JPH09198691A - Ｖｃｓｅｌまたはｖｃｓｅｌアレイを有するｃｄｒｏｍヘッド - Google Patents
Ｖｃｓｅｌまたはｖｃｓｅｌアレイを有するｃｄｒｏｍヘッドInfo
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- JPH09198691A JPH09198691A JP8355614A JP35561496A JPH09198691A JP H09198691 A JPH09198691 A JP H09198691A JP 8355614 A JP8355614 A JP 8355614A JP 35561496 A JP35561496 A JP 35561496A JP H09198691 A JPH09198691 A JP H09198691A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
- G11B7/131—Arrangement of detectors in a multiple array
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- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0943—Methods and circuits for performing mathematical operations on individual detector segment outputs
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1353—Diffractive elements, e.g. holograms or gratings
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- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
- G11B7/0912—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only by push-pull method
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optical Head (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡素化および微小化を可能にする光学ピック
アップ・ヘッド（２０）を提供する。 【解決手段】 光学ピックアップ・ヘッド（２０）はデ
ータ記憶媒体（２１）から情報を読み取る。ピックアッ
プ・ヘッド（２０）は、光ビームを放出するＶＣＳＥＬ
（２９）と、この光ビームをデータ記憶媒体（２１）に
方向付ける合焦素子（２２）と、データ記憶媒体（２
１）から反射された光を受ける受光素子（１４，２５）
と、ビームの位置決めを行うトラッキング素子（２６）
とを含む。
アップ・ヘッド（２０）を提供する。 【解決手段】 光学ピックアップ・ヘッド（２０）はデ
ータ記憶媒体（２１）から情報を読み取る。ピックアッ
プ・ヘッド（２０）は、光ビームを放出するＶＣＳＥＬ
（２９）と、この光ビームをデータ記憶媒体（２１）に
方向付ける合焦素子（２２）と、データ記憶媒体（２
１）から反射された光を受ける受光素子（１４，２５）
と、ビームの位置決めを行うトラッキング素子（２６）
とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、再生用光学ピック
アップ・ヘッド(optical reproducing pickup head) に
関するものである。更に特定すれば、本発明は、半導体
レーザ光源を使用するタイプの再生用光学ピックアップ
・ヘッドに関するものである。
アップ・ヘッド(optical reproducing pickup head) に
関するものである。更に特定すれば、本発明は、半導体
レーザ光源を使用するタイプの再生用光学ピックアップ
・ヘッドに関するものである。
【０００２】更により具体的な態様においては、本発明
は再生用光学ピックアップ・ヘッドにおける微小化のた
めの改良に関するものである。
は再生用光学ピックアップ・ヘッドにおける微小化のた
めの改良に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】コンパクト・ディスク(compact disk)の
ような表面媒体上に記憶されている情報を読み出すため
の再生用光学ピックアップ・ヘッドは既知である。その
一例として、概略的に発光源と光送受信構造体とから成
る従来のピックアップ・ヘッドがある。
ような表面媒体上に記憶されている情報を読み出すため
の再生用光学ピックアップ・ヘッドは既知である。その
一例として、概略的に発光源と光送受信構造体とから成
る従来のピックアップ・ヘッドがある。
【０００４】端的に言えば、従来の再生用光学ピックア
ップ・ヘッドの発光源は、例えば、ＧａＡｌＡｓ（砒化
ガリウム−アルミニウム）のような、二重ヘテロ接合型
半導体で形成された、典型的なダイオード・エッジ発光
レーザ(diode edge emittinglaser)で構成されている。
ダイオード・レーザは、その発光位置において、断面が
細長い矩形を有し、その寸法が約０．５マイクロメート
ルｘ５ないし１０マイクロメートル程度の長さであるレ
ーザ・ビームを発光する構成となっている。受光構造体
は、固体レーザで構成された光学読み取りヘッドを含む
読み取り機構と、レンズ、ミラー、およびプリズムを有
する合焦機構とで構成されている。先ず最初に、直線的
に偏光したビームがビーム整形プリズムを通過し、偏光
ビーム・スプリッタ(polarization beam splitter)によ
って反射されて、１／４波長板に向かい、次にレーザ・
ビームをこの１／４波長に通過させることによって、こ
の偏光を円偏光に変化させる。次に、レーザ・ビームは
トラッキング・ミラー(trackingmirror)によって方向が
変えられ、対物レンズによってディスク上で合焦され
る。
ップ・ヘッドの発光源は、例えば、ＧａＡｌＡｓ（砒化
ガリウム−アルミニウム）のような、二重ヘテロ接合型
半導体で形成された、典型的なダイオード・エッジ発光
レーザ(diode edge emittinglaser)で構成されている。
ダイオード・レーザは、その発光位置において、断面が
細長い矩形を有し、その寸法が約０．５マイクロメート
ルｘ５ないし１０マイクロメートル程度の長さであるレ
ーザ・ビームを発光する構成となっている。受光構造体
は、固体レーザで構成された光学読み取りヘッドを含む
読み取り機構と、レンズ、ミラー、およびプリズムを有
する合焦機構とで構成されている。先ず最初に、直線的
に偏光したビームがビーム整形プリズムを通過し、偏光
ビーム・スプリッタ(polarization beam splitter)によ
って反射されて、１／４波長板に向かい、次にレーザ・
ビームをこの１／４波長に通過させることによって、こ
の偏光を円偏光に変化させる。次に、レーザ・ビームは
トラッキング・ミラー(trackingmirror)によって方向が
変えられ、対物レンズによってディスク上で合焦され
る。
【０００５】光はディスク表面から反射されて１／４波
長板に戻され、更にレーザ・ビームの偏光が円形モード
から直線モードに変化し、偏光ビーム・スプリッタを通
過して、臨界角プリズム(critical angle prism)によっ
て反射される。臨界角プリズムは、ビーム方向を、投影
されたビームに対して直角に変化させる。次に、光はフ
ォトダイオード・アレイ上に向けられる。フォトダイオ
ードの導電機構(conductivity mechanism)による光強度
の変化が、システムに、ピットからランドおよびその逆
の遷移を知らせる。動作の間、ディスクが回転すると、
ピットはレーザ・ビームを分散させ、ランドはそれを反
射する。反射光の方向および量は、ディスク表面がラン
ドからピットへ、およびその逆に変化する際に変化す
る。これらの変化は、読み取り光学系および電子素子に
よって検出されると、「１」を表わす。光電子回路が反
射信号における変化を検出しない場合、これは一連の０
として解釈され、その数はピットまたはランドの長さに
よって異なる。
長板に戻され、更にレーザ・ビームの偏光が円形モード
から直線モードに変化し、偏光ビーム・スプリッタを通
過して、臨界角プリズム(critical angle prism)によっ
て反射される。臨界角プリズムは、ビーム方向を、投影
されたビームに対して直角に変化させる。次に、光はフ
ォトダイオード・アレイ上に向けられる。フォトダイオ
ードの導電機構(conductivity mechanism)による光強度
の変化が、システムに、ピットからランドおよびその逆
の遷移を知らせる。動作の間、ディスクが回転すると、
ピットはレーザ・ビームを分散させ、ランドはそれを反
射する。反射光の方向および量は、ディスク表面がラン
ドからピットへ、およびその逆に変化する際に変化す
る。これらの変化は、読み取り光学系および電子素子に
よって検出されると、「１」を表わす。光電子回路が反
射信号における変化を検出しない場合、これは一連の０
として解釈され、その数はピットまたはランドの長さに
よって異なる。
【０００６】反射光は常に均一で等しくフォトダイオー
ドに分布されている訳ではない。この光強度の変化によ
って、焦点およびトラッキングの調節を行うことができ
