JPS6284439A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS6284439A JPS6284439A JP60225109A JP22510985A JPS6284439A JP S6284439 A JPS6284439 A JP S6284439A JP 60225109 A JP60225109 A JP 60225109A JP 22510985 A JP22510985 A JP 22510985A JP S6284439 A JPS6284439 A JP S6284439A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- passes
- wavelength plate
- optical pickup
- light
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
２ ベー。
本発明に１光デイスクの読み出し、記録、消去などに使
用される光ピタクアソプ装置に関するものである。
用される光ピタクアソプ装置に関するものである。
従来の技術
近年、光ピツクアップはコンパクトディスクや光デイス
クメモリーが普及するにつれ増々重要になってきている
。
クメモリーが普及するにつれ増々重要になってきている
。
従来の光ピツクアップは、各種方式があるものの基本的
には半導体レーザ、集光レンズ、ビームスプリッタ、受
光素子により構成されている。第３図は従来の光ピツク
アップの基本構成の一例を示すものである。第３図にお
いて１は、半導体レーザ、２けレーザ光を集め平行化す
るコリメートレンズ、３は平行光を光デイスク面に絞り
込む対物レンズ、４はレーザ光の偏光方向を９００回転
させるだめの４分の１波長板、５は光ディスクからの反
射光を直角に曲げる偏光ビームスプリッタである。６は
集光レンズ、７は受光素子である。
には半導体レーザ、集光レンズ、ビームスプリッタ、受
光素子により構成されている。第３図は従来の光ピツク
アップの基本構成の一例を示すものである。第３図にお
いて１は、半導体レーザ、２けレーザ光を集め平行化す
るコリメートレンズ、３は平行光を光デイスク面に絞り
込む対物レンズ、４はレーザ光の偏光方向を９００回転
させるだめの４分の１波長板、５は光ディスクからの反
射光を直角に曲げる偏光ビームスプリッタである。６は
集光レンズ、７は受光素子である。
以上のように構成された光ピツクアップについて以下そ
の動作を説明する。半導体レーザ１から３ ぺ−７ 出た光はコリメートレンズ２で平行ビーム化され、偏光
ビームスプリッタ６．４分の１波長板４を通過し、対物
レンズ３、光ディスク１３−１−に集光する。光ディス
ク１３での反射光は４分の１波長板４を通過するところ
まで（１７１最初の場合と同じ光路を逆行するが、４分
の１波長を２回通過することで偏光方向が９０度回転す
るため偏光ビームスプリッタ６で直角に曲がり、集光レ
ンズ６で受光素子７に収束する。光ディスク１３の信号
は、反′射光の強弱として受光素子７で検出される。
の動作を説明する。半導体レーザ１から３ ぺ−７ 出た光はコリメートレンズ２で平行ビーム化され、偏光
ビームスプリッタ６．４分の１波長板４を通過し、対物
レンズ３、光ディスク１３−１−に集光する。光ディス
ク１３での反射光は４分の１波長板４を通過するところ
まで（１７１最初の場合と同じ光路を逆行するが、４分
の１波長を２回通過することで偏光方向が９０度回転す
るため偏光ビームスプリッタ６で直角に曲がり、集光レ
ンズ６で受光素子７に収束する。光ディスク１３の信号
は、反′射光の強弱として受光素子７で検出される。
発明が解決しようとする問題点
しかし力から、上記のような構成では、半導体レーザと
受光素子を別々に用意する必要があり、さらにそれらを
直角に配置する必要があるため小型軽量化できないとい
う欠点を有していた。
受光素子を別々に用意する必要があり、さらにそれらを
直角に配置する必要があるため小型軽量化できないとい
う欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、小型化、軽量化１部品点数の
低減化のできる光ピツクアップ装置を提供するものであ
る。
低減化のできる光ピツクアップ装置を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の光ピツクアップ
装置は、互いに隣接して配置された半導体レーザと光検
出器、コリメートレンズ、複屈折体、４分の１波長板、
対物レンズから構成されている。
装置は、互いに隣接して配置された半導体レーザと光検
出器、コリメートレンズ、複屈折体、４分の１波長板、
対物レンズから構成されている。
作 用
この構成によって、半導体レーザから出た光は、記録媒
体たとえば光ディスクで反射され戻ってきた時に複屈折
体により光軸が傾斜し、半導体レーザに隣接して配置さ
れた光検出器に入射することになり、信号検出の機能を
果たす。従って従来の反射光を直角に曲げる方式に比ベ
スペースが小さくてすみ、部品数も減り軽量化できるこ
ととなる。
体たとえば光ディスクで反射され戻ってきた時に複屈折
体により光軸が傾斜し、半導体レーザに隣接して配置さ
れた光検出器に入射することになり、信号検出の機能を
果たす。従って従来の反射光を直角に曲げる方式に比ベ
スペースが小さくてすみ、部品数も減り軽量化できるこ
ととなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例における光ピツクアップ
の構成を示すものである。第１図において８はレーザ光
を出射する半導体レーザと光を検出するフォトダイオー
ドを一体集積化した受光素子集積化半導体レーザ素子、
９は偏光方向によっ５ ）＜−：’ て屈折角の異々る複屈折体、１０は集光１７平行ビーム
化するコリメートレンズ、１１は偏光方向を変える４分
の１波長板、１２は、光束を絞り込む対物レンズである
。１３は光ディスクを示す。
