JP3361335B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップ装置等
に用いる半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、光ピックアップ装置では、記録
媒体に光ビームを照射し、記録された情報の読み取りを
行う。この光ピックアップ装置は、光ビームの発生源と
して例えば半導体レーザ装置を用い、ここから発生した
光ビームを記録媒体に形成された記録トラック上にビー
ムスポットとして照射させ、記録媒体からの反射光を光
検出手段に導き各種の信号を得るようにしている。この
半導体レーザ装置は、以下に示すように種々提案されて
いる。

【０００３】特開平２−１２５６８７号公報の中には、
図９に示すような半導体レーザが開示されている（従来
例１）。これによると、環状のステム５０にレーザチッ
プ支持片５１が一体に形成され、ここにレーザダイオー
ド素子５２がボンディングされている。さらにステム５
０には円板状の金属製ベース５３が嵌合されており、こ
のベース５３には３本のリード５４が設けられている。
また、レーザダイオード素子５２、フォトダイオードの
電極と、リード５４とはコネクトワイヤ５５で接続され
ている。さらに、ステム５０の上面には前記レーザダイ
オード素子５２等を覆う金属製キャップ５６が設けられ
ている。なお、金属製キャップ５６の上面には光透過孔
５７が形成されており、ガラス等の透明板５８で閉塞さ
れている。

【０００４】上記従来例１は、製造する場合にベース５
３にリード５４のうちの２本を絶縁ガラス５９を介して
貫通状に固定しなければならない。さらに、ベース５３
をレーザダイオード素子５２が或いは、レーザダイオー
ド素子５２およびサブマウント６０がボンディイングさ
れたステム５０に固着しなければならない。さらに、キ
ャップ５６を金属で成形加工後、透明板５８で光透過孔
５７を閉塞しなければならず、キャップ５６もステム５
０に電気溶接しなければならない。したがって、半導体
レーザ装置の製造工程が多くなるとともに、コストダウ
ンを図ることが極めて困難になるという不具合がある。

【０００５】この不具合を解決するための手段として、
上記従来例１には図１０に示すような内容が開示されて
いる（従来例２）。これによると、金属製の基板６１の
一端部が幅広に形成されており、この幅広部分６２上に
シリコン製のサブマウント６３がボンディングされてい
る。さらに、サブマウント６３上にはモニタ用フォトダ
イオード６４が形成され、レーザダイオード素子６５が
ボンディングされている。なお、レーザダイオード素子
６５の光出射端面６６は前記幅広部分６２の先端面６
７、前記サブマウント６３の先端面６８と略面一となる
ようにされている。

【０００６】また、基板６１の狭小部分の両側にはリー
ド６９、７０が平行に配設されており、リード６９とレ
ーザダイオード素子６５の電極とはコネクトワイヤ７１
で接続されている。さらに、リード７０とフォトダイオ
ード６４の電極とはコネクトワイヤ７２で接続されてい
る。さらに、レーザダイオード素子６５、サブマウント
６３等は光透過性樹脂７３で封止されている。

【０００７】しかし図１０に示してある従来例２は半導
体レーザ装置の出射光軸方向の寸法Ｈが大きくなってし
まうという問題、さらに半導体レーザ装置からの出射光
軸が、レーザダイオード素子６５の取り付け面と直交す
るようになっているので、半導体レーザ装置からの出射
光の戻り光を受光する受光素子と一体化しにくく、製造
効率が悪いという不具合がある。

【０００８】この不具合を解決するための手段として、
上記従来例には図１１に示すような内容が開示されてい
る（従来例３）。これによると、金属板の表面に絶縁膜
を介して配線した金属基板７４の上にビームスプリッタ
７５および戻り光検出用の分割フォトダイオード７６を
設け、レーザダイオード素子７７からの光ビームをビー
ムスプリッタ７５により上方に反射させるようにしてい
る。このように構成することにより、低価格でコンパク
トな光ピックアップとすることができる。