る。異なるダイオード対間で光強度の和の相違を計算す
ることによって、システムは焦点およびトラッキング誤
差を補償することができる。
ドに分布されている訳ではない。この光強度の変化によ
って、焦点およびトラッキングの調節を行うことができ
る。異なるダイオード対間で光強度の和の相違を計算す
ることによって、システムは焦点およびトラッキング誤
差を補償することができる。
【０００７】レーザ・ビームを３部分に分割する回折格
子を利用することにより、トラッキング誤差を検出す
る、別の機構を使用することができる。レーザ・ビーム
は、主トラッキング・ビームと２本の弱いビームとに分
割され、主ビームを中央に維持ように弱いビームをトラ
ックの右側および左側で合焦する。
子を利用することにより、トラッキング誤差を検出す
る、別の機構を使用することができる。レーザ・ビーム
は、主トラッキング・ビームと２本の弱いビームとに分
割され、主ビームを中央に維持ように弱いビームをトラ
ックの右側および左側で合焦する。
【０００８】コンパクト・ディスクの表面は、主トラッ
ク・ビームと共にサイド・ビームを反射する。トラッキ
ング・エラーを検出するために、１組の別個のフォトダ
イオードを用いる。サイド・ビームの強度が等しくない
とき、システムはサーボ機構を作動させて光学ヘッドを
移動させ、トラッキング誤差を補正する。
ク・ビームと共にサイド・ビームを反射する。トラッキ
ング・エラーを検出するために、１組の別個のフォトダ
イオードを用いる。サイド・ビームの強度が等しくない
とき、システムはサーボ機構を作動させて光学ヘッドを
移動させ、トラッキング誤差を補正する。
【０００９】上述の光学読み取りヘッドは、エッジ放出
ダイオード・レーザ(edge emittingdiodelaser)として
知られているタイプの半導体レーザ源を使用する。これ
は、コンパクト・ディスク機器の読み取り光学ヘッドに
用いられている、従来のレーザである。しかしながら、
エッジ放出ダイオードは、光学ヘッド素子の微小化を検
討する場合には、ある限界がある。
ダイオード・レーザ(edge emittingdiodelaser)として
知られているタイプの半導体レーザ源を使用する。これ
は、コンパクト・ディスク機器の読み取り光学ヘッドに
用いられている、従来のレーザである。しかしながら、
エッジ放出ダイオードは、光学ヘッド素子の微小化を検
討する場合には、ある限界がある。
【００１０】従来の光学ピックアップ・ヘッドにおいて
は、６個以上の光学素子が動作上必要とされている。こ
れらは、レーザ・ダイオード、ビーム・スプリッタ、回
折格子、反射ミラー、対物レンズ、および最終的にコン
パクト・ディスク表面から反射した光の強度を変換する
フォトダイオード・アレイである。この別個素子の量の
結果、光学ピックアップ・ヘッドは厚く大きなものとな
る。
は、６個以上の光学素子が動作上必要とされている。こ
れらは、レーザ・ダイオード、ビーム・スプリッタ、回
折格子、反射ミラー、対物レンズ、および最終的にコン
パクト・ディスク表面から反射した光の強度を変換する
フォトダイオード・アレイである。この別個素子の量の
結果、光学ピックアップ・ヘッドは厚く大きなものとな
る。
【００１１】従来の光学ピックアップ・ヘッドに対する
改良に、光学ピックアップ・ヘッドを構成する個々の素
子の小型化が図れる、ホログラム・レーザ(hologram la
ser)がある。ホログラム・レーザ・ユニットは、３個の
光学素子のみで構成されるので、光学ピックアップ・ヘ
ッドの微小化を可能とする。ホログラム・レーザ・ユニ
ットは、ホログラム・レーザ・ユニット、反射ミラー、
および対物レンズで構成される。一般的な製造において
は、従来のホログラム・レーザは、レーザ・ダイオード
とフォトダイオードとが、銅製ヒートシンク上に三次元
的に集積された構造を有する。従来のレーザ・パッケー
ジは大きくなるため、携帯用コンパクト・ディスク・プ
レーヤの光学ピックアップ・ヘッドには相応しくない。
改良に、光学ピックアップ・ヘッドを構成する個々の素
子の小型化が図れる、ホログラム・レーザ(hologram la
ser)がある。ホログラム・レーザ・ユニットは、３個の
光学素子のみで構成されるので、光学ピックアップ・ヘ
ッドの微小化を可能とする。ホログラム・レーザ・ユニ
ットは、ホログラム・レーザ・ユニット、反射ミラー、
および対物レンズで構成される。一般的な製造において
は、従来のホログラム・レーザは、レーザ・ダイオード
とフォトダイオードとが、銅製ヒートシンク上に三次元
的に集積された構造を有する。従来のレーザ・パッケー
ジは大きくなるため、携帯用コンパクト・ディスク・プ
レーヤの光学ピックアップ・ヘッドには相応しくない。
【００１２】更に、構造的４５゜ミラー(constructive
45 degreemirror)を有するシリコン（Ｓｉ）光検出基板
上に、レーザ・ダイオード・ホログラム・ユニットを構
成することにより、光学ピックアップ・ヘッドの微小化
において、別の改良が得られている。次いで、このホロ
グラム光学素子は、プラスチック成形された平面パッケ
ージ内でレーザ・ダイオードと一体化される。
45 degreemirror)を有するシリコン（Ｓｉ）光検出基板
上に、レーザ・ダイオード・ホログラム・ユニットを構
成することにより、光学ピックアップ・ヘッドの微小化
において、別の改良が得られている。次いで、このホロ
グラム光学素子は、プラスチック成形された平面パッケ
ージ内でレーザ・ダイオードと一体化される。
【００１３】レーザ・ダイオード・ホログラムはＳｉ光
検出器基板上に構成され、この構造体の製造において必
須の部分は、基板上に構成されレーザ・ダイオードから
放出されたレーザ・ビームを反射する、４５゜マイクロ
ミラーである。レーザ・ダイオードが、この４５゜マイ
クロミラー上にレーザ・ビームを放出すると、レーザ・
ビームは基板に垂直に反射される。Ｓｉ基板上のマイク
ロミラーの構造は、レーザ・ダイオード・ホログラムの
機能にとっては非常に重要である。レーザ・ダイオード
はＳｉ基板の中空面(hollow surface)上に取り付けられ
ているので、その結果平面状で小型の構造体が得られ
る。レーザ・ダイオードおよび光検出器は、マイクロミ
ラーおよびホログラフ光学素子の仲介によって、光学的
に結合可能である。この構成において、レーザ・ダイオ
ードの左側および右側双方に、一対の光検出器を取り付
けることが可能である。
検出器基板上に構成され、この構造体の製造において必
須の部分は、基板上に構成されレーザ・ダイオードから
放出されたレーザ・ビームを反射する、４５゜マイクロ
ミラーである。レーザ・ダイオードが、この４５゜マイ
クロミラー上にレーザ・ビームを放出すると、レーザ・
ビームは基板に垂直に反射される。Ｓｉ基板上のマイク
ロミラーの構造は、レーザ・ダイオード・ホログラムの
機能にとっては非常に重要である。レーザ・ダイオード
はＳｉ基板の中空面(hollow surface)上に取り付けられ
ているので、その結果平面状で小型の構造体が得られ
る。レーザ・ダイオードおよび光検出器は、マイクロミ
ラーおよびホログラフ光学素子の仲介によって、光学的
に結合可能である。この構成において、レーザ・ダイオ
ードの左側および右側双方に、一対の光検出器を取り付
けることが可能である。
【００１４】レーザ・ダイオード・ホログラム・ユニッ
トは、スポット・サイズ検出方法を利用して、サーボ機
構を用いてレーザ・ビームの合焦を行う。エッジ放出ダ
イオード・レーザから放出されたレーザ・ビームは、マ
イクロミラーによって、Ｓｉ光検出基板に垂直に反射さ
れる。このレーザ・ビームは、ホログラム光学素子上の
格子パターンを通過し、その際に格子パターンは主レー
ザを３本のビームに分割する。これら３本のビームはホ
ログラム光学素子の下面を通過する。３本のビームは、
合焦用対物レンズによって、コンパクト・ディスク上で
合焦される。コンパクト・ディスクの反射面からの各反
射ビームは、一対の光検出器上で検出される。各光検出
器は、信号を検出するための５個の素子を有する。これ
らの信号は、光学ヘッド機構によって用いられ、ＦＥＳ
（合焦誤差信号）、ＴＥＳ（トラッキング誤差信号）、
およびＲＦＳ（データ信号）のような信号の合焦を行
う。これら様々な合焦およびトラッキング補正用信号
は、数学的に以下のように記述される。
トは、スポット・サイズ検出方法を利用して、サーボ機
構を用いてレーザ・ビームの合焦を行う。エッジ放出ダ
イオード・レーザから放出されたレーザ・ビームは、マ
イクロミラーによって、Ｓｉ光検出基板に垂直に反射さ
れる。このレーザ・ビームは、ホログラム光学素子上の
格子パターンを通過し、その際に格子パターンは主レー
ザを３本のビームに分割する。これら３本のビームはホ
ログラム光学素子の下面を通過する。３本のビームは、
合焦用対物レンズによって、コンパクト・ディスク上で
合焦される。コンパクト・ディスクの反射面からの各反
射ビームは、一対の光検出器上で検出される。各光検出
器は、信号を検出するための５個の素子を有する。これ
らの信号は、光学ヘッド機構によって用いられ、ＦＥＳ
（合焦誤差信号）、ＴＥＳ（トラッキング誤差信号）、
およびＲＦＳ（データ信号）のような信号の合焦を行
う。これら様々な合焦およびトラッキング補正用信号
は、数学的に以下のように記述される。
【００１５】ＦＥＳ＝［１＋３＋５］−［２＋４＋６］ ＴＥＳ＝［Ｔ１−Ｔ２］＋［Ｔ３−Ｔ４］ ＲＦＳ＝［１＋３＋５］＋［２＋４＋６］ レーザ・ダイオード・ホログラムの生産において必須の
要素は、Ｓｉ基板上に平坦な光学面を有するマイクロミ
