JP3157596B2

JP3157596B2 - 光ヘッド

Info

Publication number: JP3157596B2
Application number: JP09280192A
Authority: JP
Inventors: 哲夫池亀
Original assignee: Olympus Optic Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1992-04-13
Filing date: 1992-04-13
Publication date: 2001-04-16
Anticipated expiration: 2016-04-16
Also published as: JPH05290402A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザからの出
射光を光記録／再生媒体に照射し、光記録／再生媒体か
らの反射光を光検出器に導き、情報の記録、再生を行う
光ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】光ヘッドは、光学式情報記録再生装置の
一部を成すもので、光源である半導体レーザからの出射
光を所要の光学素子を介して光記録／再生媒体のトラッ
ク上にに照射させ、さらに光スポットを追従させトラッ
ク上からの反射光を光検出器に導き、この光検出器から
種々の出力信号を得るものである。この光ヘッドは光記
録／再生媒体に情報の記録、再生をする際に移動するも
のであり、光学式情報記録再生装置全体の小型化の要請
と相まって光ヘッド自体の小型化が要求されている。こ
のため、光ヘッドを構成する光学系の小型化が必要とな
り、これまでにもシリコンの基板上に半導体レーザや光
検出器を一体的に設けたものが提案されている。

【０００３】例えば、特開昭６４−４６２４３号公報に
は、図５、図７に示すような光ヘッドが開示されてい
る。先ず図５に示されているように、半導体基板１００
と上面にビームスプリッタを有するカバー部材１０１と
が空間を有して対向しており、半導体基板１００の上面
に光検出部１０２、１０３が形成されている。さらに、
半導体基板１００の上面に低く段差が形成されここに半
導体レーザ素子１０４が設けられるとともに、モニタ用
光検出部１０５が形成されている。また、半導体レーザ
素子１０４に対向するように全反射グレーティング部を
有する傾斜面１０６が形成されている。なお、上記半導
体基板の上面は、エッチング処理等によって加工されて
いる。

【０００４】このように構成されている従来例は、半導
体レーザ素子１０４からのレーザ光ビームは傾斜面１０
６の全反射グレーティング部で分割されて上方に反射さ
れ、カバー部材１０１を透過した後、上面のビームスプ
リッタに入射する。次に、反射レーザ光ビームはビーム
スプリッタを経た後、カバー部材１０１を透過し下面か
ら出射する。一部は光検出部１０２に入射し、他の一部
は光検出部１０２で反射してもう一方の光検出部１０３
に到達するようになっている。図７に示した従来例は、
上記の従来例における全反射グレーティング部を有する
傾斜面１０６に代えて、プリズム１０７を設けたもので
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで光学式情報記
録再生装置においては、特に情報の記録、消去時に情報
記録媒体に光ビームを照射する対物レンズ出射光の強度
を高くする必要がある。そこで、半導体レーザ素子から
の出射光のＮＡを高くして光ビームの利用効率を高くす
る必要がある。図５に示した従来例の場合に、半導体レ
ーザ素子からの出射光のＮＡを大きくするため、つまり
出射光の広い角度範囲の光ビームを利用するためには、
図５における部分拡大図である図６で示されている高さ
Ｈ１、Ｈ２を高くする必要がある。

【０００６】上記光学式情報記録再生装置に使用する半
導体レーザ素子は、「光ディスクヘッドとドライブ」
（株式会社トリケップス発行、１４９頁、１５０頁）に
記載されている図１０のような構成となっている。これ
はGaAs基板上に、エピタキシャル成長されたGaAlAs系の
ダブルヘテロ構造レーザと呼ばれるものである。図１０
の活性層１０８は、Al組成比ｘによって発振波長を６８
０〜８８０nmの範囲で選ぶことができる。クラッド層１
０９は、キャリアと光を活性層内に閉じ込める作用を
し、表面には電極抵抗を小さくするためのキャップ層１
１０が設けられている。