の構成を示すものである。第１図において８はレーザ光
を出射する半導体レーザと光を検出するフォトダイオー
ドを一体集積化した受光素子集積化半導体レーザ素子、
９は偏光方向によっ５ ）＜−：’ て屈折角の異々る複屈折体、１０は集光１７平行ビーム
化するコリメートレンズ、１１は偏光方向を変える４分
の１波長板、１２は、光束を絞り込む対物レンズである
。１３は光ディスクを示す。
以上のように構成された光ピツクアップについて、以下
その動作を説明する。まず、受光素子集積化半導体レー
ザ装置８のチップ構造を第２図に示す。第２図において
、１４はＧａＡｓ基板、１６は共通電極、１６は半導体
レーザ部、１７はフォトダイオード部、１８，１８はそ
れぞれの電極、２０は素子間分離溝である。半導体レー
ザは、中央のストライプ領域からレーザ光が出射される
。
その動作を説明する。まず、受光素子集積化半導体レー
ザ装置８のチップ構造を第２図に示す。第２図において
、１４はＧａＡｓ基板、１６は共通電極、１６は半導体
レーザ部、１７はフォトダイオード部、１８，１８はそ
れぞれの電極、２０は素子間分離溝である。半導体レー
ザは、中央のストライプ領域からレーザ光が出射される
。
これに対し、レーザ光の光軸から離れて横に形成された
レーザ構造と同様の構成からなるＰｍ接合は光を感じる
フォトダイオードとして作用する。
レーザ構造と同様の構成からなるＰｍ接合は光を感じる
フォトダイオードとして作用する。
半導体レーザから出射された直線偏光の光ビームはコリ
メートレンズ１０により平行化され複屈折体９．４分の
１波長板１１を通過し、対物レンズ１２によって光デイ
スク１３面上に焦点を結ぶ。
メートレンズ１０により平行化され複屈折体９．４分の
１波長板１１を通過し、対物レンズ１２によって光デイ
スク１３面上に焦点を結ぶ。
光デイスク１３面からの反射光は対物レンズ１２６ ベ
ー、゛ を逆に通過し、さらに４分の１波長板１１を逆向きに通
過する。最初直線偏光であったレーザ光は、４分の１波
長板を２回通過することになり、その偏光方向を直角に
回転する。従って、戻って来た光は複屈折体９を逆方向
に通過するが、屈折角が異なるため、行きの場合と異な
る光路をとる。コリメートレンズ１ｏに対しても、戻り
光は半導体レーザの出射光に対して傾いて帰って来るた
め半導体レーザには戻って来ないで、その横側に帰って
来る。複屈折体の形状特性を適当に選ぶことによって反
射光を半導体レーザの横に設置したフォトダイオードに
入射させることができる。こうしてフォトダイオードに
よって反射光の信号を検出することができ、光ピツクア
ップとして機能できることになる。
ー、゛ を逆に通過し、さらに４分の１波長板１１を逆向きに通
過する。最初直線偏光であったレーザ光は、４分の１波
長板を２回通過することになり、その偏光方向を直角に
回転する。従って、戻って来た光は複屈折体９を逆方向
に通過するが、屈折角が異なるため、行きの場合と異な
る光路をとる。コリメートレンズ１ｏに対しても、戻り
光は半導体レーザの出射光に対して傾いて帰って来るた
め半導体レーザには戻って来ないで、その横側に帰って
来る。複屈折体の形状特性を適当に選ぶことによって反
射光を半導体レーザの横に設置したフォトダイオードに
入射させることができる。こうしてフォトダイオードに
よって反射光の信号を検出することができ、光ピツクア
ップとして機能できることになる。
以上のように本実施例によれば、半導体レーザと受光素
子を集積化し、複屈折体と４分の１波長板を用いること
により、光ピツクアップの小型軽量化を実現することが
できる。
子を集積化し、複屈折体と４分の１波長板を用いること
により、光ピツクアップの小型軽量化を実現することが
できる。
なお、本実施例では半導体レーザと受光素子をモノリシ
ックに集積化したものとしたが、この集積化は、モノリ
シックＡものに限定されるものでは々く、所定の位置に
隣接１７て設置できるものであれば、ディスクリート素
子をハイブリッドに集積化したものを用いてもよい。ま
た、半導体レーザの構造としては単−横モード発振する
種々の構造のものを用いることができる。さらに、フォ
トダイオードとしては、本実施例では半導体レーザ構造
のものをツーＡｌダイオードとして１［１いたが、ハイ
ブリッドの場合であっては、たとえばＳｔのフォトダイ
オードでも」：い。そして、フォーカスザーボやトラッ
キングザーボのだめのフォトダイオードに種々のザーボ
方式に応じた形態をもたせてもよい。
ックに集積化したものとしたが、この集積化は、モノリ
シックＡものに限定されるものでは々く、所定の位置に
隣接１７て設置できるものであれば、ディスクリート素
子をハイブリッドに集積化したものを用いてもよい。ま
た、半導体レーザの構造としては単−横モード発振する
種々の構造のものを用いることができる。さらに、フォ
トダイオードとしては、本実施例では半導体レーザ構造
のものをツーＡｌダイオードとして１［１いたが、ハイ
ブリッドの場合であっては、たとえばＳｔのフォトダイ
オードでも」：い。そして、フォーカスザーボやトラッ
キングザーボのだめのフォトダイオードに種々のザーボ
方式に応じた形態をもたせてもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体レーザとフォトダイオー
ドを隣接して設置し、複屈折体と４分の１波長板を用い
て光ディスクからの反射光を前記フォトダイオードに入
射させるようにしたもので、光ピツクアップを従来のも
のに比べ小型軽量化することかでき、その実用的効果は
犬なるものがある。さらに半導体レーザに対して戻り光
は少なく雑音が低いという効果も得られる。
ドを隣接して設置し、複屈折体と４分の１波長板を用い
て光ディスクからの反射光を前記フォトダイオードに入
射させるようにしたもので、光ピツクアップを従来のも
のに比べ小型軽量化することかでき、その実用的効果は
犬なるものがある。さらに半導体レーザに対して戻り光
は少なく雑音が低いという効果も得られる。
