JP2000020997A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の厚みの異なる光ディスクに対して記録再
生を行うことができるコンパクトな光ピックアップ装置
を提供する。 【解決手段】所定の方向に発散光を放射するレーザダイ
オード１，２を収納したレーザパッケージ５を有する。
レーザダイオード１の発光点が、光ディスクの記録面に
対向して設けられる対物レンズの焦点に位置し、レーザ
ダイオード２の発光点が対物レンズの焦点より対物レン
ズ側に所定の距離だけずれた位置にくるように構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置な
どに用いられる光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学式記録再生装置では、記録及び再生
を行う際の光ピックアップ装置から出射される微小スポ
ットの光ビームは、光ディスク盤面上の情報記録面の目
的とする位置に正確に照射されなければならない。その
ため、光ピックアップ装置は、光ディスクの面ぶれ、偏
芯などに対して、スポット制御がレンズアクチュエータ
によって高精度に追従するように構成されている。

【０００３】ところで、最近では、ＣＤ（Compact Dis
c）、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc -Read Only Memor
y）、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc - Rewritable）などの光
ディスクの他に、ＤＶＤ（Digital Video Disc）やＤＶ
Ｄ−ＲＯＭなどの高密度光ディスクが用いられるように
なってきている。ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒなどの
光ディスクは基板の厚みが１．２ｍｍであるのに対し
て、ＤＶＤなどの高密度光ディスクは基板の厚みが０．
６ｍｍである。このため、１．２ｍｍ厚の光ディスク用
の光ピックアップ装置と０．６ｍｍ厚の光ディスク用の
光ピックアップ装置では、対物レンズの設計が異なり、
例えば０．６ｍｍ厚の光ディスク用の光ピックアップ装
置で１．２ｍｍ厚の光ディスクを再生する場合には、対
物レンズの設計値からはずれてしまい、球面収差が発生
するために目的とする微小スポットの光ビームを成形で
きなかった。このように、光ピックアップ装置では、基
板の厚みの異なる光ディスクを用いて情報の記録再生を
行う場合、十分な再生特性を得られないというのが現状
であった。

【０００４】基板の厚みの異なる光ディスクを用いて情
報の記録再生を行うことが可能な光ピックアップ装置と
しては、基板の厚みの異なる光ディスク用に別の対物レ
ンズを設けたり、開口の絞りを可変としたり、さらに
は、ホログラムで焦点を２カ所設けるようにしたものな
どが提案されている。しかし、これらの手法には次のよ
うな問題がある。光ピックアップ装置に２個以上の対物
レンズを設けることは、コストが高くなるうえ、対物レ
ンズの切換制御が複雑になる。開口を操作する方法にお
いても、やはり複雑な機構が必要となる。また、２焦点
のホログラムの対物レンズを用いるものにおいては、光
利用率が低いため、記録再生に十分な光量を得られな
い。

【０００５】そこで、光ピックアップ装置内に２つの光
源を設け、一方の光源の物点位置を変えることで上記の
球面収差を補正することが考えられている。一例とし
て、図５に、波長の異なる２つの光源を備えた、球面収
差の補正が可能な従来の光ピックアップ装置の光学系を
示す。

【０００６】この光学系は、波長の異なる２つの半導体
レーザ１６ａ，１６ｂを有する。半導体レーザ１６ａか
ら射出されたレーザ光の進行方向に平行平板１７がその
レーザ光の光軸に対して所定の角度で配置され、該平行
平板１７にて反射された光の進行方向にハーフプリズム
１８、コリメートレンズ１９、対物レンズ１３が順次配
置され、該平行平板１７を透過した光の進行方向にフォ
ーカスレンズ２１、受光素子１５が順次配置されてい
る。

【０００７】ハーフプリズム１８には、平行平板１７に
て反射された光（半導体レーザ１６ａから射出されたレ
ーザ光）が該ハーフプリズム１８を透過するような方向
に、また半導体レーザ１６ｂから射出されたレーザ光が
該ハーフプリズム１８で反射されるような方向にそれぞ
れ入射されている。ハーフプリズム１８を透過した光お
よびハーフプリズム１８にて反射した光は同方向に出射
され、コリメートレンズ１９、対物レンズ１３を介して
光ディスク１４の記録面へ向かうようになっている。こ
こで、半導体レーザ１６ｂは、コリメートレンズ１９で
平行光に変換される位置より所定の距離だけハーフプリ
ズム１８側に近づけて配置されている。

