームを端面保
護膜によって吸収することなく光出射端面へ戻る戻り光
を反射しないようにして戻り光による干渉が生じること
を防止することを目的とする。

（Ｅ、問題点を解決するための手段）本発明半導体レーザは、上記問題点を解決するため、端
面保護膜の活性層を覆う部分における膜厚をレーザビー
ムに対する吸収が少なくなる厚さにし、同じく戻り光入
射部を覆う部分における膜厚を無反射条件を満たす厚さ
にしたことを特徴とするものである。

（Ｆ、作用）本発明半導体レーザによれば端面保護膜はレーザビーム
を発生する活性層を覆う部分においてはレーザビームを
吸収することなく透過させるが。

戻り光入射部を覆う部分ではその戻り光を反射せず、従
って干渉等の不都合を生じさせない。

（Ｇ、実施例）［第１図、第２図］以下に、本発明半導体レーザを添附図面に示した実施例
に従って詳細に説明する。

（ａ、構造）［第１図］第１図は本発明半導体レーザの一例１ｏを示すものであ
る。

同図において、１１は半導体レーザ１０を構成する１０
０ｇｍ程度の厚さを有する半導体チップ、１２は活性層
で、半導体表面（第１図における下側の面）より２ｐｍ
の深さの位置に設けられている。１３は半導体チップ１
１の裏面（第１図における上側の面）に形成されたＮ側
電極、１４は半導体チップ１１の表面に形成されたＰ側
電極で、該Ｐ側電極１４にてヒートシンク１５にチップ
ポンディングされる。

１６．１６は半導体レーザ１０の光出射端面１０ａ及び
それと反対側の端面に形成されたシリコンナイトライド
ＳＥＮからなる端面保護膜で、該端面保護膜１６．１６
の膜厚Ｔは均一ではなく、表面側（第１図における下側
）から裏面側（第１図における上側）へ行くに従って薄
くなるようになっている。そして、保護膜１６．１６の
活性層１２を覆う部分における膜厚Ｔａは次式（１）で
表わされるところの吸収が最も少ない条件を満たす値に
されている。

２Ｘ屈折率ｎ尚、ここで屈折率ｎとは当然のことながら端面保護膜１
６．１６を形成する材料（本例では５ｔＮ）の屈折率で
あり、波長入とはレーザビームの波長である。

従って、レーザビームの波長入が例えば８０００人であ
り、保護膜１６．１６の材料のＳｉＮの屈折率ｎが２．
０５であるとすると端面保護膜１６．１６の活性層１２
を覆う部分における膜厚Ｔａが約１９５０人にされてい
る。このように、Ｉｌ莫厚Ｔａが上式（１）で表わされ
る値であるので端面保護膜１６．１６のその活性層１２
を覆う部分はレーザビームに対して最も吸収が少ない状
態になっている。従って、活性層１２から出射されたレ
ーザビームが端面保護膜１６によって吸収されることを
防止することができる。

また、保護膜１６．１７の戻り光入射部１７を覆う部分
（この部分は半導体チップ１１の裏面から２０〜３０４
ｍの深さにある。）における膜厚Ｔｂは次式（２）で表
わされるところの無反射条件を満たす値にされている。

２ｘ屈折率ｎ即ち、膜厚Ｔｂは膜厚Ｔａの約２分の１にされている。

このように膜厚Ｔｂが上記式（２）で表わされる値であ
ると端面保護膜１６のその膜厚ＴがＴｂである部分、即
ち、戻り光入射部１７を覆う部分は、半導体レーザ１０
がビームトラッキング方式の光学式ヘッドに光源として
用いられた場合に光学式記録媒体から半導体レーザ１０
の戻り光入射部１７へ戻る戻り光を反射することがない
。従って、戻り光が半導体レーザｌＯの光出射端面１０
ａに反射されることを防止することができる。依って、
トラッキングエラーの検出に誤差が生じるという問題を
回避することができる。

尚、戻り光は光出射端面ＬＯａ上だけでなくレーザビー
ム１５の端面上にも戻り、１８はレーザビーム１５の端
面上の戻り光入射部である。そして、この戻り光入射部
１８に入射される戻り光もそこで反射されると干渉を生
じ、トラッキングエラーの検出に誤差が生じることにな
るが、ヒートシンク１５の戻り光入射部１８を粗面化し
て戻り光を乱反射するようにする等比較的簡単な方法で
戻り光が来た方向に反射されることを防止することがで
き、トランキングエラーの検出誤差を容易に回避するこ
とができる。

尚、端面保護膜としてＳｉＮのほかＳ　ｔ　Ｏ２、Ａｌ
２Ｏ３等も考えられ、ＳＥＮに限定されない。

（ｂ、製造方法）［第２図］第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は第１図に示した半導体レーザ
の製造方法の一例を工程順に示すものである。

