CN114667652A - 半导体激光装置 - Google Patents

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CN114667652A
CN114667652A CN201980102290.1A CN201980102290A CN114667652A CN 114667652 A CN114667652 A CN 114667652A CN 201980102290 A CN201980102290 A CN 201980102290A CN 114667652 A CN114667652 A CN 114667652A
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laser light
laser device
inclination
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小坂尚希
渊田步
中村直干
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Abstract

具备：半导体激光光源(3)，将光束中心(Cb)倾斜(α)地设置，使得具有朝向管座(2)的安装面(2ft)的成分；反射面(4fm)，使来自半导体激光光源(3)的激光朝向透镜(6)反射；以及第二反射面(5fm)，与反射面(4fm)的靠近半导体激光光源(3)侧的端部相连，并使激光朝向透镜(6)反射，反射面(4fm)以及第二反射面(5fm)中的一方由形成于测量激光的光量的PD芯片(41)的电介质多层膜构成，将反射面(4fm)的倾斜度(β)设定为从45°减去比倾斜度(α)小的值而得的值，将第二反射面(5fm)的倾斜度(γ)设定为从45°减去比倾斜度(α)大的值而得的值。

Description

半导体激光装置
技术领域
本申请涉及半导体激光装置。
背景技术
在通信用的半导体激光装置中，若将对来自半导体激光芯片(LD芯片)的输出进行监视的光电二极管芯片(PD芯片)配置于LD芯片的后端侧，则前方光输出与后方光输出的比率不稳定，难以进行高精度的控制。为此，提出了一种使监视前方光输出的光电二极管芯片(PD芯片)相对于管座上表面倾斜45°，而使从LD芯片射出的前方光向向垂直方向弯曲的半导体激光装置(例如，参照专利文献1、2。)。
另外，公开了一种为了减少光耦合损耗，而用弯曲、或非平面性的光反射器使激光弯曲，而收敛到光纤的构造(例如，参照专利文献3。)。
专利文献1：日本特开平8-116127号公报(段落0022～0027，图1～图4)
专利文献2：日本特开2005-260223号公报(段落0016～0030，图1～图2)
专利文献3：日本特表2008-535259号公报(段落0019～0021，图4)
这里，由于从LD芯片射出的激光存在扩散，所以激光在反射面处的入射角根据从光轴起的角度而变化，由此使得反射率产生分布。然而，在上述各文献所公开的技术中，针对反射率的分布没有任何考虑，其结果，激光的强度分布溃散，通信品质有可能劣化。
发明内容
本申请公开一种用于解决上述课题的技术，目的在于实现一种能够抑制通信品质的劣化和光输出的降低的半导体激光装置。
本申请所公开的半导体激光装置具备：管座，相对于射出口隔开间隔且相对地配置有安装面；半导体激光光源，设置成光束中心具有朝向上述安装面的成分；反射面，使从上述半导体激光光源入射的激光朝向上述射出口反射；以及第二反射面，与上述反射面的靠近上述半导体激光光源侧的端部相连，并使从上述半导体激光光源入射的激光朝向上述射出口反射，上述反射面以及上述第二反射面中的一方由形成于测量上述激光的光量的光电二极管的电介质多层膜构成，若将在与上述安装面垂直且包含上述光束中心的面内的、上述光束中心相对于上述安装面的倾斜度设为α，则上述反射面的倾斜度β设定为从45°减去比α小的值而得的值，上述第二反射面的倾斜度γ设定为从45°减去比α大的值而得的值。