ラーを正確に製造することである。シリコン基板上で正
確な４５゜の角度を得る方法は、この角度でシリコン基
板にエッチングを行うことである。異方性エッチングさ
れたＳｉ基板の断面は、＜１１１＞平面を有し、＜１０
０＞面からの角度は５４゜である。二段階プロセスにお
いて、既に９゜だけ＜１１０＞面に向かって傾斜してい
る＜１００＞面を有するＳｉ基板に、化学的エッチング
による異方性エッチングを行うと、その結果、レーザ・
ビームを適正に反射するために必要な４５゜の表面が得
られる。マイクロミラーを製造する際に、レーザ・チッ
プの頂角(top corner)は除去される。
要素は、Ｓｉ基板上に平坦な光学面を有するマイクロミ
ラーを正確に製造することである。シリコン基板上で正
確な４５゜の角度を得る方法は、この角度でシリコン基
板にエッチングを行うことである。異方性エッチングさ
れたＳｉ基板の断面は、＜１１１＞平面を有し、＜１０
０＞面からの角度は５４゜である。二段階プロセスにお
いて、既に９゜だけ＜１１０＞面に向かって傾斜してい
る＜１００＞面を有するＳｉ基板に、化学的エッチング
による異方性エッチングを行うと、その結果、レーザ・
ビームを適正に反射するために必要な４５゜の表面が得
られる。マイクロミラーを製造する際に、レーザ・チッ
プの頂角(top corner)は除去される。
【００１６】薄く、小さいポケット・サイズのコンパク
ト・ディスク・プレーヤを実現するためには、かかるデ
ィスク・プレーヤの光学ピックアップ・ヘッドの微小化
を図る必要がある。従来の光学ピックアップ・ヘッド
は、多くの素子を含んでいるため、大きな構造体が必要
となる。エッジ放出レーザ・ダイオードやホログラム・
ユニットは、光学ピックアップ・ヘッドの微小化を可能
にする。しかしながら、このユニットの設計は、レーザ
・ビームを基板に垂直な方向に転換させるために、マイ
クロミラーをＳｉ光検出基板上に構成しなければならな
い。マイクロミラーを構成するには、費用がかかりしか
も労働集約的な製造プロセスを伴うことになる。
ト・ディスク・プレーヤを実現するためには、かかるデ
ィスク・プレーヤの光学ピックアップ・ヘッドの微小化
を図る必要がある。従来の光学ピックアップ・ヘッド
は、多くの素子を含んでいるため、大きな構造体が必要
となる。エッジ放出レーザ・ダイオードやホログラム・
ユニットは、光学ピックアップ・ヘッドの微小化を可能
にする。しかしながら、このユニットの設計は、レーザ
・ビームを基板に垂直な方向に転換させるために、マイ
クロミラーをＳｉ光検出基板上に構成しなければならな
い。マイクロミラーを構成するには、費用がかかりしか
も労働集約的な製造プロセスを伴うことになる。
【００１７】従来の光学再生用ピックアップ・ヘッドや
基板実装型エッジ放出ピックアップ・ヘッドを含む前述
の手段は、表面媒体上に記憶されている情報の適切なピ
ックアップおよび再生を可能にするものである。しかし
ながら、その構成は、全て満足のいくものではないこと
が証明されている。例えば、従来のピックアップ・ヘッ
ドには、微小化には余りにも多くの個別素子が含まれて
いる。エッジ放出レーザ・ホログラム・ピックアップ・
ヘッドは、マイクロミラーを作成するために、多量のシ
リコン基板エッチング作業を必要とする。
基板実装型エッジ放出ピックアップ・ヘッドを含む前述
の手段は、表面媒体上に記憶されている情報の適切なピ
ックアップおよび再生を可能にするものである。しかし
ながら、その構成は、全て満足のいくものではないこと
が証明されている。例えば、従来のピックアップ・ヘッ
ドには、微小化には余りにも多くの個別素子が含まれて
いる。エッジ放出レーザ・ホログラム・ピックアップ・
ヘッドは、マイクロミラーを作成するために、多量のシ
リコン基板エッチング作業を必要とする。
【００１８】したがって、従来技術に固有の前述のおよ
びその他の不完全性を補うことができれば、非常に有利
であろう。
びその他の不完全性を補うことができれば、非常に有利
であろう。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、光学再生用ピックアップ・ヘッドにおける改良
をもたらすことである。
目的は、光学再生用ピックアップ・ヘッドにおける改良
をもたらすことである。
【００２０】本発明の他の目的は、特に光学ピックアッ
プ・ヘッドのトラッキング系に用いるのに適した改良を
もたらすことである。
プ・ヘッドのトラッキング系に用いるのに適した改良を
もたらすことである。
【００２１】本発明の他の目的は、エッジ放出レーザ・
ホログラムを用いたホログラム光学再生用ヘッドのため
に、改良された手段を提供することである。
ホログラムを用いたホログラム光学再生用ヘッドのため
に、改良された手段を提供することである。
【００２２】本発明の更に他の目的は、垂直空洞レーザ
・ホログラム光学ピックアップ・ヘッド(vertical cavi
ty laser hologram optical pickup head)のトラッキン
グ系のために、改良された手段を提供することである。
・ホログラム光学ピックアップ・ヘッド(vertical cavi
ty laser hologram optical pickup head)のトラッキン
グ系のために、改良された手段を提供することである。
【００２３】本発明の更に別の目的は、比較的素子が少
ない、簡素化された光学ピックアップ・ヘッドを提供す
ることである。
ない、簡素化された光学ピックアップ・ヘッドを提供す
ることである。
【００２４】本発明の更に別の目的は、微小化が可能な
光学ピックアップ・ヘッドを提供することである。
光学ピックアップ・ヘッドを提供することである。
【００２５】本発明の更にまた別の目的は、光学ピック
アップ・ヘッドの大幅なコスト削減を図った、前述によ
る手段および改良を提供することである。
アップ・ヘッドの大幅なコスト削減を図った、前述によ
る手段および改良を提供することである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】端的に言えば、本発明の
望ましい目的を達成するために、その好適実施例によれ
ば、データ記憶媒体から情報を読み出すための光学ピッ
クアップ・ヘッドが提供される。このピックアップ・ヘ
ッドは、光ビームを放出する垂直空洞表面放出レーザ
（ＶＣＳＥＬ）と、光ビームをデータ記憶媒体上に方向
付ける合焦手段と、データ記憶媒体から反射された光を
受ける受光手段と、トラッキング手段とを含む。
望ましい目的を達成するために、その好適実施例によれ
ば、データ記憶媒体から情報を読み出すための光学ピッ
クアップ・ヘッドが提供される。このピックアップ・ヘ
ッドは、光ビームを放出する垂直空洞表面放出レーザ
（ＶＣＳＥＬ）と、光ビームをデータ記憶媒体上に方向
付ける合焦手段と、データ記憶媒体から反射された光を
受ける受光手段と、トラッキング手段とを含む。
【００２７】より具体的な実施例では、トラッキング手
段は、ＶＣＳＥＬと合焦手段との中間に配置されたビー
ム・スプリッタを含む。合焦手段は、ビーム経路に沿っ
て直列に配置された、１／４波長板と合焦レンズとを含
む。受光手段は、データ記憶媒体からの光を受ける、複
数の光検出器を含む。
段は、ＶＣＳＥＬと合焦手段との中間に配置されたビー
ム・スプリッタを含む。合焦手段は、ビーム経路に沿っ
て直列に配置された、１／４波長板と合焦レンズとを含
む。受光手段は、データ記憶媒体からの光を受ける、複
数の光検出器を含む。
【００２８】他の実施例によれば、光学ピックアップ・
ヘッドは、更に、基板を含み、この基板はＶＣＳＥＬを
受容するための凹部を有し、光検出器を含む。光検出器
は、基板内に形成された複数のフォトダイオードを含
み、合焦手段はビーム経路内に配置されたホログラムを
含む。
ヘッドは、更に、基板を含み、この基板はＶＣＳＥＬを
受容するための凹部を有し、光検出器を含む。光検出器
は、基板内に形成された複数のフォトダイオードを含
み、合焦手段はビーム経路内に配置されたホログラムを
含む。
【００２９】光学ピックアップ・ヘッドの更により具体
的な実施例によれば、トラッキング手段は、ＶＣＳＥＬ
の両対向側に配置され、ＶＣＳＥＬが放出するビームに
ほぼ平行な光ビームを放出する、第１トラッキングＶＣ
ＳＬＥと第２トラッキングＶＣＳＥＬとを含む。
的な実施例によれば、トラッキング手段は、ＶＣＳＥＬ
の両対向側に配置され、ＶＣＳＥＬが放出するビームに
ほぼ平行な光ビームを放出する、第１トラッキングＶＣ
ＳＬＥと第２トラッキングＶＣＳＥＬとを含む。
【００３０】本発明の上述のおよび更に別の目的および
利点、ならびにより具体的な目的および利点は、添付図
面と関連付けられた以下の好適実施例の詳細な説明か
ら、当業者には容易に明白となろう。
利点、ならびにより具体的な目的および利点は、添付図
面と関連付けられた以下の好適実施例の詳細な説明か
ら、当業者には容易に明白となろう。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施例について説明する。尚、図面においては、同様
の参照文字は、種々の図面にわたって、対応する素子を
示すものとする。まず最初に図１に注目すると、従来の
エッジ放出レーザ光学ピックアップ・ヘッド１０が示さ
れている。エッジ放出レーザ・ダイオード１９は、コリ
メート・レンズ１８およびビーム整形用プリズム１７を
通過する経路に沿って、レーザ・ビームを放出する。次
に、レーザ・ビームは、偏光ビーム・スプリッタ１４に
よって反射されて１／４波長板１３に向けられ、この１
／４波長板１３が更にレーザの偏光を変化させ、対物レ
