TW202121785A - 半導體雷射裝置 - Google Patents

Abstract

包括：半導體雷射光源（3），傾斜（α）光束中心（Cb）設置，使得具有朝向幹體（2）的組裝面（2ft）之成分；反射面（4fm），使來自半導體雷射光源（3）之雷射光，朝向透鏡（6）反射；以及第二反射面（5fm），連接於反射面（4fm）的接近於半導體雷射光源（3）之一邊之端部，使雷射光朝向透鏡（6）反射；反射面（4fm）及第二反射面（5fm）中之一者，係由形成於量測雷射光之光量之PD晶片（41）之電介質多層膜所構成，設定反射面（4fm）之傾斜（β），為自45°扣除比傾斜（α）還要小之值，設定第二反射面（5fm）之傾斜（γ），為自45°扣除比傾斜（α）還要大之值。

Description

半導體雷射裝置

本發明係關於一種半導體雷射裝置。

在通訊用之半導體雷射裝置中，當將監視來自半導體雷射晶片（LD晶片）之輸出之光電二極體晶片（PD晶片），配置於LD晶片的後端側時，前方光輸出與後方光輸出之比例係不穩定，而很難高精度地控制。在此，提案有一種使監視前方光輸出之光電二極體晶片（PD晶片），相對於幹體上表面而言傾斜45°，使自LD晶片被射出之前方光，彎曲到垂直方向之半導體雷射裝置（例如參照專利文獻1及2。）。

又，開示有一種為了減少光結合損失，而以彎曲或非平面性之光反射器彎曲雷射光，收斂到光纖之構造（例如參照專利文獻3。）。 ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開平8－116127號公報（段落0022～0027、圖1～圖4） ［專利文獻2］日本特開2005－260223號公報（段落0016～0030、圖1～圖2） ［專利文獻3］日本特表2008－535259號公報（段落0019～0021、圖4）

在此，自LD晶片所射出之雷射光係有發散，所以，對應離開光軸之角度，反射面中之雷射光之入射角係改變，而反射率產生分佈。但是，在上述各文獻所開示之技術中，針對反射率之分佈，係無任何考慮，結果，雷射光之強度分佈係崩潰，而有通訊品質劣化之虞。

本發明係開示一種用於解決如上述課題之技術者，其目的係在於實現一種可抑制通訊品質劣化與光輸出降低之半導體雷射裝置。

本發明所開示之半導體雷射裝置係包括：幹體，對於射出口隔開間隔，以相向配置組裝面；半導體雷射光源，設置使得光束中心係具有朝向該組裝面之成分；反射面，使自該半導體雷射光源入射之雷射光，朝向該射出口反射；以及第二反射面，連接於該反射面的接近於該半導體雷射光源之端部，使自該半導體雷射光源所入射之雷射光，朝向該射出口反射；該反射面及該第二反射面中之一者，係由被形成於量測該雷射光之光量之光電二極體之電介質多層膜所構成，當將垂直於該組裝面，而且，包含該光束中心之面內之對於該組裝面之該光束中心之傾斜，當作α時，設定該反射面之傾斜β，為自45°扣除比α還要小之值，設定該第二反射面之傾斜γ，為自45°扣除比α還要大之值。 ［發明效果］

當依據本發明所開示之半導體雷射裝置時，係使用傾斜不同之兩段之反射面，以使入射角之分佈較小，所以，可獲得一種可抑制通訊品質劣化與光輸出降低之半導體雷射裝置。

實施形態1. 圖1～圖3係用於說明實施形態1之半導體雷射裝置之構造與動作者；圖1A係自透鏡側觀看半導體裝置時之俯視圖；圖1B係包括被圖1A的A－A線所切斷之垂直於半導體雷射裝置的幹體上表面（組裝面）之雷射光的光束中心之面之剖面圖。又，圖2係表示PD晶片表面中之雷射光之反射率之入射角依存性之曲線形式之圖。而且，圖3係在對應圖1B之位置關係中，表示雷射光與反射面之角度關係之圖。

本發明之各實施形態之半導體雷射裝置1，如圖1所示，係具有：LD晶片31，發起雷射光；以及PD晶片41，監視自LD晶片31所射出之前方光之強度，同時使前方光朝向透鏡6反射。當作半導體雷射裝置1之射出口之透鏡6，係相對於組裝LD晶片31及PD晶片41之幹體2的組裝面2ft而言，隔開間隔，使光軸X6垂直以相向配置。

