JP3131497B2 - 光ヘッド装置 - Google Patents
光ヘッド装置Info
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- JP3131497B2 JP3131497B2 JP04107743A JP10774392A JP3131497B2 JP 3131497 B2 JP3131497 B2 JP 3131497B2 JP 04107743 A JP04107743 A JP 04107743A JP 10774392 A JP10774392 A JP 10774392A JP 3131497 B2 JP3131497 B2 JP 3131497B2
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- semiconductor laser
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ヘッド装置に関する
ものであり、特に光学的情報記録媒体に対してレーザビ
ームを用いて光学情報を記録再生するのに使用する光ヘ
ッド装置に関するものである。
ものであり、特に光学的情報記録媒体に対してレーザビ
ームを用いて光学情報を記録再生するのに使用する光ヘ
ッド装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、シリコン基板上にレーザダイ
オードや光検出器を一体的に形成して光学系を小型化し
た光ヘッド装置が種々提案されている。このような光ヘ
ッド装置の例として、例えば特開昭６４−４６２４３号
公報に開示されたものがある。図３は、この公報に開示
された光ヘッド装置の一例の構成を示す図である。半導
体基板１とカバー部材２とは、半導体基板１の上面１ａ
とカバー部材２の下面２ａとが空間を介して対向するよ
うに配置されている。半導体基板１の上面１ａには段差
が形成されており、高段部には第１及び第２の光検出器
３、４を、下段部には半導体レーザ素子５及びモニタ用
光検出器６を配置している。更に、段差をなす部分には
半導体レーザ素子５のレーザ発光面に対向する傾斜面１
ｂが設けられている。
オードや光検出器を一体的に形成して光学系を小型化し
た光ヘッド装置が種々提案されている。このような光ヘ
ッド装置の例として、例えば特開昭６４−４６２４３号
公報に開示されたものがある。図３は、この公報に開示
された光ヘッド装置の一例の構成を示す図である。半導
体基板１とカバー部材２とは、半導体基板１の上面１ａ
とカバー部材２の下面２ａとが空間を介して対向するよ
うに配置されている。半導体基板１の上面１ａには段差
が形成されており、高段部には第１及び第２の光検出器
３、４を、下段部には半導体レーザ素子５及びモニタ用
光検出器６を配置している。更に、段差をなす部分には
半導体レーザ素子５のレーザ発光面に対向する傾斜面１
ｂが設けられている。
【０００３】かかる半導体基板１の上面１ａは、例えば
エッチング処理によって精度良く加工される。上面１ａ
の段差をなす部分に設けられた傾斜面１ｂ表面には、全
反射グレーティング部７が設けられており、半導体レー
ザ素子５から発振するレーザ光をカバー部材２の方向に
全反射する。カバー部材２の上面２ｂにはビームスプリ
ッタの機能を有するホログラム８が形成されている。
エッチング処理によって精度良く加工される。上面１ａ
の段差をなす部分に設けられた傾斜面１ｂ表面には、全
反射グレーティング部７が設けられており、半導体レー
ザ素子５から発振するレーザ光をカバー部材２の方向に
全反射する。カバー部材２の上面２ｂにはビームスプリ
ッタの機能を有するホログラム８が形成されている。
【０００４】この例においては、半導体レーザ素子５か
ら発せられたレーザビームＬ1 が、全反射グレーティン
グ部７によって３本のレーザビームＬ2 に分割されると
ともに、上方に反射される。この３本のレーザビームＬ
2 は、それぞれカバー部材２の下面２ａから入射してカ
