JPH08116127A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH08116127A JPH08116127A JP24901894A JP24901894A JPH08116127A JP H08116127 A JPH08116127 A JP H08116127A JP 24901894 A JP24901894 A JP 24901894A JP 24901894 A JP24901894 A JP 24901894A JP H08116127 A JPH08116127 A JP H08116127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- laser device
- output
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 前方光出力をモニタ電流として使用すること
により、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制
御が可能で、実装工程が簡単な半導体レーザ装置を得る
ことを目的とする 【構成】 上方に対して４５度の傾斜角を有する傾斜部
１ａが設けられ、その傾斜面上にレーザ光の出力を制御
するためのモニタ用受光素子としてＰＤ２がマウントさ
れている。ステム１の傾斜部１ａの傾斜面側の近くには
ヒートシンク４がマウントされ、ヒートシンク４の上に
はＬＤ５がマウントされている。 【効果】 他方の端面からのレーザ光をモニタ電流とし
て用いる場合に、温度変化により一方の端面と他方の端
面とで出力特性が異なることに起因して、精度の高い光
出力制御ができないといった状態に陥ることを回避で
き、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制御が
可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
により、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制
御が可能で、実装工程が簡単な半導体レーザ装置を得る
ことを目的とする 【構成】 上方に対して４５度の傾斜角を有する傾斜部
１ａが設けられ、その傾斜面上にレーザ光の出力を制御
するためのモニタ用受光素子としてＰＤ２がマウントさ
れている。ステム１の傾斜部１ａの傾斜面側の近くには
ヒートシンク４がマウントされ、ヒートシンク４の上に
はＬＤ５がマウントされている。 【効果】 他方の端面からのレーザ光をモニタ電流とし
て用いる場合に、温度変化により一方の端面と他方の端
面とで出力特性が異なることに起因して、精度の高い光
出力制御ができないといった状態に陥ることを回避で
き、温度変化による影響を受ない高精度な光出力制御が
可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信、光ディスク記憶
装置などの光源として用いる半導体レーザ装置に関し、
特に、前方出力光をモニタするモニタ用受光素子を備え
た半導体レーザ装置に関する。
装置などの光源として用いる半導体レーザ装置に関し、
特に、前方出力光をモニタするモニタ用受光素子を備え
た半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の半導体レーザ装置の構成
を示す断面図である。図９において装置全体の支持台と
なるステム１０の中央に傾斜部１０ａが設けられ、その
上にレーザ光の出力を制御するためのモニタ用受光素子
としてフォトダイオード（以後ＰＤと略記）２０がマウ
ントされている。また、ステム１０の傾斜部１０ａの近
くにブロック体３がマウントされ、ブロック体３の傾斜
部１０ａ側の側面（ステム１０に垂直な表面）にはヒー
トシンク４がマウントされている。また、ヒートシンク
４の傾斜部１０ａ側の側面（ステム１０に垂直な表面）
には半導体レーザ素子（以後ＬＤと略記）５がマウント
されている。ＬＤ５は、レーザ光を出射する活性領域を
有する２つの端面のうち一方がＰＤ２０の受光面２０ａ
に対向するようにマウントされている。ここで、ＰＤ２
０の受光面に対向する端面を後端面Ｒとし、反対側の端
面を前端面Ｆとする。
を示す断面図である。図９において装置全体の支持台と
なるステム１０の中央に傾斜部１０ａが設けられ、その
上にレーザ光の出力を制御するためのモニタ用受光素子
としてフォトダイオード（以後ＰＤと略記）２０がマウ
ントされている。また、ステム１０の傾斜部１０ａの近
くにブロック体３がマウントされ、ブロック体３の傾斜
部１０ａ側の側面（ステム１０に垂直な表面）にはヒー
トシンク４がマウントされている。また、ヒートシンク
４の傾斜部１０ａ側の側面（ステム１０に垂直な表面）
には半導体レーザ素子（以後ＬＤと略記）５がマウント
されている。ＬＤ５は、レーザ光を出射する活性領域を
有する２つの端面のうち一方がＰＤ２０の受光面２０ａ
に対向するようにマウントされている。ここで、ＰＤ２
０の受光面に対向する端面を後端面Ｒとし、反対側の端
面を前端面Ｆとする。
【０００３】また、ステム１０のＬＤ５、ＰＤ２０が設
けられた側にはＬＤ５およびＰＤ２０を覆うキャップ６
が設けられ、キャップ６にはレーザ光を通過させるため
の開口部が設けられ、当該開口部にレーザ光が透過する
ガラス窓７が設けられＬＤ５およびＰＤ２０は気密封止
されている。ステム１０にはＬＤ５およびＰＤ２０と外
部との電気的接続を保つための複数のリード端子８が設
けられ、リード端子８とＬＤ５およびＰＤ２０との間は
配線で接続されるが、簡略化のため図９においては省略
する。
けられた側にはＬＤ５およびＰＤ２０を覆うキャップ６
が設けられ、キャップ６にはレーザ光を通過させるため
の開口部が設けられ、当該開口部にレーザ光が透過する
ガラス窓７が設けられＬＤ５およびＰＤ２０は気密封止
されている。ステム１０にはＬＤ５およびＰＤ２０と外
部との電気的接続を保つための複数のリード端子８が設
けられ、リード端子８とＬＤ５およびＰＤ２０との間は
配線で接続されるが、簡略化のため図９においては省略
する。
【０００４】次に、従来の半導体レーザ装置の動作につ
いて図９を用いて説明する。リード端子８を介して外部
からＬＤ５にＬＤ駆動電流を印加することにより、ＬＤ
５の前端面Ｆおよび後端面Ｒから、それぞれ前方出力光
Ｐｆおよび後方出力光Ｐｒが放出される。ここで、後方
出力光ＰｒはＰＤ２０で受光され、電流信号に変換され
モニタ電流として外部へ出力される。前方光出力Ｐｆと
後方光出力Ｐｒは、基本的には比例関係を有するので、
モニタ電流を監視し、モニタ電流に応じてＬＤ駆動電流
を調整することで、前方光出力Ｐｆの制御を行ってい
た。
いて図９を用いて説明する。リード端子８を介して外部
からＬＤ５にＬＤ駆動電流を印加することにより、ＬＤ
５の前端面Ｆおよび後端面Ｒから、それぞれ前方出力光
Ｐｆおよび後方出力光Ｐｒが放出される。ここで、後方
出力光ＰｒはＰＤ２０で受光され、電流信号に変換され