【０００７】レーザチップの大きさは、通常０．２５×
０．３×０．１２程度と極めて小さい。活性層１０８に
はｐｎ接合が形成され、ｐ電極１１１を正、ｎ電極１１
２を負にして電圧を印加することにより活性層１０８に
電子と正孔が注入される。そして、ある電流値でレーザ
発振が生じる。また、レーザチップは通常、成長層側を
下にして銅ブロック上に軟らかいInロウ材を介して、あ
るいはSi等のサブマウント材上に硬いAu-Sn ロウ材を介
してマウントされる。レーザ共振器を構成するために必
要な反射鏡は結晶のへき開面を利用して形成される。な
お、１１３はGaSa基板、１１４はロウ材、１１５はヒー
トシンク、１１６は放射パターン、１１７はリード線を
示している。

【０００８】この半導体レーザ素子において、発光点の
ある活性層１０８とキャップ層１１０側の端面迄の高さ
Ｚ１は通常１０μｍ程度と小く、エピタキシャル成長さ
せるためＺ１の精度は高く±１μｍ以下程度にできる。
これに対して、活性層１０８とGaAs基板１１３側の端面
までの高さＺ２は１１０μｍ程度と大きく、その精度は
GaAs基板１１３の厚さ精度によりほぼ決定される。そし
て、GaAs基板１１３はウエハーを研摩加工して形成する
ので、その厚さ精度は±１０μｍ程度とＺ１の精度に比
較して極めて大きい。

【０００９】さらに前記従来例（図５、図６、図７）に
ついてみると、通常はシリコンの半導体基板１００をエ
ッチング処理することによって傾斜面１０６（図６）を
加工するので、精度よく加工できる。この場合、エッチ
ングによる高さＨ１＋Ｈ２（図６）は、エッチング時間
の短縮及び精度の確保のためにはできるだけ小さい方が
望ましい。しかしながら、図６に示すものにおいては、
半導体レーザ素子１０４の出射光のＮＡを大きくするた
めに、エッチングによる高さＨ１＋Ｈ２は半導体レーザ
素子１０４の高さの２倍程度の２００μｍ程度と大きく
せざるを得ない。

【００１０】この場合、エッチングによる高さＨ１＋Ｈ
２を低くしてＮＡを大きくするためには、図８に示すよ
うにレーザ光ビームの発光点と傾斜面１０６の距離ｘ１
を小さくすればよい。しかし傾斜面１０６の距離１０６
の距離ｘ１を小さくすると、活性層とGaAs基板上面との
高さｚ２が大きいために、半導体レーザ素子１０４自体
の斜線部分１０４ａによりレーザ光ビームが遮られてし
まう。

【００１１】一方、図８の場合とは逆に、半導体レーザ
素子１０４を図９に示すようにGaAs基板側を半導体基板
１００に固定した構成の場合には、レーザ光ビームが半
導体レーザ素子１０４に遮られてしまうことは少なくな
るが、エッチングの高さＨ１を大きくしなければならな
くなる。また、ｚ２の寸法精度がｚ１に比較して悪いの
で、半導体レーザ素子１０４の発光点の高さ精度をとり
にくく、図５に示すように光検出器１０２、１０３で反
射光を受光させた場合、受光領域での光スポットの大き
さが変わってしまうおそれがある。

【００１２】次に、図７で示した従来例のように、傾斜
面に代えてプリズム１０７を用いる場合は、プリズム１
０７を大きくすることは容易であるのでＮＡを大きくで
きるが、活性層とGaAs基板上面との高さの寸法精度が悪
い、プリズム１０７の貼付精度が悪い、半導体基板１０
０とプリズム１０７が別部品なので製造しにくい、プリ
ズム１０７の半導体レーザ側の稜線１０７ａの欠落等が
生じやすく、プリズム１０７の反射光が欠損部を生じや
すいといった問題がある。