ンズ１２によって、コンパクト・ディスク１１の表面の
ような、データ記憶媒体上にレーザ・ビームを合焦させ
る。レーザ・ビームはコンパクト・ディスク１１から反
射され、１／４波長板１３を通過する。１／４波長板１
３は更にレーザ・ビームの偏光を変化させる。レーザ・
ビームは臨界角プリズム(critical angle prism)１５に
よって反射され、投影時のビームに対して直角に、ビー
ムの方向が変化する。こうして、光はフォトダイオード
のアレイの方向に送出される。四分光検出プレート(qua
drant photodetector plate)１６上のフォトダイオード
の導電機構(conductivity mechanism)による光強度の変
化が、ピットからランドへの遷移およびその逆を、シス
テムに知らせることになる。これは、従来の構成におけ
るエッジ放出ダイオード・レーザ光学ピックアップ・ヘ
ッド１０の機構を説明するものである。レーザ・ビーム
は、異方性発散角(anisotropic divergingangle)を有す
る発散ビーム(diverging beam)である。レーザ・ダイオ
ード１９からの発散ビームは、直線的に偏光したレーザ
・ビームであり、コリメート・レンズ１９上に到達し、
ここでほぼ平行な光線のビームに変換され、更に、レー
ザ・ビームの整形のために、ビーム整形プリズム１７に
向けて送出される。次に、レーザ・ビームは偏光ビーム
・スプリッタ１４上に送出される。更に、ビーム・スプ
リッタ１４からの直線偏光レーザ・ビームは１４波長板
１３に入射し、ここでレーザ・ビームは円形偏光レーザ
・ビームに変換され、続いて対物合焦レンズ１２に到達
する。対物レンズ１２を通過したビームは、ほぼ円形の
断面形状を有する合焦ビームであり、直径が約１マイク
ロメートルのスポットを有し、コンパクト・ディスク１
１上で合焦される。
の実施例について説明する。尚、図面においては、同様
の参照文字は、種々の図面にわたって、対応する素子を
示すものとする。まず最初に図１に注目すると、従来の
エッジ放出レーザ光学ピックアップ・ヘッド１０が示さ
れている。エッジ放出レーザ・ダイオード１９は、コリ
メート・レンズ１８およびビーム整形用プリズム１７を
通過する経路に沿って、レーザ・ビームを放出する。次
に、レーザ・ビームは、偏光ビーム・スプリッタ１４に
よって反射されて１／４波長板１３に向けられ、この１
／４波長板１３が更にレーザの偏光を変化させ、対物レ
ンズ１２によって、コンパクト・ディスク１１の表面の
ような、データ記憶媒体上にレーザ・ビームを合焦させ
る。レーザ・ビームはコンパクト・ディスク１１から反
射され、１／４波長板１３を通過する。１／４波長板１
３は更にレーザ・ビームの偏光を変化させる。レーザ・
ビームは臨界角プリズム(critical angle prism)１５に
よって反射され、投影時のビームに対して直角に、ビー
ムの方向が変化する。こうして、光はフォトダイオード
のアレイの方向に送出される。四分光検出プレート(qua
drant photodetector plate)１６上のフォトダイオード
の導電機構(conductivity mechanism)による光強度の変
化が、ピットからランドへの遷移およびその逆を、シス
テムに知らせることになる。これは、従来の構成におけ
るエッジ放出ダイオード・レーザ光学ピックアップ・ヘ
ッド１０の機構を説明するものである。レーザ・ビーム
は、異方性発散角(anisotropic divergingangle)を有す
る発散ビーム(diverging beam)である。レーザ・ダイオ
ード１９からの発散ビームは、直線的に偏光したレーザ
・ビームであり、コリメート・レンズ１９上に到達し、
ここでほぼ平行な光線のビームに変換され、更に、レー
ザ・ビームの整形のために、ビーム整形プリズム１７に
向けて送出される。次に、レーザ・ビームは偏光ビーム
・スプリッタ１４上に送出される。更に、ビーム・スプ
リッタ１４からの直線偏光レーザ・ビームは１４波長板
１３に入射し、ここでレーザ・ビームは円形偏光レーザ
・ビームに変換され、続いて対物合焦レンズ１２に到達
する。対物レンズ１２を通過したビームは、ほぼ円形の
断面形状を有する合焦ビームであり、直径が約１マイク
ロメートルのスポットを有し、コンパクト・ディスク１
１上で合焦される。
【００３２】コンパクト・ディスク１１上には、ディス
ク表面上に刻設されたランドおよびピットによって情報
が符号化されている。ランドおよびピットは、ディスク
表面上に記憶されている情報の記録のために、合焦状態
のレーザ・ビームを反射させるか、あるいはこのビーム
を発散させる。ディスク表面から反射されたビームは、
対物レンズ１２を通過して、１／４波長板１３に衝突
し、これによって円形偏光ビームから直線偏光ビームに
再び変換される。１／４波長板１３からの変換ビーム
は、ビーム・スプリッタ１４によって反射され、臨界角
プリズム１５に衝突し、四分光検出器１６上に偏向さ
れ、データ信号が得られる。
ク表面上に刻設されたランドおよびピットによって情報
が符号化されている。ランドおよびピットは、ディスク
表面上に記憶されている情報の記録のために、合焦状態
のレーザ・ビームを反射させるか、あるいはこのビーム
を発散させる。ディスク表面から反射されたビームは、
対物レンズ１２を通過して、１／４波長板１３に衝突
し、これによって円形偏光ビームから直線偏光ビームに
再び変換される。１／４波長板１３からの変換ビーム
は、ビーム・スプリッタ１４によって反射され、臨界角
プリズム１５に衝突し、四分光検出器１６上に偏向さ
れ、データ信号が得られる。
【００３３】四分光検出器１６は、４個の光検出素子か
ら成り、これらは同一の寸法を有する。四分光検出器１
６に供給される入射光のスポットは、合焦レンズ１２の
動作によって、楕円から真円を通って再び楕円にと、そ
の形状が変化する。焦点の調節は、光検出器Ｄ1,Ｄ 2か
らの和信号を利用し、光検出器Ｄ3,Ｄ 4からの信号の和
を減算することによって行われる。また、合焦レンズ１
２の調節は、各側からの信号の和を求めることによって
行う。即ち、四分円の一方の半球上に配された２個の対
向する光検出素子における再生信号の和と、第２の半球
上の２個の光検出素子における再生信号の和との間の差
を求める。合焦誤差信号は、対物合焦レンズ１２を移動
させる制御装置に適している。トラッキング誤差信号
は、また、左側の和としての光検出器Ｄ1 ，Ｄ3 の和、
および右側の和としての光検出器Ｄ2,Ｄ 4の和によって
示されるように、左右各側の２個の光検出素子における
再生信号の和の間の差を利用して、得ることも可能であ
る。合焦誤差は、左側の信号の和と右側の信号の和との
間の差である。このトラッキング誤差信号によって、四
分円光検出器１６の左側および右側からの光検出器信号
における差から０信号を発生するように、対物合焦レン
ズ１２または光学系全体を制御する。
ら成り、これらは同一の寸法を有する。四分光検出器１
６に供給される入射光のスポットは、合焦レンズ１２の
動作によって、楕円から真円を通って再び楕円にと、そ
の形状が変化する。焦点の調節は、光検出器Ｄ1,Ｄ 2か
らの和信号を利用し、光検出器Ｄ3,Ｄ 4からの信号の和
を減算することによって行われる。また、合焦レンズ１
２の調節は、各側からの信号の和を求めることによって
行う。即ち、四分円の一方の半球上に配された２個の対
向する光検出素子における再生信号の和と、第２の半球
上の２個の光検出素子における再生信号の和との間の差
を求める。合焦誤差信号は、対物合焦レンズ１２を移動
させる制御装置に適している。トラッキング誤差信号
は、また、左側の和としての光検出器Ｄ1 ，Ｄ3 の和、
および右側の和としての光検出器Ｄ2,Ｄ 4の和によって
示されるように、左右各側の２個の光検出素子における
再生信号の和の間の差を利用して、得ることも可能であ
る。合焦誤差は、左側の信号の和と右側の信号の和との
間の差である。このトラッキング誤差信号によって、四
分円光検出器１６の左側および右側からの光検出器信号
における差から０信号を発生するように、対物合焦レン
ズ１２または光学系全体を制御する。
【００３４】図２は、ＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘ
ッドの実施例であり、全体的に２０で示されている。垂
直表面放出レーザ２９は、コリメート・レンズ２８を通
過する経路に沿って、レーザ・ビームを放出する。次
に、レーザ・ビームは偏光ビーム・スプリッタ２４によ
って反射されて、１／４波長板２３に向けられ、この１
／４波長板２３が更にレーザの偏光を変化させ、対物レ
ンズ２２によって、コンパクト・ディスク２１の表面上
にレーザ・ビームを合焦させる。読み取りにレーザを用
いるあらゆるデータ記憶媒体が、本発明によって読み取
り可能であることは、当業者には容易に理解されよう。
レーザ・ビームはコンパクト・ディスク２１から反射さ
れ、１／４波長板２３を通過する。１／４波長板２３は
更にレーザ・ビームの偏光を変化させる。レーザ・ビー
ムは臨界角プリズム(critical angle prism)２５によっ
て反射され、投影時のビームに対して直角に、ビームの
方向が変化する。こうして、光はフォトダイオードのア
レイの方向に送出される。四分光検出プレート２６上の
フォトダイオードの導電機構による光強度の変化が、ピ
ットからランドへの遷移およびその逆を、システムに知
らせることになる。これは、本発明の教示によって構成
されたＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド２０の機構
