JP2001230495A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JP2001230495A JP2001230495A JP2000039165A JP2000039165A JP2001230495A JP 2001230495 A JP2001230495 A JP 2001230495A JP 2000039165 A JP2000039165 A JP 2000039165A JP 2000039165 A JP2000039165 A JP 2000039165A JP 2001230495 A JP2001230495 A JP 2001230495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- film
- wavelength
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２波長１チップレーザの、より量産に適した
構造を提供する。 【解決手段】 一つの基板上に、異なる波長の半導体レ
ーザ共振器を、複数個並置してなる半導体レーザ素子で
あって、前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には略
同一の膜厚の反射膜が形成されてなることを特徴とす
る。
構造を提供する。 【解決手段】 一つの基板上に、異なる波長の半導体レ
ーザ共振器を、複数個並置してなる半導体レーザ素子で
あって、前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には略
同一の膜厚の反射膜が形成されてなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体レーザ素子
の光出射面に形成される反射膜の形成に関し、さらに詳
しくは１つのチップにおいて２つの波長の異なるレーザ
光を出力し、さらに波長によって光出力の最大値が異な
る半導体レーザ素子における良好な反射膜の形成に関す
る。
の光出射面に形成される反射膜の形成に関し、さらに詳
しくは１つのチップにおいて２つの波長の異なるレーザ
光を出力し、さらに波長によって光出力の最大値が異な
る半導体レーザ素子における良好な反射膜の形成に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ−Ｒディスク再生可能なＤＶＤ−Ｒ
ＯＭ装置は、ＤＶＤ−ＲＯＭディスクの再生に使う６５
０ｎm帯の半導体レーザパッケージに加えて、記録膜に
波長依存性があり６５０ｎｍのレーザ光では再生不可能
なＣＤ−Ｒディスクの再生のために７８０ｎｍ帯の半導
体レーザパッケージも備えている。７８０ｎｍ帯の半導
体レーザパッケージのみを備えたＣＤ−ＲＯＭ装置と異
なり、この場合は２つの半導体レーザパッケージから出
力されるレーザ光を光ディスクに照射する必要があり、
そのためにプリズムなどの部品点数が多くなるという問
題があった。
ＯＭ装置は、ＤＶＤ−ＲＯＭディスクの再生に使う６５
０ｎm帯の半導体レーザパッケージに加えて、記録膜に
波長依存性があり６５０ｎｍのレーザ光では再生不可能
なＣＤ−Ｒディスクの再生のために７８０ｎｍ帯の半導
体レーザパッケージも備えている。７８０ｎｍ帯の半導
体レーザパッケージのみを備えたＣＤ−ＲＯＭ装置と異
なり、この場合は２つの半導体レーザパッケージから出
力されるレーザ光を光ディスクに照射する必要があり、
そのためにプリズムなどの部品点数が多くなるという問
題があった。
【０００３】この問題を解決するために、６５０ｎｍ帯
の半導体レーザと７８０ｎｍ帯のレーザの両方を１つの
パッケージに納めた２波長レーザの開発が現在活発に行
われている。２波長レーザを使用するとＤＶＤ−ＲＯＭ
装置は２つの半導体レーザパッケージを用いることな
く、１つの半導体レーザパッケージのみでＤＶＤ−ＲＯ
ＭディスクとＣＤ−Ｒディスクを読み出す事が可能とな
り、プリズムなどの部品を削減する事ができる。
の半導体レーザと７８０ｎｍ帯のレーザの両方を１つの
パッケージに納めた２波長レーザの開発が現在活発に行
われている。２波長レーザを使用するとＤＶＤ−ＲＯＭ
装置は２つの半導体レーザパッケージを用いることな
く、１つの半導体レーザパッケージのみでＤＶＤ−ＲＯ
ＭディスクとＣＤ−Ｒディスクを読み出す事が可能とな
り、プリズムなどの部品を削減する事ができる。
【０００４】２波長レーザには二つの方式がある。一つ
は、２つの波長の異なる半導体レーザチップを横に並べ
て実装して１つのパッケージ品とする方式である。この
方式ではレーザチップが機械的に実装されるため、発光
点間隔のバラツキが大きくなりやすいという欠点があ
る。もう一方は、１つのレーザチップに２つの波長の異
なる半導体レーザを作り込む方式である（以下、「１チ
ップ２波長レーザ」と呼ぶ。）。この方式は発光点間隔
のバラツキが半導体プロセスの加工誤差で決まるために
非常に小さくなり、使用上問題の無いレベルとなる。
は、２つの波長の異なる半導体レーザチップを横に並べ
て実装して１つのパッケージ品とする方式である。この
方式ではレーザチップが機械的に実装されるため、発光
点間隔のバラツキが大きくなりやすいという欠点があ
る。もう一方は、１つのレーザチップに２つの波長の異
なる半導体レーザを作り込む方式である（以下、「１チ
ップ２波長レーザ」と呼ぶ。）。この方式は発光点間隔
のバラツキが半導体プロセスの加工誤差で決まるために
非常に小さくなり、使用上問題の無いレベルとなる。
【０００５】また２波長レーザにおいて、波長の異なる
レーザのうち、一方が高出力までレーザ発振が可能であ
れば、次に述べるような利点がある。すなわち７８０ｎ
ｍ帯のレーザが高出力まで発振可能であれば、ＣＤ−Ｒ
またはＣＤ−ＲＷディスクの書き込みが可能となる。ま
た６５０ｎｍ帯のレーザが高出力まで発振可能であれ
ば、ＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスクの書き込み
が可能となる。
レーザのうち、一方が高出力までレーザ発振が可能であ
れば、次に述べるような利点がある。すなわち７８０ｎ
ｍ帯のレーザが高出力まで発振可能であれば、ＣＤ−Ｒ
またはＣＤ−ＲＷディスクの書き込みが可能となる。ま
た６５０ｎｍ帯のレーザが高出力まで発振可能であれ
ば、ＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスクの書き込み
が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方の波長のレーザ光
が高出力まで発振可能な２波長レーザにおいて、２つの
チップを実装して１つのパッケージ品とする方式では、
それぞれの波長に対応した膜種、膜厚、および層数の端
面コーティング膜をそれぞれのチップに別々に形成した
後にパッケージすれば良い。しかし１つのレーザチップ
に２つの波長の異なる半導体レーザを作り込む方式で
は、一方の波長の発光点と他方の波長の発光点の間隔が
約５０μｍ以下と非常に短いために、発光点の場所で異
なる膜種、膜厚、および層数の端面コーティング膜を形
成する事はほぼ不可能である。
が高出力まで発振可能な２波長レーザにおいて、２つの
チップを実装して１つのパッケージ品とする方式では、