【０００９】また、図１０に示すような従来例の不具合
を解決するための手段として、図１２に示すような内容
が特開昭６４−４６２４３号公報に開示されている（従
来例４）。これによると、半導体基板７８の上面に光検
出部７９、８０を形成し、これら光検出部より低く形成
された段差部分に半導体レーザ素子８１およびモニタ用
光検出部８２が設けられている。さらに、半導体レーザ
素子８１の出射方向である半導体基板７８には傾斜面８
３が形成されている。また、前記傾斜面８３には全反射
グレーティング部８４が設けられており、半導体基板７
８の上方に配設されているカバー部材８５の上面にはホ
ログラムにより形成されるビームスプリッタ８６が設け
られている。

【００１０】また、図１３に示すような内容が実開昭６
２−３６２８号公報に開示されている（従来例５）。こ
れによると、レーザ光源８７からの光線を反射させる反
射板８８がビームスプリッタ８９、コリメートレンズ９
０等が収納され光路を形成する筐体９１と一体に形成さ
れている。なお、レーザ光源の具体的内容については開
示されていない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記図１
１〜図１３に示した従来例（３〜５）においても、以下
のような不具合がある。先ず図１１に示すものは、レー
ザダイオード素子７７からの出射光ビームを上方に反射
させる手段としてビームスプリッタ７５を用いている。
ところが、このビームスプリッタ７５は磨いたガラスの
接合面に所要の素材をコーティングした物を用いるの
で、半導体レーザ装置のコストアップを招いてしまうと
いう不具合がある。また図１１に示すものは、レーザダ
イオード素子７７、分割フォトダイオード７６を設けた
金属基板７４に、ビームスプリッタ７５を付加するよう
に設ける構成であるので、レーザダイオード素子７７、
分割フォトダイオード７６とビームスプリッタ７５との
位置精度を確保しにくく、半導体レーザ装置を適正に製
造することが困難であるという不具合がある。

【００１２】次に図１２に示すものは、半導体レーザ素
子８１の出射方向である半導体基板７８に傾斜面８３を
シリコン等の半導体基板をエッチング加工等により形成
しているので、傾斜面８３の半導体レーザ素子８１や分
割フォトダイオードに対する位置精度を確保することに
問題はない。しかしながら、半導体基板に傾斜面を形成
する場合、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の加工を要する
ので、加工が容易でないという不具合がある。さらに傾
斜面は、半導体基板の材質の結晶面に限定されるので、
形成角度に自由度がないとともに、平面状の傾斜面しか
形成できないという不具合がある。

【００１３】次に図１３に示すものは、光ピックアップ
の筐体９１の一部に反射板８８を形成している構成のみ
が開示されており、レーザ光源８７自体の薄型化等につ
いては何ら配慮されていない。さらに、レーザ光源８７
と反射板８８との距離が離れているので、反射面を大き
くとらなければならないとともに、反射面を形成する際
の精度が出しにくいという不具合がある。

【００１４】本発明は、上記の不具合を解決すべく提案
されるもので、製造コストを低くできると共に、半導体
レーザチップの放熱性を向上でき、さらに半導体レーザ
チップから出射される光ビームを所要方向に反射させる
反射面の形状の自由度を高くでき、装置の薄型化が図れ
ると共に、光ピックアップ装置等に適用する場合に容易
に精度良く位置決めして取り付けることができ、光ピッ
クアップ装置等を簡単に組み立てることができる半導体
レーザ装置を提供することを目的としたものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する請求
項１に係る半導体レーザ装置の発明は、半導体レーザチ
ップと、該半導体レーザチップを固定する金属製の基台
と、該基台を固定するリードフレームと、該リードフレ
ームの一部を露出させて、該リードフレーム、前記基台
および半導体レーザチップを覆う透明なパッケージとを
有し、前記基台には、前記半導体レーザチップの位置決
め部を形成すると共に、該半導体レーザチップからの光
ビームを所要方向に反射させる反射面を形成し、前記リ
ードフレームには、前記半導体レーザチップから前記反
射面を経て出射される光ビームの光軸に関連した取り付
け基準部を形成し、前記パッケージには、前記半導体レ
ーザチップから前記反射面を経て出射される光ビームの
光路上に回折格子を形成したことを特徴とするものであ
る。請求項２に係る発明は、請求項１記載の半導体レー
ザ装置において、前記半導体レーザチップは、二つの発
光点を有することを特徴とするものである。