モニタ電流として外部へ出力される。前方光出力Ｐｆと
後方光出力Ｐｒは、基本的には比例関係を有するので、
モニタ電流を監視し、モニタ電流に応じてＬＤ駆動電流
を調整することで、前方光出力Ｐｆの制御を行ってい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の半導体レーザ装置はＬＤ５の後端面９側にＰＤ２
０を配置し、後方出力光Ｐｒをモニタするように構成さ
れていたので、以下のような問題点があった。
従来の半導体レーザ装置はＬＤ５の後端面９側にＰＤ２
０を配置し、後方出力光Ｐｒをモニタするように構成さ
れていたので、以下のような問題点があった。
【０００６】(1)後端面９の端面反射率が、例えば９０
％であるような高反射率のＬＤにおいては、後方光出力
Ｐｒが非常に小さくなるので、充分なモニタ電流が得ら
れないという問題があった。
％であるような高反射率のＬＤにおいては、後方光出力
Ｐｒが非常に小さくなるので、充分なモニタ電流が得ら
れないという問題があった。
【０００７】(2)前方光出力Ｐｆ対後方光出力Ｐｒの関
係が温度や光出力によって、変化する場合、その変化が
わずかであっても高精度な光出力制御ができなくなると
いう問題があった。この問題について図１０および図１
１を用いて説明する。
係が温度や光出力によって、変化する場合、その変化が
わずかであっても高精度な光出力制御ができなくなると
いう問題があった。この問題について図１０および図１
１を用いて説明する。
【０００８】図１０は前方光出力Ｐｆに対する後方光出
力Ｐｒの温度変化による出力特性の変化を示す図であ
る。図１０において横軸に後方光出力Ｐｒの値を、縦軸
に前方光出力Ｐｆの値を示す。前方光出力Ｐｆ対後方光
出力Ｐｒは一般に比例の関係にあるが、周囲温度の変化
に応じて、その傾きがわずかに変化する。これは、主に
ＬＤ５の前端面Ｆおよび後端面Ｒの反射率が温度により
変化することに起因している。図１０においては、温度
が高くなる（Ｔ1→Ｔ2→Ｔ3）につれて傾きが大きくな
っている様子が示されている。このような状況下にあっ
ては後方光出力Ｐｒ、すなわちモニタ電流を一定に保つ
ようにＬＤ駆動電流を制御しても、前方光出力Ｐｆは一
定に保たれず、温度上昇につれて前方光出力Ｐｆは大き
くなる。この様子を図１１に示す。図１１はモニタ電流
を一定に保つようにＬＤ駆動電流を制御した場合の温度
変化に対する前方光出力Ｐｆの変化を示す図であり、温
度が高くなる（Ｔ1→Ｔ2→Ｔ3）につれて前方光出力Ｐ
ｆが増加する傾向が示されている。
力Ｐｒの温度変化による出力特性の変化を示す図であ
る。図１０において横軸に後方光出力Ｐｒの値を、縦軸
に前方光出力Ｐｆの値を示す。前方光出力Ｐｆ対後方光
出力Ｐｒは一般に比例の関係にあるが、周囲温度の変化
に応じて、その傾きがわずかに変化する。これは、主に
ＬＤ５の前端面Ｆおよび後端面Ｒの反射率が温度により
変化することに起因している。図１０においては、温度
が高くなる（Ｔ1→Ｔ2→Ｔ3）につれて傾きが大きくな
っている様子が示されている。このような状況下にあっ
ては後方光出力Ｐｒ、すなわちモニタ電流を一定に保つ
ようにＬＤ駆動電流を制御しても、前方光出力Ｐｆは一
定に保たれず、温度上昇につれて前方光出力Ｐｆは大き
くなる。この様子を図１１に示す。図１１はモニタ電流
を一定に保つようにＬＤ駆動電流を制御した場合の温度
変化に対する前方光出力Ｐｆの変化を示す図であり、温
度が高くなる（Ｔ1→Ｔ2→Ｔ3）につれて前方光出力Ｐ
ｆが増加する傾向が示されている。
【０００９】また、分布帰還型レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）
等の特殊なレーザにおいては、前方光出力Ｐｆ対後方光
出力Ｐｒの関係が高出力になるにつれて変化し、直線性
が悪くなるといった特性を有しており、この場合にも後
方光出力Ｐｒをモニタして光出力制御を行う方法ではそ
の制御精度が悪いという問題があった。
等の特殊なレーザにおいては、前方光出力Ｐｆ対後方光
出力Ｐｒの関係が高出力になるにつれて変化し、直線性
が悪くなるといった特性を有しており、この場合にも後
方光出力Ｐｒをモニタして光出力制御を行う方法ではそ
の制御精度が悪いという問題があった。
【００１０】(3)図９に示したように、ＬＤ５をブロッ
ク３を介してステム１０に対して垂直に実装する必要が
あり実装工程が複雑であるという問題があった。
ク３を介してステム１０に対して垂直に実装する必要が
あり実装工程が複雑であるという問題があった。
【００１１】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、前方光出力をモニタ電流として使
用することにより、温度変化による影響を受ない高精度
な光出力制御が可能で、実装工程が簡単な半導体レーザ
装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、前方光出力をモニタ電流として使
用することにより、温度変化による影響を受ない高精度
な光出力制御が可能で、実装工程が簡単な半導体レーザ
装置を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明に
係る半導体レーザ装置は、２つの端面からレーザ光を出
射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の一
方の端面からの前記レーザ光の照射を受け、その一部を
取り込んでモニタ電流として前記半導体レーザ素子にフ
ィードバックし、残りを反射して出力光とする半導体受
光素子とを同一パッケージ内に備えている。
係る半導体レーザ装置は、２つの端面からレーザ光を出
射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の一
方の端面からの前記レーザ光の照射を受け、その一部を
取り込んでモニタ電流として前記半導体レーザ素子にフ
ィードバックし、残りを反射して出力光とする半導体受
光素子とを同一パッケージ内に備えている。
【００１３】請求項２記載の本発明に係る半導体レーザ
装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前
記半導体レーザ素子の積層方向を上下方向としたとき
に、前記半導体受光素子は、その受光面が光軸に対して
前記上下方向に４５度の角度を有するように配置されて
いる。
装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前
記半導体レーザ素子の積層方向を上下方向としたとき
に、前記半導体受光素子は、その受光面が光軸に対して
前記上下方向に４５度の角度を有するように配置されて
いる。
【００１４】請求項３記載の本発明に係る半導体レーザ
装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前
記半導体レーザ素子の前記一方の端面の幅方向を左右方
向としたときに、前記半導体受光素子は、その受光面が