それぞれの波長に対応した膜種、膜厚、および層数の端
面コーティング膜をそれぞれのチップに別々に形成した
後にパッケージすれば良い。しかし１つのレーザチップ
に２つの波長の異なる半導体レーザを作り込む方式で
は、一方の波長の発光点と他方の波長の発光点の間隔が
約５０μｍ以下と非常に短いために、発光点の場所で異
なる膜種、膜厚、および層数の端面コーティング膜を形
成する事はほぼ不可能である。
【０００７】１チップ２波長レーザの場合で６５０ｎｍ
帯レーザと７８０ｎｍ帯レーザの発振が可能な素子にお
いて、例として６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可
能な場合での課題について述べる。６５０ｎｍ帯の出力
が高出力まで発振させるためには、外部微分量子効率を
上げるために光出射面の前面に６％程度の低反射率の膜
を、後面に９０％程度の高反射率の膜をそれぞれ形成す
る必要がある。従来の技術の場合、前面に図１の領域３
で示されるように屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜
を約８０ｎｍの膜厚で形成していた。１チップ２波長レ
ーザの場合、前記アルミナ膜が７８０ｎｍレーザの発光
点においても形成される事になり、７８０ｎｍのレーザ
光に対する反射率は１１％程度となる。７８０ｎｍ帯レ
ーザは１０ｍＷまでの低出力で発振させるので、３０％
以下の低反射率の膜が形成されるとレーザ発振のしきい
電流値が大きくなってしまうという問題があった。
帯レーザと７８０ｎｍ帯レーザの発振が可能な素子にお
いて、例として６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可
能な場合での課題について述べる。６５０ｎｍ帯の出力
が高出力まで発振させるためには、外部微分量子効率を
上げるために光出射面の前面に６％程度の低反射率の膜
を、後面に９０％程度の高反射率の膜をそれぞれ形成す
る必要がある。従来の技術の場合、前面に図１の領域３
で示されるように屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜
を約８０ｎｍの膜厚で形成していた。１チップ２波長レ
ーザの場合、前記アルミナ膜が７８０ｎｍレーザの発光
点においても形成される事になり、７８０ｎｍのレーザ
光に対する反射率は１１％程度となる。７８０ｎｍ帯レ
ーザは１０ｍＷまでの低出力で発振させるので、３０％
以下の低反射率の膜が形成されるとレーザ発振のしきい
電流値が大きくなってしまうという問題があった。
【０００８】次に別の例として７８０ｎｍ帯レーザが高
出力まで出力可能な場合での課題について述べる。７８
０ｎｍ帯の出力が高出力まで発振させるためには、外部
微分量子効率を上げるために光出射面の前面に１２％程
度の低反射率の膜を、後面に９０％程度の高反射率の膜
をそれぞれ形成する必要がある。従来の技術の場合、前
面に図１の領域４で示されるように屈折率がおよそ１．
６６のアルミナ膜を約１５６ｎｍの膜厚で形成してい
た。１チップ２波長レーザの場合、前記アルミナ膜が６
５０ｎｍレーザの発光点においても形成される事にな
り、６５０ｎｍのレーザ光に対する反射率は２６％程度
となる。６５０ｎｍ帯レーザは１０ｍＷまでの低出力で
発振させるので、３０％以下の低反射率の膜が形成され
るとレーザ発振のしきい電流値が大きくなってしまうと
いう問題があった。
出力まで出力可能な場合での課題について述べる。７８
０ｎｍ帯の出力が高出力まで発振させるためには、外部
微分量子効率を上げるために光出射面の前面に１２％程
度の低反射率の膜を、後面に９０％程度の高反射率の膜
をそれぞれ形成する必要がある。従来の技術の場合、前
面に図１の領域４で示されるように屈折率がおよそ１．
６６のアルミナ膜を約１５６ｎｍの膜厚で形成してい
た。１チップ２波長レーザの場合、前記アルミナ膜が６
５０ｎｍレーザの発光点においても形成される事にな
り、６５０ｎｍのレーザ光に対する反射率は２６％程度
となる。６５０ｎｍ帯レーザは１０ｍＷまでの低出力で
発振させるので、３０％以下の低反射率の膜が形成され
るとレーザ発振のしきい電流値が大きくなってしまうと
いう問題があった。
【０００９】本発明は上述する問題を解決するためにな
されたもので、少なくとも２波長のレーザを１チップ化
する際、それぞれの波長によって発振する光出力の最大
値が異なる場合であっても、即ち、一方のレーザ発振が
良好に発振する状況下においても、他方のレーザ発振の
素子特性の悪化を引き起こすことがない、半導体レーザ
素子の構造を提供することを目的としている。
されたもので、少なくとも２波長のレーザを１チップ化
する際、それぞれの波長によって発振する光出力の最大
値が異なる場合であっても、即ち、一方のレーザ発振が
良好に発振する状況下においても、他方のレーザ発振の
素子特性の悪化を引き起こすことがない、半導体レーザ
素子の構造を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ素子は、一つの基板上に、異なる発振波長の半導体
レーザ共振器を、複数個並置してなる半導体レーザ素子
であって、前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には
略同一の膜厚の反射膜が形成されてなることによって、
上記の目的を達成する。
ーザ素子は、一つの基板上に、異なる発振波長の半導体
レーザ共振器を、複数個並置してなる半導体レーザ素子
であって、前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には
略同一の膜厚の反射膜が形成されてなることによって、
上記の目的を達成する。
【００１１】このように、異なる発振波長の半導体レー
ザ共振器であっても、そのレーザ光出射端面の反射膜の
膜厚を略同一にすることによって、単一のプロセスで、
異なる波長の半導体レーザ共振器に反射膜を形成するこ
とが可能になる。
ザ共振器であっても、そのレーザ光出射端面の反射膜の
膜厚を略同一にすることによって、単一のプロセスで、
異なる波長の半導体レーザ共振器に反射膜を形成するこ
とが可能になる。
【００１２】この発明に係る半導体レーザ素子は、光出
力の最大値が異なる半導体レーザ共振器を、複数個備え
た半導体レーザ素子であって、前記半導体レーザ共振器
の各光出射端面には略同一の膜厚の反射膜が形成されて
なることによって、上記の目的を達成する。
力の最大値が異なる半導体レーザ共振器を、複数個備え
た半導体レーザ素子であって、前記半導体レーザ共振器
の各光出射端面には略同一の膜厚の反射膜が形成されて
なることによって、上記の目的を達成する。
【００１３】このように、光出力の最大値が異なる（即
ち、より高出力なレーザは書き込み、読み出し可能であ
り、より低出力なレーザは読み出し専用となる）半導体
レーザ共振器であってもそのレーザ光出射端面の反射膜
の膜厚を略同一にすることによって、単一のプロセス
で、光出力の最大値が異なる半導体レーザ共振器に反射
膜を形成することが可能になる。
ち、より高出力なレーザは書き込み、読み出し可能であ
り、より低出力なレーザは読み出し専用となる）半導体
レーザ共振器であってもそのレーザ光出射端面の反射膜
の膜厚を略同一にすることによって、単一のプロセス
で、光出力の最大値が異なる半導体レーザ共振器に反射