【０００８】上記の光学系は、例えば半導体レーザ１６
ａにＤＶＤ用の６５０ｎｍのものを使用し、半導体レー
ザ１６ｂにＣＤ−Ｒ用の７８０ｎｍのものを用いる。Ｄ
ＶＤの場合は、半導体レーザ１６ａから射出されたレー
ザ光が平行平板１７にて反射され、ハーフプリズム１８
を透過する。そして、コリメートレンズ１９で平行光に
変換された後、対物レンズ１３で微小スポットに集光さ
れて光ディスク１４に入射する。一方、ＣＤ−Ｒの場合
は、半導体レーザ１６ｂから射出されたレーザ光がハー
フプリズム１８で反射され、コリメートレンズ１９、対
物レンズ１３を介して光ディスク１４に入射するが、コ
リメートレンズ１９では平行光に変換されない。すなわ
ち、ハーフプリズム１８で反射された半導体レーザ１６
ｂからのレーザ光は、コリメートレンズ１９で平行光に
変換されないで対物レンズ１３に入射することにより、
光ディスク１４の厚みが異なる事による球面収差の影響
をキャンセルするようになっている。

【０００９】上述した光学系において、半導体レーザ１
６ｂ（７８０ｎｍ）には従来から実用されているホログ
ラムレーザユニットを使用することができる。そのホロ
グラムレーザユニットは、例えば半導体レーザ１６ｂの
パッケージ内に半導体レーザチップと受光素子、ホログ
ラム光学素子を設けることで実現できる。このようなホ
ログラムレーザユニットを使用することにより、光学系
の簡素化を図ることができる。他方、ＤＶＤ用の半導体
レーザ１６ａ（６５０ｎｍ）については、半導体レーザ
１６ｂのようなホログラムレーザユニットはまだ一般的
ではない。そのため、ＤＶＤ用の半導体レーザ１６ａ
は、一般的な半導体レーザを用いた光学系によって構成
される。

【００１０】以下、半導体レーザ装置およびホログラム
レーザユニットの具体的な構成を説明する。

【００１１】図６に、従来の光ピックアップ装置の光学
系に用いられている半導体レーザ装置の構造を示す。こ
の半導体レーザ装置は、半導体レーザチップ２１がヒー
トシンク２２を介して実装されたチップ搭載部２９およ
びレーザ出力光をモニタする受光素子２３が金属製のス
テム２４上に設けられ、これら部材を覆うようにガラス
窓２０を備える金属製のキャップ２５がステム２４上に
装着されている。ステム２４には、絶縁部材２８により
絶縁された、半導体レーザチップ２１を駆動するための
電極端子２７が設けられている。

【００１２】図７に、従来の光ピックアップ装置の光学
系に用いられているホログラムレーザユニットの構造を
示す。このホログラムレーザユニットは、主面を選択的
に異方性エッチングして半導体レーザチップ３０を取り
付けるための凹部平坦面３２を形成したヒートシンク用
シリコン基板３１を有する。このヒートシンク用シリコ
ン基板３１の凹部平坦面３２を囲む側壁の少なくとも一
つには、反射面が凹部平坦面３２に対して略４５度に傾
斜している反射鏡３３が設けられている。半導体レーザ
チップ３０は、そのレーザ光出射端が反射鏡３３に対す
るようにして取り付けられており、この半導体レーザチ
ップ３０から射出されたレーザ光が反射鏡３３によって
９０度反射されて出射される（出射光３４）。ヒートシ
ンク用シリコン基板３１の上面にはさらに、出射光３４
が光ディスク（不図示）等によって反射された信号光３
５を検出するための信号光検出回路３６、この信号光検
出回路３６からの信号を処理する信号処理回路３７およ
び半導体レーザチップ３０の後方から出射されるレーザ
光３８を検出するためのモニタ用受光素子３９がそれぞ
れ設けられている。