を説明するものである。
ッドの実施例であり、全体的に２０で示されている。垂
直表面放出レーザ２９は、コリメート・レンズ２８を通
過する経路に沿って、レーザ・ビームを放出する。次
に、レーザ・ビームは偏光ビーム・スプリッタ２４によ
って反射されて、１／４波長板２３に向けられ、この１
／４波長板２３が更にレーザの偏光を変化させ、対物レ
ンズ２２によって、コンパクト・ディスク２１の表面上
にレーザ・ビームを合焦させる。読み取りにレーザを用
いるあらゆるデータ記憶媒体が、本発明によって読み取
り可能であることは、当業者には容易に理解されよう。
レーザ・ビームはコンパクト・ディスク２１から反射さ
れ、１／４波長板２３を通過する。１／４波長板２３は
更にレーザ・ビームの偏光を変化させる。レーザ・ビー
ムは臨界角プリズム(critical angle prism)２５によっ
て反射され、投影時のビームに対して直角に、ビームの
方向が変化する。こうして、光はフォトダイオードのア
レイの方向に送出される。四分光検出プレート２６上の
フォトダイオードの導電機構による光強度の変化が、ピ
ットからランドへの遷移およびその逆を、システムに知
らせることになる。これは、本発明の教示によって構成
されたＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド２０の機構
を説明するものである。
【００３５】ＶＣＳＥＬ２９からのレーザ・ビームは、
コリメート・レンズ２８を通過し、偏光ビーム・スプリ
ッタ２４に向けられる。次に、ビーム・スプリッタ２４
からの直線偏光レーザ・ビームは、１／４波長板２３に
衝突し、対物レンズ２２を通過する。合焦ビームはほぼ
円形の断面形状を有する合焦ビームであり、直径が約１
マイクロメートルのスポットを有し、コンパクト・ディ
スク２１上で合焦される。
コリメート・レンズ２８を通過し、偏光ビーム・スプリ
ッタ２４に向けられる。次に、ビーム・スプリッタ２４
からの直線偏光レーザ・ビームは、１／４波長板２３に
衝突し、対物レンズ２２を通過する。合焦ビームはほぼ
円形の断面形状を有する合焦ビームであり、直径が約１
マイクロメートルのスポットを有し、コンパクト・ディ
スク２１上で合焦される。
【００３６】コンパクト・ディスク２１上には、ディス
ク表面上に刻設されたランドおよびピットによって情報
が符号化されている。ランドおよびピットは、ディスク
表面上に記憶されている情報の記録のために、合焦状態
のレーザ・ビームを反射させるか、あるいはビームを発
散させる。ディスク表面から反射されたビームは、対物
レンズ２２を通過して、１／４波長板２３に衝突し、こ
れによって円形偏光ビームから直線偏光ビームに再び変
換される。１／４波長板２３からの変換ビームは、ビー
ム・スプリッタ２４によって反射され、臨界角プリズム
２５に衝突し、四分光検出器２６上に偏向され、データ
信号が得られる。
ク表面上に刻設されたランドおよびピットによって情報
が符号化されている。ランドおよびピットは、ディスク
表面上に記憶されている情報の記録のために、合焦状態
のレーザ・ビームを反射させるか、あるいはビームを発
散させる。ディスク表面から反射されたビームは、対物
レンズ２２を通過して、１／４波長板２３に衝突し、こ
れによって円形偏光ビームから直線偏光ビームに再び変
換される。１／４波長板２３からの変換ビームは、ビー
ム・スプリッタ２４によって反射され、臨界角プリズム
２５に衝突し、四分光検出器２６上に偏向され、データ
信号が得られる。
【００３７】四分光検出器２６は、４個の光検出素子か
ら成り、これらは同一の寸法を有する。四分光検出器２
６に供給される入射光のスポットは、合焦レンズ２２の
動作によって、楕円から真円を通って再び楕円にと、そ
の形状が変化する。焦点の調節は、光検出器Ｄ1,Ｄ 2か
らの和信号を利用し、光検出器Ｄ3,Ｄ 4からの信号の和
を減算することによって行われる。また、合焦レンズ２
２の調節は、各側からの信号の和を求めることによって
行う。即ち、四分円の一方の半球上に配された２個の対
向する光検出素子における再生信号の和と、第２の半球
上の２個の光検出素子における再生信号の和との間の差
を求める。合焦誤差信号は、対物合焦レンズ２２を移動
させる制御装置に適している。トラッキング誤差信号
は、また、左側の和としての光検出器Ｄ1 ，Ｄ3 の和、
および右側の和としての光検出器Ｄ2,Ｄ 4の和によって
示されるように、左右各側の２個の光検出素子における
再生信号の和の間の差を利用して、得ることも可能であ
る。合焦誤差は、左側の信号の和と右側の信号の和との
間の差である。このトラッキング誤差信号によって、四
分円光検出器２６の左側および右側からの光検出器信号
における差から０信号を発生するように、対物合焦レン
ズ２２または光学系全体を制御する。
ら成り、これらは同一の寸法を有する。四分光検出器２
６に供給される入射光のスポットは、合焦レンズ２２の
動作によって、楕円から真円を通って再び楕円にと、そ
の形状が変化する。焦点の調節は、光検出器Ｄ1,Ｄ 2か
らの和信号を利用し、光検出器Ｄ3,Ｄ 4からの信号の和
を減算することによって行われる。また、合焦レンズ２
２の調節は、各側からの信号の和を求めることによって
行う。即ち、四分円の一方の半球上に配された２個の対
向する光検出素子における再生信号の和と、第２の半球
上の２個の光検出素子における再生信号の和との間の差
を求める。合焦誤差信号は、対物合焦レンズ２２を移動
させる制御装置に適している。トラッキング誤差信号
は、また、左側の和としての光検出器Ｄ1 ，Ｄ3 の和、
および右側の和としての光検出器Ｄ2,Ｄ 4の和によって
示されるように、左右各側の２個の光検出素子における
再生信号の和の間の差を利用して、得ることも可能であ
る。合焦誤差は、左側の信号の和と右側の信号の和との
間の差である。このトラッキング誤差信号によって、四
分円光検出器２６の左側および右側からの光検出器信号
における差から０信号を発生するように、対物合焦レン
ズ２２または光学系全体を制御する。
【００３８】ＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド２０
は、従来のエッジ放出ダイオード・レーザ１９において
用いられていたプリズム１７を必要としない、垂直空洞
表面放出レーザ２９を組み込むことによって、従来のエ
ッジ放出レーザ光学ヘッド１０の改良を図るものであ
る。垂直空洞表面放出レーザ２９によって放出されるレ
ーザ・ビームは良質であり、しかもビーム整形部リズム
１７を必要としない。
は、従来のエッジ放出ダイオード・レーザ１９において
用いられていたプリズム１７を必要としない、垂直空洞
表面放出レーザ２９を組み込むことによって、従来のエ
ッジ放出レーザ光学ヘッド１０の改良を図るものであ
る。垂直空洞表面放出レーザ２９によって放出されるレ
ーザ・ビームは良質であり、しかもビーム整形部リズム
１７を必要としない。
【００３９】事実上全ての構成におけるＶＣＳＥＬ２９
の基本は、２つのミラー・スタック間に狭持されている
活性領域である。ＶＣＳＥＬ２９を活性化するには、電
流を駆動してミラー・スタックおよび活性領域を通過さ
せる必要がある。一般的に、これを達成するには、レー
ザの一端においてミラー・スタックを横切る第１電極を
配置し、レーザの他端においてミラー・スタックを横切
る第２電極を配する。これら電極の一方は、通常、光放
出のための中央開口を規定する。
の基本は、２つのミラー・スタック間に狭持されている
活性領域である。ＶＣＳＥＬ２９を活性化するには、電
流を駆動してミラー・スタックおよび活性領域を通過さ
せる必要がある。一般的に、これを達成するには、レー
ザの一端においてミラー・スタックを横切る第１電極を
配置し、レーザの他端においてミラー・スタックを横切
る第２電極を配する。これら電極の一方は、通常、光放
出のための中央開口を規定する。
【００４０】従来の光学ピックアップ・ヘッド１０に対
する１つの改良は、光学ピックアップ・ヘッドを構成す
る個別素子の減少を可能にする、ホログラム・レーザ・
ユニットである。図３は、光学ピックアップ・ヘッドの
部分３０の微小化において得られた、更に別の改良を示
す。この改良は、エッジ放出ダイオード３２からのレー
ザ・ビームを反射させて基板３１に対して垂直なビーム
とする、構造的４５゜角度マイクロミラー３４を有する
シリコン光検出基板３４上に、エッジ放出レーザ・ダイ
オード・ユニット３２を構成することによって得られ
た。この構成において、シリコン基板３１上に２つの光
検出素子３３を形成することが可能である。レーザ・ダ
イオード３２はシリコン光検出基板３１上に構成され
る。この構造体の製造における必須の部分は、図４に示
すように、放出されたレーザ・ビームを反射するように
基板３１上に構成された、４５゜マイクロミラー３４で
ある。エッジ放出レーザ・ダイオード３２は、シリコン
基板３１上にエッチングで形成された４５゜マイクロミ
ラー３４に向けて、レーザ・ビームを放出する。部分３
０の生産における必須の要素は、シリコン基板３１上
に、光学的に平坦な表面を有するマイクロミラー３４を
正確に作成することである。シリコン基板３１上に正確
な４５゜の角度を得る方法は、シリコン基板３１上にあ
る角度でエッチングすることである。異方性エッチング
が行われたシリコン基板の断面は、＜１１１＞平面を有
し、＜１００＞面からの角度は５４゜である。二段階プ
ロセスにおいて、既に９゜だけ＜１１０＞面に向かって
傾斜している＜１００＞面を有するＳｉ基板に、化学的
エッチングによる異方性エッチングを行うと、その結