光軸に対して前記左右方向に４５度の角度を有するよう
に配置されている。
装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前
記半導体レーザ素子の前記一方の端面の幅方向を左右方
向としたときに、前記半導体受光素子は、その受光面が
光軸に対して前記左右方向に４５度の角度を有するよう
に配置されている。
【００１５】請求項４記載の本発明に係る半導体レーザ
装置は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レ
ーザ装置において、前記半導体受光素子は、前記受光面
の最表面に、ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を少なく
とも１組有する照射光反射膜を備えている。
装置は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レ
ーザ装置において、前記半導体受光素子は、前記受光面
の最表面に、ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を少なく
とも１組有する照射光反射膜を備えている。
【００１６】請求項５記載の本発明に係る半導体レーザ
装置は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レ
ーザ装置において、前記半導体レーザ素子は、その他方
の端面に、出射されるレーザ光を素子内にほぼ１００％
の割合で反射する出射光反射膜を有している。
装置は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レ
ーザ装置において、前記半導体レーザ素子は、その他方
の端面に、出射されるレーザ光を素子内にほぼ１００％
の割合で反射する出射光反射膜を有している。
【００１７】
【作用】請求項１記載の本発明に係る半導体レーザ装置
によれば、２つの端面からレーザ光を出射する半導体レ
ーザ素子の一方の端面からのレーザ光が半導体受光素子
に照射され、その一部がモニタ電流として半導体レーザ
素子にフィードバックされ、残りが反射されて出力光と
なる。
によれば、２つの端面からレーザ光を出射する半導体レ
ーザ素子の一方の端面からのレーザ光が半導体受光素子
に照射され、その一部がモニタ電流として半導体レーザ
素子にフィードバックされ、残りが反射されて出力光と
なる。
【００１８】請求項２記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、半導体受光素子の受光面が光軸に対して
上下方向に４５度の角度を有するように配置されている
ので、一方の端面から出射されたレーザ光は一部が取り
込まれ、残りは受光面が向いた方向に９０度の角度で反
射される。
装置によれば、半導体受光素子の受光面が光軸に対して
上下方向に４５度の角度を有するように配置されている
ので、一方の端面から出射されたレーザ光は一部が取り
込まれ、残りは受光面が向いた方向に９０度の角度で反
射される。
【００１９】請求項３記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、半導体受光素子の受光面が光軸に対して
前記左右方向に４５度の角度を有するように配置されて
いるので、一方の端面から出射されたレーザ光は一部が
取り込まれ、残りは受光面が向いた方向にに９０度の角
度で反射される。
装置によれば、半導体受光素子の受光面が光軸に対して
前記左右方向に４５度の角度を有するように配置されて
いるので、一方の端面から出射されたレーザ光は一部が
取り込まれ、残りは受光面が向いた方向にに９０度の角
度で反射される。
【００２０】請求項４記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、半導体受光素子は、受光面の最表面に、
ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を少なくとも１組有す
る照射光反射膜を備えているので、ＳｉＯ2層でＳｉ層
を挟んだ構成を増すことで反射率が段階的に増加し、結
果として出力光のパワーが増大する。
装置によれば、半導体受光素子は、受光面の最表面に、
ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を少なくとも１組有す
る照射光反射膜を備えているので、ＳｉＯ2層でＳｉ層
を挟んだ構成を増すことで反射率が段階的に増加し、結
果として出力光のパワーが増大する。
【００２１】請求項５記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、半導体レーザ素子の他方の端面に、出射
されるレーザ光を素子内にほぼ１００％の割合で反射す
る出射光反射膜を有しているので、端面反射率が非対称
化され一方の端面からのレーザ光のパワーが増大され
る。
装置によれば、半導体レーザ素子の他方の端面に、出射
されるレーザ光を素子内にほぼ１００％の割合で反射す
る出射光反射膜を有しているので、端面反射率が非対称
化され一方の端面からのレーザ光のパワーが増大され
る。
【００２２】
＜第１の実施例＞本発明に係る半導体レーザ装置の第１
の実施例を図１および図２を用いて説明する。図１は本
発明に係る半導体レーザ装置１００の構成を示す部分断
面図である。図１において装置全体の支持台となるステ
ム１には図１の上方（ＬＤ５の半導体層の積層方向を上
下方向とした場合の上方）に向かって４５度の傾斜角を
有する傾斜部１ａが設けられ、その傾斜面上にレーザ光
の出力を制御するためのモニタ用受光素子としてＰＤ２
がマウントされている。ステム１の傾斜部１ａの傾斜面
側の近くにはヒートシンク４がマウントされ、ヒートシ
ンク４の上にはＬＤ５がマウントされている。ＬＤ５
は、レーザ光を出射する活性領域を有する２つの端面の
うち一方がＰＤ２の受光面２ａに対向するようにマウン
トされている。ここで、ＰＤ２の受光面２ａに対向する
端面を前端面Ｆとし、反対側の端面を後端面Ｒとする。
の実施例を図１および図２を用いて説明する。図１は本
発明に係る半導体レーザ装置１００の構成を示す部分断
面図である。図１において装置全体の支持台となるステ
ム１には図１の上方（ＬＤ５の半導体層の積層方向を上
下方向とした場合の上方）に向かって４５度の傾斜角を
有する傾斜部１ａが設けられ、その傾斜面上にレーザ光
の出力を制御するためのモニタ用受光素子としてＰＤ２
がマウントされている。ステム１の傾斜部１ａの傾斜面
側の近くにはヒートシンク４がマウントされ、ヒートシ
ンク４の上にはＬＤ５がマウントされている。ＬＤ５
は、レーザ光を出射する活性領域を有する２つの端面の
うち一方がＰＤ２の受光面２ａに対向するようにマウン
トされている。ここで、ＰＤ２の受光面２ａに対向する
端面を前端面Ｆとし、反対側の端面を後端面Ｒとする。
【００２３】ステム１にはＬＤ５およびＰＤ２と外部と
の電気的接続を保つための複数のリード端子８が設けら