根据本申请所公开的半导体激光装置，由于使用倾斜度不同的两级反射面减小入射角的分布，所以能够得到能够抑制通信品质的劣化和光输出的降低的半导体激光装置。
附图说明
图1A和图1B分别是实施方式1所涉及的半导体激光装置的俯视图和剖视图。
图2是表示PD芯片表面处的激光的反射率的入射角依赖性的图表形式的图。
图3是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置中的激光与反射面的角度关系的图。
图4是实施方式2所涉及的半导体激光装置的剖视图。
图5是实施方式3所涉及的半导体激光装置的剖视图。
图6A和图6B分别是实施方式3所涉及的半导体激光装置的俯视图和剖视图。
具体实施方式
实施方式1
图1A～图3是用于对实施方式1所涉及的半导体激光装置的结构和动作进行说明的图，图1A、图1B是从透视镜侧观察半导体装置时的俯视图(图1A)、和由图1A的A－A线切断的与半导体激光装置的管座上表面(安装面)垂直且包含激光的光束中心在内的面的剖视图(图1B)。另外，图2是表示激光在PD芯片表面处的反射率的入射角依赖性的图表形式的图。并且，图3是表示在与图1B对应的位置关系下的激光与反射面的角度关系的图。
如图1A、图1B所示，本申请的各实施方式所涉及的半导体激光装置1具有：LD芯片31，使激光振荡；和PD芯片41，监视从LD芯片31射出的前方光的强度，并且朝向透镜6反射前方光。作为半导体激光装置1的射出口的透镜6，相对于安装LD芯片31以及PD芯片41的管座2的安装面2ft，隔开间隔，使光轴X6垂直地相对配置。
并且，在管座2中的PD芯片41与LD芯片31之间配置有第二反射部5，该第二反射部5具有相对于PD芯片41的反射面4fm与LD芯片31侧相连的第二反射面5fm。LD芯片31以向光束中心Cb(图3)朝向安装面2ft的方向射出激光的方式相对于安装面2ft倾斜地配置，并且构成为使从前端面3fe射出的激光通过第二反射面5fm和反射面4fm朝向透镜6向上方反射。
为此，使管座2的用于设置LD芯片31的倾斜台2ma、用于设置PD芯片41的倾斜台2mb、以及用于设置第二反射部5的倾斜台2mc，分别具备具有后述关系的倾斜度。LD芯片31经由LD次基台32安装于倾斜台2ma，PD芯片41经由PD次基台42安装于倾斜台2mb。而且，第二反射面5fm是通过经由PD次基台52将PD芯片51安装于倾斜台2mc而形成的。
此外，将LD芯片31和LD次基台32合称为半导体激光光源3，将PD芯片41和PD次基台42合称为反射部4。同样，将PD芯片51和PD次基台52合称为第二反射部5。此外，作为半导体激光装置1，例如具备电路部件等图示以外的其他部件，但在本申请中，仅抽取光学要素进行说明。
PD芯片41作为测量从LD芯片31射出的激光的强度的监视器发挥功能，并且形成通过电介质多层膜反射激光的反射面4fm。电介质多层膜是将折射率不同的材料堆积成层构造而成的构造，例如通过将Si和SiO2堆积成多层构造的膜，能够高效地反射激光。此外，电介质多层膜由于通过控制层数能够改变光的反射率，因此能够将所需的激光的一部分引入到PD芯片41，来测量强度。另外，作为第二反射部5的PD芯片51，与PD芯片41同样地，通过电介质多层膜形成反射激光的第二反射面5fm。此外，并不局限于电介质多层膜，只要能够以透过一部分光的方式形成，则也可以构成为用金属反射膜等来反射激光。
而且，本申请的各实施方式所涉及的半导体激光装置1的特征在于，根据激光的扩散(扩散角θ)，来设定相对于安装面2ft的半导体激光光源3的倾斜度α、反射面4fm的倾斜度β、以及第二反射面5fm的倾斜度γ。在对该详细情况进行说明之前，对专利文献1、2所公开的一般激光半导体装置中的反射进行说明。