【００１６】

【作用】請求項１の発明によると、半導体レーザチップ
を金属製の基台を介してリードフレームに固定するの
で、半導体レーザチップの放熱性を向上できる。また、
金属製の基台を加工して半導体レーザチップの位置決め
部および反射面を形成するので、成形加工が容易で反射
面の形状の自由度を高くできると共に、半導体レーザチ
ップを基台に簡単かつ高精度で固定でき、製造コストを
安くできる。また、パッケージに回折格子を一体に形成
して、半導体レーザチップから反射面を経て出射される
光ビームを回折させるようにしているので、半導体レー
ザ装置の出射方向の寸法を薄くできる。また、基台を介
して半導体レーザチップを取り付けたリードフレーム
に、半導体レーザチップから反射面を経て出射される光
ビームの光軸に関連した取り付け基準部を形成したの
で、光ピックアップ装置等に適用する場合にこの基準部
を介して取り付けることにより、容易に精度良く位置決
めして取り付けることができ、光ピックアップ装置等を
簡単に組み立てることができる。また、請求項２の発明
によると、半導体レーザチップが二つの発光点を有する
ので、上記の作用効果に加え、例えば光ピックアップ装
置に適用した場合には、例えば記録媒体の２本の記録ト
ラックに対して同時に記録、再生が可能となる。

【００１７】

【実施例】以下、図面にしたがい本発明の実施例を説明
していく。図１および図２は、本発明とともに開発した
半導体レーザ装置の第１開発例を示す斜視図および要部
断面図である。ブロック１は、板状の金をプレス成形し
後述するレーザダイオード２等を設けるものである。こ
のブロック１のレーザダイオード２からの光ビーム出射
方向には、角度が４５°のビーム反射面３を形成すると
ともに、ブロック１上面にはレーザダイオード２、後述
するフォトダイオード４のそれぞれの取り付け部５、６
を形成する。

【００１８】また、レーザダイオード２の取り付け部５
には、レーザダイオード２の成長層側の電極７をＩｎロ
ー材等を介してマウントしている。この場合、レーザダ
イオード２はＸ方向を取り付け部５の面８に、Ｙ方向を
取り付け部５の面９に当て付けることにより前記ビーム
反射面３に対する位置精度を確保する。さらに、取り付
け部６にはコーナーに位置決めしながらフォトダイオー
ド４の裏面１０の電極をＩｎロー材等を介してマウント
している。

【００１９】また、ブロック１は第１のリードフレーム
１１上にマウントされているが、第１のリードフレーム
１１は凹溝を介して連続する部分を有し、その近傍には
第２のリードフレーム１２、第３のリードフレーム１３
が配設されており、レーザダイオード２の電極と第２の
リードフレーム１２、およびフォトダイオード４の電極
と第３のリードフレーム１３はそれぞれコネクトワイヤ
１４、１５によりボンディングされている。

【００２０】上記のブロック１、リードフレーム１１、
１２、１３等は、それぞれのリードフレームの一部が突
出状態にエポキシ樹脂等の透明なプラスチックから成る
パッケージ１６でカバーされている。第１のリードフレ
ーム１１のＹ方向端部近傍には、基準孔１７、１８が形
成されており、基準孔のＸ方向の位置は、パッケージ１
６から出射する光軸と一致するようにされている。ま
た、基準孔１８に対してパッケージ１６から出射する光
軸とＹ方向の寸法精度を確保している。