【００１３】本発明は、上記の不具合を解決すべく提案
されるもので、製造が容易であり、半導体レーザ素子の
出射光のＮＡを大きくし易い光ヘッドを提供することを
目的としたものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、発光点が出射方向に対してほぼ平行な第
１の面寄りに位置する半導体レーザと、半導体レーザか
らの出射光を反射させる反射面が形成されるとともに光
検出器が形成された基板と、半導体レーザからの出射光
を集光し光記録／再生媒体上に照射する第１の光学素子
と、光記録／再生媒体からの反射光を光検出器に導く第
２の光学素子とを有する光ヘッドにおいて、前記半導体
レーザからの出射光を基板の反射面により前記半導体レ
ーザの第１の面側に反射させるようにし、かつ、前記半
導体レーザの第１の面と前記光検出器とが光ビーム透過
部材の同一面に固定されているようにした光ヘッドとし
た。また、光ビーム透過部材の一方の面に第２の光学素
子を形成し、他方の面に基板を接合した光ヘッドとし
た。

【００１５】

【作用】このように構成されているので、半導体レーザ
からの出射光が遮られることが少なくなり、出射光のＮ
Ａを大きくすることができる。また、基板の反射面の高
さが低くてよいので基板の製造が容易である。かつ、半
導体レーザと基板とが光ビーム透過部材の同一面に固定
されているので、光ヘッドの製造が容易であるとともに
高精度に製造できる。また、光ビーム透過部材の一方の
面に第２の光学素子を形成して他方の面に基板を接合す
るように構成したので、光ビーム透過部材の他方の面側
には第２の光学素子のような突起物がないため、基板を
接合し易い。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明していく。図１は、本発明の第１実施例を示した
もので、光ヘッドの全体概要図である。半導体レーザ１
は発光点２に近い方の面３、すなわち成長層側の面がガ
ラスのプレート４の下面５上に形成された電極（図示し
ていない）上にマウントされている。半導体レーザ１か
らの出射光の出射方向には、シリコン基板６が設けられ
ており、半導体レーザ１と対向する面に傾斜面７が形成
されている。この傾斜面７には、金の反射コートが施さ
れている。

【００１７】傾斜面７の稜線８は、半導体レーザ１の出
射端面９に当接しており、この当接によりシリコン基板
６に対する半導体レーザ１の位置決めがなされるように
なっている。シリコン基板６は、プレート４の下面５に
固定され、固定されている面６ａには光検出器１０が形
成されている。プレート４の上面１１には、ホログラム
１２が形成されており、ホログラム１２の上方には対物
レンズ１３が設けられており、情報記録媒体１４にビー
ムスポットを照射するようになっている。

【００１８】このように構成されているので半導体レー
ザ１からの出射光は、シリコン基板６の傾斜面７で反射
され、プレート４に入射する。入射した光ビームは、プ
レート上面１１のホログラム１２に入射し０次回折光で
透過し、対物レンズ１３に入射する。対物レンズ１３に
入射した光ビームは、集光されて情報記録媒体１４上に
ビームスポットを結ぶ。情報記録媒体１４上で反射され
た反射光は、再び対物レンズ１３を透過し、ホログラム
１２に入射する。このホログラム１２に入射し回折され
た１次光は、光路を変えてシリコン基板６に形成されて
いる光検出器１０上に入射する。そして光検出器１０の
出力によりサーボエラー信号、情報再生信号が得られる
こととなる。

【００１９】次に第１実施例の作用について説明する。
半導体レーザ１からの出射光を、シリコン基板６の傾斜
面７により半導体レーザ１の発光点２に近い方の面３側
に反射させている。したがって、発光点２と遠く隔たっ
ている面１５側に反射させる場合に比較して出射光が半
導体レーザ１の出射端面９で遮られにくく、出射光のＮ
Ａを大きくできることとなる。また、シリコン基板６の
エッチングする高さが小さく、しかも端面だけでよいの
でエッチング時間が短くてよい。