例如，在自光束中心Cb的扩散角θ为0°即平行光的情况下，即使相对于管座上表面平行地配置LD芯片，并仅用倾斜45°的反射面朝向透镜向上方反射，入射角也全部成为45°。即，在仅处理平行光的情况下，只要用如专利文献1、2所记载的那样的相对于管座上表面具有45°即相对于激光具有135°(180°－45°)的倾斜度的反射面来反射即可。
但是，现实的来自LD芯片的激光是以从光束中心Cb具有±θ的扩散的方式射出的。此时，例如，比光束中心Cb朝向透镜侧扩散的光的入射角大于光束中心Cb的光，比光束中心Cb朝向管座侧扩散的光的入射角小于光束中心Cb的光。即，相对于光束中心Cb朝向管座侧扩散的最端部的光的入射角成为最小值(45－θ)，相对于光束中心Cb朝向透镜侧扩散的最端部的光的入射角成为最大值(45+θ)。
这里，例如，在使用扩散角θ＝40°的LD芯片的情况下，入射角为5～85°，产生80°(＝2θ)的差，如图2所示，反射率的分布从弱于70％扩散至接近95％，激光的强度分布溃散，通信品质有可能劣化。针对于此，例如，使LD芯片朝向下方倾斜20°(α＝20)，为了补偿由该倾斜度引起的向透镜6的反射光的朝向的变化，使PD芯片的倾斜度β从45°减小α的一半(＝10°)(β＝45－α/2)。
那么，PD芯片相对于光束中心Cb的倾斜度变成比135°小10°(＝α－β)。于是，几何学上的入射角的最大值为75°(＝45+θ－α+β)，最小值为－5°(＝45－θ－α+β)，考虑到反射率的分布的最小值为0°，差缩窄到75°(＝75－0)。但是，入射角为0°以下的部分比原来的LD芯片朝向下方前进，意味着不朝向透镜侧，因此激光的利用率降低。
相对于此，在本申请的半导体激光装置1中，除了上述的倾斜关系的LD芯片31和反射面4fm之外，还设置有与反射面4fm连续，并且倾斜度比反射面4fm更小的第二反射面5fm。详细而言，如图3所示，设定为将PD芯片41的反射面4fm相对于与管座2的安装面2ft平行的方向D2的倾斜度β设为上述的45－α/2，使第二反射面5fm的倾斜度γ小于倾斜度β，使与光束中心Cb所成的角大于135°。即，设定为反射面4fm相对于光束中心Cb的角度小于135°，第二反射面5fm相对于光束中心Cb的角度大于135°。
更具体而言，通过将倾斜度γ设为45－(α+θ)/2，如后述那样，能够使光束中的比图3中的光束中心Cb向上方的整个范围、和从光束中心Cb向下方的θ/2范围的光束照射到反射面4fm。此外，在定义为γ＝45－(α+θ)/2时，作为使第二反射面5fm相对于光束中心Cb的角度大于135°的条件，为α＜θ。
例如，若相对于θ＝40°，将α设定为上述的20°，则β＝35°、γ＝15°，反射面4fm相对于光束中心Cb的角度为125°，第二反射面5fm相对于光束中心Cb的角度为145°。即，反射面4fm相对于光束中心Cb的角度比135°小10°，第二反射面5fm相对于光束中心Cb的角度比135°大10°。
若将反射面4fm相对于光束中心Cb的角度从135°减少的减少量(差分)设为Δ4，则入射角在反射面4fm处的最大值成为75°(＝45+θ－Δ4)，比上述的单纯地倾斜45°的情况(85°)小。另一方面，若将第二反射面5fm相对于光束中心Cb的角度从135°增大的增量(差分)设为Δ5，则入射角在第二反射面5fm处的最小值成为15°(＝45－θ－Δ5)，差缩窄为70°。此时，相对于反射面4fm，入射角成为与最小值相同的15°的是从光束中心Cb向下方倾斜20°(＝θ/2)的部分。