【００１３】上述した光学系の場合、波長の異なる２つ
の光源を備えるため、波長依存性のある光ディスクを用
いる場合に特に有効である。以下に、波長依存性のある
光ディスクを用いる場合の一例を挙げる。

【００１４】光ピックアップ装置の光源としては、ガリ
ウムヒ素（以下、ＧａＡｓと記す）基板上にエピタキシ
ャル成長されたガリウムアルミニウムヒ素（以下、Ｇａ
ＡｌＡｓと記す）系のダブルヘテロ構造レーザが一般に
使用される。例えば、ＣＤおよびビデオディスク用には
波長が７８０ｎｍのレーザが使用され、光ディスク用に
は波長が８３０ｎｍまたは７８０ｎｍの高出力レーザが
使用される。一方、大容量化されたＤＶＤの光源として
は、半導体レーザの短波長化によって高密度化を達成す
るために、波長が６５０ｎｍの半導体レーザが使用され
ている。ＤＶＤに関しては、再生専用も記録用も同様の
波長を使用している。

【００１５】例えば、波長が６５０ｎｍの半導体レーザ
ですべての光ディスクの記録再生ができれば、光源を６
５０ｎｍの波長のものに統一することが可能である。し
かし、有機色素媒体で構成されたＣＤ−Ｒなどは、図８
に示すように（図８には、３枚のＣＤ−Ｒをそれぞれ測
定した結果が示めされている。）、ＣＤ再生に使用され
る７８０ｎｍの光に対して７０％以上の反射率を持って
おり、記録再生に十分な特性を有しているが、その反
面、ＤＶＤ記録再生の場合に使用される７００ｎｍ以下
（ＤＶＤなど高密度化された光ディスクを再生するため
には波長は短いほどよい。）の光に対しては反射率をほ
とんど得られない特性となっている。すなわち、ＤＶＤ
などの高密度化された光ディスクで使用している６５０
ｎｍ付近の光は、ＣＤ−Ｒの記録再生用に用いることは
できない。このため、波長感度の異なる光ディスクを用
いて記録再生を行う場合は、少なくとも２個の半導体レ
ーザとこれを個別に導くための光路が備えられる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の光ピッ
クアップ装置には、以下のような問題がある。

【００１７】基板の厚みの異なる光ディスクを用いて情
報の記録再生を行う場合、その基板の厚みの差に応じて
別の対物レンズを光ピックアップ装置に設けたり、開口
の絞りを可変としたり、さらには、ホログラムで焦点を
２カ所設ける等の方法が考えられるが、いずれの手法も
装置が複雑で大型化してしまうという問題がある。

【００１８】図５に示した光ピックアップ装置において
は、光源および各光学部品がそれぞれ独立して設けられ
ているため、光学調整工数が増大するとともに、装置が
大型化し、コストも高くなる。また、図６に示した半導
体レーザ装置は、光検出器１５が必要になるため、各光
学部材のアラインメントなどの光学調整工数が増えると
ともに、上記の場合と同様にコスト高、大型化という問
題が生じる。

【００１９】なお、最近では、レーザパッケージ内にレ
ーザチップを２個以上配置して再生光学系を構成した装
置も提案されているが、このような装置では、半導体レ
ーザチップが近接して配置されるため、相互の発熱によ
りレーザ特性が劣化してしまうという問題がある。

【００２０】本発明は、上記各問題に鑑みてなされたも
ので、基板の厚みの異なる光ディスクに対して記録再生
を行うことができ、かつ、レーザ特性が劣化することの
ない、コンパクトな光ピックアップ装置を提供すること
を目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光ピックアップ装置は、所定の方向に発散
光を放射する第１および第２の半導体レーザを収納した
レーザパッケージと、前記第１および第２の半導体レー
ザから放射された発散光を光ディスクの記録面上に集光
する対物レンズとを有し、前記第１の半導体レーザの発
光点が前記対物レンズの焦点に位置し、前記第２の半導
体レーザの発光点が前記対物レンズの焦点より対物レン
ズ側に所定の距離だけずれた位置にくるように構成され
たことを特徴とする。