れ、リード端子８とＬＤ５およびＰＤ２との間は配線で
接続されるが、簡略化のため図１においては省略する。
の電気的接続を保つための複数のリード端子８が設けら
れ、リード端子８とＬＤ５およびＰＤ２との間は配線で
接続されるが、簡略化のため図１においては省略する。
【００２４】図２に半導体レーザ装置１００の部分平面
図を示す。図２は図１に示された部分を図１の上部から
見た平面図であって、ステム１上にはリード端子８とＬ
Ｄ５およびＰＤ２との間の配線が示されている。
図を示す。図２は図１に示された部分を図１の上部から
見た平面図であって、ステム１上にはリード端子８とＬ
Ｄ５およびＰＤ２との間の配線が示されている。
【００２５】次に、本発明に係る半導体レーザ装置１０
０の動作について図１〜図３を用いて説明する。リード
端子８を介して外部からＬＤ５にＬＤ駆動電流を印加す
ることにより、ＬＤ５の前端面Ｆおよび後端面Ｒから、
それぞれ前方出力光Ｐｆおよび後方出力光Ｐｒが放出さ
れる。ここで、前方出力光ＰｆはＰＤ２に照射され、そ
の一部はＰＤ２で電流信号に変換されてモニタ電流とし
て外部へ出力され、残りは図１の垂直上方に反射され
る。また、後方出力光ＰｒはＰＤ２とは反対方向に出射
される。図１にレーザ光の経路を矢印で示す。
０の動作について図１〜図３を用いて説明する。リード
端子８を介して外部からＬＤ５にＬＤ駆動電流を印加す
ることにより、ＬＤ５の前端面Ｆおよび後端面Ｒから、
それぞれ前方出力光Ｐｆおよび後方出力光Ｐｒが放出さ
れる。ここで、前方出力光ＰｆはＰＤ２に照射され、そ
の一部はＰＤ２で電流信号に変換されてモニタ電流とし
て外部へ出力され、残りは図１の垂直上方に反射され
る。また、後方出力光ＰｒはＰＤ２とは反対方向に出射
される。図１にレーザ光の経路を矢印で示す。
【００２６】図３に半導体レーザ装置１００の全体断面
図を示す。図３においてステム１のＬＤ５、ＰＤ２が設
けられた側にはＬＤ５、ＰＤ２を覆うキャップ６が設け
られ、キャップ６にはレーザ光を通過させるための開口
部が設けられ、当該開口部にレーザ光が透過するガラス
窓７が設けられＬＤ５、ＰＤ２は気密封止されている。
図を示す。図３においてステム１のＬＤ５、ＰＤ２が設
けられた側にはＬＤ５、ＰＤ２を覆うキャップ６が設け
られ、キャップ６にはレーザ光を通過させるための開口
部が設けられ、当該開口部にレーザ光が透過するガラス
窓７が設けられＬＤ５、ＰＤ２は気密封止されている。
【００２７】ここで、ＰＤ２の受光面２ａの反射率を７
０％以上となるようにした場合、前方出力光Ｐｆの３０
％以下がモニタ用として使用できることになり、ＰＤ２
で反射された残りの７０％の前方出力光Ｐｆはガラス窓
７を透過して外部に出射されることになる。
０％以上となるようにした場合、前方出力光Ｐｆの３０
％以下がモニタ用として使用できることになり、ＰＤ２
で反射された残りの７０％の前方出力光Ｐｆはガラス窓
７を透過して外部に出射されることになる。
【００２８】次に、図４〜図６を用いてＰＤ２の構成に
ついて説明する。図４は一般的なＩｎＧａＡｓのｐｉｎ
フォトダイオードの構成を示す断面図である。図４にお
いてＮ型ＩｎＰ基板３０の主面上にｉ層（高抵抗真性半
導体層）であるＩｎＧａＡｓ光吸収層４０が形成され、
その上にＮ型ＩｎＰ窓層５０が形成されている。窓層５
０の表面から光吸収層４０にかけてはＰ型不純物領域６
０が部分的に形成されている。さらに、窓層５０の上に
はＳｉＮ膜７０が形成され、ＳｉＮ膜７０の表面からＰ
型不純物領域６０の表面にかけては、Ｐ型不純物領域６
０に対応して円環状あるいは矩形環状のＰ側電極ＰＥが
形成されている。また、Ｎ型ＩｎＰ基板３０の下主面に
はＮ側電極ＮＥが全面に渡って設けられている。
ついて説明する。図４は一般的なＩｎＧａＡｓのｐｉｎ
フォトダイオードの構成を示す断面図である。図４にお
いてＮ型ＩｎＰ基板３０の主面上にｉ層（高抵抗真性半
導体層）であるＩｎＧａＡｓ光吸収層４０が形成され、
その上にＮ型ＩｎＰ窓層５０が形成されている。窓層５
０の表面から光吸収層４０にかけてはＰ型不純物領域６
０が部分的に形成されている。さらに、窓層５０の上に
はＳｉＮ膜７０が形成され、ＳｉＮ膜７０の表面からＰ
型不純物領域６０の表面にかけては、Ｐ型不純物領域６
０に対応して円環状あるいは矩形環状のＰ側電極ＰＥが
形成されている。また、Ｎ型ＩｎＰ基板３０の下主面に
はＮ側電極ＮＥが全面に渡って設けられている。
【００２９】このような構成のＰＤにおいて、Ｐ側電極
ＰＥおよびＮ側電極ＮＥに所定の電圧を印加した状態で
Ｐ側電極ＰＥで囲まれた領域に光が入射すると電極間に
電流が流れることになる。ここで、通常はＳｉＮ膜７０
の厚さに応じて反射率を定めることができる。例えば、
ＳｉＮ膜７０の厚さがλ／４ｎであれば反射率は約０
％、すなわち無反射となり、照射された光は全て透過さ
れ電流となる。また、厚さがλ／２ｎであれば反射率は
約３０％となる。通常は照射された光をできるだけ透過
して電流とすることが望ましいので反射率は０％となる
ように設定される。なお、ＳｉＮ膜７０を形成しない場
合には半導体層の結晶表面の反射率は３０％程度であ
り、この反射率を維持した状態で半導体層を保護するた
めに反射率は３０％のＳｉＮ膜７０を形成する場合もあ
る。ここで、λは入射する光の波長であり、ｎはＳｉＮ
膜７０の屈折率である。
ＰＥおよびＮ側電極ＮＥに所定の電圧を印加した状態で
Ｐ側電極ＰＥで囲まれた領域に光が入射すると電極間に
電流が流れることになる。ここで、通常はＳｉＮ膜７０
の厚さに応じて反射率を定めることができる。例えば、
ＳｉＮ膜７０の厚さがλ／４ｎであれば反射率は約０
％、すなわち無反射となり、照射された光は全て透過さ
れ電流となる。また、厚さがλ／２ｎであれば反射率は
約３０％となる。通常は照射された光をできるだけ透過
して電流とすることが望ましいので反射率は０％となる
ように設定される。なお、ＳｉＮ膜７０を形成しない場
合には半導体層の結晶表面の反射率は３０％程度であ
り、この反射率を維持した状態で半導体層を保護するた
めに反射率は３０％のＳｉＮ膜７０を形成する場合もあ
る。ここで、λは入射する光の波長であり、ｎはＳｉＮ
膜７０の屈折率である。
【００３０】一方、ＳｉＮ膜７０の代わりに多層構造の
照射光反射膜を形成することで、照射された光を所定の
割合で反射することが可能となる。図５に６０％の反射
率を得るための照射光反射膜８０の構成を示す。図５に
おいてＮ型ＩｎＰ窓層５０の上に、厚さλ／４ｎのＳｉ
Ｏ2層８１、厚さλ／４ｎのＳｉ層８２、厚さλ／４ｎ
のＳｉＯ2層８３が順に積層されている。なお、ここで
のｎはそれぞれの層の屈折率である。
照射光反射膜を形成することで、照射された光を所定の
割合で反射することが可能となる。図５に６０％の反射
率を得るための照射光反射膜８０の構成を示す。図５に
おいてＮ型ＩｎＰ窓層５０の上に、厚さλ／４ｎのＳｉ
Ｏ2層８１、厚さλ／４ｎのＳｉ層８２、厚さλ／４ｎ
のＳｉＯ2層８３が順に積層されている。なお、ここで
のｎはそれぞれの層の屈折率である。
【００３１】図６に９０％の反射率を得るための照射光