バー部材２を透過した後、カバー部材２の上面に設けら
れたビームスプリッタ８に入射する。情報記録媒体（図
示せず）で反射された３本の反射レーザビームＬ3 は、
再度ビームスプリッタ８を経た後、カバー部材２を透過
して、第１の光検出部３に入射する。このレーザビーム
Ｌ3 の一部は第１の光検出部３で反射して、更にカバー
部材２の下面２ａで反射して第２の光検出部４に到達す
る。
ら発せられたレーザビームＬ1 が、全反射グレーティン
グ部７によって３本のレーザビームＬ2 に分割されると
ともに、上方に反射される。この３本のレーザビームＬ
2 は、それぞれカバー部材２の下面２ａから入射してカ
バー部材２を透過した後、カバー部材２の上面に設けら
れたビームスプリッタ８に入射する。情報記録媒体（図
示せず）で反射された３本の反射レーザビームＬ3 は、
再度ビームスプリッタ８を経た後、カバー部材２を透過
して、第１の光検出部３に入射する。このレーザビーム
Ｌ3 の一部は第１の光検出部３で反射して、更にカバー
部材２の下面２ａで反射して第２の光検出部４に到達す
る。
【０００５】図４は、前記特開昭６４−４６２４３号公
報に開示された光ヘッドの他の例の構成を示す図であ
る。この例では、半導体基板１に段差を設ける代わり
に、半導体レーザ素子５のレーザ発光面に対向させてプ
リズム９を配置するようにしたものである。
報に開示された光ヘッドの他の例の構成を示す図であ
る。この例では、半導体基板１に段差を設ける代わり
に、半導体レーザ素子５のレーザ発光面に対向させてプ
リズム９を配置するようにしたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光学情報の記録再生装
置においては、特に情報の記録、消去時に対物レンズの
強度を高くする必要がある。したがって、半導体レーザ
素子から出射するレーザビームのＮＡを高くして光の利
用効率を高くする必要がある。図５は、図３に示す装置
の半導体基板１の段差部分における部分的拡大図である
が、図３に示す装置の場合、レーザ素子５から出射する
レーザビームのＮＡを大きくする、つまり出射光を広い
角度範囲で利用するためには、段差部分の高さＨ＝Ｈ1
＋Ｈ2 を高くする必要がある。
置においては、特に情報の記録、消去時に対物レンズの
強度を高くする必要がある。したがって、半導体レーザ
素子から出射するレーザビームのＮＡを高くして光の利
用効率を高くする必要がある。図５は、図３に示す装置
の半導体基板１の段差部分における部分的拡大図である
が、図３に示す装置の場合、レーザ素子５から出射する
レーザビームのＮＡを大きくする、つまり出射光を広い
角度範囲で利用するためには、段差部分の高さＨ＝Ｈ1
＋Ｈ2 を高くする必要がある。
【０００７】図６は、光学情報の記録再生装置において
光源として一般的に使用されている半導体レーザ単体の
構成を示す図である。この半導体レーザはＧａＡｓ基板
１１上に活性層をエピタキシャル成長させて形成したＧ
ａＡｌＡｓ系のダブルヘテロ構造レーザと呼ばれるもの
である。図６に示すように、符号１２はＧａ1-x Ａｌ x
Ａｓであり、活性層と呼ばれる。Ａｌ組成比ｘを変える
ことによって発振波長を６８０〜８８０ｎｍの範囲で選
ぶことができる。ＣＤ，ＶＤ用には７８０ｎｍの波長が
採用されており、光ディスク用の高出力レーザには８３
０ｎｍまたは７８０ｎｍが使用されている。活性層１２
の上下表面に形成されたＧａ1-y ＡｌyＡｓはクラッド
層１３と呼ばれ、キャリヤ（電子、正孔）と光を活性層
１２内に閉じ込める役目をする。下側クラッド層１３の
下側表面に設けたＧａＡｓはキャップ層１４と呼ばれ、
電極抵抗を小さくするために設けられている。尚、符号
１５、１６はそれぞれ電極である。
光源として一般的に使用されている半導体レーザ単体の
構成を示す図である。この半導体レーザはＧａＡｓ基板
１１上に活性層をエピタキシャル成長させて形成したＧ
ａＡｌＡｓ系のダブルヘテロ構造レーザと呼ばれるもの
である。図６に示すように、符号１２はＧａ1-x Ａｌ x