【００２２】上記の場合、前記第１および第２の半導体
レーザは、それぞれ第１および第２のヒートシンクを介
してステム上に設けられ、前記第１および第２のヒート
シンクの前記ステムからのそれぞれの高さが、前記第１
の半導体レーザの発光点が前記対物レンズの焦点に位置
し、前記第２の半導体レーザの発光点が前記対物レンズ
の焦点より対物レンズ側に所定の距離だけずれた位置に
くるように設定されるようにしてもよい。

【００２３】また、前記第１および第２の半導体レーザ
の波長が異なるようにしてもよい。

【００２４】さらに、前記レーザパッケージが、発光点
が前記対物レンズと該対物レンズの焦点との間の、前記
第２の半導体レーザの発光点の位置とは異なる位置にく
るように設けられた少なくと１つの半導体レーザをさら
に収納するように構成してもよい。

【００２５】さらに、偏光ビームスプリッターをさらに
有し、前記第１の半導体レーザがファーフィールドの長
軸方向にＰ偏光を有し、前記第２の半導体レーザがファ
ーフィールドの短軸方向にＰ偏光を有し、これら第１お
よび第２の半導体レーザが前記偏光ビームスプリッター
に対してそれぞれＳ偏光、Ｐ偏光となるように配置され
るとともに、前記偏光ビームスプリッターを透過した光
が同一の光軸となるように配置される構成としてもよ
い。

【００２６】さらに、上述のいずれかの光ピックアップ
装置において、前記レーザパッケージに収納された各半
導体レーザの駆動を制御する制御手段と、光ディスクの
記録面からの反射光を検出する光検出手段とをさらに有
し、前記制御手段が、前記光検出手段にて一定光量以上
の光信号が検出されるように、前記各半導体レーザを切
り替えるような構成にしてもよい。 （作用）上記のとおりの本発明においては、第１の半導
体レーザはその発光点が対物レンズの焦点に位置するよ
うに構成されているので、基板の厚みが対物レンズの設
計値内である光ディスクが用いられた場合は、この第１
の半導体レーザからの発散光が対物レンズによって光デ
ィスクの記録面上に集光され、球面収差のない微小スポ
ットが形成される。また、第２の半導体レーザはその発
光点が対物レンズの焦点より対物レンズ側に所定の距離
だけずれた位置にくるように設定されているので、この
第２の半導体レーザから放射された発散光は、対物レン
ズによって上記第１の半導体レーザからの発散光が集光
される位置より奥側に集光され、球面収差のない微小ス
ポットが形成される。本発明では、この第２の半導体レ
ーザの発光点が、基板の厚みが対物レンズの設計値から
はずれた光ディスクの記録面上に集光される位置に設定
されるので、対物レンズの設計値からはずれた光ディス
クについても、球面収差のない微小スポットが形成され
る。

【００２７】また、本発明においては、各半導体レーザ
はそれぞれの発光点が上述のような位置に設定された状
態でレーザパッケージに収容されるので、従来のように
光学調整工数が増大することがなく、装置のコンパクト
化も可能となる。

【００２８】さらに、本発明においては、第１の半導体
レーザが固定される第１のヒートシンクと第２の半導体
レーザが固定される第２のヒートシンクとのステムから
の高さが異なり、第１および第２の半導体レーザの間に
ある程度の距離を確保できるようになっているので、従
来のように相互の発熱によりレーザ特性が劣化するとい
ったことは生じない。

【００２９】さらに、本発明においては、第１および第
２の半導体レーザがそれぞれＳ偏光、Ｐ偏光となるよう
に配置されるので、両半導体レーザから放射された発散
光が干渉することがなくなり、第１および第２の半導体
レーザを同時に駆動することが可能になる。また、偏光
ビームスプリッターを透過した光が同一の光軸となるよ
うに配置されているので、対物レンズを通過後の第１お
よび第２の半導体レーザの各発散光の光軸が同一とな
り、基板の厚みの異なる光ディスク間の、記録面上に形
成される微小スポットの相対位置が合致する。