膜を形成することが可能になる。
【００１４】この発明に係る半導体レーザ素子は、前記
光出射端面のうち前面に形成される反射膜が、光出力の
最大値がより低出力のレーザの発振波長に対する反射率
が３０％以上であり、かつ、光出力の最大値がより高出
力のレーザの発振波長に対する反射率が１５％以下であ
ることによって、上記の目的を達成する。
光出射端面のうち前面に形成される反射膜が、光出力の
最大値がより低出力のレーザの発振波長に対する反射率
が３０％以上であり、かつ、光出力の最大値がより高出
力のレーザの発振波長に対する反射率が１５％以下であ
ることによって、上記の目的を達成する。
【００１５】ここで、より低出力とは、最大光出力が３
〜10ｍＷの範囲にある半導体レーザを指し、より高出力
とは、最大光出力が１０ｍＷを越えるような半導体レー
ザを指す。
〜10ｍＷの範囲にある半導体レーザを指し、より高出力
とは、最大光出力が１０ｍＷを越えるような半導体レー
ザを指す。
【００１６】本願発明においては、光出射端面の膜厚を
単一にして、素子作成の利便を図ることが主な目的であ
るが、そのために、まず、高出力でも低出力でも用いる
より高出力のレーザが良好に発振するよう、光出射面の
反射膜の膜厚を設定し、その膜厚が、同時に、低出力で
しか用いないより低出力のレーザの発振閾値が上昇しな
い値に設定することに特徴がある。
単一にして、素子作成の利便を図ることが主な目的であ
るが、そのために、まず、高出力でも低出力でも用いる
より高出力のレーザが良好に発振するよう、光出射面の
反射膜の膜厚を設定し、その膜厚が、同時に、低出力で
しか用いないより低出力のレーザの発振閾値が上昇しな
い値に設定することに特徴がある。
【００１７】書き込みにも用いる、より高出力な半導体
レーザを、複数個ある半導体レーザ共振器のどの波長域
のものに求めるかは、ユーザの自由であるが、例えば、
CD-R、CD-RWに対応した発振波長780ｎｍ帯の半導体レー
ザと、DVD-R、DVD-RWに対応した発振波長650ｎｍ帯の半
導体レーザとでは、650ｎｍ帯の半導体レーザを、より
高出力な半導体レーザとする方が、メリットが多く、１
チップ2波長レーザとしては、好ましい。
レーザを、複数個ある半導体レーザ共振器のどの波長域
のものに求めるかは、ユーザの自由であるが、例えば、
CD-R、CD-RWに対応した発振波長780ｎｍ帯の半導体レー
ザと、DVD-R、DVD-RWに対応した発振波長650ｎｍ帯の半
導体レーザとでは、650ｎｍ帯の半導体レーザを、より
高出力な半導体レーザとする方が、メリットが多く、１
チップ2波長レーザとしては、好ましい。
【００１８】この発明に係る半導体レーザ素子は、前記
反射膜が、単層のアルミナ膜であることによって、上記
の目的を達成する。
反射膜が、単層のアルミナ膜であることによって、上記
の目的を達成する。
【００１９】即ち、レーザ共振器の光出射端面に形成す
る反射膜は、複数の層であっても、単層であっても構わ
ないが、本願においては、単層であり、且つアルミナ膜
であることにより、複数の層よりも作成が容易であり、
また、半導体レーザチップの屈折率の平方根に近いので
低い反射率が得られることとなり、より好ましい。
る反射膜は、複数の層であっても、単層であっても構わ
ないが、本願においては、単層であり、且つアルミナ膜
であることにより、複数の層よりも作成が容易であり、
また、半導体レーザチップの屈折率の平方根に近いので
低い反射率が得られることとなり、より好ましい。
【００２０】この発明に係る半導体レーザ素子は、前記
より低出力のレーザの波長を７８０ｎｍ帯、前記より高
出力のレーザの波長を６５０ｎｍ帯とするとき、前記光
出射端面のうち、前面に形成される反射膜は、その膜厚
が４５０ｎｍ乃至４９０ｎｍであることによって、上記
の目的を達成する。
より低出力のレーザの波長を７８０ｎｍ帯、前記より高
出力のレーザの波長を６５０ｎｍ帯とするとき、前記光
出射端面のうち、前面に形成される反射膜は、その膜厚
が４５０ｎｍ乃至４９０ｎｍであることによって、上記
の目的を達成する。
【００２１】ここで、７８０ｎｍ帯とは、より詳しくは
７７０〜７９０ｎｍの範囲に収まるレーザの波長域を指
し、６５０ｎｍ帯とは、より詳しくは６３５〜６６０ｎ
ｍの範囲に収まるレーザの波長域を指す。
７７０〜７９０ｎｍの範囲に収まるレーザの波長域を指
し、６５０ｎｍ帯とは、より詳しくは６３５〜６６０ｎ
ｍの範囲に収まるレーザの波長域を指す。
【００２２】この発明に係る半導体レーザ素子は、前記
より低出力のレーザの波長を６５０ｎｍ帯、前記より高
出力のレーザの波長を７８０ｎｍ帯とするとき、前記光
出射端面のうち、前面に形成される反射膜は、その膜厚
が、３７０ｎｍ乃至４００ｎｍであることによって、上
記の目的を達成する。
より低出力のレーザの波長を６５０ｎｍ帯、前記より高
出力のレーザの波長を７８０ｎｍ帯とするとき、前記光
出射端面のうち、前面に形成される反射膜は、その膜厚
が、３７０ｎｍ乃至４００ｎｍであることによって、上
記の目的を達成する。
【００２３】この発明に係る半導体レーザ素子は、前記
光出射端面のうち、後面に形成される反射膜は、その反
射率が、より高出力のレーザの波長に対して９０％以上
であることによって、上記の目的を達成する。
光出射端面のうち、後面に形成される反射膜は、その反
射率が、より高出力のレーザの波長に対して９０％以上
であることによって、上記の目的を達成する。
【００２４】このように、後面の反射率をより高出力の
レーザの波長に対して９０％以上と設定することによ
り、前面からの光出力を大きくすることができるので、
低い駆動電流で高い出力が得られることとなり、より好
ましい。
レーザの波長に対して９０％以上と設定することによ
り、前面からの光出力を大きくすることができるので、
低い駆動電流で高い出力が得られることとなり、より好
ましい。
【００２５】最初に６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出
力可能な場合での解決手段について述べる。レーザチッ
プの前面に図１の領域１で示されるように、屈折率がお
よそ１．６６のアルミナ膜を約４７０ｎｍの膜厚で、さ
らに詳しくは４５０〜４９０ｎｍの膜厚で形成する。ま
たレーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４ｎの厚
さのアルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚さのシ
リコン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの厚さの
アルミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコ
ン膜を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を
形成する（ここでλは高出力まで出力可能な波長、すな
わち６５０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリコンの屈
折率を表す）。
力可能な場合での解決手段について述べる。レーザチッ
プの前面に図１の領域１で示されるように、屈折率がお
よそ１．６６のアルミナ膜を約４７０ｎｍの膜厚で、さ