【００２０】また、シリコン基板６に対する半導体レー
ザ１の位置決めをする場合、シリコン基板６のエッチン
グした稜線８を介して行えるので、半導体レーザ１の発
光点２に対する光検出器１０、出射光の反射面である傾
斜面７の位置精度がよく、オフセット等が生じにくくな
る。また、半導体レーザ１、光検出器１０、ホログラム
１２を一体化できるので、光ヘッドの小型化を図ること
ができる他、シリコン基板６の固定されている面６ａ側
に半導体レーザ１、プリズム等の突起物がないので、シ
リコン基板６にプレート４を接合し易い。

【００２１】図２、図３は、本発明の第２実施例を示し
たものである。第１実施例と対応する箇所には同一符号
を付した（以下の実施例についても同様）。このうち図
２は全体概要図であり、図３は分解斜視図である。半導
体レーザ１は、出射光の発光点２に近い方の面３、つま
り成長層側の面が第１のプレート１６の下面１７上に形
成された電極（図示していない）上にマウントされてい
る。シリコン基板６は、中央位置に開口部１８がエッチ
ングにより形成され、半導体レーザ１の出射光が入射す
る傾斜面７は、シリコン基板６の（１１１）の結晶面で
あり、そこに金の反射コートが施されている。

【００２２】また、開口部１８のＸ（＋）側、Ｙ（＋）
側２方向の稜線８に、半導体レーザ１の側面を当接させ
ることにより、シリコン基板６に対する半導体レーザ１
の位置決めをしている。また、シリコン基板６上には５
つの光検出器１９、２０、２１、２２、２３が形成され
ている。これら光検出器のうち、光検出器１９、２０は
シリコン基板６の傾斜面７のＹ方向両側に位置し、受光
面を各々Ｘ方向に３分割形成している。また、光検出器
２１、２２は前記傾斜面７のＸ（＋）側に位置し、この
うち光検出器２１は受光面をＹ方向に２分割形成されて
いる。また、光検出器２３は半導体レーザ１のＸ（−）
側に位置している。

【００２３】次に、シリコン基板６の上面２４には、ガ
ラスの平行平板状の第１のプレート１６、さらに第２の
プレート２５、さらに第３のプレート２６が順次積層さ
れ接合されている。また、第１のプレート１６と第２の
プレート２５の接合面には、一部のみがハーフミラー２
７となるようにコーティングが施され、その他の面は全
透過面となるように形成されている。さらに、第２のプ
レート２５の下面２８には、凹部２９が形成されこの凹
部２９に偏光分離用の第１のホログラム３０が形成され
ている。なお、第１のホログラム３０の回折格子はＸ軸
に対してほぼ４５°方向を向いている。

【００２４】次に、第２のプレート２５の上面にも凹部
３２が形成され、この凹部３２に第２のホログラム３３
及び球面状の凹面３４が形成されている。なお、第２の
ホログラム３３の回折格子はＸ軸に対してほぼ平行とな
っており、凹面３４には反射コートが施されている。ま
た、第３のプレート２６の上面には、円形の凹部３６が
形成され、この凹部３６に第３のホログラム３７が形成
されている。さらに凹部３６には、対物レンズ１３がそ
の下面が嵌合するようにして位置決め固定されている。

【００２５】なお、第２のプレート２５、第３のプレー
ト２６の凹部２９、３２、３６、及び第２のホログラム
３３、第３のホログラム３７、及び凹面３４はプレス成
形により一体形成されている。また、半導体レーザ１、
シリコン基板６、第１のプレート１６、第２のプレート
２５、第３のプレート２６、対物レンズ１３によりレー
ザユニットを形成している。また、シリコン基板６と第
１のプレート１６、第２のプレート２５、第３のプレー
ト２６は、各々複数個分の大きなプレート状のものを各
々接合した後、同時に４角をカットして複数個のレーザ
ユニットを同時に製造する。