反射膜９０の構成を示す。図６においてＮ型ＩｎＰ窓層
５０の上に、厚さλ／４ｎのＳｉＯ2層９１、厚さλ／
４ｎのＳｉ層９２、厚さλ／４ｎのＳｉＯ2層９３、厚
さλ／４ｎのＳｉ層９４、厚さλ／４ｎのＳｉＯ2層９
５が順に積層されている。なお、図５および図６におい
てはＮ型ＩｎＰ窓層５０以下の層、およびＰ側電極ＰＥ
は省略されている。
反射膜９０の構成を示す。図６においてＮ型ＩｎＰ窓層
５０の上に、厚さλ／４ｎのＳｉＯ2層９１、厚さλ／
４ｎのＳｉ層９２、厚さλ／４ｎのＳｉＯ2層９３、厚
さλ／４ｎのＳｉ層９４、厚さλ／４ｎのＳｉＯ2層９
５が順に積層されている。なお、図５および図６におい
てはＮ型ＩｎＰ窓層５０以下の層、およびＰ側電極ＰＥ
は省略されている。
【００３２】このように、多層膜の組成および膜厚を組
み合わせることで反射率を任意に設定することができ
る。なお、反射率が９０％の場合透過率は１０％程度と
なるが、透過率が５％程度でもＰＤにおけるモニタ電流
は十分に得られる。
み合わせることで反射率を任意に設定することができ
る。なお、反射率が９０％の場合透過率は１０％程度と
なるが、透過率が５％程度でもＰＤにおけるモニタ電流
は十分に得られる。
【００３３】本発明に係る半導体レーザ装置の第１の実
施例は以上のような構成を有しているので、ＬＤ５の前
端面Ｆから放出された前方出力光Ｐｆの一部をＰＤ２に
よってモニタして出力制御にフィードバックするので、
前方光出力Ｐｆ対後方光出力Ｐｒの比の影響を受けずに
精度の高い光出力制御が可能となる。
施例は以上のような構成を有しているので、ＬＤ５の前
端面Ｆから放出された前方出力光Ｐｆの一部をＰＤ２に
よってモニタして出力制御にフィードバックするので、
前方光出力Ｐｆ対後方光出力Ｐｒの比の影響を受けずに
精度の高い光出力制御が可能となる。
【００３４】また、従来の半導体レーザ装置では、端面
反射率を高めて、後方光出力Ｐｒを小さくすると、充分
なモニタ電流が得られないという問題があったが、本発
明に係る半導体レーザ装置によれば後方光出力Ｐｒを必
要としないので、後端面Ｒに形成される出射光反射膜の
反射率を高めて後方光出力Ｐｒを小さくすることができ
る。
反射率を高めて、後方光出力Ｐｒを小さくすると、充分
なモニタ電流が得られないという問題があったが、本発
明に係る半導体レーザ装置によれば後方光出力Ｐｒを必
要としないので、後端面Ｒに形成される出射光反射膜の
反射率を高めて後方光出力Ｐｒを小さくすることができ
る。
【００３５】一般に、前端面Ｆの出射光反射膜の反射率
を低くし、後端面Ｒの出射光反射膜の反射率を高めて反
射率の非対称化を図ることで、低反射率の前端面Ｆから
高出力が得られることが知られている。一例として、前
端面Ｆの出射光反射膜の反射率を０.０６、後端面Ｒの
出射光反射膜の反射率を０.９とした場合には、非対称
化されていない場合に比べて前方光出力Ｐｆが約２倍に
なるという報告がある（培風館発行、伊藤良一、中村道
治著、半導体レーザ）。
を低くし、後端面Ｒの出射光反射膜の反射率を高めて反
射率の非対称化を図ることで、低反射率の前端面Ｆから
高出力が得られることが知られている。一例として、前
端面Ｆの出射光反射膜の反射率を０.０６、後端面Ｒの
出射光反射膜の反射率を０.９とした場合には、非対称
化されていない場合に比べて前方光出力Ｐｆが約２倍に
なるという報告がある（培風館発行、伊藤良一、中村道
治著、半導体レーザ）。
【００３６】なお、後端面Ｒの出射光反射膜は、図５お
よび図６を用いて説明した照射光反射膜８０および９０
と同様の構成としてもよく、各層の組成や厚さなどを変
更することで後端面Ｒの出射光反射膜の反射率を１（す
なわち１００％）に近づけ、前方光出力Ｐｆさらに高め
ることができることは言うまでもない。
よび図６を用いて説明した照射光反射膜８０および９０
と同様の構成としてもよく、各層の組成や厚さなどを変
更することで後端面Ｒの出射光反射膜の反射率を１（す
なわち１００％）に近づけ、前方光出力Ｐｆさらに高め
ることができることは言うまでもない。
【００３７】従って、本発明に係る半導体レーザ装置に
よれば、従来の半導体レーザ装置に比べて、飛躍的に高
い前方光出力Ｐｆを得ることが可能となる。
よれば、従来の半導体レーザ装置に比べて、飛躍的に高
い前方光出力Ｐｆを得ることが可能となる。
【００３８】また、ＬＤ５をステム１に対して水平に実
装することが可能となり、ＬＤの実装工程が従来より簡
単化でき、かつ小型化も可能となる。
装することが可能となり、ＬＤの実装工程が従来より簡
単化でき、かつ小型化も可能となる。
【００３９】さらに、上述した第１の実施例ではＬＤ５
の半導体層の積層方向を上下方向とした場合の、光軸に
対して上方に４５度の傾斜角を有する傾斜部１ａが設け
られ、その傾斜面上にＰＤ２がマウントされた例を示し
たが、下方に対して４５度の傾斜角を有する傾斜部にＰ
Ｄ２がマウントされる場合もあり、傾斜部１ａの傾斜面
の向き、および傾斜角度を変更することでレーザ光を任
意方向に出射することが可能である。以下に第２の実施
例としてレーザ光の出射方向を変更した例について説明
する。
の半導体層の積層方向を上下方向とした場合の、光軸に
対して上方に４５度の傾斜角を有する傾斜部１ａが設け
られ、その傾斜面上にＰＤ２がマウントされた例を示し
たが、下方に対して４５度の傾斜角を有する傾斜部にＰ
Ｄ２がマウントされる場合もあり、傾斜部１ａの傾斜面
の向き、および傾斜角度を変更することでレーザ光を任
意方向に出射することが可能である。以下に第２の実施
例としてレーザ光の出射方向を変更した例について説明
する。
【００４０】＜第２の実施例＞本発明に係る半導体レー
ザ装置の第２の実施例を図７および図８を用いて説明す
る。図７は半導体レーザ装置２００の構成を示す部分平
面図である。図７において装置全体の支持台となるステ
ム１には図７の下方（ＬＤ５の端面の幅方向を左右方向
とした場合の光軸に対して右方向）に向かって４５度の
傾斜角を有する傾斜部１ｂが設けられ、その傾斜面上に
レーザ光の出力を制御するためのモニタ用受光素子とし
てＰＤ２がマウントされている。ステム１の傾斜部１ｂ
の傾斜面側の近くにはヒートシンク４がマウントされ、
ヒートシンク４の上にはＬＤ５がマウントされている。
ＬＤ５は、レーザ光を出射する活性領域を有する２つの
端面のうち一方がＰＤ２の受光面に対向するようにマウ
ントされている。ここで、ＰＤ２の受光面に対向する端
面を前端面Ｆとし、反対側の端面を後端面Ｒとする。
ザ装置の第２の実施例を図７および図８を用いて説明す
る。図７は半導体レーザ装置２００の構成を示す部分平
面図である。図７において装置全体の支持台となるステ
ム１には図７の下方（ＬＤ５の端面の幅方向を左右方向
とした場合の光軸に対して右方向）に向かって４５度の
傾斜角を有する傾斜部１ｂが設けられ、その傾斜面上に
レーザ光の出力を制御するためのモニタ用受光素子とし
てＰＤ２がマウントされている。ステム１の傾斜部１ｂ
の傾斜面側の近くにはヒートシンク４がマウントされ、
ヒートシンク４の上にはＬＤ５がマウントされている。