らに詳しくは４５０〜４９０ｎｍの膜厚で形成する。ま
たレーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４ｎの厚
さのアルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚さのシ
リコン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの厚さの
アルミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコ
ン膜を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を
形成する（ここでλは高出力まで出力可能な波長、すな
わち６５０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリコンの屈
折率を表す）。
【００２６】次に７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力
可能な場合での解決手段について述べる。レーザチップ
の前面に図１の領域２で示されるように屈折率がおよそ
１．６６のアルミナ膜を約３９０ｎｍの膜厚で、さらに
詳しくは３７０〜４００ｎｍの膜厚で形成する。またレ
ーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４ｎの厚さの
アルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコ
ン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの厚さのアル
ミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜
を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を形成
する（ここでλは高出力まで出力可能な波長、すなわち
７８０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリコンの屈折率
を表す）。
可能な場合での解決手段について述べる。レーザチップ
の前面に図１の領域２で示されるように屈折率がおよそ
１．６６のアルミナ膜を約３９０ｎｍの膜厚で、さらに
詳しくは３７０〜４００ｎｍの膜厚で形成する。またレ
ーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４ｎの厚さの
アルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコ
ン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの厚さのアル
ミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜
を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を形成
する（ここでλは高出力まで出力可能な波長、すなわち
７８０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリコンの屈折率
を表す）。
【００２７】次に本発明の作用を説明する。
【００２８】最初に６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出
力可能な場合での作用について述べる。レーザチップの
前面に屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約４７０
ｎｍの厚さで形成すると、図１の領域１で示されるよう
に６５０ｎｍの光に対する反射率はおよそ７％程度に、
７８０ｎｍの光に対する反射率はおよそ３２％程度とな
る。またレーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４
ｎの厚さのアルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚
さのシリコン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの
厚さのアルミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さの
シリコン膜を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミ
ナ膜を形成する（ここでλは高出力まで出力可能な波
長、すなわち６５０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリ
コンの屈折率を表す）と、６５０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９７％程度に、７８０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９３％程度となる。
力可能な場合での作用について述べる。レーザチップの
前面に屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約４７０
ｎｍの厚さで形成すると、図１の領域１で示されるよう
に６５０ｎｍの光に対する反射率はおよそ７％程度に、
７８０ｎｍの光に対する反射率はおよそ３２％程度とな
る。またレーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４
ｎの厚さのアルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚
さのシリコン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの
厚さのアルミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さの
シリコン膜を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミ
ナ膜を形成する（ここでλは高出力まで出力可能な波
長、すなわち６５０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリ
コンの屈折率を表す）と、６５０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９７％程度に、７８０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９３％程度となる。
【００２９】屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約
８０ｎｍの膜厚でレーザチップの前面に形成して、７８
０ｎｍの光に対する反射率が１１％程度となっていた、
図１の領域３で示されるような従来の場合と異なり、本
発明においては７８０ｎｍの光に対して３２％の反射率
が達成されている事により、７８０ｎｍのレーザ発振を
行うためのしきい電流値は７８０ｎｍ単体の半導体レー
ザと同等の値となる。
８０ｎｍの膜厚でレーザチップの前面に形成して、７８
０ｎｍの光に対する反射率が１１％程度となっていた、