果、レーザ・ビームを適正に反射するために必要な４５
゜の表面が得られる。マイクロミラー３４を形成する際
の製造の詳細を更に説明すると、レーザ・チップの頂角
は除去される。
する１つの改良は、光学ピックアップ・ヘッドを構成す
る個別素子の減少を可能にする、ホログラム・レーザ・
ユニットである。図３は、光学ピックアップ・ヘッドの
部分３０の微小化において得られた、更に別の改良を示
す。この改良は、エッジ放出ダイオード３２からのレー
ザ・ビームを反射させて基板３１に対して垂直なビーム
とする、構造的４５゜角度マイクロミラー３４を有する
シリコン光検出基板３４上に、エッジ放出レーザ・ダイ
オード・ユニット３２を構成することによって得られ
た。この構成において、シリコン基板３１上に２つの光
検出素子３３を形成することが可能である。レーザ・ダ
イオード３２はシリコン光検出基板３１上に構成され
る。この構造体の製造における必須の部分は、図４に示
すように、放出されたレーザ・ビームを反射するように
基板３１上に構成された、４５゜マイクロミラー３４で
ある。エッジ放出レーザ・ダイオード３２は、シリコン
基板３１上にエッチングで形成された４５゜マイクロミ
ラー３４に向けて、レーザ・ビームを放出する。部分３
０の生産における必須の要素は、シリコン基板３１上
に、光学的に平坦な表面を有するマイクロミラー３４を
正確に作成することである。シリコン基板３１上に正確
な４５゜の角度を得る方法は、シリコン基板３１上にあ
る角度でエッチングすることである。異方性エッチング
が行われたシリコン基板の断面は、＜１１１＞平面を有
し、＜１００＞面からの角度は５４゜である。二段階プ
ロセスにおいて、既に９゜だけ＜１１０＞面に向かって
傾斜している＜１００＞面を有するＳｉ基板に、化学的
エッチングによる異方性エッチングを行うと、その結
果、レーザ・ビームを適正に反射するために必要な４５
゜の表面が得られる。マイクロミラー３４を形成する際
の製造の詳細を更に説明すると、レーザ・チップの頂角
は除去される。
【００４１】従来の光学ピックアップ・ヘッド１０に対
する更に別の改良は、ホログラム光学素子５５を含ませ
ることによって、図５に示すようなエッジ放出ダイオー
ド・レーザ・ホログラム光学ピックアップ・ヘッド５０
を完成し、光学ピックアップ・ヘッド１０を構成する個
別素子の減少を可能とすることである。エッジ放出ダイ
オード・レーザ・ホログラム光学ピックアップ・ヘッド
５０はエッジ放出ダイオード・レーザ３２を有するホロ
グラム光学素子５５と、シリコン光検出基板３１上にエ
ッチングで形成され、ホログラム光学素子５５のホログ
ラム表面を介してレーザ・ビームを反射する４５゜反射
マイクロミラー３４とで構成されている。
する更に別の改良は、ホログラム光学素子５５を含ませ
ることによって、図５に示すようなエッジ放出ダイオー
ド・レーザ・ホログラム光学ピックアップ・ヘッド５０
を完成し、光学ピックアップ・ヘッド１０を構成する個
別素子の減少を可能とすることである。エッジ放出ダイ
オード・レーザ・ホログラム光学ピックアップ・ヘッド
５０はエッジ放出ダイオード・レーザ３２を有するホロ
グラム光学素子５５と、シリコン光検出基板３１上にエ
ッチングで形成され、ホログラム光学素子５５のホログ
ラム表面を介してレーザ・ビームを反射する４５゜反射
マイクロミラー３４とで構成されている。
【００４２】図６は、本発明の教示にしたがって構成さ
れた、垂直空洞表面放出レーザ光学ピックアップ・ヘッ
ドの他の実施例であり、全体的に６０で示されている。
光学ピックアップ・ヘッド６０は、ある経路に沿ってレ
ーザ・ビームを放出するＶＣＳＥＬ６２を含み、半導体
基板６１上の凹部６４内に載置されている。ピックアッ
プ・ヘッド６０は、更に、格子６６を有するホログラム
光学素子６５を含み、主レーザ・ビームを全多岐的に３
つの別個部分に分割する。尚、ホログラム領域は合焦用
レンズ素子とビームの偏光を変化させる板素子とを一体
的に含むので、ホログラム素子６５はレンズおよび１／
４波長板と同様に作用することは理解されよう。分割さ
れたビームは光検出器６３上で反射される。光検出器６
３は各々５個の素子で構成されており、各素子が光検出
器となっている。これらの素子は実質的に既知の光検出
器のいずれでもよいが、好ましくはフォトダイオードか
ら成るものである。
れた、垂直空洞表面放出レーザ光学ピックアップ・ヘッ
ドの他の実施例であり、全体的に６０で示されている。
光学ピックアップ・ヘッド６０は、ある経路に沿ってレ
ーザ・ビームを放出するＶＣＳＥＬ６２を含み、半導体
基板６１上の凹部６４内に載置されている。ピックアッ
プ・ヘッド６０は、更に、格子６６を有するホログラム
光学素子６５を含み、主レーザ・ビームを全多岐的に３
つの別個部分に分割する。尚、ホログラム領域は合焦用
レンズ素子とビームの偏光を変化させる板素子とを一体
的に含むので、ホログラム素子６５はレンズおよび１／
４波長板と同様に作用することは理解されよう。分割さ
れたビームは光検出器６３上で反射される。光検出器６
３は各々５個の素子で構成されており、各素子が光検出
器となっている。これらの素子は実質的に既知の光検出
器のいずれでもよいが、好ましくはフォトダイオードか
ら成るものである。
【００４３】図７を参照すると、半導体基板６１上に取
り付けられた、垂直空洞表面放出レーザ６２が示されて
おり、更にＶＣＳＥＬ６２から放出された特定レーザ・
ビームも示されている。
り付けられた、垂直空洞表面放出レーザ６２が示されて
おり、更にＶＣＳＥＬ６２から放出された特定レーザ・
ビームも示されている。
【００４４】図８にホログラム光学素子６５が示されて
おり、この図では、垂直空洞表面放出レーザ６２が、基
板６１に対して垂直に、そしてホログラム光学素子６５
の下面上にある格子６６を通過するレーザ・ビームを放
出する。このレーザ・ビームは、ホログラフ光学素子６
５の上面上にあるホログラフ領域６７によって偏光され
る。
おり、この図では、垂直空洞表面放出レーザ６２が、基
板６１に対して垂直に、そしてホログラム光学素子６５
の下面上にある格子６６を通過するレーザ・ビームを放
出する。このレーザ・ビームは、ホログラフ光学素子６
５の上面上にあるホログラフ領域６７によって偏光され
る。
【００４５】図９を参照すると、基板６１が示されてお
り、各々５個の素子から成る２つの光検出器６３を含
む。更に図１０、図１１、図１２を参照すると、左側の
光検出器６３の内３個の中間素子が別個に素子９１，９
２，９３として表記されており、対向する光検出器で
は、素子９４，９５，９６として表記されている。図１
０ないし図１２は、焦点誤差補正用に可能な合焦ロジッ
クを示す。この構成では、ＶＣＳＥＬ６２の左側および
右側双方にあり、各々５個の素子から成る一対の光検出
器６３が、先に記したように、焦点およびトラッキング
誤差を補正する。
り、各々５個の素子から成る２つの光検出器６３を含
む。更に図１０、図１１、図１２を参照すると、左側の
光検出器６３の内３個の中間素子が別個に素子９１，９
２，９３として表記されており、対向する光検出器で
は、素子９４，９５，９６として表記されている。図１
０ないし図１２は、焦点誤差補正用に可能な合焦ロジッ
クを示す。この構成では、ＶＣＳＥＬ６２の左側および
右側双方にあり、各々５個の素子から成る一対の光検出
器６３が、先に記したように、焦点およびトラッキング
誤差を補正する。
【００４６】ピックアップ・ヘッド６０は、スポット・
サイズ検出方法を利用し、サーボ機構を用いてレーザ・
ビームの合焦を行う。垂直空洞表面放出レーザ６２から
放出されるレーザ・ビームは、基板６１に対して垂直で
ある。レーザ・ビームは、ホログラム光学素子６５上の
格子パターン６６を通過し、主レーザ・ビームが３本の
ビームに分割され、ホログラム光学素子６５の下面を通
過する。これら３本のビームは、ホログラム領域６７に
よって、コンパクト・ディスク上で合焦される。コンパ
クト・ディスクの反射面からの各反射ビームは、一対の
光検出器６３によって検出される。これらの信号は、光
学ヘッド機構によって用いられ、ＦＥＳ（合焦誤差信
号）、ＴＥＳ（トラッキング誤差信号）、およびＲＦＳ
（データ信号）のような信号の合焦を行う。これら種々
の合焦およびトラッキング補正用信号は、数学的に以下
のように記述される。
サイズ検出方法を利用し、サーボ機構を用いてレーザ・
ビームの合焦を行う。垂直空洞表面放出レーザ６２から
放出されるレーザ・ビームは、基板６１に対して垂直で
ある。レーザ・ビームは、ホログラム光学素子６５上の
格子パターン６６を通過し、主レーザ・ビームが３本の
ビームに分割され、ホログラム光学素子６５の下面を通
過する。これら３本のビームは、ホログラム領域６７に
よって、コンパクト・ディスク上で合焦される。コンパ
クト・ディスクの反射面からの各反射ビームは、一対の
光検出器６３によって検出される。これらの信号は、光
学ヘッド機構によって用いられ、ＦＥＳ（合焦誤差信
号）、ＴＥＳ（トラッキング誤差信号）、およびＲＦＳ
（データ信号）のような信号の合焦を行う。これら種々
の合焦およびトラッキング補正用信号は、数学的に以下
のように記述される。
【００４７】 ＦＥＳ＝［９１＋９３＋９５］−［９２＋９４＋９６］ ＴＥＳ＝［Ｔ１−Ｔ２］＋［Ｔ３−Ｔ４］ ＲＦＳ＝［９１＋９３＋９５］＋［９２＋９４＋９６］ Ｔ１およびＴ２と表記されている素子は、図９に示す基
板６１の左側の５個の素子光検出器６３の内の最上位光
検出素子および最下位光検出素子である。Ｔ３およびＴ
４と表記されている素子は、図９に示す基板６１の右側