而且，在幹體2中之PD晶片41與LD晶片31之間，配置有相對於PD晶片41的反射面4fm而言，具有連接於LD晶片31之第二反射面5fm之第二反射部5。LD晶片31之構造係光束中心Cb（圖3）朝向組裝面2ft之方向地射出雷射光地，相對於組裝面2ft而言，傾斜配置，自前端面3fe所射出之雷射光，係藉第二反射面5fm與反射面4fm，朝向透鏡6以反射到上方。

因此，幹體2係在用於設置LD晶片31之傾斜座2ma、用於設置PD晶片41之傾斜座2mb、用於設置第二反射部5之傾斜座2mc，分別具有具備後述關係之傾斜。LD晶片31係透過LD底座32，以組裝於傾斜座2ma，PD晶片41係透過PD底座42，以組裝於傾斜座2mb。而且，第二反射面5fm係藉透過PD底座52，組裝PD晶片51於傾斜座2mc而形成。

而且，結合LD晶片31與LD底座32，以稱做半導體雷射光源3，結合PD晶片41與PD底座42，以稱做反射部4。同樣地，結合PD晶片51與PD底座52，以稱做第二反射部5。而且，做為半導體雷射裝置1，係包括例如電路構件等，圖示以外之其他構件，但是，在本發明中，係僅抽出光學性元件做說明。

PD晶片41係發揮監視量測自LD晶片31所射出之雷射光之強度之功能，同時藉電介質多層膜形成反射雷射光之反射面4fm。電介質多層膜係使折射率不同之材料堆積成層構造之構造，例如藉堆積Si與SiO₂ 成多層構造之膜，可效率良好地反射雷射光。而且，電介質多層膜係藉控制層數，可改變光之反射率，所以，可讀取必要之雷射光的一部份到PD晶片41，而量測強度。又，第二反射部5的PD晶片51，係與PD晶片41同樣地，藉電介質多層膜形成反射雷射光之第二反射面5fm。而且，並不侷限於電介質多層膜，只要可形成使得透過一部份之光，其也可以係藉金屬反射膜等，反射雷射光之構造。

而且，本發明之各實施形態之半導體雷射裝置1，係將對於組裝面2ft之半導體雷射光源3之傾斜α、反射面4fm之傾斜β、及第二反射面5fm之傾斜γ，因應雷射光之發散（發散角θ）以設定，當作特徵。在詳細說明此之前，說明如專利文獻1、2所開示之在一般之雷射半導體裝置之反射。

例如當離開光束中心Cb之發散角θ係0°，亦即，平行光時，即使相對於幹體上表面而言，平行配置LD晶片，僅以傾斜45°之反射面，朝向透鏡以反射到上方時，入射角全部變成45°。亦即，當僅處理平行光時，如專利文獻1及2所述地，只要僅以具有相對於幹體上表面而言具有45°，亦即，相對於雷射光而言具有135°（180°－45°）傾斜之反射面反射即可。

但是，現實之來自LD晶片之雷射光，係自光束中心Cb具有±θ之發散以被射出。此時，例如比光束中心Cb還要往透鏡側發散之光之入射角，係大於光束中心Cb之光，比光束中心Cb還要往幹體側發散之光之入射角，係小於光束中心Cb之光。亦即，相對於光束中心Cb而言，往幹體側發散之最端部之光之入射角係成為最小值（45－θ），相對於光束中心Cb而言，往透鏡側發散之最端部之光之入射角係成為最大值（45＋θ）。

在此，例如當使用發散角θ＝40°之LD晶片時，入射角係成為5～85°與80°（＝2θ）差，如圖2所示，反射率之分佈係發散為70%弱～接近95%為止，雷射光之強度分佈係崩潰，而有通訊品質劣化之虞。相對於此，例如使LD晶片朝向下方以傾斜20°（α＝20），為了補償由該傾斜所致之往透鏡6之反射光之方向之改變，僅α之一半（＝10°），使PD晶片之傾斜β小於45°（β＝45－α／2）。