図１の領域３で示されるような従来の場合と異なり、本
発明においては７８０ｎｍの光に対して３２％の反射率
が達成されている事により、７８０ｎｍのレーザ発振を
行うためのしきい電流値は７８０ｎｍ単体の半導体レー
ザと同等の値となる。
【００３０】次に７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力
可能な場合での作用について述べる。レーザチップの前
面に図１の領域２で示されるように屈折率がおよそ１．
６６のアルミナ膜を約３９０ｎｍの厚さで形成すると、
７８０ｎｍの光に対する反射率はおよそ１１％程度に、
６５０ｎｍの光に対する反射率はおよそ３４％程度とな
る。またレーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４
ｎの厚さのアルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚
さのシリコン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの
厚さのアルミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さの
シリコン膜を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミ
ナ膜を形成する（ここでλは高出力まで出力可能な波
長、すなわち７８０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリ
コンの屈折率を表す）と、７８０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９７％程度に、６５０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９１％程度となる。
可能な場合での作用について述べる。レーザチップの前
面に図１の領域２で示されるように屈折率がおよそ１．
６６のアルミナ膜を約３９０ｎｍの厚さで形成すると、
７８０ｎｍの光に対する反射率はおよそ１１％程度に、
６５０ｎｍの光に対する反射率はおよそ３４％程度とな
る。またレーザチップの後面に、第１層膜としてλ／４
ｎの厚さのアルミナ膜を、第２層膜としてλ／４ｎの厚
さのシリコン膜を、第３層膜として光学膜厚λ／４ｎの
厚さのアルミナ膜を、第４層膜としてλ／４ｎの厚さの
シリコン膜を、第５層膜としてλ／２ｎの厚さのアルミ
ナ膜を形成する（ここでλは高出力まで出力可能な波
長、すなわち７８０ｎｍを、ｎはアルミナあるいはシリ
コンの屈折率を表す）と、７８０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９７％程度に、６５０ｎｍの光に対する反射
率はおよそ９１％程度となる。
【００３１】屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約
１５６ｎｍの膜厚でレーザチップの前面に形成して、６
５０ｎｍの光に対する反射率が２６％程度となってい
た、図１の領域４で示されるような従来の場合と異な
り、本発明においては６５０ｎｍの光に対して３４％の
反射率が達成されている事により、６５０ｎｍのレーザ
発振を行うためのしきい電流値は６５０ｎｍ単体の半導
体レーザと同等の値となる。
１５６ｎｍの膜厚でレーザチップの前面に形成して、６
５０ｎｍの光に対する反射率が２６％程度となってい
た、図１の領域４で示されるような従来の場合と異な
り、本発明においては６５０ｎｍの光に対して３４％の
反射率が達成されている事により、６５０ｎｍのレーザ
発振を行うためのしきい電流値は６５０ｎｍ単体の半導
体レーザと同等の値となる。
【００３２】
【発明の実施の形態】(実施の形態１)発振波長の異なる
半導体レーザを同一基板上に作るために、最初ＧａＡｓ
基板上にＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法により７８０帯
半導体レーザ向け結晶であるＡｌXＧａ1-XＡｓ結晶を成
長させる。図２に示すようにＧａＡｓ基板５上にｎ型Ａ
ｌXＧａ1-XＡｓ層６、ＡｌXＧａ1-XＡｓ多重量子井戸層
７、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層８を成長させる。次に図３
に示すように６５０帯半導体レーザの形成領域を確保す
るためにＡｌXＧａ1-XＡｓ層の一部のエッチングを行
う。次にＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法により６５０帯
半導体レーザ向け結晶である（ＡｌYＧａ1 -Y）XＩｎ1-X
Ｐ結晶を成長させる。
半導体レーザを同一基板上に作るために、最初ＧａＡｓ
基板上にＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法により７８０帯
半導体レーザ向け結晶であるＡｌXＧａ1-XＡｓ結晶を成
長させる。図２に示すようにＧａＡｓ基板５上にｎ型Ａ
ｌXＧａ1-XＡｓ層６、ＡｌXＧａ1-XＡｓ多重量子井戸層
７、ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層８を成長させる。次に図３
に示すように６５０帯半導体レーザの形成領域を確保す
るためにＡｌXＧａ1-XＡｓ層の一部のエッチングを行
う。次にＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法により６５０帯
半導体レーザ向け結晶である（ＡｌYＧａ1 -Y）XＩｎ1-X
Ｐ結晶を成長させる。
【００３３】図４に示すようにＡｌXＧａ1-XＡｓ層のエ
ッチングが終わったＧａＡｓ基板上にｎ型（ＡｌYＧａ
1-Y）XＩｎ1-XＰ層９、（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ多
重量子井戸層１０、ｐ型（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ層
１１を成長させる。このとき（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-X
Ｐ結晶はエッチングされた領域以外に７８０帯半導体レ
ーザ向け結晶であるＡｌXＧａ1-XＡｓ結晶上にも形成さ
れる。次に図５に示すようにこのＡｌXＧａ1-XＡｓ結晶
上に形成された不要な（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ結晶
を取り除くためと、７８０ｎｍ帯半導体レーザ部分と６
５０ｎｍ帯半導体レーザ部分の分離を行うために（Ａｌ
YＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ結晶のエッチングを行う。次に図
６に示すように７８０ｎｍ帯半導体レーザと６５０ｎｍ
帯半導体レーザの光導波路の形成と、電極１２の形成を
行う。
ッチングが終わったＧａＡｓ基板上にｎ型（ＡｌYＧａ
1-Y）XＩｎ1-XＰ層９、（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ多
重量子井戸層１０、ｐ型（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ層