【００３０】さらに、本発明においては、第１および第
２の半導体レーザの波長が異なるので、波長感度の異な
る光ディスクへの記録再生が可能になる。

【００３１】さらに、本発明においては、光検出手段に
て一定光量以上の光信号が検出されるように各半導体レ
ーザの切り替えが行われるので、セットされた光ディス
クの厚み、種類に応じて半導体レーザが切り替えられ
る。

【００３２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１の実施形態の光
ピックアップ装置の主要部の概略構成を示す。この光ピ
ックアップ装置は、ステム６上に、ヒートシンク７を介
してレーザダイオード（ＬＤ）１が設けられ、さらにヒ
ートシンク８を介してレーザダイオード（ＬＤ）２が設
けられ、これら部材がガラスや透明樹脂などからなるカ
バーで被覆されたレーザパッケージ５を備える。

【００３３】各ヒートシンク７，８は、ステム６上にろ
う材などにより融着されており、ステム６の面からのそ
れぞれの高さは異なる。すなわち、本形態では、ヒート
シンク７上に融着されるＬＤ１の発光点とヒートシンク
８上に融着されたＬＤ２の発光点とのステム６の面から
高さが異なる。

【００３４】各ＬＤ１，２はほぼ同一方向にレーザ光
（発散光）が放射されるように構成されており、各発散
光が光ディスクの記録面に対向して配置される有限系の
対物レンズ（不図示）へ入射するようになっている。Ｌ
Ｄ１の発光点は対物レンズの焦点に位置し、該焦点より
対物レンズ側に所定の距離だけずれた位置（すなわち、
対物レンズの設計値からはずれた基板の厚い光ディスク
の記録面上に球面収差のない微小スポットが形成される
ような位置）にＬＤ２の発光点が位置する。これらＬＤ
１，２の発光点の位置は、上記のステム６の面からの各
ＬＤの発光点の高さの違いにより任意に設定できる。

【００３５】本形態の光ピックアップ装置では、対物レ
ンズの設計値内の厚みを持つ光ディスクの場合はＬＤ１
が使用される。ＬＤ１から出射されたレーザ光は、発散
光となりパッケージ５の外部に向かって照射される。こ
の発散光は対物レンズで光ディスクの記録面上に集光さ
れ、球面収差のない微小スポットが形成される。これに
より、設計値内の厚みを持つ光ディスクに対する情報の
記録再生が可能になる。

【００３６】一方、対物レンズの設計値からはずれた基
板の厚い光ディスクの場合はＬＤ２が使用される。ＬＤ
２から出射されたレーザ光は、ＬＤ１の場合と同様に発
散光となってパッケージ５の外部に向かって照射され
る。この発散光は、対物レンズを通過して光ディスクの
記録面上に照射されるが、ＬＤ２の発光点の位置は対物
レンズの焦点より対物レンズ側に所定の距離だけずれた
位置に設定されているため、球面収差が緩和されて光デ
ィスクの記録面上に集光される。これにより、光ディス
クの厚みが異なることによる球面収差の影響がキャンセ
ルされ、目的とする微小スポットの光ビームを成形でき
る。

【００３７】本形態では、ＬＤ２の発光点の位置は、光
ディスクの厚みの違いに応じて設定される。例えば、基
板の厚みの差が０．６ｍｍ（０．６ｍｍ厚の光ディスク
と１．２ｍｍ厚の光ディスクを用いる場合）であれば、
ＬＤ２の発光点の位置は、対物レンズの焦点より対物レ
ンズ側に約１０ｍｍ程度ずれた位置に設定される。この
構成では、０．６ｍｍ厚の光ディスクに対してＬＤ１が
使用され、１．２ｍｍ厚の光ディスクに対してＬＤ２が
使用される。

【００３８】また、各ＬＤ１，２の波長は使用される光
ディスクの波長感度に応じて設定することが可能であ
る。例えば、ＬＤ１をＤＶＤに対応した６５０ｎｍ相当
の短波長ＬＤとし、ＬＤ２をＣＤ−Ｒ等に対応した７８
０ｎｍ等のＬＤとすることが可能である。この場合、各
ＬＤから放射される発散光は、波長が異なることにより
光の干渉を生じることはない。