为此，通过将从光束中心Cb向下方倾斜20°的部分设为边界角度Ab，并设为与第二反射面5fm连接的边界，从而能够将入射角的最小值保持为15°以上。该边界角度Ab处的向第二反射面5fm的入射角为35°(＝45－Ab+Δ5)，反射面4fm处的入射角从靠近透镜6的一侧的端部到与第二反射面5fm之间的边界部分，从75°变化为15°。同样地，第二反射面5fm处的入射角从与反射面4fm之间的边界部分到靠近LD芯片31的一侧的端部，从35°变化为15°。即，通过使入射角之差缩窄为60°，能够抑制反射率的分布，对齐激光的强度分布，维持高的通信品质。
此外，根据β＝45－1/2α的关系，成为Δ4＝α/2，反射面4fm处的入射角的最大值成为45+θ－α/2。另外，由于Δ5＝45－α－γ，所以第二反射面5fm处的入射角的最小值成为90－θ－α－γ。因此，边界角度Ab成为θ+γ+α/2－45，边界角度Ab处的第二反射面5fm处的入射角成为135－θ－2γ－3/2α。
此时，在反射面4fm中，仅在比从发光点3s引出的垂线的垂足fp4靠近透镜6的一侧，反射激光。同样地，在第二反射面5fm中，也仅在比从发光点3s引出的垂线的垂足fp5靠近透镜6的一侧反射激光，因此抑制不朝向透镜6侧的成分，还能够确保激光的利用率。这些通过将反射面4fm与第二反射面5fm的边界设定在适当的位置，而在满足α＜θ的α与θ的任何组合中均成立。
此外，上述的边界角度Ab是用于使反射面4fm处的入射角的最小值保持在第二反射面5fm处的入射角的最小值以上的边界，若将边界设定为比边界角度Ab小的角度，则反射面4fm处的入射角的最小值增大。但是，在该情况下，能够由PD芯片41监视的光量减少，因此根据重要度来适当设定边界即可。
另一方面，最小值由于其角度变大的量与光束中心Cb与第二反射面5fm所成的角的从135°增大的增量Δ5相同，因此也可以将从135°增大的增量Δ5设定为超过0的值，而不必拘泥于上述定义(γ＝45－(α+θ)/2)。但是，在该情况下，对于入射于反射面4fm的边界角度Ab的位置而言，若α变大1°，则从θ变小0.5°，若Δ5变大1°，则相同地变小1°，而接近光束中心Cb的入射位置。即，成为Ab＝θ－Δ5－α/2。
如上述那样，由于用比光学反射镜廉价的PD次基台52和PD芯片51形成第二反射部5，所以能够以低成本制作半导体激光装置1。并且，若将第二反射部5也用作来自LD芯片31的光监视器，则能够获取的用于检测光输出的监视器电流大。
实施方式2
虽然在上述实施方式1中，对使用PD芯片来形成第二反射部的例子进行了说明，但并不局限于此。在本实施方式2中，对使用利用了折射率之差的反射部件来形成第二反射部的例子进行说明。图4是用于对实施方式2所涉及的半导体激光装置的结构进行说明的图，且是与在实施方式1的说明中所使用的图1B对应的剖视图。此外，在本实施方式2以及后述的实施方式3所涉及的半导体激光装置中，对于第二反射部以外的结构，与实施方式1中说明的同样，援用在实施方式1中使用的图2和图3，并且对同样的部分省略说明。
如图4所示，在实施方式2所涉及的半导体激光装置1中，代替在实施方式1中说明的PD芯片51和PD次基台52，而将利用了折射率之差的反射部件53安装于倾斜台2mc，由此形成第二反射部5。在该情况下，也能够将所需的激光的一部分引入到PD芯片41。另外，反射部件53只要能够反射激光即可，也可以为棱镜反射镜。另一方面，在表面形成有高反射膜的所谓的反射镜部件的情况下，如后述的实施方式3那样，不考虑第二反射面5fm处的入射角的最小值就能够进行角度设定。
此外，在本实施方式2所涉及的半导体激光装置1中，由于第二反射部5没有测量光强度的功能，因此入射到反射面4fm的激光的比例即边界的设定变得重要。为此，例如，通过定义为γ＝45－(α+θ)/2，由此边界角度Ab被固定在从光束中心Cb朝向管座2侧的θ/2的位置，可监视的射出范围得到确定，稳定的光强度的监视即控制能够进行。
此外，虽然也可以将反射部件53设置于倾斜台2mb，将PD芯片41设置于倾斜台2mc侧，但在该情况下，也优选为适当地确定边界角度Ab，设定可监视的射出范围。