１１を成長させる。このとき（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-X
Ｐ結晶はエッチングされた領域以外に７８０帯半導体レ
ーザ向け結晶であるＡｌXＧａ1-XＡｓ結晶上にも形成さ
れる。次に図５に示すようにこのＡｌXＧａ1-XＡｓ結晶
上に形成された不要な（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ結晶
を取り除くためと、７８０ｎｍ帯半導体レーザ部分と６
５０ｎｍ帯半導体レーザ部分の分離を行うために（Ａｌ
YＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ結晶のエッチングを行う。次に図
６に示すように７８０ｎｍ帯半導体レーザと６５０ｎｍ
帯半導体レーザの光導波路の形成と、電極１２の形成を
行う。
【００３４】次に光導波路と垂直な方向にＧａＡｓ基板
を分割して複数のレーザバーを切り出す。複数個のレー
ザバーの光出射面が同一平面上に並ぶようにした後、電
子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法などにより光出射面
への成膜を行う。
を分割して複数のレーザバーを切り出す。複数個のレー
ザバーの光出射面が同一平面上に並ぶようにした後、電
子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法などにより光出射面
への成膜を行う。
【００３５】最初に６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出
力可能な場合について述べる。レーザバーの光出射面の
前面に屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約４７０
ｎｍの厚さで形成する。またレーザバーの光出射面の後
面に、第１層膜としてλ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、
第２層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第３層
膜として光学膜厚λ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、第４
層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第５層膜と
してλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を形成する（ここでλ
は高出力まで出力可能な波長、すなわち６５０ｎｍを、
ｎはアルミナあるいはシリコンの屈折率を表す）。
力可能な場合について述べる。レーザバーの光出射面の
前面に屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約４７０
ｎｍの厚さで形成する。またレーザバーの光出射面の後
面に、第１層膜としてλ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、
第２層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第３層
膜として光学膜厚λ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、第４
層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第５層膜と
してλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を形成する（ここでλ
は高出力まで出力可能な波長、すなわち６５０ｎｍを、
ｎはアルミナあるいはシリコンの屈折率を表す）。
【００３６】このことにより図１の領域１で示されるよ
うに、レーザバーの前面においては６５０ｎｍの光に対
する反射率はおよそ７％程度に、７８０ｎｍの光に対す
る反射率はおよそ３２％程度となる。またレーザバーの
後面においては６５０ｎｍの光に対する反射率はおよそ
９７％程度に、７８０ｎｍの光に対する反射率はおよそ
９３％程度となる。
うに、レーザバーの前面においては６５０ｎｍの光に対
する反射率はおよそ７％程度に、７８０ｎｍの光に対す
る反射率はおよそ３２％程度となる。またレーザバーの
後面においては６５０ｎｍの光に対する反射率はおよそ
９７％程度に、７８０ｎｍの光に対する反射率はおよそ
９３％程度となる。
【００３７】次に７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力
可能な場合について述べる。レーザバーの光出射面の前
面に屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約３９０ｎ
ｍの厚さで形成する。またレーザバーの光出射面の後面
に、第１層膜としてλ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、第
２層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第３層膜
として光学膜厚λ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、第４層
膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第５層膜とし
てλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を形成する（ここでλは
高出力まで出力可能な波長、すなわち７８０ｎｍを、ｎ
はアルミナあるいはシリコンの屈折率を表す）。
可能な場合について述べる。レーザバーの光出射面の前
面に屈折率がおよそ１．６６のアルミナ膜を約３９０ｎ
ｍの厚さで形成する。またレーザバーの光出射面の後面
に、第１層膜としてλ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、第
２層膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第３層膜
として光学膜厚λ／４ｎの厚さのアルミナ膜を、第４層
膜としてλ／４ｎの厚さのシリコン膜を、第５層膜とし
てλ／２ｎの厚さのアルミナ膜を形成する（ここでλは
高出力まで出力可能な波長、すなわち７８０ｎｍを、ｎ
はアルミナあるいはシリコンの屈折率を表す）。
【００３８】このことにより図１の領域２で示されるよ
うに、レーザバーの前面においては７８０ｎｍの光に対
する反射率はおよそ１１％程度に、６５０ｎｍの光に対
する反射率はおよそ３４％程度となる。またレーザバー
の後面においては７８０ｎｍの光に対する反射率はおよ
そ９７％程度に、６５０ｎｍの光に対する反射率はおよ
そ９１％程度となる。
うに、レーザバーの前面においては７８０ｎｍの光に対
する反射率はおよそ１１％程度に、６５０ｎｍの光に対
する反射率はおよそ３４％程度となる。またレーザバー
の後面においては７８０ｎｍの光に対する反射率はおよ
そ９７％程度に、６５０ｎｍの光に対する反射率はおよ
そ９１％程度となる。
【００３９】このようにして形成したレーザバーを光導