【００３９】さらに、２つ以上のＬＤチップを配置した
レーザ装置において生じる熱干渉も、発光点の位置の違
いによって確保されるＬＤチップ間の距離により抑制さ
れる。

【００４０】本形態では、レーザパッケージ５は２つの
ＬＤが設けられた構成になっているが、ＬＤは３つ以上
設けてもよい。ＬＤを３つ以上設けた場合は、基板の厚
みや波長感度の異なる３種類以上の光ディスクに対応す
ることが可能になる。

【００４１】以上説明した光ピックアップ装置の主要部
を備えた光ピックアップ装置の光学ブロックを図４に示
す。この光ピックアップ装置では、図１に示したレーザ
パッケージ５から出射された発散光が、プリズム１２を
通って対物レンズ１３に入射する。対物レンズ１３で所
望の微小スポットに集光された光は、光ディスク１４の
記録面上に照射され、情報記録信号が再生される。光デ
ィスク１４の記録面で反射された光（情報記録信号を含
んでいる）は、同じ光路を戻り、対物レンズ１３を透過
し、プリズム１２で反射されて受光素子１５の受光面に
集光される。受光素子１５では、入射された光が光電気
変換され、これにより情報信号が得られる。 （第２実施形態）図２に、本発明の第２の実施形態の光
ピックアップ装置の主要部の概略構成を示す。この光ピ
ックアップ装置は、複屈折結晶板（偏光ビームスプリッ
ター）９を設けた以外は上述の図１に示した構成とほぼ
同様のものである。図２中、同じ構成には同じ符号を付
している。

【００４２】複屈折結晶板９は、レーザパッケージ５の
出射面側に設けられている。ＬＤ１’，２’は、上述の
図１のＬＤ１，２と同じように発光点の位置が設定され
ており、光ディスクの保護膜の厚みが異なることによる
球面収差の影響をキャンセルできるようになっている。
本形態では、ＬＤ１’はファーフィールドの長軸方向に
Ｐ偏光を有し、ＬＤ２’はファーフィールドの短軸方向
にＰ偏光を有し、これらＬＤ１’，２’が複屈折結晶板
９に対してそれぞれＳ偏光、Ｐ偏光となるように配置さ
れるとともに、複屈折結晶板９を透過した光が同一の光
軸となるように配置されている。この構成では、各ＬＤ
１’，２’からの発散光は、複屈折結晶板９で決まる分
離角に合わせた発光点から放射されることになる。

【００４３】図３に、複屈折結晶板９の原理を示す。複
屈折結晶板９では、ファーフィールドの短軸方向にＰ偏
光を有する偏光光１０ａを垂直に入射すると、該偏光光
１０ａはそのまま透過する。一方、ファーフィールドの
長軸方向にＰ偏光を有する偏光光１０ｂの場合は、複屈
折結晶板９の入射面に対し、ある角度もって入射しない
と透過しない。複屈折結晶板９に対して偏光光１０ａを
垂直に入射させ、偏光光１０ｂを所定の角度で入射させ
ると、それらの透過光はあらゆる方向の偏光成分を持つ
出射光１１として得られる。この働きを利用することに
より、図２に示した構成が可能となる。複屈折結晶板９
は、例えばルチル結晶等の高屈折結晶材を用いる事で実
現できる。

【００４４】本形態の光ピックアップ装置においても、
上述した第１の実施形態のものと同様、対物レンズの設
計値内の厚みを持つ光ディスクの場合はＬＤ１’が使用
され、対物レンズの設計値からはずれた基板の厚い光デ
ィスクの場合はＬＤ２’が使用されて、球面収差のない
微小スポットが形成される。