如此一來，對於光束中心Cb之PD晶片之傾斜，係變成比135°還要小10°（＝α－β）。如此一來，幾何學之入射角之最大值係75°（＝45＋θ－α＋β），最小值係－5°（＝45－θ－α＋β），考慮過反射率之分佈之最小值係成為0°，差係狹窄到75°（＝75－0）。但是，入射角係0°以下之部分，係往比原來之LD晶片還要下方前進，意味著不朝向透鏡側，所以，雷射光之利用率係降低。

相對於此，在本發明之半導體雷射裝置1中，係加上上述之傾斜關係之LD晶片31與反射面4fm，與反射面4fm連續，設置傾斜比反射面4fm還要更小之第二反射面5fm。詳細說來，如圖3所示，對於平行於幹體2的組裝面2ft之方向D2之PD晶片41的反射面4fm之傾斜β，係當作上述之45－α／2，第二反射面5fm之傾斜γ，係設定為小於傾斜β，與光束中心Cb之夾角係大於135°。亦即，設定為反射面4fm之對於光束中心Cb之角度，小於135°，第二反射面5fm之對於光束中心Cb之角度，大於135°。

更具體說來，藉將傾斜γ當作45－（α＋θ）／2，如下所述，可使光束之中，比圖3中之光束中心Cb還要上方之全範圍，與離開光束中心Cb往下方之θ／2範圍之光束，碰觸到反射面4fm。而且，當定義為γ＝45－（α＋θ）／2時，使第二反射面5fm之對於光束中心Cb之角度，比135°還要大之條件，係成為α＜θ。

當例如相對於θ＝40°而言，設定α為上述之20°時，其成為β＝35°、γ＝15°，反射面4fm對於光束中心Cb之角度係成為125°，第二反射面5fm之對於光束中心Cb之角度係成為145°。亦即，反射面4fm之對於光束中心Cb之角度係比135°小10°，第二反射面5fm之對於光束中心Cb之角度係比135°大10°。

當將自反射面4fm之對於光束中心Cb之角度之135°減少之部分（差分）當作Δ₄ 時，反射面4fm中之入射角之最大值，係成為75°（＝45＋θ－Δ₄ ），與上述單純之45°傾斜之情形（85°）相比較下，其變小。另外，當將自第二反射面5fm之對於光束中心Cb之角度之135°增加之部分（差分）當作Δ₅ 時，在第二反射面5fm之入射角之最小值係成為15°（＝45－θ－Δ₅ ），差係縮小到70°。此時，相對於反射面4fm而言，入射角係與最小值相同地成為15°者，係離開光束中心Cb往下方傾斜20°（＝θ／2）之部分。

在此，將自光束中心Cb往下方傾斜20°之部分當作邊界角度Ab，使其為連接到第二反射面5fm之邊界，藉此，可確保入射角之最小值為15°以上。該邊界角度Ab中之往第二反射面5fm之入射角係35°（＝45－Ab＋Δ₅ ），反射面4fm中之入射角，係自接近於透鏡6之側的端部，綿延到與第二反射面5fm之邊界部分，自75°改變為15°。同樣地，第二反射面5fm中之入射角，係自與反射面4fm之邊界部分，綿延到接近於LD晶片31之側的端部，自35°改變為15°。亦即，入射角之差係縮小60°，藉此，可抑制反射率之分佈，雷射光之強度分佈均勻，可維持較高之通訊品質。

而且，由β＝45－1／2α之關係，成為Δ₄ ＝α／2，反射面4fm中之入射角之最大值，係成為45＋θ－α／2。又，因為係Δ₅ ＝45－α－γ，所以，第二反射面5fm中之入射角之最小值，係成為90－θ－α－γ。因此，邊界角度Ab係成為θ＋γ＋α／2－45，在邊界角度Ab中之第二反射面5fm之入射角，係成為135－θ－2γ－3／2α。

此時，在反射面4fm中，變得僅以比自發光點3s拉出之垂線的腳fp4，還要靠近透鏡6之側，反射雷射光。同樣地，在第二反射面5fm中，也僅以比自發光點3s拉出之垂線的腳fp5，還要靠近透鏡6之側，反射雷射光，所以，可抑制不朝向透鏡6側之成分，也可確保雷射光之利用率。其係藉使反射面4fm與第二反射面5fm之邊界，設定於適切之位置，於滿足α＜θ之α與θ之任何組合中，皆成立。