Ａｓであり、活性層と呼ばれる。Ａｌ組成比ｘを変える
ことによって発振波長を６８０〜８８０ｎｍの範囲で選
ぶことができる。ＣＤ，ＶＤ用には７８０ｎｍの波長が
採用されており、光ディスク用の高出力レーザには８３
０ｎｍまたは７８０ｎｍが使用されている。活性層１２
の上下表面に形成されたＧａ1-y ＡｌyＡｓはクラッド
層１３と呼ばれ、キャリヤ（電子、正孔）と光を活性層
１２内に閉じ込める役目をする。下側クラッド層１３の
下側表面に設けたＧａＡｓはキャップ層１４と呼ばれ、
電極抵抗を小さくするために設けられている。尚、符号
１５、１６はそれぞれ電極である。
【０００８】このような構成のレーザチップの通常の大
きさは、０．２５×０．３×０．１２ｍｍと非常に小さ
い。活性層１２にはｐｎ接合が形成され、ｐ電極を正、
ｎ電極を負にして電圧を印加することにより、活性層１
２に電子と正孔が注入され、しきい値の電流値を越える
とレーザ発振が起こる。レーザチップは通常、成長層側
を下にしてマウント材１６上にロウ材１７を介してマウ
ントされる。マウント材１６には銅ブロックやシリコン
等が用いられ、ロウ材１７には軟らかいInロウ材、硬い
Au−Snロウ材が用いられる。レーザ共振器を構成するた
めに必要な反射鏡は結晶のへき開面を利用して作られ
る。
きさは、０．２５×０．３×０．１２ｍｍと非常に小さ
い。活性層１２にはｐｎ接合が形成され、ｐ電極を正、
ｎ電極を負にして電圧を印加することにより、活性層１
２に電子と正孔が注入され、しきい値の電流値を越える
とレーザ発振が起こる。レーザチップは通常、成長層側
を下にしてマウント材１６上にロウ材１７を介してマウ
ントされる。マウント材１６には銅ブロックやシリコン
等が用いられ、ロウ材１７には軟らかいInロウ材、硬い
Au−Snロウ材が用いられる。レーザ共振器を構成するた
めに必要な反射鏡は結晶のへき開面を利用して作られ
る。
【０００９】図６に示すように、レーザチップの発光点
のある活性層１２を含む成長層の高さＺ1 は通常１０μ
ｍ程度と小さく、この成長層はエピタキシャル成長によ
って形成するため、±１μｍ以下の高精度で形成するこ
とができる。これに対して、ＧａＡｓ基板１１の高さＺ
2 はほぼ１１０μｍと大きく、この精度はＧａＡｓ基板
の厚さ精度によりほぼ決定される。このＧａＡｓ基板１
１はＧａＡｓウエハを研磨加工して形成するため、厚さ
精度はほぼ±１０μｍ程度で、Ｚ1 の精度とくらべると
非常に低いといえる。
のある活性層１２を含む成長層の高さＺ1 は通常１０μ
ｍ程度と小さく、この成長層はエピタキシャル成長によ
って形成するため、±１μｍ以下の高精度で形成するこ
とができる。これに対して、ＧａＡｓ基板１１の高さＺ
2 はほぼ１１０μｍと大きく、この精度はＧａＡｓ基板
の厚さ精度によりほぼ決定される。このＧａＡｓ基板１
１はＧａＡｓウエハを研磨加工して形成するため、厚さ
精度はほぼ±１０μｍ程度で、Ｚ1 の精度とくらべると
非常に低いといえる。
【００１０】上述した図３に示す従来の光ヘッド装置の
場合、半導体基板１の段差はエッチング処理によって形
成するため、精度よく加工することができる。このエッ
チングによって形成する段差部分の高さＨは、エッチン
グ時間を短縮し、その精度を確保するため、なるべく低
くするのが望ましい。しかしながら、図５に示すよう
に、通常は半導体レーザ素子５から発せられるレーザビ
ームのＮＡをできるだけ大きく取るために、段差部分の
高さＨをレーザ素子５の高さのほぼ２倍程度、すなわち
約２００μｍと非常に大きくとっている。
場合、半導体基板１の段差はエッチング処理によって形
成するため、精度よく加工することができる。このエッ
チングによって形成する段差部分の高さＨは、エッチン
グ時間を短縮し、その精度を確保するため、なるべく低
くするのが望ましい。しかしながら、図５に示すよう
に、通常は半導体レーザ素子５から発せられるレーザビ
ームのＮＡをできるだけ大きく取るために、段差部分の
高さＨをレーザ素子５の高さのほぼ２倍程度、すなわち