の５個の素子光検出器６３の内の最上位光検出素子およ
び最下位光検出素子である。
板６１の左側の５個の素子光検出器６３の内の最上位光
検出素子および最下位光検出素子である。Ｔ３およびＴ
４と表記されている素子は、図９に示す基板６１の右側
の５個の素子光検出器６３の内の最上位光検出素子およ
び最下位光検出素子である。
【００４８】図１３を参照すると、全体的に１１０と付
番したＶＣＳＥＬの更に他の実施例が示されている。Ｖ
ＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド１１０は、概略的に
ピックアップ・ヘッド６０と類似しており、ある経路に
沿ってレーザ・ビームを放出し半導体基板１１１上の凹
部１１４内に載置されたＶＣＳＥＬ１１２と、ホログラ
ム領域１１６を有するホログラム光学素子１１５と、各
々５個の素子から成り、基板１１１内において凹部１１
４の各側に形成された光検出器１１３とを含む。先の実
施例の場合と同様、各素子が光検出器となっている。こ
れらの素子は、実質的に既知の光検出器のいずれでもよ
いが、好ましくはフォトダイオードから成る。
番したＶＣＳＥＬの更に他の実施例が示されている。Ｖ
ＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド１１０は、概略的に
ピックアップ・ヘッド６０と類似しており、ある経路に
沿ってレーザ・ビームを放出し半導体基板１１１上の凹
部１１４内に載置されたＶＣＳＥＬ１１２と、ホログラ
ム領域１１６を有するホログラム光学素子１１５と、各
々５個の素子から成り、基板１１１内において凹部１１
４の各側に形成された光検出器１１３とを含む。先の実
施例の場合と同様、各素子が光検出器となっている。こ
れらの素子は、実質的に既知の光検出器のいずれでもよ
いが、好ましくはフォトダイオードから成る。
【００４９】ピックアップ・ヘッド１１０のピックアッ
プ・ヘッド６０との相違点は、ピックアップ・ヘッド１
１０は、レーザ・ビームを３部分に分割する偏向格子６
６を利用するのとは異なる、トラッキング誤差検出機構
を含むことである。この実施例では、トラッキングＶＣ
ＳＥＬ１２０，１２１は、凹部１１４内において、ＶＣ
ＳＥＬ１１２の対向側に設置されており、トラッキング
・ビームを放出し、光検出器１１３がこれを検出する。
ホログラム光学素子１１５はビーム分割用格子６６を必
要としないので、３個のＶＣＳＥＬアレイによって、光
学ピックアップ・ヘッド１１０を一層微小化することが
可能となる。レーザ・ビームは主トラッキング・ビーム
となり、２本のビームがトラックの左側および右側で合
焦され、主ビームを中央に保持する。
プ・ヘッド６０との相違点は、ピックアップ・ヘッド１
１０は、レーザ・ビームを３部分に分割する偏向格子６
６を利用するのとは異なる、トラッキング誤差検出機構
を含むことである。この実施例では、トラッキングＶＣ
ＳＥＬ１２０，１２１は、凹部１１４内において、ＶＣ
ＳＥＬ１１２の対向側に設置されており、トラッキング
・ビームを放出し、光検出器１１３がこれを検出する。
ホログラム光学素子１１５はビーム分割用格子６６を必
要としないので、３個のＶＣＳＥＬアレイによって、光
学ピックアップ・ヘッド１１０を一層微小化することが
可能となる。レーザ・ビームは主トラッキング・ビーム
となり、２本のビームがトラックの左側および右側で合
焦され、主ビームを中央に保持する。
【００５０】図１４は、ホログラム領域１１６を有する
ホログラフ光学素子１１５を示す。ホログラム領域１１
６には、ＶＣＳＥＬ１１２およびトラッキングＶＣＳＥ
Ｌ１２０，１２１からの３本のレーザ・ビームが入射
し、先に記したように、トラッキング誤差を補正する。
ホログラフ光学素子１１５を示す。ホログラム領域１１
６には、ＶＣＳＥＬ１１２およびトラッキングＶＣＳＥ
Ｌ１２０，１２１からの３本のレーザ・ビームが入射
し、先に記したように、トラッキング誤差を補正する。
【００５１】コンパクト・ディスクの表面は、主トラッ
キング・ビームと共にサイド・ビームを反射する。光検
出器１１３を用いて、トラッキング誤差を検出する。サ
イド・ビームの強度が等しくない場合、システムはサー
ボ機構を作動させ、光学ヘッドを移動させてトラッキン
グ・誤差を補正する。反射光は常に均一に等しく光検出
器１１３上に分布される訳ではない。この光強度の変化
によって、焦点およびトラッキングの調節が可能とな
る。異なる光検出器対における光強度の和の間の差を計
算することによって、システムは焦点およびトラッキン
グ誤差を補償することができる。
キング・ビームと共にサイド・ビームを反射する。光検
出器１１３を用いて、トラッキング誤差を検出する。サ
イド・ビームの強度が等しくない場合、システムはサー
ボ機構を作動させ、光学ヘッドを移動させてトラッキン
グ・誤差を補正する。反射光は常に均一に等しく光検出
器１１３上に分布される訳ではない。この光強度の変化
によって、焦点およびトラッキングの調節が可能とな
る。異なる光検出器対における光強度の和の間の差を計
算することによって、システムは焦点およびトラッキン
グ誤差を補償することができる。
【００５２】例示の目的でここに選択した実施例に対す
る様々な変更や修正は、当業者には容易に想起されよ
う。かかる修正や改造が本発明の精神から逸脱しない範
囲においては、特許請求の範囲の公正な解釈によって評
価される、本発明の範囲内に含まれることを意図するも
のである。
る様々な変更や修正は、当業者には容易に想起されよ
う。かかる修正や改造が本発明の精神から逸脱しない範
囲においては、特許請求の範囲の公正な解釈によって評
価される、本発明の範囲内に含まれることを意図するも
のである。
【図１】コリメート・レンズおよびビーム整形プリズム
を有するエッジ放出レーザを用いた、従来の光学ピック
アップを示す簡略構成図。
を有するエッジ放出レーザを用いた、従来の光学ピック
アップを示す簡略構成図。
【図２】本発明の教示によって構成された光学ピックア
ップの実施例を示す簡略構成図。
ップの実施例を示す簡略構成図。
【図３】シリコン基板上に取り付けられたエッジ放出レ
ーザ・ダイオードの等幅図。
ーザ・ダイオードの等幅図。
【図４】シリコン基板上に形成された４５゜マイクロミ
ラーからのレーザ・ビームの反射を示す、図３の線４−
４に沿った断面図。
ラーからのレーザ・ビームの反射を示す、図３の線４−
４に沿った断面図。
【図５】ホログラフ光学素子を示す、図３の図に対応す
る、エッジ放出レーザ・ダイオード・ユニットの複合等
幅図。
る、エッジ放出レーザ・ダイオード・ユニットの複合等
幅図。
【図６】本発明の教示によって構成された光学ピックア
ップ・ヘッドの他の実施例の複合等幅図。
ップ・ヘッドの他の実施例の複合等幅図。
【図７】シリコン基板上に取り付けられた、本発明によ
る垂直空洞表面放出レーザを示す、図６の線７−７に沿
った断面図。
る垂直空洞表面放出レーザを示す、図６の線７−７に沿
った断面図。
【図８】主レーザ・ビームを３本のビーム、即ち、主ビ
ームと２本のトラッキング誤差補正用サイド・ビームと
に分割する格子を示す、ホログラフ光学ユニットの簡略
構成図。
ームと２本のトラッキング誤差補正用サイド・ビームと
に分割する格子を示す、ホログラフ光学ユニットの簡略
構成図。
【図９】各々本発明による垂直空洞表面放出レーザと２
個の５素子光検出器とを示す、図６のシリコン基板の平
面図。
個の５素子光検出器とを示す、図６のシリコン基板の平
面図。
【図１０】光検出器の中央にある素子およびその動作を
示す、図９の部分図。
示す、図９の部分図。
【図１１】光検出器の中央にある素子およびその動作を
示す、図９の部分図。
示す、図９の部分図。
【図１２】光検出器の中央にある素子およびその動作を
示す、図９の部分図。
示す、図９の部分図。
【図１３】本発明の教示によって構成された光学ピック
アップ・ヘッドの他の実施例の複合等幅図。
アップ・ヘッドの他の実施例の複合等幅図。
【図１４】図１３の実施例の簡略構成図。
１０ 放出レーザ光学ピックアップ・ヘッド １１ コンパクト・ディスク １２ 対物レンズ １３ １／４波長板 １４ 偏光ビーム・スプリッタ １５ 臨界角プリズム １６ 四分光検出プレート １７ ビーム整形用プリズム １８ コリメート・レンズ １９ エッジ放出レーザ・ダイオード ２０ ＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド ２１ コンパクト・ディスク ２２ 対物レンズ ２３ １／４波長板 ２４ 偏光ビーム・スプリッタ ２５ 臨界角プリズム ２６ 四分光検出プレート ２８ コリメート・レンズ ２９ 垂直表面放出レーザ ３１ シリコン基板 ３２ エッジ放出ダイオード ３３ 光検出素子 ３４ ４５゜角度マイクロミラー ５０ エッジ放出ダイオード・レーザ・ホログラム光
学ピックアップ・ヘッド ５５ ホログラム光学素子 ６０ 垂直空洞表面放出レーザ光学ピックアップ・ヘ
ッド ６１ 半導体基板 ６２ ＶＣＳＥＬ ６３ 光検出器 ６５ ホログラム光学素子 ６６ 格子 ６７ ホログラフ領域 ９１，９２，９３，９４，９５，９６ 光検出器 １１０ ＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド １１１ 半導体基板 １１２ ＶＣＳＥＬ １１３ 光検出器 １１４ 凹部 １１５ ホログラム光学素子 １１６ ホログラム領域 １２０，１２１ トラッキングＶＣＳＥＬ Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 光検出器