【００２１】次に、以上のように構成されている第１開
発例の動作を説明する。レーザダイオード２からＸ
（−）方向に出射した光ビームは、ブロック１の反射面
３で光路をＺ（＋）方向に曲げられ、ブロック１のＸ方
向平面に対して垂直に出射される。一方、レーザダイオ
ード２からＸ（＋）方向に出射された光ビームは、フォ
トダイオード４の受光面１９に入射し、フォトダイオー
ド４はレーザダイオード２の後方出射モニタとして作用
する。レーザダイオード２から出射された光ビームは、
パッケージ１６から出射し、所要の光学素子を通過して
記録媒体の記録面にビームスポットとして照射されるの
である。

【００２２】このように動作する第１開発例は、レーザ
ダイオード２からの光ビームを反射面３で一度反射させ
た後に半導体レーザ装置から出射させているので、半導
体レーザ装置の出射方向の寸法を小さくできる。さらに
レーザダイオード２を設けてあるブロック１を金で形成
しているので、レーザダイオード２の放熱特性が良い。
さらにレーザダイオード２、フォトダイオード４の取り
付け部が形成されているので、位置合わせが容易でそれ
らの取り付け精度が良い。さらに半導体レーザ装置には
取り付け時に、出射光軸に対して位置関係を出すための
基準孔が形成されているので、半導体レーザ装置の取り
付け精度が良い。

【００２３】図３は、本発明の第１実施例に係る半導体
レーザ装置の要部断面図である。第１開発例と対応する
箇所には同一符号を付した（以下の実施例および開発例
についても同様）。本実施例ではレーザダイオード２か
らの光ビームが入射し、反射される反射面３が略凹面形
状（略円筒面）に形成されている。また、パッケージ上
面１６ａの光ビーム通過部分には、回折格子１６ｂが樹
脂で一体成形されている。なお、パッケージ１６の光ビ
ーム通過部分には、回折格子１６ｂに限らずホログラム
素子やレンズ等を設けることもできる。他の構成につい
ては、第１実施例と同様であるので説明を省略する。

【００２４】次に本実施例の動作を説明すると、レーザ
ダイオード２からＸ（−）方向に出射した光ビームは、
反射面３によりＺ（＋）方向に反射される。この反射光
は反射面３が凹面であるため、第１実施例に比較してＸ
方向に多少収束ぎみにビーム成形される。さらに反射光
は、回折格子１６ｂに入射し、０次光と±１次回折光に
回折され半導体レーザ装置から出射していく。半導体レ
ーザ装置からの出射光は、図示していない対物レンズを
透過し記録媒体である光ディスク上に３つの光スポット
を照射する。したがって、トラッキングエラー検出はい
わゆる３ビーム法により行われる。

【００２５】本実施例では、反射面３がビーム成形機能
を有しているので、他のプリズム等の光学素子を不要と
し、半導体レーザ装置を用いた光ピックアップ等の構成
をより簡素化できる。さらに、反射面３はレーザダイオ
ード２をマウントする部材に形成しているので、レーザ
ダイオード２に対する位置精度を確保しやすい等の他の
効果については第１開発例と同様である。

【００２６】図４は、本発明とともに開発した半導体レ
ーザ装置の第２開発例を示す要部断面図である。本開発
例は、第１開発例の変形例ともいうべきものであり、反
射面３に回折格子２０をプレスにより同時に一体成形し
ている。なお、回折格子２０に限らずホログラム素子や
レンズ等を設けることもできる。他の構成については、
第１開発例と同様であるので説明を省略する。このよう
に構成されているので、レーザダイオード２から出射さ
れた光ビームは、反射面３でＺ（＋）方向に反射させる
とともに、光ビームを０次光と±１次回折光に回折させ
ることができる。