在本实施方式2所涉及的半导体激光装置1中，也与实施方式1同样地，通过缩窄入射角之差，能够抑制反射率的分布，对齐激光的强度分布，维持高的通信品质。
实施方式3
虽然在上述实施方式1或2中，对通过将PD芯片或反射部件安装于倾斜台来形成第二反射部的例子进行了说明，但并不局限于此。在本实施方式3中，对实施倾斜台本身的镜面化来形成第二反射部的例子进行说明。图5是用于对实施方式3所涉及的半导体激光装置的结构进行说明的图，且是与在实施方式1的说明中所使用的图1B对应的剖视图。
如图5所示，在实施方式3所涉及的半导体激光装置1中，代替实施方式1中说明的PD芯片51和PD次基台52，而实施倾斜台2mc的表面镜面化，来形成第二反射部5。在该情况下，也能够将所需的激光的一部分引入到PD芯片41。并且，倾斜台2mc以其表面(第二反射面5fm)与反射面4fm相连的方式，与实施方式1或者2相比，增大从安装面2ft起的突出量，而使其比倾斜台2mb突出。
镜面化也可以通过对管座2的表面实施的施压镀金等工序来形成，也可以形成其他金属反射膜。PD芯片41的表面处的反射率如图2所示成为70％以上，另一方面，管座2的表面处的反射率能够实现100％。另外，该构造不需要如实施方式1以及2那样作为第二反射部5使用PD芯片51和PD次基台52、或者反射部件53，因此能够实现低成本化。另外，形成反射面4fm的PD次基台42和PD芯片41，能够在制造工序中与倾斜台2mc的壁面抵接而进行定位，因此PD次基台42和PD芯片41的定位变得容易，生产性提高。
此外，在本实施方式3中，也与实施方式2同样地，第二反射部5没有测量光强度的功能，因此入射到反射面4fm的激光的比例即边界角度Ab的设定变得重要。因此，例如通过定义为γ＝45－(α+θ)/2，由此边界角度Ab被固定在从光束中心Cb朝向管座2侧的θ/2的位置，可监视的射出范围得以确定，稳定的光强度的监视即控制能够进行。
另一方面，如上述那样，由于实施了镜面化的第二反射面5fm处的反射率能够实现100％，因此不需要降低反射面4fm处的入射角的最大值，只要仅关注最小值的提高以及所入射的光束范围即可。而且，在第二反射面5fm中，不需要考虑入射角的分布，只要仅将使从激光的光束中心Cb朝向下方角度θ的端部位于比从发光点3s起的垂线的垂足fp5靠上方的位置作为条件即可。
在本实施方式3所涉及的半导体激光装置1中，也与实施方式1、2同样地，通过缩窄入射角之差，能够抑制反射率的分布，对齐激光的强度分布，维持高的通信品质。
实施方式4
上述实施方式1～3中，对在与安装面垂直且包含光束中心的面中的反射面的配置例进行了说明，但在本实施方式4中，对在安装面上的反射面的配置例进行说明。图6A、图6B是用于对实施方式4所涉及的半导体激光装置的结构进行说明的图，且是从透镜侧观察半导体激光装置的俯视图(图6A)，和由图6A的B－B线切断的与半导体激光装置的安装面垂直的剖视图(图6B)。此外，对于在与安装面垂直且包含光束中心的面中的反射面的配置，以实施方式1的例子为基础进行记载，并援用实施方式1中使用的图2和图3，并且对同样的部分省略说明。
如图6A、图6B所示，实施方式4所涉及的半导体激光装置1在与管座2的安装面2ft平行的面，将反射部4和第二反射部5以夹着光束中心Cb的方式如右反射部4－R、和左反射部4－L那样分成左右地配置。而且，相对于右反射面4fm－R和右第二反射面5fm－R，左反射面4fm－L和左第二反射面5fm－L以包含光束中心Cb的与安装面2ft垂直的面为对称面而对称配置，并且，以越远离对称面越朝向上方的方式倾斜。
即，反射面4fm、第二反射面5fm除了在实施方式1至3中说明的在包含光束中心Cb的相对于安装面2ft垂直的面中的倾斜度α与倾斜度β之外，在与光束中心Cb垂直的面中，也以越远离光束中心越成为上方的方式倾斜。其结果，从与LD芯片31的前端面3fe相对的一侧观察时，如图6B所示，反射面4fm与未描绘的第二反射面5fm同样，呈V字型。