【００２６】次に第２実施例の作用について説明す
る。、先ず半導体レーザ１からＸ（＋）方向に出射した
出射光は、シリコン基板６の傾斜面７で反射され第１の
プレート１６に入射する。入射した光ビームの一部は、
ハーフミラー２７で反射され光検出器２３に入射し、光
検出器２３により半導体レーザ１の前方モニタ出力がな
される。また、ハーフミラー２７を透過した光ビーム
は、第２のホログラム３３で０次回折された後、第３の
ホログラム３７に入射する。第３のホログラム３７で回
折された１次回折光は、光軸が補正された平行光となり
Ｚ方向に平行に出射し、対物レンズ１３で集光されて光
磁気信号の情報記録媒体１４上にビームスポットを照射
する。なお、情報記録媒体１４上の記録トラックはＸ軸
にほぼ平行である。

【００２７】情報記録媒体１４上で反射された光ビーム
は、再び対物レンズ１３を透過し、第３のホログラム３
７により回折されて第２のホログラム３３に入射する。
この第２のホログラム３３による±１次回折光は、Ｙ方
向に回折されてハーフミラー２７の両側の全透過する面
を通り、光検出器１９、２０に入射する。なお、光検出
器１９に入射する光ビームは、入射前に焦点を結ばない
が、光検出器２０に入射する光ビームは、入射前に一度
焦点を結ぶ。

【００２８】次に、第２のホログラム３３による０次回
折光は、再びハーフミラー２７に入射し、ここで反射さ
れた光ビームは凹面３４に入射する。さらに凹面３４で
発散気味に反射された光ビームは第１のホログラム３０
に入射する。また、第１のホログラム３０で偏光方向に
よって回折された０次回折光は、光検出器２１に入射
し、１次回折光は光検出器２２に入射する。光ビームが
光検出器２１、２２に入射することにより、次のように
してサーボエラー信号、情報信号が得られる。

【００２９】先ず、フォーカスエラー信号（ＦＥ）は、
ビームサイズ法により光検出器１９の分割された受光面
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、光検出器２０の分割された受
光面２０ａ、２０ｂ、２０ｃの出力により、ＦＥ＝（１９ａ−１９ｂ＋１９ｃ）−（２０ａ−２０ｂ＋２０ｃ）として得られる。

【００３０】次に、トラッキングエラー信号（ＴＥ）
は、プッシュプル法により光検出器２１の分割された受
光面２１ａ、２１ｂの出力により、ＴＥ＝２１ａ−２１ｂとして得られる。次に、光磁気
信号（ＲＦ）は、光検出器２１の分割された受光面２１
ａ、２１ｂ、さらに光検出器２２の出力により、ＲＦ＝（２１ａ＋２１ｂ）−（２２）として差動出力
される。

【００３１】このように本実施例では、半導体レーザ１
からの出射光を、シリコン基板６の傾斜面７により半導
体レーザ１の発光点２に近い方の面３側に反射させてい
る。したがって、発光点２と遠く隔たっている面１５に
反射させる場合に比較して出射光が半導体レーザ１の出
射端面９で遮られにくく、出射光のＮＡを大きくできる
こととなる。また、シリコン基板６のエッチングする高
さが小さく、しかも端面だけでよいのでエッチング時間
が短くてよい。

【００３２】また、シリコン基板６に対する半導体レー
ザ１のＸ、Ｙ方向の位置決めをする場合、シリコン基板
６のエッチングした稜線８を介して行えるので、半導体
レーザ１の発光点２に対する光検出器２３、２１、２
２、１９、２０、出射光の反射面である傾斜面７の位置
精度がよく、オフセット等が生じにくくなる。また、シ
リコン基板６と第１のプレート１６、第２のプレート２
５、第３のプレート２６とが各々位置決めして接合され
ているので、第１のホログラム３０、第２のホログラム
３３、第３のホログラム３７等に対する位置精度もよ
い。

【００３３】また、半導体レーザ１、光検出器１０、ホ
ログラム３３、３７、３０を一体化できるので、光ヘッ
ドの小型化を図ることができる他、シリコン基板６が固
定されている面６ａ側に半導体レーザ１、プリズム等の
突起物がないので、シリコン基板６に第１のプレート１
６を接合し易い。また、シリコン基板６、第１のプレー
ト１６、第２のプレート２５、第３のプレート２６を接
合してからカットし複数個のレーザユニットを形成でき
るので、大量生産が可能となる。

【００３４】また各々のホログラム３０、３３、３７
は、その表面がプレート１６、２５、２６と対物レンズ
１３により密閉されている状態なので、埃等が付着する
ことを防止でき安定した光学性能を得ることができる。
また、第３のプレート２６には、第３のホログラム３７
とともに対物レンズ１３の位置決め部も形成されている
ので、第３のプレート２６と対物レンズ１３の位置合わ
せが容易でしかも精度がよい。

【００３５】また、光検出器１９、２０の分割線の方向
が、第２のホログラム３３の±１次回折光の回折方向と
同じなので、半導体レーザ１の波長変動に起因するフォ
ーカスエラー信号の変動を少なくすることができる。ま
た、光検出器２１では第１のホログラム３０、第２のホ
ログラム３３の０次回折光を検出しているので、これら
のホログラム３０、３３の回折角変化によって光検出器
２１上のビームスポットは移動せず、トラッキングエラ
ー信号の変動を少なくすることができる。

【００３６】また、第２のホログラム３３の±１次回折
光は、ハーフミラー２７を通過せずその全光量が光検出
器１９、２０に入射するので、光検出器１９、２０の出
力信号の低下を招くことがない。また、第２のホログラ
ム３３の±１次回折光でフォーカスエラー信号、０次回
折光でトラッキングエラー信号と光磁気信号を得るよう
にしているので、各光検出器の配設自由度、さらに検出
器の分割線の形成自由度が高い。また、偏光分離用のホ
ログラムを配設しても、光ヘッドの大型化を招くことが
ない。

【００３７】また、第２のホログラム３３に入射する情
報記録媒体からの戻り光の０次及び±１次回折光を光検
出器１９、２０、２１、２２に入射させているので情報
記録媒体からの戻り光の利用効率がよく、光検出器の出
力を高くすることができる。また、半導体レーザ１と出
射光の光路を分離するハーフミラー２７を、第２のホロ
グラム３３と光検出器の間に配設したので、第２のホロ
グラム３３と光検出器との距離を確保しつつ、ハーフミ
ラー２７と光検出器とを近づけることができ光ヘッドの
小型化を図れる。

【００３８】また、半導体レーザ１の成長層側の面とシ
リコン基板６の光検出器を形成している面とは、第１の
プレート１６の同一面に固定されているので、シリコン
基板６、光検出器に対する半導体レーザ１の発光点の高
さ精度がよい。また、情報記録媒体からの戻り光は、分
離用の第２のホログラム３３に入射させ、０次回折光を
偏光分離用の第１のホログラム３０に入射させているの
で、半導体レーザ１の波長変動等により第１のホログラ
ム３０に入射する光ビームの入射角が変化しにくく、安
定した偏光分離が行える。

【００３９】図４は本発明の第３実施例を示したもの
で、全体概要図である。本実施例は、第２実施例の変形
例であり、第２実施例と共通する構成についての説明は
省略する。本実施例では、シリコン基板６を形成するに
あたり、先ず下面３８側から板厚のほぼ半分程度エッチ
ングして面３９を形成し、この面３９に図示していない
電極を形成する。