而且，上述之邊界角度Ab，係用於使在反射面4fm之入射角之最小值，確保為在第二反射面5fm之入射角之最小值以上之邊界，如果設定邊界為比邊界角度Ab還要小之角度時，在反射面4fm之入射角之最小值係增大。但是，此情形係以PD晶片41可監視之光量變得減少，所以，只要因應重要度以設定適宜邊界即可。

另外，最小值係增加與自光束中心Cb與第二反射面5fm之夾角之135°之增加部分Δ₅ ，相同之角度部分，所以，也可以不拘泥於上述定義（γ＝45－（α＋θ）／2），使自135°之增加部分Δ₅ ，設定為超過0之值。但是，該情形係入射到反射面4fm之邊界角度Ab之位置，如果α大1°時，則變得自θ小0.5°，如果Δ₅ 變得大1°時，同樣地變得小1°，而接近光束中心Cb之入射位置。亦即，成為Ab＝θ－Δ₅ －α／2。

如上所述，使第二反射部5與光學反射鏡相比較下，其以便宜之PD底座52與PD晶片51形成，所以，成為可以低成本地製成半導體雷射裝置1。而且，如果第二反射部5也使用於監視來自LD晶片31之光時，可較大地取得用於檢知光輸出之監視電流。

實施形態2. 在上述實施形態1中，雖然說明過使用PD晶片以形成第二反射部之例，但是，本發明並不侷限於此。在本實施形態2中，係說明使用利用折射率之差之反射構件，以形成第二反射部之例。圖4係用於說明實施形態2之半導體雷射裝置之構造者，其係對應用於說明實施形態1之圖1B之剖面圖。而且，在本實施形態2及後述之實施形態3之半導體雷射裝置中，針對第二反射部以外之構造，係與在實施形態1說明過者相同，援用在實施形態1使用過之圖2與圖3，同時針對同樣之部分，則省略其說明。

實施形態2之半導體雷射裝置1，如圖4所示，係取代在實施形態1說明過之PD晶片51與PD底座52，組裝利用折射率之差之反射構件53到傾斜座2mc，藉此，形成第二反射部5者。此情形也可以取入必要之雷射光的一部份到PD晶片41。又，反射構件53係只要可反射雷射光即可，其也可係棱鏡反射鏡。另外，在形成高反射膜於表面之所謂反射鏡零件之情形下，如後述之實施形態3所示，變得可不考慮在第二反射面5fm之入射角之最小值地，設定角度。

而且，在本實施形態2之半導體雷射裝置1中，在第二反射部5係沒有量測光強度之功能，所以，入射到反射面4fm之雷射光之比例，亦即，邊界之設定係變得很重要。因此，例如藉定義為γ＝45－（α＋θ）／2，邊界角度Ab係被固定於自光束中心Cb往幹體兩側之θ／2之位置，可監視之射出範圍係確定，變得可以進行穩定之光強度之監視，亦即可控制。

而且，雖然也可以設置反射構件53一邊於傾斜座2mb，設置PD晶片41於傾斜座2mc側，但是，在該情形下，也希望適切地決定邊界角度Ab，設定可監視之射出範圍。

在本實施形態2之半導體雷射裝置1中，也與實施形態1同樣地，藉縮小入射角之差，可抑制反射率之分佈，雷射光之強度分佈係均勻，可維持較高之通訊品質。

實施形態3. 在上述實施形態1或2中，係說明過藉在傾斜座組裝PD晶片或反射構件，形成第二反射部之例，但是，本發明並不侷限於此。在本實施形態3中，係說明鏡面化傾斜座本身，以形成第二反射部之例。圖5係用於說明實施形態3之半導體雷射裝置之構造者，其係對應用於說明實施形態1之圖1B之剖面圖。

實施形態3之半導體雷射裝置1，如圖5所示，係取代在實施形態1說明過之PD晶片51與PD底座52，鏡面化傾斜座2mc的表面，形成第二反射部5者。在此情形下，也可以取入必要之雷射光的一部份到PD晶片41。而且，傾斜座2mc係其表面（第二反射面5fm）連接於反射面4fm地，與實施形態1或2相比較下，加大自組裝面2ft之突出量，比傾斜座2mb還要突出。