第１図は本発明の一実施例における光ピツクアップ装置
の構造模式図、第２図は本発明の一実施例に使用した受
光素子集積化半導体レーザの構造図、第３図は従来の光
ピツクアップの一例の構造模式図である。 ８・・・・・・半導体レーザ、９・・・・・・複屈折体
、１ｏ・・・・・・コリメートレンズ、１１・・・・・
・４分の１波長板、１２・・・・・・対物レンズ、１３
・・・・・・光ディスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−Ｎ
の構造模式図、第２図は本発明の一実施例に使用した受
光素子集積化半導体レーザの構造図、第３図は従来の光
ピツクアップの一例の構造模式図である。 ８・・・・・・半導体レーザ、９・・・・・・複屈折体
、１ｏ・・・・・・コリメートレンズ、１１・・・・・
・４分の１波長板、１２・・・・・・対物レンズ、１３
・・・・・・光ディスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名−Ｎ
Claims (4)
- （１）半導体レーザと光検出器と複屈折体と４分の１波
長板を少なくとも具備した光ピックアップ装置。 - （２）半導体レーザと光検出器が同一のパッケージ内に
設置され、かつ前記光検出器の少なくとも１つが前記半
導体レーザの光を直接受けることのない位置に設置され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
ピックアップ装置。 - （３）半導体レーザと光検出器とが同一の半導体基板上
に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光ピツクアップ装置。 - （４）半導体レーザと光検出器とが同一の光軸上にない
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光ピック
アップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225109A JPS6284439A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225109A JPS6284439A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284439A true JPS6284439A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16824118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225109A Pending JPS6284439A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433733A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Sony Corp | Light emitting and receiving conjugated element |
| EP0316866A2 (en) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for detecting a focusing state of optical system |
| JPH0863779A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-03-08 | Daewoo Electron Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741112A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-08 | Daiwa Kogyo Kk | Mesh forming cutter for metal |
| JPS5963037A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学ピツクアツプ装置 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225109A patent/JPS6284439A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741112A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-08 | Daiwa Kogyo Kk | Mesh forming cutter for metal |
| JPS5963037A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学ピツクアツプ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433733A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Sony Corp | Light emitting and receiving conjugated element |
| EP0316866A2 (en) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for detecting a focusing state of optical system |
| JPH0863779A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-03-08 | Daewoo Electron Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
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