【００２７】図５は、本発明とともに開発した半導体レ
ーザ装置の第３開発例を示す要部断面図である。本開発
例では、第１のリードフレーム１１を形成する場合、ほ
ぼ中央位置をプレス成形により凹部２１およびこの凹部
２１に連続する反射面３、２２を形成する。反射面３は
４５°の傾斜角を有し、反射面２２は３０°の傾斜角を
有するように形成してあるとともに、これら反射面３、
２２の表面に反射率を高くするための金メッキを施して
ある。また、凹部２１にはレーザダイオード２をマウン
トし、反射面２２の上部には下面を受光面１９とするよ
うにしたフォトダイオード４をマウントする。このよう
に本開発例ではブロックを設けていないが、他の構成に
ついては、第１開発例とほぼ同様であるので説明を省略
する。

【００２８】次に本開発例の動作の説明をすると、レー
ザダイオード２からＸ（−）方向に出射された光ビーム
は、４５°の傾斜角を有する反射面３で反射されてＺ
（＋）方向に出射される。一方、レーザダイオード２の
Ｘ（＋）方向に出射された光ビームは３０°の傾斜角を
有する反射面２２で反射されてフォトダイオード４の受
光面１９に入射し、フォトダイオード４はレーザダイオ
ード２の後方出射モニタとして作用する。レーザダイオ
ード２から出射された光ビームは、パッケージ１６から
出射し、所要の光学素子を通過して記録媒体の記録面に
ビームスポットとして照射されるのである。

【００２９】本開発例はこのように構成されており、リ
ードフレーム１１を直接プレス成形して反射面３、２２
を形成しているので、ブロックを要することなく少ない
部品点数で構成することができ、またリードフレーム１
１に対する光軸の精度も確保しやすい。他の効果につい
ては、第１開発例と同様である。なお、本開発例ではリ
ードフレームに金メッキを施し反射面としたが金メッキ
は無くともよい。又リードフレームを例えば金をクラッ
ドにしたリードフレームをプレス成形したものでもよ
い。

【００３０】図６は本発明の第２実施例を示す半導体レ
ーザ装置の要部断面図であり、図７はかかる半導体レー
ザ装置を用いる光ピックアップ装置の一例を示す図であ
る。本実施例の半導体レーザ装置では板状の金をプレス
成形してブロック１を形成するにあたり、レーザダイオ
ード２を固定する凹部５と、その前後に反射面３、２３
を形成している。これら反射面３、２３の傾斜角度θは
４５°よりも小さい角度に設定している。他の構成につ
いては、第１実施例と同様であるので説明を省略する。

【００３１】次に図７に示す光ピックアップ装置を参照
して本実施例の半導体レーザ装置の動作を説明すると、
レーザダイオード２のＸ（−）方向に出射された光ビー
ムは反射面３に入射し、Ｘ（＋）方向に出射した光ビー
ムは反射面２３に入射する。なお、Ａ、Ｂはレーザダイ
オード２のＸ（−）、Ｘ（＋）方向の発光点を示したも
のである。反射面３、２３で反射された光ビームは、半
導体レーザ装置から対物レンズ２４を透過し、記録媒体
２５に照射されるようになっている。

【００３２】本実施例の半導体レーザ装置を用いる光ピ
ックアップ装置の場合、半導体レーザ装置から出射され
る光ビームは、２つの反射面３、２３で反射されること
により、それぞれが対物レンズ２４に入射し集光される
ので、記録媒体２５上には２つのビームスポットが結像
される。この２つのビームスポットは、例えば記録媒体
２５の離れ合う２本の記録トラック上に１つづつ位置さ
せ、２本の記録トラックを同時に記録、再生を行う。

【００３３】ここで、反射面を図７に示すように仮に３
ａ、２３ａ（破線）のごとく４５°に形成した場合、発
光点Ａの反射面３ａによる像はＡ１ａの位置であり、反
射面３ａで反射され、対物レンズ２４を透過して記録媒
体２５に結像されるビームスポットの位置はＡ２ａであ
る。次に、発光点Ｂの反射面２３ａによる像はＢ１ａの
位置であり、反射面３ａで反射され、対物レンズ２４を
透過して記録媒体２５に結像されるビームスポットの位
置はＢ２ａである。