鏡面化係可以藉冲壓施加在幹體2表面之金電鍍等之工序而形成，也可以形成其他之金屬反射膜。在PD晶片41表面之反射率，係如圖2所示之70%以上，另外，在幹體2表面之反射率，係可實現100%。又，此構造係如實施形態1及2所示，第二反射部5係無須使用PD晶片51與PD底座52，或者反射構件53，所以，可實現低成本化。又，形成反射面4fm之PD底座42與PD晶片41，係在製造工序中，係可碰觸到傾斜座2mc的壁面以定位，所以，PD底座42與PD晶片41之定位變得容易，生產性係提高。

而且，在本實施形態3中，也與實施形態2同樣地，係在第二反射部5不具有量測光強度之功能，所以，入射到反射面4fm之雷射光之比例，亦即，邊界角度Ab之設定係變得重要。因此，例如藉定義為γ＝45－（α＋θ）／2，邊界角度Ab係被固定於自光束中心Cb往幹體兩側θ／2之位置，可監視之射出範圍係確定，而變得可進行穩定之光強度之監視，亦即可控制。

另外，如上所述，在鏡面化後之第二反射面5fm之反射率，係可實現100%，所以，無須降低在反射面4fm之入射角之最大值，只要提高最小值，及僅專注於入射之光束範圍即可。而且，在第二反射面5fm中，係無須考慮入射角之分佈，只要僅將使雷射光的自光束中心Cb往角度θ下方之端部，位於自發光點3s拉出之垂線的腳fp5還要上方之位置，當作條件即可。

在本實施形態3之半導體雷射裝置1中，也與實施形態1及2同樣地，藉縮小入射角之差，可抑制反射率之分佈，雷射光之強度分佈係均勻，可維持較高之通訊品質。

實施形態4. 在上述實施形態1～3中，係說明過垂直於組裝面，包含光束中心之面中之反射面之配置例，但是，在本實施形態4中，係說明在組裝面上之反射面之配置例。圖6係用於說明實施形態4之半導體雷射裝置之構造者；圖6A係自透鏡側觀看半導體雷射裝置之俯視圖；圖6B係被圖6A的B－B線所切斷之垂直於半導體雷射裝置的組裝面之剖面圖。而且，針對垂直於組裝面，並包含光束中心之面中之反射面之配置，係依據實施形態1之例而記載，援用在實施形態1所使用之圖2與圖3，同時針對同樣之部分，係省略其說明。

實施形態4之半導體雷射裝置1，如圖6所示，係在幹體2的平行於組裝面2ft之面中，夾持光束中心Cb，使得使反射部4與第二反射部5，左右分為右反射部4_{－ R} 與左反射部4_{－ L} 以配置者。而且，相對於右反射面4fm_{－ R} 與右第二反射面5fm_{－ R} 而言，左反射面4fm_{－ L} 與左第二反射面5fm_{－ L} ，係將垂直於包含光束中心Cb之組裝面2ft之面，當作對稱面以對稱配置，而且，愈遠離對稱面則愈往上方傾斜。

亦即，反射面4fm與第二反射面5fm，係於在實施形態1～3說明過之對於包含光束中心Cb之組裝面2ft之垂直之面中之加上傾斜α與傾斜β，垂直於光束中心Cb之面中，也係愈遠離光束中心則愈往上方傾斜。結果，當自相向於LD晶片31的前端面3fe之側觀看時，如圖6B所示，反射面4fm係與未被描畫之第二反射面5fm同樣地，呈V字形。

如此一來，使反射面4fm與第二反射面5fm形成為V字形，藉此，可抑制自半導體雷射光源3入射後，平行於組裝面2ft之面（圖6中之上下方向）中之雷射光之發散。結果，進入透鏡6之雷射光變多，可抑制光輸出之降低。

而且，在圖6中，係簡略化說明，所以，雖然進行有對應在實施形態2說明過之反射構件53之描畫，但是，本發明並不侷限於此，針對第二反射部5，其即使係在實施形態1或實施形態3說明過之態樣，也沒有關係。

而且，本發明雖然係記載有種種之例示性之實施形態及實施例，但是，一個或複數個實施形態所述之種種特徵、態樣及功能，係不侷限於特定實施形態之適用，其可係單獨或種種之組合而適用於實施形態。因此，未被例示之無數變形例，係被假定於本發明專利說明書所開示之技術之範圍內。其係包含例如變形至少一個構造元件之情形，追加之情形或省略之情形，而且更包含抽出至少一個構造元件，與其他實施形態之構造元件組合之情形。