【００４５】また、本形態の光ピックアップ装置では、
各ＬＤ１’，２’がそれぞれＳ偏光、Ｐ偏光となるよう
に配置されるので、両半導体レーザの波長が同じであっ
ても、放射される発散光が干渉することはない。よっ
て、各ＬＤ１’，２’を同時に駆動することができる。
この場合、光ディスクの記録面からの反射光には、各Ｌ
Ｄ１’，２’からの光の反射光が含まれる。ただし、光
ディスクの基板の厚みの違いに応じて、いずれか一方の
ＬＤは微小スポットにはならないので、光ディスクの基
板の厚みに対応したＬＤのみによって微小スポットが形
成される。例えば、０．６ｍｍ厚の光ディスク用にＬＤ
１’が設定され、１．２ｍｍ厚の光ディスク用にＬＤ
２’が設定された場合では、０．６ｍｍ厚の光ディスク
が用いられた場合は、ＬＤ１’の発散光のみによって微
小スポットが形成され、ＬＤ２’の発散光は記録面上に
集光されない。

【００４６】また、複屈折結晶板９を透過した光が同一
の光軸となるように配置されているので、対物レンズを
通過した後の各ＬＤ１’，２’の発散光の光軸が同一と
なる。この構成では、０．６ｍｍ厚の光ディスクが用い
られた場合のＬＤ１’の発散光によって形成される微小
スポットと、１．２ｍｍ厚の光ディスクが用いられた場
合のＬＤ２’の発散光によって形成される微小スポット
との、記録面上に形成される相対位置が合致する。

【００４７】また、各ＬＤ１’，２’の波長も、上述し
た第１の実施形態のものと同様、使用される光ディスク
の波長感度に応じて設定することが可能である。例え
ば、ＬＤ１’をＤＶＤに対応した６５０ｎｍ相当の短波
長ＬＤとし、ＬＤ２’をＣＤ−Ｒ等に対応した７８０ｎ
ｍ等のＬＤとすることが可能である。

【００４８】さらに、本形態においても、レーザパッケ
ージ５が３つ以上のＬＤを収納するようにしてもよい。
この場合は、基板の厚みや波長感度の異なる３種類以上
の光ディスクに対応することが可能になる。

【００４９】本形態の構造も、前述の図４に示すような
光ピックアップ装置に適用することが可能である。

【００５０】以上説明した各実施形態において、レーザ
パッケージに収納された各半導体レーザを、光ディスク
の厚み、種類に応じて切り替えるように構成することも
できる。例えば、０．６ｍｍ厚の光ディスク用にＬＤ１
（ＬＤ１’）が設定され、１．２ｍｍ厚の光ディスク用
にＬＤ２（ＬＤ２’）が設定された場合、ＬＤ１（ＬＤ
１’）とＬＤ２（ＬＤ２’）を光ディスクの厚み、種類
に応じて以下のように切り替えることができる。

【００５１】光ディスクの厚みに応じてＬＤ１（ＬＤ
１’）とＬＤ２（ＬＤ２’）を切り替える場合は、各Ｌ
Ｄ１，２の駆動を制御する制御部が、０．６ｍｍ厚の光
ディスクがセットされた場合にはＬＤ１を駆動し、１．
２ｍｍ厚の光ディスクがセットされた場合にはＬＤ２を
駆動する。光ディスクの厚みの判別は、光ディスクを装
置に挿入したときに、メカニカルなセンサで光ディスク
の厚みを判別することで実現できる。

【００５２】また、フォーカシングサーボをかけて記録
信号が読めるか否かを判定しながらＬＤ１とＬＤ２を切
り替えることで、光ディスクの厚み、種類に応じた切り
替えも可能になる。この場合は、上記制御部が、光ディ
スクの記録面からの反射光を検出する光検出部（図４の
受光素子１４）にて一定光量以上の光信号が検出される
ように、ＬＤ１（ＬＤ１’）とＬＤ２（ＬＤ２’）を切
り替えることで実現できる。

【００５３】以上の説明では、有限系の対物レンズを用
いたものについてであったが、前述の図５に示したよう
な系にも本発明は適用することができる。この場合は、
ＬＤ１（ＬＤ１’）の発光点がコリメートレンズの前側
焦点（対物レンズとコリメートレンズの合成焦点）に位
置し、ＬＤ２（ＬＤ２’）の発光点がその焦点よりもコ
リメートレンズ側に所定の距離だけずれた位置にくるよ
うに設けられる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、例えばＣ
Ｄ−Ｒなどの光ディスク、該光ディスクとは基板の厚み
や記録密度等の規格が異なるＤＶＤ等の光ディスクに対
応して設けられた複数の半導体レーザはレーザパッケー
ジに収納されるので、従来のものより光学調整工数が少
なくなるとともに、装置もコンパクトなものになるとい
う効果がある。