这样，通过将反射面4fm、第二反射面5fm形成为V字型，能够抑制从半导体激光光源3入射后的在与安装面2ft平行的面(图6A中的上下方向)上的激光的扩散。其结果，进入透镜6的激光变多，能够抑制光输出的降低。
此外，在图6A、图6B中，为了简化说明，虽然进行与实施方式2中说明的反射部件53对应的描绘，但并不局限于此，对于第二反射部5，也可以为实施方式1或实施方式3中说明的形态。
此外，本申请虽然记载了各种例示的实施方式以及实施例，但一个、或多个实施方式所记载的各种特征、形态以及功能并不局限于特定的实施方式的应用，也可以单独或以各种组合应用于实施方式。因此，在本申请说明书所公开的技术范围内能够想到未例示的无数的变形例。例如，包括对至少一个构成要素进行变形的情况、追加的情况或省略的情况，还包括抽取至少一个构成要素与其他实施方式的构成要素组合的情况。
例如，虽然对设置透镜6来作为射出口的例子进行了说明，但并不局限于此，也可以使反射光直接照射到光纤的端面，只要朝向与管座2的安装面2ft相对的射出口射出即可。另外，虽然示出了将半导体激光光源3、反射部4、第二反射部5分别设置于管座2的倾斜台2ma～2mc的例子，但并不局限于此。只要光束中心Cb与反射面4fm、以及第二反射面5fm相对于安装面2ft的几何学上的关系成立，则也可以安装于另外的部件。
如以上那样，根据各实施方式所涉及的半导体激光装置1，具备：管座2，相对于射出口(例如，透镜6)隔开间隔且相对地配置有安装面2ft；半导体激光光源3，设置成光束中心Cb具有朝向安装面2ft的成分；反射面4fm，使从半导体激光光源3入射的激光朝向射出口(透镜6)反射；以及第二反射面5fm，与反射面4fm的靠近半导体激光光源3侧的端部相连，并使从半导体激光光源3入射的激光朝向射出口(透镜6)反射，反射面4fm以及第二反射面5fm中的一个由形成于测量激光的光量的光电二极管(PD芯片41)的电介质多层膜构成，若将在与安装面2ft垂直且包含光束中心Cb的面内的、光束中心Cb相对于安装面2ft(方向D2)的倾斜度设为α，则将反射面4fm的倾斜度β设定为从45°减去比α小的值而得的值，将第二反射面5fm的倾斜度γ设定为从45°减去比α大的值而得的值。因此，入射角的最大值变小，并且入射角的最小值也变大，因此反射率的分布变小，从而能够得到可抑制通信品质的劣化和光输出的降低的半导体激光装置1。
特别是，将反射面4fm与第二反射面5fm的边界(边界角度Ab)，设定在比从半导体激光光源3的发光点3s引出到反射面4fm的垂线的垂足远离半导体激光光源3的一侧，因此能够使入射到反射面4fm的激光朝向透镜6可靠地反射。
若将倾斜度β设为45－α/2，将激光的从光束中心Cb起的扩散角设为θ，则将反射面4fm与第二反射面5fm的边界设定在相对于光束中心Cb的朝向安装面2ft的倾斜度(边界角度Ab)成为θ+γ+α/2－45的光束所入射的位置，因此能够对齐向反射面4fm的入射角的最小值与向第二反射面5fm的入射角的最小值，可靠地降低入射角之差，进一步抑制反射率的分布，可靠地防止通信品质的劣化。
此时，若将倾斜度γ设定为45－(α+θ)/2，则能够使比光束中心Cb朝向透镜6侧的光束、和从光束中心Cb到θ/2扩散为止的光束入射到反射面4fm，能够保持朝向PD芯片41的光束的比率，正确地监视光束光量。特别是，若由PD芯片41形成反射面4fm，则能够由PD芯片41监视在光束的扩散中的3/4角度范围的光。
此时，在反射面4fm以及第二反射面5fm中的另一个也由形成于光电二极管(PD芯片41、PD芯片51)的电介质多层膜构成的情况下，能够通过PD芯片41和PD芯片51来监视光束的扩散的整个区域。
在由利用折射率之差的反射部件53构成反射面4fm以及第二反射面5fm中的另一个(第二反射部5)的情况下，能够通过与半导体制造工序同样的工序，廉价地制造。