例如雖然說明過射出口係設置透鏡6之例，但是，本發明並不侷限於此，其也可以直接使反射光射到光纖的端面，其只要往幹體2的相向於組裝面2ft之射出口射出即可。又，雖然表示過使半導體雷射光源3、反射部4及第二反射部5，分別設置於幹體2的傾斜座2ma～2mc之例，但是，本發明並不侷限於此。如果光束中心Cb與反射面4fm、及第二反射面5fm之對於組裝面2ft之幾何學關係成立時，其也可以被安裝於其他構件。

如上所述，當依據各實施形態之半導體雷射裝置1時，可獲得一種半導體雷射裝置1，其包括：幹體2，相對於射出口（例如透鏡6）而言，隔開間隔以相向配置組裝面2ft；半導體雷射光源3，設置使得光束中心Cb具有朝向組裝面2ft之成分；反射面4fm，使自半導體雷射光源3入射之雷射光，往射出口（透鏡6）反射；以及第二反射面5fm，連接於反射面4fm的接近於半導體雷射光源3之端部，使自半導體雷射光源3入射之雷射光，朝向射出口（透鏡6）反射；反射面4fm及第二反射面5fm中之一者，係由被形成於量測雷射光之光量之光電二極體（PD晶片41）之電介質多層膜所構成，當將垂直於組裝面2ft，而且，包含光束中心Cb之面內之對於組裝面2ft（方向D2）之光束中心Cb之傾斜，當作α時，設定反射面4fm之傾斜β，為自45°扣除比α還要小之值，設定第二反射面5fm之傾斜γ，為自45°扣除比α還要大之值。因此，入射角之最大值變小，同時入射角之最小值變大，所以，反射率之分佈變小，而可抑制通訊品質之劣化與光輸出之降低。

尤其，設定反射面4fm與第二反射面5fm之邊界（邊界角度Ab），於在反射面4fm，比自半導體雷射光源3的發光點3s拉出垂線的腳，還要遠離半導體雷射光源3之側，所以，可使入射到反射面4fm之雷射光，朝向透鏡6以確實地反射。

當設定傾斜β為45－α／2，將自雷射光的光束中心Cb之發散角當作θ時，使反射面4fm與第二反射面5fm之邊界，設定在朝向對於光束中心Cb之組裝面2ft之傾斜（邊界角度Ab），成為θ＋γ＋α／2－45之光束入射之位置，所以，可對齊往反射面4fm之入射角之最小值，與往第二反射面5fm之入射角之最小值，可確實減少入射角之差，以更加抑制反射率之分佈，而可確實防止通訊品質之劣化。

此時，如果設定傾斜γ為45－（α＋θ）／2時，可使比光束中心Cb還要朝向透鏡6側之光束，與自光束中心Cb發散θ／2為止之光束，入射到反射面4fm，可確保朝向PD晶片41之光束之比例，可正確監視光束光量。尤其，如果使反射面4fm以PD晶片41形成時，可使光束之發散之中，於角度中，3／4範圍之光，以PD晶片41監視。

此時，當反射面4fm及第二反射面5fm中之另一者，也由被形成於光電二極體（PD晶片41及PD晶片51）之電介質多層膜所構成時，可藉PD晶片41與PD晶片51，監視光束之發散之全領域。

當使反射面4fm及第二反射面5fm中之另一者（第二反射部5），由利用折射率之差之反射構件53所構成時，可藉與半導體製造程序同樣之程序，便宜地製造。

使第二反射面5fm鏡面化幹體2的一部份（傾斜座2mc的斜面）以構成，所以，變得可降低成本。而且，只要僅注意到反射面4fm之入射角之最小值即可，可提高設計自由度。

使反射面4fm與第二反射面5fm分別（右反射面4fm_{－ R} 及左反射面4fm_{－ L} ，與右第二反射面5fm_{－ R} 及左第二反射面5fm_{－ L} ）將垂直於組裝面2ft，而且，包含光束中心Cb之面，當作對稱面以對稱配置，而且，隨著遠離對稱面，傾斜使得遠離組裝面2ft，所以，可抑制自半導體雷射光源3入射後之平行於組裝面2ft之面中之雷射光之發散。結果，可抑制偏離透鏡6之雷射光之比例，而抑制光輸出之降低。