【００４０】次にシリコン基板６を上面６ａ側からエッ
チングし、開口部１８を形成する。さらに開口部１８の
傾斜面７に金の反射コートを施す。次に電極を形成した
面３９に半導体レーザ１の発光点２に近い側の面３、つ
まり成長層側の面を固定する。半導体レーザ１からの出
射光を傾斜面７に当て第１のプレート１６側に反射させ
るようにしている。また、シリコン基板６に形成したモ
ニタ用の光検出器２３は、半導体レーザ１の上方に位置
させている。また、半導体レーザ１のGaAs基板側の面１
５に、放熱用のアルミ製の放熱板４０が設けられてい
る。

【００４１】次に第３実施例の作用を説明する。第２実
施例と同様に半導体レーザ１からの出射光を、シリコン
基板６の傾斜面７により半導体レーザ１の発光点２に近
い方の面３側に反射させている。したがって、発光点２
と遠く隔たっている面１５側に反射させる場合に比較し
て出射光が半導体レーザ１の出射端面９で遮られにく
く、出射光のＮＡを大きくできることとなる等の効果の
他、以下のような効果がある。

【００４２】先ず、半導体レーザ１をシリコン基板６に
直接固定できるので、プレートに電極を形成する必要が
なくなる。また、半導体レーザ１の上方のシリコン基板
６上にも光検出器２３を配設することができ、スペース
の有効利用が図れる。また、半導体レーザ１に放熱板４
０を設けているので、半導体レーザ１の耐久性の向上を
図れる。

【００４３】本発明は以上の実施例に限定されるもので
はなく、幾多の変更、変形が可能である。例えば、以上
の実施例ではホログラムを用いてフォーカスエラー信
号、トラッキングエラー信号、情報再生信号を得ている
が、ホログラムに代えて他の光学素子を用いてもよい。
また、各エラー信号の検出方法は、前記の実施例に限定
されるものではなく、他の方法によってもよい。

【００４４】

【発明の効果】以上のごとく本発明によれば、半導体レ
ーザからの出射光を、半導体レーザの発光点に近い方の
面側に反射させているので、出射光が半導体レーザの出
射端面で遮られにくく、出射光のＮＡを大きくできるこ
ととなる。また、半導体レーザからの出射光を反射する
面が、基板と一体形成されているとともに反射面の高さ
は低くてもよいので、基板の製造が容易である。かつ、
半導体レーザと基板とを同一面に固定したので、基板に
対する半導体レーザの高さ位置精度がよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る光ヘッドの全体概要
図である。

【図２】本発明の第２実施例に係る光ヘッドの全体概要
図である。

【図３】第２実施例の分解斜視図である。

【図４】本発明の第３実施例に係る光ヘッドの全体概要
図である。

【図５】従来例に係る光ヘッドの断面図である。

【図６】図５に係る光ヘッドの一部拡大図である。

【図７】従来例に係る他の光ヘッドの断面図である。

【図８】従来例に係る光ヘッドの一部拡大図である。

【図９】従来例に係る光ヘッドの一部拡大図である。

【図１０】半導体レーザの斜視図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ２発光点３発光点に近い方の面４プレート５プレート下面６シリコン基板６ａシリコン基板固定面７傾斜面８稜線９出射端面１０光検出器１１プレース上面１２ホログラム１３対物レンズ１４情報記録媒体

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】発光点が出射方向に対してほぼ平行な第
１の面寄りに位置する半導体レーザと、半導体レーザか
らの出射光を反射させる反射面が形成されるとともに光
検出器が形成された基板と、半導体レーザからの出射光
を集光し光記録／再生媒体上に照射する第１の光学素子
と、光記録／再生媒体からの反射光を光検出器に導く第
２の光学素子とを有する光ヘッドにおいて、前記半導体レーザからの出射光を基板の反射面により前
記半導体レーザの第１の面側に反射させるようにし、か
つ、前記半導体レーザの第１の面と前記光検出器とが光
ビーム透過部材の同一面に固定されていることを特徴と
する光ヘッド。
【請求項２】光ビーム透過部材の一方の面に第２の光
学素子を形成し、他方の面に基板を接合したことを特徴
とする請求項１記載の光ヘッド。