【００５５】また、本発明によれば、ヒートシンクの段
差によって各半導体レーザ間の距離をある程度確保でき
るようになっているので、熱干渉の影響を低減でき、レ
ーザ特性が劣化するのを防止することができる。よっ
て、安定性にすぐれた光ピックアップ装置を提供するこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の光ピックアップ装置
の主要部の概略を示す構成図である。

【図２】本発明の第２の実施形態の光ピックアップ装置
の主要部の概略を示す構成図である。

【図３】図２に示す複屈折結晶板の原理を説明するため
の図である。

【図４】図１に示すレーザパッケージを備える光ピック
アップ装置の一構成例を示す光学ブロック図である。

【図５】波長の異なる２つの光源を備えた、球面収差の
補正が可能な従来の光ピックアップ装置の光学系を示す
図である。

【図６】従来の光ピックアップ装置の光学系に用いられ
ている半導体レーザ装置の構造を示す図である。

【図７】従来の光ピックアップ装置の光学系に用いられ
ているホログラムレーザユニットの構造を示す図であ
る。

【図８】ＣＤ−Ｒの反射率の波長依存性を示す図であ
る。

【符号の説明】

１，２ レーザダイオード ５ レーザパッケージ ６ ステム ７，８ ヒートシンク ９ 複屈折結晶板 １２ プリズム １３ 対物レンズ １４ 光ディスク １５ 受光素子

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の方向に発散光を放射する第１およ
   び第２の半導体レーザを収納したレーザパッケージと、 前記第１および第２の半導体レーザから放射された発散
   光を光ディスクの記録面上に集光する対物レンズとを有
   し、 前記第１の半導体レーザの発光点が前記対物レンズの焦
   点に位置し、前記第２の半導体レーザの発光点が前記対
   物レンズの焦点より対物レンズ側に所定の距離だけずれ
   た位置にくるように構成されたことを特徴とする光ピッ
   クアップ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光ピックアップ装置前
   記第１および第２の半導体レーザは、それぞれ第１およ
   び第２のヒートシンクを介してステム上に設けられ、 前記第１および第２のヒートシンクの前記ステムからの
   それぞれの高さが、前記第１の半導体レーザの発光点が
   前記対物レンズの焦点に位置し、前記第２の半導体レー
   ザの発光点が前記対物レンズの焦点より対物レンズ側に
   所定の距離だけずれた位置にくるように設定されている
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の光ピックアップ装置に
   おいて、 前記第１および第２の半導体レーザの波長が異なること
   を特徴とする光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の光ピックアップ装置に
   おいて、 前記レーザパッケージが、発光点が前記対物レンズと該
   対物レンズの焦点との間の、前記第２の半導体レーザの
   発光点の位置とは異なる位置にくるように設けられた少
   なくと１つの半導体レーザをさらに収納したことを特徴
   とする光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の光ピックアップ装置に
   おいて、 偏光ビームスプリッターをさらに有し、 前記第１の半導体レーザがファーフィールドの長軸方向
   にＰ偏光を有し、前記第２の半導体レーザがファーフィ
   ールドの短軸方向にＰ偏光を有し、これら第１および第
   ２の半導体レーザが前記偏光ビームスプリッターに対し
   てそれぞれＳ偏光、Ｐ偏光となるように配置されるとと
   もに、前記偏光ビームスプリッターを透過した光が同一
   の光軸となるように配置されたことを特徴とする光ピッ
   クアップ装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
   記載の光ピックアップ装置において、 前記レーザパッケージに収納された各半導体レーザの駆
   動を制御する制御手段と、 光ディスクの記録面からの反射光を検出する光検出手段
   とをさらに有し、 前記制御手段が、前記光検出手段にて一定光量以上の光
   信号が検出されるように、前記各半導体レーザを切り替
   えることを特徴とする光ピックアップ装置。