約２００μｍと非常に大きくとっている。
【００１１】エッチングによって形成する段差部分の高
さＨを低く取って、レーザビームのＮＡを大きくするた
めには、図７に示すようにレーザの発光点を含む端面５
ａと半導体基板１の傾斜面１ｂとの距離ｘを小さくすれ
ばよい。しかし、上述した通り、レーザチップ５のＧａ
Ａｓ基板１１の高さＺ2 は約１１０μｍと高いため、傾
斜面１ｂで反射された反射ビームがレーザ素子５自体で
遮られてしまう（図７の斜線部分）。
さＨを低く取って、レーザビームのＮＡを大きくするた
めには、図７に示すようにレーザの発光点を含む端面５
ａと半導体基板１の傾斜面１ｂとの距離ｘを小さくすれ
ばよい。しかし、上述した通り、レーザチップ５のＧａ
Ａｓ基板１１の高さＺ2 は約１１０μｍと高いため、傾
斜面１ｂで反射された反射ビームがレーザ素子５自体で
遮られてしまう（図７の斜線部分）。
【００１２】図８に示すように、レーザ素子５を逆さに
して、ＧａＡｓ基板１１側を半導体基板１に固定するよ
うにすれば、レーザビームがレーザ素子５自体に遮られ
ることはなくなるが、半導体基板１の段差部分のエッチ
ング高さＨを大きくしなければならなくなる。また、レ
ーザチップのＧａＡｓ基板１１の高さＺ2 の寸法精度は
Ｚ1 の寸法精度にくらべて低いため、発光点１８の高さ
精度が出なくなり、第１及び第２の光検出器３、４にお
ける光スポットの大きさが変わってしまう等の不具合が
ある。
して、ＧａＡｓ基板１１側を半導体基板１に固定するよ
うにすれば、レーザビームがレーザ素子５自体に遮られ
ることはなくなるが、半導体基板１の段差部分のエッチ
ング高さＨを大きくしなければならなくなる。また、レ
ーザチップのＧａＡｓ基板１１の高さＺ2 の寸法精度は
Ｚ1 の寸法精度にくらべて低いため、発光点１８の高さ
精度が出なくなり、第１及び第２の光検出器３、４にお
ける光スポットの大きさが変わってしまう等の不具合が
ある。
【００１３】図４に示すような、プリズムを用いた装置
においては、プリズムのサイズを変えることによって容
易にＮＡを大きくすることができるが、やはりレーザチ
ップのＧａＡｓ基板１１の高さＺ2 の寸法精度が悪いと
共に、半導体基板１へマウントするプリズム９のマウン
ト精度も悪い。また、半導体基板１とプリズム９とが別
部品であるため、製造工程が多くなる等の問題点があっ
た。
においては、プリズムのサイズを変えることによって容
易にＮＡを大きくすることができるが、やはりレーザチ
ップのＧａＡｓ基板１１の高さＺ2 の寸法精度が悪いと
共に、半導体基板１へマウントするプリズム９のマウン
ト精度も悪い。また、半導体基板１とプリズム９とが別
部品であるため、製造工程が多くなる等の問題点があっ
た。
【００１４】本発明は、半導体基板にエッチングによっ
て形成する段差部分の高さを低く押さえ、半導体レーザ
素子の発光点の精度を高く保って、半導体レーザから発
せられるレーザビームのＮＡを大きく取ることができる
光ヘッドを提供することを目的とするものである。
て形成する段差部分の高さを低く押さえ、半導体レーザ
素子の発光点の精度を高く保って、半導体レーザから発
せられるレーザビームのＮＡを大きく取ることができる
光ヘッドを提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するために、本発明の光ヘッドは、表面に段差部を設
け、該段差部に傾斜面を設けた半導体基体と、この半導
体基体の低段部に出射側端面を前記傾斜面に対向させて
設けた半導体レーザ素子と、前記傾斜面の表面に設けた
反射ミラーと、前記半導体基体の高段部に設けた光検出
器とを具える光ヘッド装置において、
するために、本発明の光ヘッドは、表面に段差部を設
け、該段差部に傾斜面を設けた半導体基体と、この半導
体基体の低段部に出射側端面を前記傾斜面に対向させて
設けた半導体レーザ素子と、前記傾斜面の表面に設けた
反射ミラーと、前記半導体基体の高段部に設けた光検出
器とを具える光ヘッド装置において、