ＬＤ５は、レーザ光を出射する活性領域を有する２つの
端面のうち一方がＰＤ２の受光面に対向するようにマウ
ントされている。ここで、ＰＤ２の受光面に対向する端
面を前端面Ｆとし、反対側の端面を後端面Ｒとする。
【００４１】ステム１にはＬＤ５およびＰＤ２と外部と
の電気的接続を保つための複数のリード端子８が設けら
れ、リード端子８とＬＤ５およびＰＤ２との間は配線で
接続されている。
の電気的接続を保つための複数のリード端子８が設けら
れ、リード端子８とＬＤ５およびＰＤ２との間は配線で
接続されている。
【００４２】図８に導体レーザ装置２００の部分断面図
を示す。図８は図７に示された部分を側面から見た断面
図であって、ＰＤ２の受光面２ａが図８に対して手前側
に向いている。なお、図１および図２を用いて説明した
第１の実施例と同じ構成については、同一の符号を付し
てある。
を示す。図８は図７に示された部分を側面から見た断面
図であって、ＰＤ２の受光面２ａが図８に対して手前側
に向いている。なお、図１および図２を用いて説明した
第１の実施例と同じ構成については、同一の符号を付し
てある。
【００４３】次に、半導体レーザ装置２００の動作につ
いて図７を用いて説明する。図７において、リード端子
８を介して外部からＬＤ５にＬＤ駆動電流を印加するこ
とにより、ＬＤ５の前端面Ｆおよび後端面Ｒから、それ
ぞれ前方出力光Ｐｆおよび後方出力光Ｐｒが放出され
る。ここで、前方出力光ＰｆはＰＤ２に照射され、その
一部はＰＤ２で電流信号に変換されてモニタ電流として
外部へ出力され、残りはステム１の平面に平行に反射さ
れる。また、後方出力光ＰｒはＰＤ２とは反対方向に出
射される。図７にレーザ光の経路を矢印で示す。
いて図７を用いて説明する。図７において、リード端子
８を介して外部からＬＤ５にＬＤ駆動電流を印加するこ
とにより、ＬＤ５の前端面Ｆおよび後端面Ｒから、それ
ぞれ前方出力光Ｐｆおよび後方出力光Ｐｒが放出され
る。ここで、前方出力光ＰｆはＰＤ２に照射され、その
一部はＰＤ２で電流信号に変換されてモニタ電流として
外部へ出力され、残りはステム１の平面に平行に反射さ
れる。また、後方出力光ＰｒはＰＤ２とは反対方向に出
射される。図７にレーザ光の経路を矢印で示す。
【００４４】本発明に係る半導体レーザ装置の第２の実
施例は以上のような構成を有しているので、ＬＤ５の前
端面Ｆから放出された前方出力光Ｐｆの一部をＰＤ２に
よってモニタして出力制御にフィードバックするので、
前方光出力Ｐｆ対後方光出力Ｐｒの比の影響を受けずに
精度の高い光出力制御が可能となる。
施例は以上のような構成を有しているので、ＬＤ５の前
端面Ｆから放出された前方出力光Ｐｆの一部をＰＤ２に
よってモニタして出力制御にフィードバックするので、
前方光出力Ｐｆ対後方光出力Ｐｒの比の影響を受けずに
精度の高い光出力制御が可能となる。
【００４５】また、後方光出力Ｐｒが不要となり、後端
面Ｒの反射率を高めて後方光出力Ｐｒを小さくできるこ
とは第１の実施例と同様であり、反射率の非対称化を図
ることで、従来の半導体レーザ装置に比べて、飛躍的に
高い前方光出力Ｐｆを得ることが可能となることも第１
の実施例と同様であるので重複する説明は省略する。
面Ｒの反射率を高めて後方光出力Ｐｒを小さくできるこ
とは第１の実施例と同様であり、反射率の非対称化を図
ることで、従来の半導体レーザ装置に比べて、飛躍的に
高い前方光出力Ｐｆを得ることが可能となることも第１
の実施例と同様であるので重複する説明は省略する。
【００４６】なお、上述した第２の実施例ではＬＤ５の
端面の幅方向を左右方向とした場合の、光軸に対して右
方向に４５度の傾斜角を有する傾斜部１ｂが設けられ、
その傾斜面上にＰＤ２がマウントされた例を示したが、
左方向に向かって４５度の傾斜角を有する傾斜部にＰＤ
２がマウントされる場合もある。
端面の幅方向を左右方向とした場合の、光軸に対して右
方向に４５度の傾斜角を有する傾斜部１ｂが設けられ、
その傾斜面上にＰＤ２がマウントされた例を示したが、
左方向に向かって４５度の傾斜角を有する傾斜部にＰＤ
２がマウントされる場合もある。
【００４７】
【発明の効果】請求項１記載の本発明に係る半導体レー
ザ装置によれば、２つの端面からレーザ光を出射する半
導体レーザ素子の一方の端面からのレーザ光が半導体受
光素子に照射され、その一部がモニタ電流として半導体
レーザ素子にフィードバックされ、残りを反射して出力
光とすることができるので、他方の端面からのレーザ光
をモニタ電流として用いる場合に、温度変化により一方
の端面と他方の端面とで出力特性が異なることに起因し
て、精度の高い光出力制御ができないといった状態に陥
ることを回避でき、温度変化による影響を受ない高精度
な光出力制御が可能な半導体レーザ装置を得ることがで
きる。
ザ装置によれば、２つの端面からレーザ光を出射する半
導体レーザ素子の一方の端面からのレーザ光が半導体受
光素子に照射され、その一部がモニタ電流として半導体
レーザ素子にフィードバックされ、残りを反射して出力
光とすることができるので、他方の端面からのレーザ光
をモニタ電流として用いる場合に、温度変化により一方
の端面と他方の端面とで出力特性が異なることに起因し
て、精度の高い光出力制御ができないといった状態に陥
ることを回避でき、温度変化による影響を受ない高精度
な光出力制御が可能な半導体レーザ装置を得ることがで
きる。
【００４８】請求項２記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、一方の端面から出射されたレーザ光は一
部が取り込まれ、残りは上下方向のうち受光面が向いた
方向に９０度の角度で反射されるので、半導体レーザ素
子を水平に配置することが可能となり、半導体レーザ素
子の実装工程が簡単で、垂直方向にレーザ光が出射され
る半導体レーザ装置が得られる。
装置によれば、一方の端面から出射されたレーザ光は一
部が取り込まれ、残りは上下方向のうち受光面が向いた
方向に９０度の角度で反射されるので、半導体レーザ素
子を水平に配置することが可能となり、半導体レーザ素
子の実装工程が簡単で、垂直方向にレーザ光が出射され
る半導体レーザ装置が得られる。
【００４９】請求項３記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、一方の端面から出射されたレーザ光は一
部が取り込まれ、残りは左右方向のうち受光面が向いた
方向に９０度の角度で反射されるので、半導体レーザ素
子を水平に配置することが可能となり、半導体レーザ素
子の実装工程が簡単で、水平方向にレーザ光が出射され
る半導体レーザ装置が得られる。
装置によれば、一方の端面から出射されたレーザ光は一
部が取り込まれ、残りは左右方向のうち受光面が向いた
方向に９０度の角度で反射されるので、半導体レーザ素
子を水平に配置することが可能となり、半導体レーザ素
子の実装工程が簡単で、水平方向にレーザ光が出射され
る半導体レーザ装置が得られる。
【００５０】請求項４記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を増す