波路と平行に、６５０ｎｍ帯半導体レーザと７８０ｎｍ
帯半導体レーザを各１個ずつ含むように分割して、図７
に示すようにチップ化した後に、パッケージを行う。こ
のようにして波長により発振する光出力の最大値が異な
る、１チップ２波長レーザである半導体レーザ素子を作
成する。
波路と平行に、６５０ｎｍ帯半導体レーザと７８０ｎｍ
帯半導体レーザを各１個ずつ含むように分割して、図７
に示すようにチップ化した後に、パッケージを行う。こ
のようにして波長により発振する光出力の最大値が異な
る、１チップ２波長レーザである半導体レーザ素子を作
成する。
【００４０】アルミナ以外に酸化チタン、酸化シリコン
等を用いても良い（アルミナの屈折率が半導体レーザチ
ップの屈折率の平方根に最も近い）。
等を用いても良い（アルミナの屈折率が半導体レーザチ
ップの屈折率の平方根に最も近い）。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、波
長によって発振する光出力の最大値が異なる１チップ２
波長レーザにおいて、高出力レーザにおける前面の反射
率を１５％以下でなおかつ低出力レーザにおける前面の
反射率を３０％以上に、また高出力レーザにおける後面
の反射率を９０％以上でなおかつ低出力レーザにおける
後面の反射率をおよそ９０％とすることができる。
長によって発振する光出力の最大値が異なる１チップ２
波長レーザにおいて、高出力レーザにおける前面の反射
率を１５％以下でなおかつ低出力レーザにおける前面の
反射率を３０％以上に、また高出力レーザにおける後面
の反射率を９０％以上でなおかつ低出力レーザにおける
後面の反射率をおよそ９０％とすることができる。
【００４２】従って高出力レーザが良好に発振する状況
下においても、低出力レーザの発振しきい電流値が増大
するなどの素子特性の悪化を引き起こすような事が無
い。
下においても、低出力レーザの発振しきい電流値が増大
するなどの素子特性の悪化を引き起こすような事が無
い。
【図１】アルミナの膜厚と反射率の関係を示す図であ
る。実線が６５０ｎｍのレーザ光に対する反射率を、破
線が７８０ｎｍのレーザ光に対する反射率を示す。
る。実線が６５０ｎｍのレーザ光に対する反射率を、破
線が７８０ｎｍのレーザ光に対する反射率を示す。
【図２】１チップ２波長レーザにおいて７８０ｎｍ帯半
導体レーザ向け結晶を成長した時点の断面図である。
導体レーザ向け結晶を成長した時点の断面図である。
【図３】１チップ２波長レーザにおいて７８０ｎｍ帯半
導体レーザ向け結晶の一部をエッチングした時点の断面
図である。
導体レーザ向け結晶の一部をエッチングした時点の断面
図である。
【図４】１チップ２波長レーザにおいて６５０ｎｍ帯半
導体レーザ向け結晶を成長した時点の断面図である。
導体レーザ向け結晶を成長した時点の断面図である。
【図５】１チップ２波長レーザにおいて６５０ｎｍ帯半
導体レーザ向け結晶の不要部分をエッチングした時点の
断面図である。
導体レーザ向け結晶の不要部分をエッチングした時点の
断面図である。
【図６】１チップ２波長レーザにおいて光導波路と電極
を形成した時点の断面図である。
を形成した時点の断面図である。
【図７】本実施例における、１チップ２波長レーザの斜
視図である。
視図である。
【符号の説明】 １ ６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける本発明でのアルミナ膜厚の領域 ２ ７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける本発明でのアルミナ膜厚の領域 ３ ６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける従来技術でのアルミナ膜厚の領
域 ４ ７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける従来技術でのアルミナ膜厚の領
域 ５ ＧａＡｓ基板 ６ ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層 ７ ＡｌXＧａ1-XＡｓ多重量子井戸層 ８ ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層 ９ ｎ型（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ層 １０ （ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ多重量子井戸層 １１ ｐ型（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ層 １２ 電極
プ２波長レーザにおける本発明でのアルミナ膜厚の領域 ２ ７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける本発明でのアルミナ膜厚の領域 ３ ６５０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける従来技術でのアルミナ膜厚の領
域 ４ ７８０ｎｍ帯レーザが高出力まで出力可能な１チッ
プ２波長レーザにおける従来技術でのアルミナ膜厚の領
域 ５ ＧａＡｓ基板 ６ ｎ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層 ７ ＡｌXＧａ1-XＡｓ多重量子井戸層 ８ ｐ型ＡｌXＧａ1-XＡｓ層 ９ ｎ型（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ層 １０ （ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ多重量子井戸層 １１ ｐ型（ＡｌYＧａ1-Y）XＩｎ1-XＰ層 １２ 電極
Claims (7)
- 【請求項１】 一つの基板上に、異なる発振波長の半導
体レーザ共振器を、複数個並置してなる半導体レーザ素
子であって、 前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には略同一の膜
厚の反射膜が形成されてなることを特徴とする半導体レ
ーザ素子。 - 【請求項２】 光出力の最大値が異なる半導体レーザ共
振器を、複数個備えた半導体レーザ素子であって、 前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には略同一の膜
厚の反射膜が形成されてなることを特徴とする半導体レ
ーザ素子。 - 【請求項３】 前記光出射端面のうち前面に形成される
反射膜は、光出力の最大値がより低出力のレーザの発振
波長に対する反射率が３０％以上であり、かつ、光出力
の最大値がより高出力のレーザの発振波長に対する反射
率が１５％以下であることを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記反射膜は、単層のアルミナ膜である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記より低出力のレーザの波長を７８０
ｎｍ帯、前記より高出力のレーザの波長を６５０ｎｍ帯
とするとき、前記光出射端面のうち、前面に形成される
反射膜は、その膜厚が４５０ｎｍ乃至４９０ｎｍである