由于对管座2的一部分(倾斜台2mc的斜面)实施镜面化来构成第二反射面5fm，所以能够降低成本。并且，只要仅注意反射面4fm的入射角的最小值即可，从而设计自由度提高。
由于将反射面4fm和第二反射面5fm(右反射面4fm－R以及左反射面4fm－L、和右第二反射面5fm－R以及左第二反射面5fm－L)分别以垂直于安装面2ft且包含光束中心Cb的面为对称面而对称配置，并且以随着远离对称面而离开安装面2ft的方式赋予倾斜，因此能够抑制从半导体激光光源3入射后的与安装面2ft平行的面中的激光的扩散。其结果，能够抑制偏离透镜6的激光的比例，抑制光输出的降低。
附图标记说明
1...半导体激光装置；2...管座；2ft...安装面；3...半导体激光光源；3fe...前端面；3s...发光点；4...反射部；41...PD芯片；4fm...反射面；5...第二反射部；51...PD芯片；53...反射部件；5fm...第二反射面；6...透镜；Ab...边界角度；Cb...光束中心；α...倾斜度；β...倾斜度；γ...倾斜度；θ...扩散角。

Claims (8)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，
所述半导体激光装置具备：
管座，相对于射出口隔开间隔且相对地配置有安装面；
半导体激光光源，设置成光束中心具有朝向所述安装面的成分；
反射面，使从所述半导体激光光源入射的激光朝向所述射出口反射；以及
第二反射面，与所述反射面的靠近所述半导体激光光源侧的端部相连，并使从所述半导体激光光源入射的激光朝向所述射出口反射，
所述反射面以及所述第二反射面中的一方由形成于测量所述激光的光量的光电二极管的电介质多层膜构成，
若将在与所述安装面垂直且包含所述光束中心的面内的、所述光束中心相对于所述安装面的倾斜度设为α，则所述反射面的倾斜度β设定为从45°减去比α小的值而得的值，所述第二反射面的倾斜度γ设定为从45°减去比α大的值而得的值。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述反射面与所述第二反射面的边界，设定在比从所述半导体激光光源的发光点向所述反射面引出的垂线的垂足远离所述半导体激光光源的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，
若将所述倾斜度β设为45－α/2，将所述激光的从所述光束中心起的扩散角设为θ，
则所述反射面与所述第二反射面的边界，设定在相对于所述光束中心的朝向所述安装面的倾斜度Ab成为θ+γ+α/2－45的光束所入射的位置。
4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述倾斜度γ设定为45－(α+θ)/2。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述反射面以及所述第二反射面中的另一方也由形成于光电二极管的电介质多层膜构成。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述反射面以及所述第二反射面中的另一方由利用折射率之差的反射部件构成。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二反射面通过对所述管座的一部分实施镜面化而构成。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述反射面和所述第二反射面分别被配置为以垂直于所述安装面且包含所述光束中心的面为对称面而对称，并且以随着远离所述对称面而离开所述安装面的方式倾斜。
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