【００３４】一方、反射面３、２３の傾斜角度θは４５
°より角度φだけ小さく形成されているので、発光点Ａ
の反射面３による像はＡ１の位置にあり、この位置は前
記Ａ１ａに比較して発光点Ａから反射面３までの距離ｌ
とするとｌsin(２φ）だけ光軸２６に近い。発光点Ｂの
反射面２３による像Ｂ１についても同様である。したが
って、反射面３で反射され、対物レンズ２４を透過して
記録媒体２５に結像されるビームスポットの位置はＡ２
となり、光軸２６に近くなる。反射面２３で反射され記
録媒体２５に結像されるビームスポットはＢ２となり、
同様に光軸２６に近くなる。以上のごとく、反射面の傾
斜角θが前記４５°の場合に比較して２つのビームスポ
ットＡ２、Ｂ２の間隔を小さくすることができる。

【００３５】上記のごとく、光スポットＡ２、Ｂ２の間
隔を小さくできるので、対物レンズの軸外性能の範囲を
小さくでき、対物レンズ２４の小型化を図れる。さら
に、ビームスポットが円状の記録トラックに対して接線
方向にずれた場合の、ビームスポットの記録トラックに
対する半径方向のずれを小さくできるので、正確な記
録、再生が可能となる。なお、本実施例の場合は１つの
光源であるレーザダイオード２の前後の出射光を用い
て、２つのビームスポットを形成し、それらの間隔を小
さくできるので構成の複雑化を招くことがない。

【００３６】本実施例においては、反射面３、２３の傾
斜角度を自由に設定することによって、光ピックアップ
装置に用いた場合に記録媒体２５上のビームスポットの
位置を任意に変更することができる。また、反射面の角
度θを４５°より大にすることで光スポット間隔を広げ
ることもできる。また、反射面３、２３をＸ軸回りに傾
けることによりビームスポットをＹ方向に移動させるこ
ともできる。

【００３７】図８は、本発明の第３実施の形態に係る半
導体レーザ装置を用いる光ピックアップ装置の他の例を
示す図である。本実施の形態の半導体レーザ装置は、板
状の金を成形した基台１上にレーザダイオード２がマウ
ントされ、光ビームはＸ方向（紙面に垂直方向）に出射
されるようになっている。図８においては、光ビームが
基台１に形成された図示されていない反射面によりＺ
（＋）方向に反射されている状態を示している。なおこ
の図示されていない反射面は、図４に示された反射面３
と同様に回折格子が形成されており、反射光をＸ方向に
３つの光ビームに分けるようになっている。

【００３８】また、基台１には、光ビームを反射させて
非点収差を与えると共に、焦点位置を長くする突起状の
反射面２７が形成され、さらに、基台１上に４角を位置
決めされたフォトダイオード２８がマウントされてい
る。また、レーザダイオード２、フォトダイオード２８
等をカバーするように配設されているパッケージ１６の
上面１６ａには、ホログラム１６ｂが形成されている。
以下、かかる光ピックアップ装置の動作を説明する。

【００３９】前記図示されていない反射面でＺ（＋）方
向に反射された反射光は、パッケージ１６を透過し、対
物レンズ２４に入射し集光された光ビームは記録媒体２
５上にビームスポットを結ぶ。記録媒体で反射された光
ビームは、再び対物レンズ２４を経てパッケージ１６の
上面に形成されているホログラム１６ｂに入射する。こ
のホログラム１６ｂにより回折された１次回折光は、基
台１上に形成されている反射面２７に入射する。反射面
２７でパッケ−ジ上面１６ａ方向に反射された光ビーム
は、パッケージ上面１６ａで反射されフォトダイオード
２８に入射する。このフォトダイオード２８の出力によ
りトラッキングエラー信号は３ビーム法により、フォー
カスエラー信号は非点収差法により得られる。