1:半導體雷射裝置 2:幹體 2ft:組裝面 3:半導體雷射光源 3fe:前端面 3s:發光點 4:反射部 41:PD晶片 4fm:反射面 5:第二反射部 51:PD晶片 53:反射構件 5fm:第二反射面 6:透鏡 Ab:邊界角度 Cb:光束中心 α:傾斜 β:傾斜 γ:傾斜 θ:發散角

〔圖1〕係圖1A與圖1B分別係實施形態1之半導體雷射裝置之俯視圖與剖面圖。 〔圖2〕係表示PD晶片表面中之雷射光反射率之入射角依存性之曲線形式之圖。 〔圖3〕係表示實施形態1之半導體雷射裝置中之雷射光與反射面之角度關係之圖。 〔圖4〕係實施形態2之半導體雷射裝置之剖面圖。 〔圖5〕係實施形態3之半導體雷射裝置之剖面圖。 〔圖6〕係圖6A與圖6B分別係實施形態3之半導體雷射裝置之俯視圖與剖面圖。

1:半導體雷射裝置

2:幹體

3:半導體雷射光源

4:反射部

5:第二反射部

6:透鏡

31:LD晶片

32:LD底座

41:PD晶片

42:PD底座

51:PD晶片

52:PD底座

2ft:組裝面

2ma:傾斜座

2mb:傾斜座

2mc:傾斜座

3fe:前端面

3s:發光點

4fm:反射面

5fm:第二反射面

X6:光軸

Claims (10)

1. 一種半導體雷射裝置，其包括： 幹體，相對於射出口而言隔開間隔，以相向配置組裝面； 半導體雷射光源，設置使得光束中心具有朝向該組裝面之成分； 反射面，使自該半導體雷射光源入射之雷射光，朝向該射出口反射；以及 第二反射面，連接於該反射面的接近於該半導體雷射光源之一邊之端部，使自該半導體雷射光源入射之雷射光，朝向該射出口反射， 該反射面及該第二反射面中之一者，係由被形成於量測該雷射光之光量之光電二極體之電介質多層膜所構成， 將垂直該組裝面，而且，包含該光束中心之表面內之對於該組裝面之該光束中心之傾斜，當作α時，設定該反射面之傾斜β，為自45°扣除比α還要小之值，設定該第二反射面之傾斜γ，為自45°扣除比α還要大之值。
2. 如請求項1之半導體雷射裝置，其中使該反射面與該第二反射面之邊界，設定為比自該半導體雷射光源的發光點，拉線到該反射面之垂線的腳，還要遠離該半導體雷射光源之側。
3. 如請求項1之半導體雷射裝置，其中當設定該傾斜β為45－α／2，將該雷射光的自該光束中心算起之發散角當作θ時， 設定該反射面與該第二反射面之邊界，為朝向對於該光束中心之該組裝面之傾斜Ab，成為θ＋γ＋α／2－45之光束所入射之位置。
4. 如請求項3之半導體雷射裝置，其中設定該傾斜γ為45－（α＋θ）／2。
5. 如請求項1～4中任一項之半導體雷射裝置，其中該反射面及該第二反射面中之另一者，也由被形成於光電二極體之電介質多層膜所構成。
6. 如請求項1～4中任一項之半導體雷射裝置，其中使該反射面及該第二反射面中之另一者，由利用折射率之差之反射構件所構成。
7. 如請求項1～4中任一項之半導體雷射裝置，其中使該第二反射面為鏡面化該幹體的一部份所構成。
8. 如請求項1～4中任一項之半導體雷射裝置，其中使該反射面與該第二反射面，分別係將垂直於該組裝面，而且，包含該光束中心之面當作對稱面，以對稱配置，而且，隨著逐漸遠離該對稱面，而自該組裝面遠離地傾斜。
9. 如請求項5之半導體雷射裝置，其中使該反射面與該第二反射面，分別係將垂直於該組裝面，而且，包含該光束中心之面當作對稱面，以對稱配置，而且，隨著自該對稱面逐漸遠離，而自該組裝面遠離地傾斜。
10. 如請求項6之半導體雷射裝置，其中使該反射面與該第二反射面，分別係將垂直於該組裝面，而且，包含該光束中心之面當作對稱面，以對稱配置，而且，隨著自該對稱面逐漸遠離，而自該組裝面遠離地傾斜。

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