【数３】 ｘ： 半導体レーザ素子のレーザ光出射端面と反射ミラ
ーとの距離 θ： 半導体基体表面に対する傾斜面の角度 θ′： レーザ光の広がり角度 ｈ： ｘ′tan θ tanθ′／ (tan θ - tanθ′） ｈ1 ： 半導体レーザ素子の発光点の高さ ｈ2 ： 半導体レーザ素子の高さ ｘ′：ｘ＋ｈ1 ／tan θ (但し θ＞θ′） ｙ： （ｈ＋ｈ1 ）／tan θ Ｔ： 段差部の高さ のとき、
ーとの距離 θ： 半導体基体表面に対する傾斜面の角度 θ′： レーザ光の広がり角度 ｈ： ｘ′tan θ tanθ′／ (tan θ - tanθ′） ｈ1 ： 半導体レーザ素子の発光点の高さ ｈ2 ： 半導体レーザ素子の高さ ｘ′：ｘ＋ｈ1 ／tan θ (但し θ＞θ′） ｙ： （ｈ＋ｈ1 ）／tan θ Ｔ： 段差部の高さ のとき、
【数４】 ｈ2 ≧ ｈ＋ｈ1 −（ｘ＋ｙ）tan （２θ−θ′） 但し、 ９０°＜２θ−θ′＜１８０° ｘ≦ｈ1 ／tan θ′ Ｔ≧ｈ1 ＋ｈ を満足するように、前記半導体レーザ素子を配置し、前
記半導体基体表面に対する前記傾斜面の角度を決定した
ことを特徴とするものである。本発明の光ヘッドにおい
ては、半導体レーザ素子から発せられるレーザビームの
ＮＡを大きくするため、半導体レーザ素子と半導体基板
の段差部分に設けた傾斜面との間の距離を上述の範囲内
に設定すると共に、傾斜面で反射されたレーザビームを
半導体レーザ素子自体で遮らないように、この傾斜面へ
の入射角を従来の装置より小さく設定して、この傾斜面
で反射された反射レーザビームが半導体レーザ素子の端
面で反射するような角度に設定するようにした。
記半導体基体表面に対する前記傾斜面の角度を決定した
ことを特徴とするものである。本発明の光ヘッドにおい
ては、半導体レーザ素子から発せられるレーザビームの
ＮＡを大きくするため、半導体レーザ素子と半導体基板
の段差部分に設けた傾斜面との間の距離を上述の範囲内
に設定すると共に、傾斜面で反射されたレーザビームを
半導体レーザ素子自体で遮らないように、この傾斜面へ
の入射角を従来の装置より小さく設定して、この傾斜面
で反射された反射レーザビームが半導体レーザ素子の端
面で反射するような角度に設定するようにした。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の光ヘッドの全体の構成を示す
図であり、図２は図１に示す光ヘッドの半導体レーザ素
子及び半導体基板の段差部分を拡大して示す図である。
図３に示す従来の装置と同じ構成要素については同じ符
号を付してその説明は省略する。
図であり、図２は図１に示す光ヘッドの半導体レーザ素
子及び半導体基板の段差部分を拡大して示す図である。
図３に示す従来の装置と同じ構成要素については同じ符
号を付してその説明は省略する。
【００１７】図１に示すように、半導体レーザ素子５か
ら発せられたレーザビームは、半導体基板１の段差部の
傾斜面１ｂに設けた反射ミラー７によって反射され、更
にこの反射ビームは半導体レーザ素子５のレーザ発光点
１８を含む端面５ａで、カバー部材２に向けて反射され
る。カバー部材２を透過して、情報記録媒体（図示せ
ず）から反射されてきたレーザビームは、上述した従来
の装置と同様に、第１及び第２の光検出器３、４に入射
して情報の記録再生が行われる。
ら発せられたレーザビームは、半導体基板１の段差部の
傾斜面１ｂに設けた反射ミラー７によって反射され、更
にこの反射ビームは半導体レーザ素子５のレーザ発光点
１８を含む端面５ａで、カバー部材２に向けて反射され
る。カバー部材２を透過して、情報記録媒体（図示せ
ず）から反射されてきたレーザビームは、上述した従来
の装置と同様に、第１及び第２の光検出器３、４に入射
して情報の記録再生が行われる。
【００１８】図２に拡大して示すように、半導体基板１
の低段部にマウントされた半導体レーザ素子５の発光部
１８から出射したレーザビームは、この発光部１８に対
向して形成されている傾斜面１ｂの表面に形成した反射