ことで反射率を段階的に増加でき、出力光のパワーが大
きな半導体レーザ装置が得られる。
装置によれば、ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を増す
ことで反射率を段階的に増加でき、出力光のパワーが大
きな半導体レーザ装置が得られる。
【００５１】請求項５記載の本発明に係る半導体レーザ
装置によれば、端面反射率が非対称化することで、一方
の端面からのレーザ光のパワーを増大した半導体レーザ
装置が得られる。
装置によれば、端面反射率が非対称化することで、一方
の端面からのレーザ光のパワーを増大した半導体レーザ
装置が得られる。
【図１】 本発明に係る半導体レーザ装置の第１の実施
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図２】 本発明に係る半導体レーザ装置の第１の実施
例を示す部分平面図である。
例を示す部分平面図である。
【図３】 本発明に係る半導体レーザ装置の第１の実施
例を示す全体断面図である。
例を示す全体断面図である。
【図４】 フォトダイオードの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図５】 本発明に係る半導体レーザ装置のフォトダイ
オードの構成を示す部分断面図である。
オードの構成を示す部分断面図である。
【図６】 本発明に係る半導体レーザ装置のフォトダイ
オードの構成を示す部分断面図である。
オードの構成を示す部分断面図である。
【図７】 本発明に係る半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す部分平面図である。
例を示す部分平面図である。
【図８】 本発明に係る半導体レーザ装置の第２の実施
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図９】 従来の半導体レーザ装置の構成を示す全体断
面図である。
面図である。
【図１０】 従来の半導体レーザ装置の温度変化による
出力特性の変化を示す図である。
出力特性の変化を示す図である。
【図１１】 従来の半導体レーザ装置の温度変化に対す
る前方光出力の変化を示す図である。
る前方光出力の変化を示す図である。
１ ステム、１ａ，１ｂ 傾斜部、２ ＰＤ（フォトダ
イオード）、２ａ 受光面、４ ヒートシンク、５ Ｌ
Ｄ（半導体レーザ素子）、６ キャップ、７ガラス窓、
８ リード端子、Ｐｆ 前方出力光、Ｐｒ 後方出力
光、Ｆ 前端面、Ｒ 後端面、３０ Ｎ型ＩｎＰ基板、
４０ ＩｎＧａＡｓ光吸収層、５０Ｎ型ＩｎＰ窓層、６
０ Ｐ型不純物拡散領域、７０ ＳｉＮ膜、ＰＥ Ｐ側
電極、ＮＥ Ｎ側電極、８０，９０ 照射光反射膜、８
１ ＳｉＯ2層、８２ Ｓｉ層、８３ ＳｉＯ2層、９１
ＳｉＯ2層、９２ Ｓｉ層、９３ ＳｉＯ2層、９４
Ｓｉ層、９５ ＳｉＯ2層。
イオード）、２ａ 受光面、４ ヒートシンク、５ Ｌ
Ｄ（半導体レーザ素子）、６ キャップ、７ガラス窓、
８ リード端子、Ｐｆ 前方出力光、Ｐｒ 後方出力
光、Ｆ 前端面、Ｒ 後端面、３０ Ｎ型ＩｎＰ基板、
４０ ＩｎＧａＡｓ光吸収層、５０Ｎ型ＩｎＰ窓層、６
０ Ｐ型不純物拡散領域、７０ ＳｉＮ膜、ＰＥ Ｐ側
電極、ＮＥ Ｎ側電極、８０，９０ 照射光反射膜、８
１ ＳｉＯ2層、８２ Ｓｉ層、８３ ＳｉＯ2層、９１
ＳｉＯ2層、９２ Ｓｉ層、９３ ＳｉＯ2層、９４
Ｓｉ層、９５ ＳｉＯ2層。
Claims (5)
- 【請求項１】 ２つの端面からレーザ光を出射する半導
体レーザ素子と、 前記半導体レーザ素子の一方の端面からの前記レーザ光
の照射を受け、その一部を取り込んでモニタ電流として
前記半導体レーザ素子にフィードバックし、残りを反射
して出力光とする半導体受光素子とを同一パッケージ内
に備える半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記半導体レーザ素子の積層方向を上下
方向としたときに、 前記半導体受光素子は、その受光面が光軸に対して前記
上下方向に４５度の角度を有するように配置されている
請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ素子の前記一方の端面
の幅方向を左右方向としたときに、 前記半導体受光素子は、その受光面が光軸に対して前記
左右方向に４５度の角度を有するように配置されている
請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記半導体受光素子は、前記受光面の最
表面に、ＳｉＯ2層でＳｉ層を挟んだ構成を少なくとも
１組有する照射光反射膜を備えている請求項１〜３のい
ずれか一項に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記半導体レーザ素子は、その他方の端
面に、出射されるレーザ光を素子内にほぼ１００％の割
合で反射する出射光反射膜を有する請求項１〜４のいず
れか一項に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24901894A JPH08116127A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24901894A JPH08116127A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08116127A true JPH08116127A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17186788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24901894A Pending JPH08116127A (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08116127A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054634A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-11 | Standard Laser System Co., Ltd | Controller for wireless optical communication system |
| JP2008198934A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US7544975B2 (en) | 2005-07-04 | 2009-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| US7745895B2 (en) | 2005-12-14 | 2010-06-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| CN110190504A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-30 | 宁波东立创芯光电科技有限公司 | 半导体激光器阵列封装结构 |
| JP6685482B1 (ja) * | 2019-08-06 | 2020-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPWO2020218595A1 (ja) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | ||
| JPWO2021106127A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP24901894A patent/JPH08116127A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054634A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-11 | Standard Laser System Co., Ltd | Controller for wireless optical communication system |
| US7544975B2 (en) | 2005-07-04 | 2009-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode |
| US7745895B2 (en) | 2005-12-14 | 2010-06-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2008198934A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| JPWO2020218595A1 (ja) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | ||
| CN110190504A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-30 | 宁波东立创芯光电科技有限公司 | 半导体激光器阵列封装结构 |
| JP6685482B1 (ja) * | 2019-08-06 | 2020-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| WO2021024371A1 (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| CN114144950A (zh) * | 2019-08-06 | 2022-03-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体激光装置 |
| JPWO2021106127A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | ||
| WO2021106127A1 (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7042015B2 (en) | Semi-transparent power monitor integrated with a light producing module | |
| US5943357A (en) | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with photodetector for automatic power control and method of fabrication | |
| JP2000183444A (ja) | 発光デバイス及び光検出器のモノリシック集積化システム及びその製造方法 | |
| US7197203B2 (en) | Optical element, optical module, and optical transmission device | |
| JP3058077B2 (ja) | 半導体受発光装置 | |
| US5068866A (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| US10348059B2 (en) | Light emitting element array and optical transmission device | |
| US20010015992A1 (en) | Semiconductor laser device, and image forming apparatus | |
| JP3738849B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、光モジュール、ならびに光伝達装置 | |
| US6347107B1 (en) | System and method of improving intensity control of laser diodes using back facet photodiode | |
| CA2091302A1 (en) | Semiconductor laser and process for fabricating the same | |
| JPH08116127A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US7745895B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP4058633B2 (ja) | 面発光型発光素子、光モジュール、光伝達装置 | |
| US20100237358A1 (en) | Light-emitting device and light-emitting module | |
| JPH11186661A (ja) | 変調器付半導体レーザ | |
| JP4555725B2 (ja) | 受光回路、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
| EP0187716B1 (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPS61108186A (ja) | 電気光学装置 | |
| JP2022002269A (ja) | 光源装置 | |
| JP2002344002A (ja) | 受光素子及び受光素子実装体 | |
| JP3232998B2 (ja) | 光送受信モジュ−ル | |
| JP2001284723A (ja) | 面発光レーザおよびこれを用いた光送信モジュール | |
| JP2001042169A (ja) | 光学装置 | |
| JP3272060B2 (ja) | 半導体素子 |