学ピックアップ・ヘッド ５５ ホログラム光学素子 ６０ 垂直空洞表面放出レーザ光学ピックアップ・ヘ
ッド ６１ 半導体基板 ６２ ＶＣＳＥＬ ６３ 光検出器 ６５ ホログラム光学素子 ６６ 格子 ６７ ホログラフ領域 ９１，９２，９３，９４，９５，９６ 光検出器 １１０ ＶＣＳＥＬ光学ピックアップ・ヘッド １１１ 半導体基板 １１２ ＶＣＳＥＬ １１３ 光検出器 １１４ 凹部 １１５ ホログラム光学素子 １１６ ホログラム領域 １２０，１２１ トラッキングＶＣＳＥＬ Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 光検出器
Claims (4)
- 【請求項１】データ記憶媒体（２１）から情報を読み取
る光学ピックアップ・ヘッド（２０）であって：ある経
路に沿って光ビームを放出する垂直空洞表面放出レーザ
（２９）；前記光ビームを前記データ記憶媒体（２１）
に方向付ける合焦手段（２２）；前記データ記憶媒体
（１４，２５）から反射された光を受ける受光手段（２
６）；および前記光ビームの位置決めを行うトラッキン
グ手段（２６）；から成ることを特徴とする光学ピック
アップ・ヘッド（２０）。 - 【請求項２】データ記憶媒体から情報を読み取る光学ピ
ックアップ・ヘッド（６０）であって：ある経路に沿っ
て光ビームを放出する垂直空洞表面放出レーザ（２
９）；前記垂直空洞表面放出レーザ（６２）を搭載し、
光検出器（６３）を含む半導体基板（６１）；前記デー
タ記憶媒体に前記光ビームを方向付ける合焦手段；前記
データ記憶媒体から反射された光を受ける受光手段（６
５，６６）；および前記光ビームの位置決めを行うトラ
ッキング手段（６３）；から成ることを特徴とする光学
ピックアップ・ヘッド（６０）。 - 【請求項３】データ記憶媒体から情報を読み取る光学ピ
ックアップ・ヘッドであって：ある経路に沿って光ビー
ムを放出する垂直空洞表面放出レーザ（９）；前記光ビ
ームを合焦するレンズ素子（２２）；前記光ビームの偏
光を変化させる板状素子（２４）；反射した前記光ビー
ムを受けるフォトダイオード・アレイ（Ｄ１〜Ｄ４）；
および前記光ビームの位置決めを行うトラッキング手段
（２６）；から成ることを特徴とする光学ピックアップ
・ヘッド。 - 【請求項４】前記トラッキング手段は、前記垂直空洞表
面放出レーザ（１１２）を中心として対向する両側に配
置され、前記垂直空洞表面放出レーザ（１１２）によっ
て放出されるビームとほぼ平行な光ビームを放出する、
第１トラッキング垂直空洞表面放出レーザ（１２０）
と、第２トラッキング垂直空洞表面放出レーザ（１２
１）とを含むことを特徴とする請求項３記載の光学ピッ
クアップ・ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/582,775 US5757741A (en) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | CD ROM head with VCSEL or VCSEL array |
| US582775 | 1996-01-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09198691A true JPH09198691A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=24330479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8355614A Pending JPH09198691A (ja) | 1996-01-04 | 1996-12-24 | Ｖｃｓｅｌまたはｖｃｓｅｌアレイを有するｃｄｒｏｍヘッド |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757741A (ja) |
| JP (1) | JPH09198691A (ja) |
| KR (1) | KR970060103A (ja) |
| CN (1) | CN1127064C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860817A3 (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-14 | Hewlett-Packard Company | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100189910B1 (ko) * | 1996-05-15 | 1999-06-01 | 윤종용 | 광픽업장치 |
| KR100195137B1 (ko) * | 1996-10-24 | 1999-06-15 | 윤종용 | 호환형 광픽업장치 |
| US5936929A (en) * | 1997-05-02 | 1999-08-10 | Motorola, Inc. | Optical submodule and method for making |
| US6111839A (en) * | 1997-07-17 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Optical pickup head including a coherent first order mode laser light source |
| DE19839305B4 (de) * | 1998-08-28 | 2009-01-15 | Siemens Ag | Reflexlichtschranke |
| US6208609B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-27 | New Dimension Research & Instrument, Inc. | Optical system with interactive data capability |
| US7227817B1 (en) * | 1999-12-07 | 2007-06-05 | Dphi Acquisitions, Inc. | Low profile optical head |
| US6614825B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-09-02 | Zhijiang Hang | Monolithic VCSEL-based optical pickup and servo control device |
| JP2004521437A (ja) * | 2001-05-03 | 2004-07-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光走査装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422870A (en) * | 1991-09-27 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup for information recording/reproducing apparatus |
| US5526182A (en) * | 1993-02-17 | 1996-06-11 | Vixel Corporation | Multiple beam optical memory system |
| US5483511A (en) * | 1993-02-17 | 1996-01-09 | Vixel Corporation | Multiple beam optical memory system with solid-state lasers |
-
1996
- 1996-01-04 US US08/582,775 patent/US5757741A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-24 JP JP8355614A patent/JPH09198691A/ja active Pending
- 1996-12-27 CN CN96116747A patent/CN1127064C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-03 KR KR1019970000703A patent/KR970060103A/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860817A3 (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-14 | Hewlett-Packard Company | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1127064C (zh) | 2003-11-05 |
| CN1157454A (zh) | 1997-08-20 |
| US5757741A (en) | 1998-05-26 |
| KR970060103A (ko) | 1997-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050426 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050506 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051013 |