ミラー７で反射され、この反射レーザビームは、更に半
導体レーザ素子５の端面５ａで反射して半導体レーザ装
置から出射するが、このとき半導体レーザ素子５の端面
５ａの発光部１８を除いたすべての部分に、発光部１８
より高い反射率を持つ部材１９をコーティングしておく
ようにする。
の低段部にマウントされた半導体レーザ素子５の発光部
１８から出射したレーザビームは、この発光部１８に対
向して形成されている傾斜面１ｂの表面に形成した反射
ミラー７で反射され、この反射レーザビームは、更に半
導体レーザ素子５の端面５ａで反射して半導体レーザ装
置から出射するが、このとき半導体レーザ素子５の端面
５ａの発光部１８を除いたすべての部分に、発光部１８
より高い反射率を持つ部材１９をコーティングしておく
ようにする。
【００１９】半導体基板１の表面の段差部に設けた傾斜
面１ｂの半導体基板１の表面１ａに対する角度、及び低
段部に設けた半導体レーザ素子５の位置は、
面１ｂの半導体基板１の表面１ａに対する角度、及び低
段部に設けた半導体レーザ素子５の位置は、
【数５】 ｘ：半導体レーザ素子のレーザ光出射端面と反射ミラー
との距離 θ：半導体基体の表面に対する傾斜面の角度 θ′：レーザ光の広がり角度 ｈ：ｘ′ tanθ tanθ′／ (tan θ− tanθ′） ｈ1 ： 半導体レーザ素子の発光点の高さ ｈ2 ： 半導体レーザ素子の高さ ｘ′：ｘ＋ｈ1 ／tan θ (但しθ＞θ′） ｙ：（ｈ＋ｈ1 ）／tan θ Ｔ：段差部の高さ のとき、
との距離 θ：半導体基体の表面に対する傾斜面の角度 θ′：レーザ光の広がり角度 ｈ：ｘ′ tanθ tanθ′／ (tan θ− tanθ′） ｈ1 ： 半導体レーザ素子の発光点の高さ ｈ2 ： 半導体レーザ素子の高さ ｘ′：ｘ＋ｈ1 ／tan θ (但しθ＞θ′） ｙ：（ｈ＋ｈ1 ）／tan θ Ｔ：段差部の高さ のとき、
【数６】 ｈ2 ≧ｈ＋ｈ1 −（ｘ＋ｙ）tan ( ２θ−θ′） （１） 但し、 ９０°＜２θ−θ′＜１８０° ｘ≦ｈ1 ／tan θ′ Ｔ≧ｈ1 ＋ｈ を満足するように配置されている。
【００２０】上記条件（１）を満足するように半導体レ
ーザ素子５及び傾斜面１ｂを配置することによって、半
導体基板１にエッチングによって設ける段差部分を小さ
くすることができると共に、レーザビームのＮＡを大き
くすることができる。
ーザ素子５及び傾斜面１ｂを配置することによって、半
導体基板１にエッチングによって設ける段差部分を小さ
くすることができると共に、レーザビームのＮＡを大き
くすることができる。
【００２１】
【発明の効果】このように、本発明にかかる光ヘッド装
置では、半導体基板表面の段差が小さくてすむため、簡
単に製造することができ、かつ、半導体レーザ素子の出
射光のＮＡを大きくすることができると共に、レーザ素
子の発光点の精度を高く保つことができる。すなわち、
安価で高性能の光ヘッドを提供することができる。
置では、半導体基板表面の段差が小さくてすむため、簡
単に製造することができ、かつ、半導体レーザ素子の出
射光のＮＡを大きくすることができると共に、レーザ素
子の発光点の精度を高く保つことができる。すなわち、
安価で高性能の光ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明の光ヘッド装置の一実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図２】図１に示す光ヘッド装置の部分的拡大図であ
る。
る。
【図３】従来の光ヘッド装置の一例の構成を示す図であ
る。
る。
【図４】従来の光ヘッド装置の他の例の構成を示す図で
ある。
ある。
【図５】図３に示す従来の装置の部分的拡大図である。
【図６】半導体レーザチップの構成を示す図である。
【図７】従来の光ヘッド装置の他の例の構成を示す図で
ある。
ある。
【図８】従来の光ヘッド装置の他の例の構成を示す図で
ある。
ある。