（Ａ）ウェハ状の半導体基板に対してクラッド層、活性
層等を形成するエピタキシャル成長処理等を施し、半導
体チップ１１の裏面及び表面に電極１３．１４を形成す
る。

次に、そのウェハ状の半導体基板を襞間することにより
いくつかのバー状体に分割する。そして、襞間によって
形成されたり開面が光出射端面１０ａとなる。第２図（
Ａ）は襞間後の状態を示す。

（Ｂ）次いで、バー状の半導体基板をＰ側電極１４が上
側を向くようにする。その状態でプラズマＣＶＤ法によ
りシリコンナイトライドＳｉＮからなる端面保護膜１６
を形成する。１６ａは端面保護膜１６のＰ側電極１４上
にデポジットされた部分である。プラズマＣＶＤ法は一
般にステップカバレージが良いので、Ｐ側電極１４を上
向きにした状態で上側からシリコンナイトライドＳｉＮ
を気相成長してもそのシリコンナイトライドＳｉＮが半
導体チップ１１の側面である光出射端面１０ａにもデポ
ジットされる。しかし、その光出射端面１０ａを覆うシ
リコンナイトライドＳｉＮの厚さは均一ではなく第２図
における上側から下側に行くに従って膜厚が薄くなる。

そして、その膜厚の薄くなり具合（端面に形成された保
護膜１６表面の傾斜）はプラズマＣＶＤにおけるガスの
流速（流量）、ＣＶＤ装置内の真空度を調節することに
より制御することができる。そして、そのことを利用し
て端面保護膜１６の活性層１２を覆う部分における膜厚
Ｔａが上記式（１）で算出される値になり、戻り光入射
部１８を覆う部分における膜厚Ｔｂが上記式（２）で算
出される値になるようにする。但し、このプラズマＣＶ
Ｄ工程ノ後に行うＲＩＥによる異方性エツチングにより
端面保護膜１６の表面が若干（数十へ程度）薄くなるの
で、それを見越して予めその薄くなる分厚めに端面保護
膜１６を形成すると良い、第２図ＣＢ）はプラズマＣＶ
Ｄ工程終了後の状態を示す。

（Ｃ）次に、ＲＩＥにより、Ｐ側電極１４上のシリコン
ナイトライドＳｉＮ膜１６ａを除去する。このＲＩＥは
異方性エツチングなので、光出射端面端面１０ａ上の端
面保護膜１６として機能するシリコンナイトライドＳｉ
Ｎ膜をほとんどエツチングすることなくＰ側電極１４上
のシリコンナイトライドＳｉＮ膜１６を除去して電極１
４を完全に露出させることができる。第２図（Ｃ）はＲ
ＩＥ工程終了後の状態を示す。

その後、バー状の半導体基板を個々の半導体レーザに分
割するペレタイズをし、ヒートシンク１５にチップポン
ディングし更にワイヤポンディング等を行う。

（Ｈ，発明の効果）以上に述べたところから明らかなように、本発明半導体
レーザは、光出射端面に端面保護膜を形成してなる半導
体レーザであって、上記端面保護膜の活性層を覆う部分
における膜厚をレーザビームに対する吸収が少なくなる
厚さにし、上記端面保護膜の戻り光入射部を覆う部分に
おける膜厚を無反射条件を満たす厚さにしたことを特徴
とするものである。

従って、本発明半導体レーザによれば端面保護膜はレー
ザビームを発生する活性層を覆う部分においてはレーザ
ビームを吸収することなく透過させるが、戻り光入射部
を覆う部分ではその戻り光を反射しない、従って干渉等
の不都合を生じさせない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明半導体レーザ実施の一例を示す断面図、
第２図（Ａ）乃至（Ｃ）は第１図に示した半導体レーザ
の製造方法の一例を工程順に示す断面図、第３図乃至第
７図は光学式記録媒体の０次ビームに対するタンジェン
シャルスキュー角の変化によってトラッキングエラー信
号が変化するという問題点を説明するためのもので、第
３図は光学式ヘッドの構成図、第４図及び第５図は半導
体レーザ素子の正面図、第６図はスキュー角に対するト
ラッキングエラー信号の理想的なレベル変化を示す波形
図、第７図は干渉の説明に供する線図である。符号の説明１０・・・半導体レーザ、ＬＯａ・φ・光出射端面、１６・・・端面保護膜、１７・・・戻り光入射部、Ｔａ・・・端面保護膜の活性層を覆う部分における膜厚
、Ｔｂφ・Φ端面保護膜の戻り光入射部を覆う部分におけ
る膜厚（Ｂ）（Ｃ）光学式′ヘッドＩＰ１千１厩゛図第３図牟′Ｉ４本トレーずの７−！ｆｆｉ！第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光出射端面に端面保護膜を形成してなる半導体レ
ーザであって、上記端面保護膜の活性層を覆う部分における膜厚をレー
ザビームに対する吸収が少なくなる厚さにし、上記端面保護膜の戻り光入射部を覆う部分における膜厚
を無反射条件を満たす厚さにしたことを特徴とする半導体レーザ