【００４０】なお、本実施例の半導体レーザ装置の場
合、突起状の反射面２７に代えて反射型のホログラム等
を形成するようにしてもよい。さらに、ブロック１の材
質は板状の金に代えてアルミニューム、銀等の他の材質
を用いてもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上のごとく本発明によれば、半導体レ
ーザチップを金属製の基台を介してリードフレームに固
定するようにしたので、半導体レーザチップの放熱性を
向上することができる。また、金属製の基台を加工して
半導体レーザチップの位置決め部および反射面を形成す
るようにしたので、成形加工が容易で反射面の形状の自
由度を高くできると共に、半導体レーザチップを基台に
簡単かつ高精度で固定でき、製造コストを安くでき。ま
た、パッケージに回折格子を一体に形成して、半導体レ
ーザチップから反射面を経て出射される光ビームを回折
させるようにしたので、半導体レーザ装置の出射方向の
寸法を薄くできる。また、基台を介して半導体レーザチ
ップを取り付けたリードフレームに、半導体レーザチッ
プから反射面を経て出射される光ビームの光軸に関連し
た取り付け基準部を形成するようにしたので、光ピック
アップ装置等に適用する場合に、この基準部を介して取
り付けることにより、容易に精度良く位置決めして取り
付けることができ、光ピックアップ装置等を簡単に組み
立てることができる。また、半導体レーザチップが二つ
の発光点を有する構成においては、例えば光ピックアッ
プ装置に適用した場合に、例えば記録媒体の２本の記録
トラックに対して同時に記録、再生が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明とともに開発した半導体レーザ装置の
第１開発例を示す斜視図である。

【図２】 同じく、要部断面図である。

【図３】 本発明の第１実施例に係る半導体レーザ装置
の要部断面図である。

【図４】 本発明とともに開発した半導体レーザ装置の
第２開発例を示す要部断面図である。

【図５】 同じく、第３開発例を示す要部断面図であ
る。

【図６】 本発明の第２実施例を示す半導体レーザ装置
の要部断面図である。

【図７】 図６に示す半導体レーザ装置を用いる光ピッ
クアップ装置の一例を示す図である。

【図８】 本発明の第３実施の形態に係る半導体レーザ
装置を用いる光ピックアップ装置の他の例を示す図であ
る。

【図９】 従来例に係る半導体レーザ装置の一部切欠き
斜視図である。

【図１０】 従来例に係る半導体レーザ装置の斜視図で
ある。

【図１１】 従来例に係る半導体レーザ装置の斜視図で
ある。

【図１２】 従来例に係る半導体レーザ装置の断面図で
ある。

【図１３】 従来例に係る半導体レーザ装置を用いる光
ピックアップ装置の断面図である。

【符号の説明】

１ ブロック ２ レーザダイオード ３ 反射面 ４ フォトダイオード ５ レーザダイオード取り付け部 ６ フォトダイオード取り付け部 ７ 電極 １０ フォトダイオード裏面 １１ リードフレーム １６ パッケージ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザチップと、 該半導体レーザチップを固定する金属製の基台と、 該基台を固定するリードフレームと、 該リードフレームの一部を露出させて、該リードフレー
   ム、前記基台および半導体レーザチップを覆う透明なパ
   ッケージとを有し、 前記基台には、前記半導体レーザチップの位置決め部を
   形成すると共に、該半導体レーザチップからの光ビーム
   を所要方向に反射させる反射面を形成し、 前記リードフレームには、前記半導体レーザチップから
   前記反射面を経て出射される光ビームの光軸に関連した
   取り付け基準部を形成し、 前記パッケージには、前記半導体レーザチップから前記
   反射面を経て出射される光ビームの光路上に回折格子を
   形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 前記半導体レーザチップは、二つの発光
   点を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レ
   ーザ装置。