１ 半導体基板 １ｂ 傾斜面 ２ カバー部材 ３、４ 光検出器 ５ 半導体レーザ素子 ７ 反射ミラ− ８ ホログラム素子 １１ ＧａＡｓ基板 １２ 活性層 １３ クラッド層 １４ キャップ層 １５、１６ 電極 １８ 発光点 １９ コーティング部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−253678（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−46243（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−290402（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−216328（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/12 - 7/22
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に段差部を設け、該段差部に傾斜面
を設けた半導体基体と、この半導体基体の低段部に出射
側端面を前記傾斜面に対向させて設けた半導体レーザ素
子と、前記傾斜面の表面に設けた反射ミラーと、前記半
導体基体の高段部に設けた光検出器とを具える光ヘッド
装置において、 【数１】 ｘ ：半導体レーザ素子のレーザ光出射端面と反射ミラ
ーとの距離 θ ：半導体基体表面に対する傾斜面の角度 θ′：レーザ光の広がり角度 ｈ ：ｘ′tan θ tanθ′／ (tan θ− tan θ′） ｈ1 ：半導体レーザ素子の発光点の高さ ｈ2 ：半導体レーザ素子の高さ ｘ′：ｘ＋ｈ1 ／tan θ (但し θ＞θ′） ｙ：（ｈ＋ｈ1 ）／tan θ′ Ｔ：段差部の高さ のとき、 【数２】ｈ2 ≧ｈ＋ｈ1 −（ｘ＋ｙ）tan （２θ−θ') 但し、 ９０°＜２θ−θ′＜１８０° ｘ≦ｈ1 ／tan θ′ Ｔ≧ｈ1 ＋ｈ を満足するように、前記半導体レーザ素子を配置し、前
記半導体基体表面に対する前記傾斜面の角度を決定した
ことを特徴とする光ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04107743A JP3131497B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 光ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04107743A JP3131497B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 光ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303762A JPH05303762A (ja) | 1993-11-16 |
| JP3131497B2 true JP3131497B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=14466839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04107743A Expired - Fee Related JP3131497B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 光ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131497B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP04107743A patent/JP3131497B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH05303762A (ja) | 1993-11-16 |
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