JPH064898A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】マルチビームの半導体レーザ装置の発光点の像
の位置を変えて、光スポットの間隔を変える光ピックア
ップを提供することを目的とする。 【構成】光ピックアップは、所定間隔をおいて配された
複数の発光点Ａ，Ｂを具備するレーザダイオードと、こ
の複数の発光点Ａ，Ｂの所定間隔を変えるようにこの複
数の発光点Ａ，Ｂの像Ａ１，Ｂ１を形成する反射面３３
ａ，３３ｂを具備する光学部材とを有する。複数の発光
点Ａ，Ｂから射出されたレーザ光は、反射面３３ａ，３
３ｂを介して集光レンズ３４に入射し、光スポットＡ
１′，Ｂ１′を光学的記録媒体３９に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク装置に用
いられる光ピックアップに関し、特にマルチビーム半導
体レーザを備えた光ピックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップに用いられる半導体レー
ザとして、複数のレーザ光を射出するマルチビームレー
ザ装置が知られている。図１１は、従来の２ビームアレ
イ半導体レーザ装置を示す側面図である。この図におい
て、符号１はモノリシックな２ビームアレイ半導体レー
ザダイオード（以下、２ビームアレイＬＤ）チップ、符
号２はこの２ビームアレイＬＤチップ１を直接マウント
したサブマウント、符号３はヒートシンク、符号４は前
記２ビームアレイＬＤチップ１のモニタ光を受光するた
めに設置されたモニタ用フォトダイオード（以下、モニ
タ用ＰＤ）、符号５は前記ヒートシンク３とモニタ用Ｐ
Ｄ４を設置したステム、符号７はこのキャップ６に取付
けられた窓ガラス、符号８は２ビームアレイＬＤチップ
１およびモニタ用ＰＤ４に接続されたリード端子をそれ
ぞれ示している。

【０００３】この従来の２ビームアレイ半導体レーザ装
置は以下のように機能する。２ビームアレイＬＤチップ
１のステム５側の端面から出射された２つのモニタ光
は、ステム５上に設置された１つのモニタ用ＰＤ４によ
り光検出され、電気信号に変換される。この信号は、外
部のＡＰＣ（一定出力制御）駆動用回路へ送られ、これ
によって２ビームアレイＬＤチップ１のもう一方の端面
より出射されるレーザ光の光出力が調節されるようにな
っている。また、特開平２−２５３６８８号公報には、
図１２に示すようなマルチビームレーザ装置が開示され
ている。

【０００４】このマルチビームレーザ装置は、前、後端
面１９，２０に各々１つの発光点を有する半導体レーザ
チップ１２が半導体基板１１上にマウントされている。
また半導体レーザチップの前、後部には、互いに逆方向
に出射されるレーザ光をそれぞれ９０°方向を変えて同
方向に放射するための２つのビ―ムスプリッタ１６，１
７が設けられている。さらに、半導体基板１１上には、
前端面、後端面のどちらか一方から出射されたレーザ光
をモニタ用のレーザ光として基板側に９０°方向を変え
るビ―ムスプリッタ１８、およびこのモニタ用のレーザ
光を受光するフォトダイオード１５が形成されている。
この装置によれば、前、後端面に各々１つのレーザ発光
点を有する半導体レーザチップ１つで２ビームアレイＬ
Ｄ装置を得ることができる。

【０００５】さらに、特開平４−１４６３３号公報に
は、光ディスクに対し複数のビームスポットを照射して
情報の記録再生を行う光ピックアップが開示されてい
る。この光ピックアップは、マルチビームレーザ装置か
ら射出された複数のレーザ光を、それぞれ別個の対物レ
ンズに導き、これによって複数のビームスポットを得る
ように構成されている。この光ピックアップによれば、
単体の半導体レーザを複数個利用することなく、簡単な
構成で複数のビームスポットを得ることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示す半導体レ
ーザ装置に用いられている２ビームアレイＬＤにおいて
は、（１）各レーザの光学的特性が、隣のレーザの熱的
影響を受けて変化しないこと、すなわち、熱的クロスト
―クが小さいこと、（２）各レーザの光出力をＰＩＮ素
子等で独立にモニタできること、すなわち、後面出射光
の光学的クロスト―クが小さいこと、が要求される。以
上の条件を満足させるために、各レーザは１００μｍ程
度離して形成される。

【０００７】従って、２ビームアレイＬＤの発光点の間
隔ｌはあまり小さくできない。この半導体レーザ装置を
光ディスク装置の光ピックアップに用いると、例えば図
１３に示すようになる。この場合、１つの対物レンズで
１本の記録トラック２８ａ上に、それぞれのビームを集
光させ、光スポットＡで情報の記録、光スポットＢでベ
リファイを行う。

【０００８】２つの光スポットＡ，Ｂの間隔がｍの時
に、ディスクの偏心や対物レンズがＹ方向にずれた場
合、光スポットはＡ１，Ｂ１のようにＹ方向にΔＹ移動
する。この際、光スポットＡ１を記録トラック２８ａ上
に位置させると、光スポットＢ１は記録トラックに対し
てＸ方向にΔｘずれてしまう。このΔｘは、スポット間
隔ｍが小いほど小さくなるので、光スポット間隔を小さ
くする方が、正確な記録再生が可能となる。また、ディ
スクの傾きによる２つの光スポットの焦点ずれもスポッ
ト間隔ｍが小さければ小さくなる。

【０００９】さらに、２つの光スポットがＹ方向にずれ
た状態で、２つの光スポットをＸ方向に移動した場合、
ディスクの内外周で記録トラックの曲率が異なるために
どちらかの光スポットが記録トラックに対してＸ方向に
ずれてしまう。

【００１０】以上のような光スポットのずれは、光スポ
ットが２つより多い場合にも同様にあてはまる。図１１
に示すような半導体レーザ装置においては、発光点の間
隔ｌを前述した理由によりあまり小さくできないため、
記録トラック上の光スポット間隔も小さくできない。

【００１１】また、図１２に示す半導体レーザ装置の場
合には、それぞれのビームをビームスプリッタ１６，１
７で反射させているために、光スポットの間隔はビーム
スプリッタ１６，１７の間隔ｌとなる。この場合、ＬＤ
チップ１２の長さｌ_LDが、０．３mm程度あるために、光
スポット間隔はビームスプリッタ１６の寸法分さらに大
きくなり、０．６mm程度以上にもなってしまう。

【００１２】逆に、各光スポット間の熱的な干渉を小さ
くしたい、あるいは各々光スポット間の補助磁界発生手
段のレイアウト上、図１１に示すような２ビームアレイ
ＬＤを用いて記録トラック上の間隔を広くしたい場合も
ある。この場合、２ビームアレイＬＤ自体の発光点間隔
を変えることが必要となり、２ビームアレイＬＤ自体を
変更する必要がある。これは、対物レンズ等の光学系の
横倍率を変えることによって記録トラック上の光スポッ
トの間隔を変えることができるが、この横倍率はエラー
検出感度等の他の要因により自由に変えることは難し
い。

【００１３】これに対して、２ビームアレイＬＤを用い
ることなく、複数のシングルビームＬＤを用いて、ビー
ムスプリッタ等により光束を合成すると、光スポットの
間隔を自由に設定することができる。しかし、複数のシ
ングルビームＬＤを用いるため、その間の取付部材等の
熱膨張やずれ等により、相互の光スポット位置がずれや
すい、また装置が大形化してしまうという欠点がある。

【００１４】特開平４−１４６３３号公報に開示されて
いる光ピックアップは、この欠点を解消すべく、マルチ
ビームレーザ装置から射出された複数のレーザ光を、そ
れぞれ別個の対物レンズで集光し、複数のビームスポッ
トを得ている。しかし、ディスク上に照射される光スポ
ットの間隔を変えることについては何等開示されていな
い。

【００１５】この発明は、上述した問題点を解決するた
めになされたものであり、マルチビームの半導体レーザ
装置の発光点の像の位置を変えて、光スポットの間隔を
小さく、または大きく変えることができる光ピックアッ
プを提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段、作用】前記課題を解決す
るために、本発明の光ピックアップは、複数のレーザビ
ームを射出するレーザダイオードを有する光ピックアッ
プにおいて、前記レーザダイオードから射出された複数
の出射光を各々傾きの異なる反射面で反射させて同一の
集光手段に入射させることを特徴としている。

【００１７】さらに、本発明の光ピックアップは、複数
のレーザビームを射出するレーザダイオードを有する光
ピックアップにおいて、前記レーザダイオードから射出
された複数の出射光を各々傾きの異なる透過面で透過さ
せて同一の集光手段に入射させることを特徴としてい
る。

【００１８】

【実施例】以下、本発明に係る光ピックアップの実施例
を添付図面に沿って具体的に説明する。 （第１実施例）

【００１９】図１は、本発明に係る光ピックアップに用
いられる半導体レーザ装置の要部を示す図、図２は、こ
の半導体レーザ装置を有する光ピックアップの光路を示
す図である。

【００２０】リードフレーム３５上には、金をプレス成
形したブロック３３がマウントされている。このブロッ
ク３３には、上方に向けて開口した凹部が形成されてお
り、その底部３３ａに、前端面、後端面にそれぞれ１つ
のレーザ発光点Ａ，Ｂを備えたレーザダイオード３１が
固定されている。前記凹部の前後部には、それぞれの発
光点から射出されたレーザ光を反射する反射面３３ｂ，
３３ｃが形成されている。これらの反射面３３ｂ，３３
ｃのブロック面上に対する傾斜角度θは４５°よりも小
さい角度に設定されている。また、リードフレーム３
５，ブロック３３及びレーザダイオード３１を囲むよう
に、透明なプラスチックのパッケージ３８が成形されて
いる。

【００２１】レーザダイオード３１の発光点ＡからＸ
（−）方向に出射された光は、反射面３３ｂに、発光点
ＢからＸ（＋）方向に出射された光は、反射面３３ｃに
入射する。図２を参照して、この半導体レーザ装置３０
を有する光ピックアップの光路について説明する。

【００２２】半導体レーザ装置３０から出射された光
は、対物レンズ３４で集光され、記録媒体３９上に結像
し光スポットを形成する。前述したように、反射面３３
ｂ，３３ｃの傾斜角度θは、４５°よりも小さい角度に
設定されているが、まず、これらの傾斜角度を３３
ｂ′，３３ｃ′で示すように４５°として考える。

【００２３】この時、発光点Ａの像の位置は、４５°傾
斜した点線の軸に対して対称な位置のＡ２であり、記録
媒体３９上の光スポットの位置はＡ２′となる。発光点
Ｂについても同様に、像の位置はＢ２であり、記録媒体
３９上の光スポットはＢ２′となる。

【００２４】ところが、実際の反射面３３ｂの角度θ
は、４５°よりも小さく設定されているので、発光点Ａ
の像Ａ１の位置はＡ２に比べ光軸３６に近くなる。従っ
て、記録媒体３９上の光スポットの位置もＡ１′とな
り、Ａ２′よりも光軸３６に近くなる。発光点Ｂについ
ても同様に、反射面３３ｃにより、記録媒体３９上の光
スポットの位置はＢ２となる。

【００２５】図２から明らかなように、反射面３３ｂ，
３３ｃの傾斜角度を４５°よりも小さく設定することに
よって、発光点の像の間隔をｌ′からｌに小さくするこ
とができ、これに伴い２つの光スポットの間隔もｍ′か
らｍに小さくすることができる。以上の構成により、以
下の効果が得られる。

【００２６】レーザダイオードの前後の出射光を用いて
も、形成される光スポットの間隔を小さくできる（光ス
ポットＡ１′，Ｂ１′）。反射面３３ｂ，３３ｃは、金
のブロックをプレス成形して形成しているので量産性が
良く、また反射面の角度等は自由に設定できる。

【００２７】また、反射面３３ｂ，３３ｃの角度を４５
°より大きくすることにより、発光点間隔を広くでき
る。このように反射面３３ｂ，３３ｃの角度を自由に選
ぶことによって、光スポットの間隔を変更できる。ある
いは、反射面３３ｂ，３３ｃをＸ軸回りに傾けることに
より、光スポットをＹ方向に移動させることもできる。

【００２８】上述した実施例の構成において、ブロック
３３上に記録媒体３９からの反射光を受光するフォトダ
イオードをマウントしても良い。また、ブロック３３の
材質は、他のアルミニウム，銀等であっても良い。さら
に、リードフレーム３５の表面をプレス成形し、金をコ
ーティングすることにより、反射面３３ｂ，３３ｃを形
成し、これにレーザダイオードを直接マウントしても良
い。さらにまた、反射面３３ｂ，３３ｃは、ガラス、プ
ラスチックの成形品に反射コーティングをしたものでも
良い。 （第２実施例）図３は、光ピックアップの上面図、図４
は、その側面図、そして、図５は、図４の光ピックアッ
プをＸ（＋）側から見た場合の光線図である。

【００２９】レーザダイオード３１は、モノリシック２
ビームレーザである。ブロック４３には、凸部が３つ形
成されており、１つはレーザダイオード３１をマウント
する４３ａ、１つはレーザダイオード３１のＸ（−）方
向にある４１、残りはレーザダイオード３１のＸ（＋）
方向にある４３ｄである。この凸部４３ｄには、２つの
反射面（平面）４３ｂ，４３ｃが形成されている。これ
らの反射面４３ｂ，４３ｃの法線は、ＸＹ平面に対して
Ｙ軸回りに約４５°、Ｘ軸回りにφ傾いており反射面４
３ｂ，４３ｃは互いに向き合わない方に傾いている。

【００３０】凸部４１には、ＸＹ平面に垂直でＹＺ平面
と交差する反射面４１ａ，４１ｂが形成されている。ま
た、凸部４１のＹ方向両側には、フォトディテクタ４０
ａ，４０ｂがブロック４３上にマウントされている。

【００３１】レーザダイオード３１の２つの発光点Ａ，
ＢからＸ（＋）側に出射された光の内、発光点Ａからの
光は反射面４３ｂで反射され、発光点Ｂからの光は反射
面４３ｃで反射されて、ほぼＺ（＋）方向へ向かう。反
射面４３ｂ，４３ｃと発光点Ａ，Ｂとの距離ｎは、発光
点Ａからの光の中央部が反射面４３ｃに入射しない程度
に大きく設定されている。発光点Ａ，Ｂからの射出光の
広がり角は、Ｚ方向（接合面に垂直な方向）に比べ、Ｙ
方向（接合面に平行な方向）の方が小さいため、ｎを大
にできる。また、発光点Ａ，Ｂの間隔ｌ′は１００μｍ
に，前記ｎは２７０μｍに設定されている。

【００３２】図５に示すように、Ｘ（＋）側から見た場
合、反射面４３ｂ，４３ｃによる発光点Ａ，Ｂの像はＡ
１，Ｂ１のようになる。この図において、点Ａ１′，Ｂ
１′は反射面４３ｂ，４３ｃの法線がＸＺ面に対して平
行な場合（この場合の反射面を４３ｂ′，４３ｃ′とす
る）であり、Ａ１′とＢ１′の間隔はｌ′で発光点Ａ，
Ｂの間隔と等しくなっている。本実施例では、反射面４
３ｂ，４３ｃはＸ軸回りに傾いており（法線がＸＺ面と
平行ではない）、反射面４３ｂ，４３ｃがＸ（＋）方向
から見て等価的にφ傾いているので、点Ａ１′，Ｂ１′
は互いに近づく方向にｎ・ｓｉｎ（２φ）移動し、それ
ぞれＡ１，Ｂ１の点となる。

【００３３】今φ＝２．７°とすると、ｎ・ｓｉｎ（２
φ）＝２５μｍとなるから、Ａ１，Ｂ１の間隔ｌは５０
μｍとなる。従って、本来の発光点間隔１００μｍに対
してその間隔は１／２になっている。

【００３４】また、レーザダイオードの発光点Ｃ，Ｄか
らＸ（−）方向に出射した光は、それぞれ反射面４１
ａ，４１ｂで反射されてＹ方向に向かい、それぞれの光
の下部がフォトディテクタ４０ａ，４０ｂに入射する。
このフォトディテクタ４０ａ，４０ｂの各々の出力によ
り後方モニタ信号が得られる。

【００３５】この場合、発光点Ｃ，Ｄから射出された光
が、それぞれ反射面４１ｂ，４１ａに入射しないように
反射面４１ａ，４１ｂを発光点Ｃ（＋）に近づけている
ので後面出射光の光学的クロストークが小さい。 （第３実施例）図６は、磁気記録／再生方式を用いる光
ピックアップの概略を示す側面図、図７は、ガラスプレ
ートを省略して光路を示す斜視図である。

【００３６】ブロック５３の平坦部５３ａ上には、レー
ザダイオード３１が固定されておりこのレーザダイオー
ド３１の発光点Ａ，Ｂから射出された光は、ブロック５
３の凸部５３ｂに形成された反射面５４ａ，５４ｂに入
射する。反射面５４ａ，５４ｂは、前記第２実施例の反
射面４３ｂ，４３ｃと同様に傾いており、発光点Ａ，Ｂ
の像の間隔は小さくなっている。さらに反射面５４ａ，
５４ｂは、それぞれの反射光をＹ方向に広げてビーム整
形するように円筒面状に形成されている。

【００３７】反射面５４ａ，５４ｂのＺ（＋）方向に
は、ガラスプレート６０が配置されており、その上面６
０ａの一部には、ホログラム６３が、その格子方向をほ
ぼＹ方向に平行にして形成されている。また、他の一部
はミラー面６５となるようにコーティングされている。
そして、ガラスプレート６０の下面６０ｂの一部は、偏
光ビームスプリッタ６４となるようにコーティングさ
れ、他は透過面となっている。

【００３８】反射面５４ａ，５４ｂが形成された凸部５
３ｂのＸ（＋）方向には、反射面５４ｃ，５４ｄが形成
されており、これらはＸＹ平面に対して、Ｘ軸回りに互
いに離れるように傾いている。また、凸部５３ｂのＹ方
向両側には、受光面をＸ方向に２分割されたフォトディ
テクタ５６，５７及びＹ方向に３分割されたフォトディ
テクタ５８，５９がブロック５３上にマウントされてい
る。次に、上述した構成において、レーザダイオード３
１の発光点Ａ，Ｂから射出されたレーザ光の光路をそれ
ぞれ説明する。

【００３９】レーザダイオードの発光点Ａから射出され
た光は、反射面５４ａに入射し、Ｙ方向の光束が小し拡
大するように反射され、ガラスプレート６０に入射し、
ホログラム６３を０次光で透過して、対物レンズ７４に
入射する。ここで集光された光は、光磁気記録媒体７５
上の記録トラック７５ａに光スポットＡ′を結ぶ。この
部分での記録トラックはＹ方向にほぼ平行となってお
り、ここで反射された光は再び対物レンズ７４に入りホ
ログラム６３に入射する。ここでの１次回折光は光路を
Ｘ方向に変え、凸部５３ｂ上の反射面５４ｃに焦点を結
ぶ。ここでＹ方に傾くように反射された光は偏光ビーム
スプリッタ６４に斜めに入射し、偏光分離される。ここ
で反射された光はフォトディテクタ５６に入射する。ま
た、偏光ビームスプリッタ６４を透過した光はミラー面
６５で反射され、フォトディテクタ５８に入射する。

【００４０】レーザダイオードの発光点Ｂから射出され
た光は、前記同様、記録トラック７５ａのとなりの記録
トラック７５ｂに光スポットＢ′を結ぶ。ここで反射さ
れた光は、前記同様、反射面５４ｄを介して偏光ビーム
スプリッタ６４に入射し、反射光がフォトディテクタ５
７に、透過光がフォトディテクタ５９に入射する。上記
構成において、トッラッキングエラー信号、フォーカス
エラー信号、光磁気信号の検出方法について説明する。

【００４１】光スポットＡ′に関して、トラッキングエ
ラー信号（ＴＥ）はフォトディテクタ５６の各出力によ
り、プッシュプル法によって、ＴＥ＝５６ａー５６ｂで
得られる。フォーカスエラー信号（ＦＥ）はフォトディ
テクタ５８の出力により、ビームサイズ法によって、Ｆ
Ｅ＝〔５８ａ−５８ｂ＋５８ｃ〕で得られる。そして、
光磁気信号（ＲＦ）は、ＲＦ＝〔５６ａ＋５６ｂ〕−
〔５８ａ＋５８ｂ＋５８ｃ〕で得られる。また、光スポ
ットＢ′に関しても、上記各信号は、フォトディテクタ
５７，５９の各出力により得られる。

【００４２】本実施例の構成により、以下の効果が得ら
れる。反射面５４ａ，５４ｂを略円筒面にすることによ
り、ビーム整形もすることができ、他のビーム整形手段
が不要になる。あるいは、片方の反射面のみを略円筒面
とすることにより、一方の光のみビーム整形することも
できる。記録トラック７５ａ，７５ｂからの戻り光を傾
きの異なる反射面５４ｃ，５４ｄにほぼ焦点位置で入射
させることにより、２つの光束を容易に分離することが
でき、２つの戻り光を独立に検出できる。行きの反射面
５４ａ，５４ｂと戻りの反射面５４ｃ，５４ｄがブロッ
ク５３に同時に形成されているので相互の位置精度が良
い。１枚のガラスプレート６０上にホログラム６３，偏
光ビームスプリッタ６４，ミラー面６５を同時に形成し
てあるので、デバイス自体を小形にできる。また、反射
面５４ｃ，５４ｄからの反射光が偏光ビームスプリッタ
６４に斜めに入射するので偏光分離が容易にできる。

【００４３】上述した第２，３実施例において、レーザ
ダイオードから射出されたレーザ光を反射させる反射面
の部分を、例えば図８に示すように変形することも可能
である。

【００４４】図８（ａ）に示すように、反射面を８５
ａ，８５ｂ，８５ｃ、と３面形成すれば、３ビームレー
ザにも適用できる。さらに反射面を増やせば、より複数
のマルチビーレーザにも適用できる。また、図８（ｂ）
に示すように、反射面８６ａ，８６ｂの内、反射面８６
ｂにのみ、グレーティング８７を形成し、この部分で反
射する光のみ３ビームに分割することもできる。このよ
うに反射面の形状を変えて一方の光のみ変えることも容
易にできる。さらに、図８（ｃ）に示すように、反射面
８８ａ，８８ｂの両面を互いに近づくように傾けること
によって、レーザダイオードの発光点の像の間隔を広く
することもできる。あるいは、以下のように構成するこ
とによって、レーザダイオードの発光点の像の間隔を大
きくしたり、小さくすることができる。

【００４５】図９は、レーザダイオード３１の発光部分
の上面図である。レーザダイオード３１の前方に、ガラ
ス又はプラスチックで成形したＶ字状のプレート９０を
設置する。このプレート９０は、面９０ａと９０ｂが平
行、面９０ｃと９０ｄが平行に構成された平行平板をＶ
字状に組み合わせたものであり、面９０ａと９０ｃは互
いに離れる方向に傾いている。レーザダイオード３１の
発光点Ａからの光は、面９０ａに入射して面９０ｂを透
過する。この際、光は面９０ａ及び９０ｂで屈折される
ため、面９０ｂよりもＸ（＋）側から見た発光点Ａの像
は図で示すようにＡ′となる。また、同様に発光点Ｂの
像はＢ′となる。従って、ＡＢの間隔よりもＡ′Ｂ′の
間隔を小さくすることができる。

【００４６】また、図１０に示すように、レーザダイオ
ード３１の前方に、プリズム９６を設置し、図に示すよ
うに、このプリズムの各面９６ａ，９６ｂ，９６ｃ，９
６ｄを設定すれば、発光点Ａ，Ｂの像はＡ′，Ｂ′とな
り、Ａ，Ｂの間隔に比べてＡ′，Ｂ′の間隔を小さくで
きる。

【００４７】なお、図９及び図１０に示された構成にお
いて、プリズム９５及びプリズム９６の各面の傾きを逆
にすれば、発光点Ａ，Ｂの像Ａ′，Ｂ′の間隔を大きく
できることは言うまでもない。さらに、プリズムの代わ
りに同様な光学的機能を有するホログラム素子を用いて
も良い。

【００４８】

【発明の効果】レーザダイオードからの複数の出射光を
傾きの異なる反射面又は透過面に入射させることによ
り、発光点の像の位置を変えることができる。従って、
この光ピックアップによれば、記録トラック上の光スポ
ットの間隔を小さくし、又は大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ピックアップの第１の実施例を
示す図であり、半導体レーザ装置の要部を示す図であ
る。

【図２】図１に示した光ピックアップの光路図である。

【図３】本発明に係る光ピックアップの第２の実施例を
示す上面図である。

【図４】図３に示した光ピックアップの側面図である。

【図５】図４に示した光ピックアップをＸ（＋）側から
見た場合の光線図である。

【図６】本発明の第３の実施例を示す図であり、磁気記
録／再生方式の光ピックアップの概略を示す側面図であ
る。

【図７】図６に示した光ピックアップのレーザ光の光路
を示す斜視図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）を含み、それぞれレーザダイオ
ードから射出されたレーザ光を反射する反射面の変形例
を示す図である。

【図９】レーザダイオードの発光部分の変形例を示す上
面図である。

【図１０】レーザダイオードの発光部分の別の変形例を
示す上面図である。

【図１１】従来の２ビームアレイ半導体レーザ装置を示
す側面図である。

【図１２】従来の半導体レーザ装置の別の構成を示す側
面図である。

【図１３】半導体レーザ装置を光ピックアップに用いた
場合において、記録媒体の記録トラック上の光スポット
の状態を示す図である。

【符号の説明】

３０…半導体レーザ装置、３１…レーザダイオード、３
３ｂ，３３ｃ…反射面、３４…対物レンズ、４３ｂ，４
３ｃ…反射面、５４ａ，５４ｂ…反射面、７４…対物レ
ンズ、９０ａ，９０ｃ，９６ａ，９６ｃ…透過面。

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【手続補正書】

【提出日】平成５年４月１４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のレーザビームを射出するレーザダ
   イオードを有する光ピックアップにおいて、 前記レーザダイオードから射出された複数の出射光を各
   々傾きの異なる反射面で反射させて同一の集光手段に入
   射させることを特徴とする光ピックアップ。
2. 【請求項２】 複数のレーザビームを射出するレーザダ
   イオードを有する光ピックアップにおいて、 前記レーザダイオードから射出された複数の出射光を各
   々傾きの異なる透過面で透過させて同一の集光手段に入
   射させることを特徴とする光ピックアップ。