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半
導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記より低出力のレーザの波長を６５０
ｎｍ帯、前記より高出力のレーザの波長を７８０ｎｍ帯
とするとき、前記光出射端面のうち、前面に形成される
反射膜は、その膜厚が、３７０ｎｍ乃至４００ｎｍであ
ることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の
半導体レーザ素子。 - 【請求項７】 前記光出射端面のうち、後面に形成され
る反射膜は、その反射率が、より高出力のレーザの波長
に対して９０％以上であることを特徴とする請求項２乃
至６のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000039165A JP3642711B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000039165A JP3642711B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001230495A true JP2001230495A (ja) | 2001-08-24 |
| JP3642711B2 JP3642711B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=18562776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000039165A Expired - Fee Related JP3642711B2 (ja) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3642711B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001320131A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
| US6771586B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same |
-
2000
- 2000-02-17 JP JP2000039165A patent/JP3642711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001320131A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
| US6771586B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3642711B2 (ja) | 2005-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4451371B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP2001230502A (ja) | 発光装置およびそれを用いた光装置 | |
| JP2001257413A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| US6787381B2 (en) | Semiconductor laser and method of production of the same | |
| JP2010068007A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP2008047692A (ja) | 自励発振型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US6930024B2 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
| JP2001244570A (ja) | 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法 | |
| JP2006351966A (ja) | 多波長半導体レーザ素子 | |
| JP2006294984A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法およびそれを用いた光ピックアップ装置 | |
| KR20060043109A (ko) | 반도체 레이저 | |
| JP5633670B2 (ja) | 発光装置およびそれを用いた光装置 | |
| JP3642711B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP5787069B2 (ja) | 多波長半導体レーザ素子 | |
| JP2002223030A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2006332195A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2007142227A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2002232077A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPH10247756A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2002305348A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2006351967A (ja) | 多波長半導体レーザ素子 | |
| JP2001352129A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2001244572A (ja) | 半導体レーザ発光装置の製造方法 | |
| JP2003124569A (ja) | 端面窓型半導体レーザ装置 | |
| JP4144257B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040720 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040921 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041102 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050118 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110204 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130204 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130204 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |