JP2002223030A

JP2002223030A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JP2002223030A
Application number: JP2001016266A
Authority: JP
Inventors: Makoto Okada; 田眞琴岡
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Development and Engineering Corp
Priority date: 2001-01-24
Filing date: 2001-01-24
Publication date: 2002-08-09

Abstract

(57)【要約】【課題】製造コストを高めることなく、また製造のサ
イクルタイムを長期化することもなく、さらに等別な器
具を付加することなく、互いに波長の異なるレーザ光の
反射率の所望の組合せを選択することができる半導体レ
ーザ装置を提供する。【解決手段】本発明による半導体レーザ装置は、少な
くとも二つのクラッド層とダブルへテロ接合され、波長
λ１の第１のレーザ光および波長λ１とは異なる波長λ
２の第２のレーザ光をそれぞれ生ずる第１の活性層およ
び第２の活性層と、第１の活性層および第２の活性層の
光を取り出す面に積層される第１の端面膜と、第１の端
面膜の屈折率と異なる屈折率を有し、第１の端面膜の上
に積層される第２の端面膜とを備える。第１の端面膜お
よび第２の端面膜はともに屈折率が約1.7以下であり、
第２の端面膜の屈折率は第１の端面膜の屈折率よりも小
さい。第１の端面膜の膜厚ｄは、ほぼ、ｄ＝（１／２＋
ｊ）＊（λ１＋λ２）／２（ただし、ｊは整数）を満た
す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ類の内部または外部の記憶
装置として、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗや
ＤＶＤ−ＲＯＭ等が近年において普及しつつある。ＣＤ
を媒体とする記憶装置およびＤＶＤを媒体とする記憶装
置は両者ともに媒体の表面に形成されたピットや相変化
部等にレーザ光を照射し、それらによって反射されたレ
ーザ光で情報を検出する。それにより、それらの記憶装
置に接続されたコンピュータ等がデータを読み取ること
ができる。また、媒体の表面に比較的強いエネルギのレ
ーザ光を照射してピット等を形成することによって、記
憶装置はコンピュータ等のデータを記憶させることがで
きる。

【０００３】一般に、ＤＶＤの媒体はＣＤの媒体と比較
するとピットが小さく、トラック間隔が狭い。従って、
媒体の表面に照射するレーザ光の波長は、通常、ＣＤの
媒体を読み取る場合には約780nmの帯域と比較的長く、
ＤＶＤの媒体を読み取る場合には約650nmの帯域と比較
的短い。

【０００４】１つの記憶装置がＣＤ媒体およびＤＶＤ媒
体からデータを検出することができるようにするにため
には、その記憶装置は約780nm帯域のレーザ光と約650nm
帯域のレーザ光との２つの光源を必要とする。近年にお
いては、省スペース化および軽量化等の要請により、１
つの半導体チップに二種類の波長のレーザ光を発振する
ことができる二波長型の半導体レーザ装置が普及してい
る。

【０００５】図５は、従来の二波長型の半導体レーザ装
置５００の斜視図である。半導体レーザ装置５００は、
650nm帯域のレーザ光１５を発振する650nm多重量子井戸
構造体（以下、650nmＭＱＷという）１０と780nm帯域の
レーザ光２５を発振する780nm多重量子井戸構造体（以
下、780nmＭＱＷという）２０とが互いに隣り合うよう
にして形成されている。

【０００６】650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ２０は
ともにＰ側電極３０とＮ側電極４０との間に挟まれるよ
うに形成される。650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ２
０はＰ側電極３０およびＮ側電極４０により電位を与え
られることによって、それぞれ650nm帯域のレーザ光１
５および780nm帯域のレーザ光２５を発振する。

【０００７】半導体レーザ装置５００はレーザ光を取り
出すための前端面５０およびレーザ光を前端面５０へ反
射させる後端面６０を有する。前端面５０には、650nm
帯域のレーザ光１５および780nm帯域のレーザ光２５の
それぞれを取り出す光取り出し口１７および光取り出し
口２７が設けられている。

【０００８】後端面６０にはレーザ光を前端面５０へ反
射させるために多層にした多層端面膜８０が積層されて
いる。一方、前端面５０にはレーザ光を効率的に取り出
すため、通常、後端面６０に設けられた多層端面膜８０
の反射率よりも低い反射率の単層端面膜７０が積層され
ている。

【０００９】一般に、現在のところ、ＤＶＤ−ＲＯＭに
使用される650nm帯域のレーザ光１５の前端面５０での
反射率は、ＤＶＤの媒体から反射するレーザ光の影響お
よび前端面５０からレーザ光を取り出す効率を考慮する
と、約20％であることが好ましい。一方で、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ等に使用される780nm帯域のレーザ光２５の前端面５
０での反射率は、高い出力のレーザ光を取り出すため
に、約5％以下であることが好ましい。

【００１０】半導体レーザ装置を大量に量産するために
は、端面膜７０および端面膜８０は、650nm帯域のレー
ザ光１５と780nm帯域のレーザ光２５とを区別すること
なく、それぞれ前端面５０および後端面６０に形成され
ることが望まれる。即ち、前端面５０には、端面膜７０
が一括形成されることが望まれる。それによって、半導
体レーザ装置の製造コストおよび製造のサイクルタイム
を低減できる。

【００１１】一般に、レーザ光の反射率は該レーザ光の
波長および通過する端面膜の膜厚に依存して周期的に変
化する。また、レーザ光の波長の相違によってその周期
が異なる。従って、端面膜７０に対する650nm帯域のレ
ーザ光１５の反射率と780nm帯域のレーザ光２５の反射
率は、端面膜７０の膜厚の増減によって互いに異なった
周期で変化する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、端面膜７０の
膜厚を増減させた場合でも650nm帯域のレーザ光１５の
反射率と780nm帯域のレーザ光２５の反射率との差も周
期的に変化するのみである。従って、650nm帯域のレー
ザ光１５の反射率が約20％であり、かつ780nm帯域のレ
ーザ光２５の前端面５０での反射率が約5％以下である
という所望の反射率の組合せは、特別な光学的な器具を
付加することなく、端面膜７０の膜厚を増減させること
のみによっては実現することができなかった。

【００１３】また、650nm帯域のレーザ光１５と780nm帯
域のレーザ光２５とが通過する前端面５０の端面膜をそ
れぞれ別個に形成することは製造コストを高め、製造の
サイクルタイムを長期化させていた。

【００１４】そこで、本発明は、製造コストを高めるこ
となく、また製造のサイクルタイムを長期化することも
なく、さらに特別な器具を付加することなく、互いに波
長の異なるレーザ光の反射率の組合せを任意に選択する
ことができる半導体レーザ装置を提供することを目的と
する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ装置は、少なくとも二つのクラッド層とダブルへテロ
接合され、波長λ１の第１のレーザ光および波長λ１と
は異なる波長λ２の第２のレーザ光をそれぞれ生ずる第
１の活性層および第２の活性層と、第１の活性層および
第２の活性層の光を取り出す面に積層される第１の端面
膜と、第１の端面膜の屈折率と異なる屈折率を有し、第
１の端面膜の上に積層される第２の端面膜とを備える。

【００１６】第１の端面膜および第２の端面膜はともに
屈折率が約1.7以下であることが好ましい。さらに、第
２の端面膜の屈折率は第１の端面膜の屈折率よりも小さ
いことが好ましい。第１の端面膜の膜厚ｄは、ほぼ、ｄ
＝（１／２＋ｊ）＊（λ１＋λ２）／２（ただし、ｊは
整数）を満たし、第２の端面膜の膜厚を変更することに
より、第２の端面膜における第１のレーザ光の反射率と
第２のレーザ光の反射率との組合せを任意に選択するこ
とができる。ｊ＝０が好ましい。

【００１７】現在のところ、波長λ１が約650nmであっ
て波長λ２が約780nmの場合に、第１のレーザ光の反射
率が約２０％であって第２のレーザ光の反射率が約５％
以下であるという反射率の組合せが好ましい。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図を参照しつつ実施の形態
を説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定
するものではない。

【００１９】図１は、本発明に従った実施の形態として
の半導体レーザ装置１００の斜視図である。半導体レー
ザ装置１００は、半導体基板３００（図３を参照）の上
に650nmＭＱＷ１０と780nmＭＱＷ２０とが互いに隣り合
うように一体形成されている。半導体基板としては、G
ａＡｓ基板やＳｉ基板などがある。650nmＭＱＷ１０お
よび780nmＭＱＷ２０はともにＰ側電極３０とＮ側電極
４０との間に挟まれるように形成されている。半導体レ
ーザ装置１００は前端面５０および後端面６０を有し、
前端面５０には、650nm帯域のレーザ光１５および780nm
帯域のレーザ光２５のそれぞれを取り出す光取り出し口
１７および光取り出し口２７が設けられている。後端面
６０には多層端面膜８０が積層されている。一方、前端
面５０には端面膜７０が積層されている。さらに、端面
膜７０の表面上には端面膜７２が積層されている。本実
施例において、多層端面膜８０、端面膜７０、７２の材
料としてはＳｉＯ_２またはＡｌ_２Ｏ_３などが使用され
る。

【００２０】図２は、半導体レーザ装置１００の平面図
である。後端面６０には多層端面膜８０が積層され、前
端面５０には端面膜７０および端面膜７２が積層されて
いることがわかる。

【００２１】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、図２のＡ
−Ａ′線に沿った半導体レーザ装置１００の拡大断面図
である。理解をしやすくするために、650nmＭＱＷ１０
と780nmＭＱＷ２０とを分けて記載している。実際に
は、650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ２０は同一のG
ａＡｓ半導体基板３００の上に一体形成されている。

【００２２】650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ２０は
同一のGａＡｓ半導体基板３００に形成される。しか
し、650nmＭＱＷ１０と780nmＭＱＷ２０との間をGａＡ
ｓ半導体基板３００までエッチングして溝９０（図１を
参照）を形成することによって、650nmＭＱＷ１０と780
nmＭＱＷ２０とが分離される。それよって、650nmＭＱ
Ｗ１０と780nmＭＱＷ２０とのいずれか一方から生ずる
熱が他方に影響を与えないようにして、半導体レーザ装
置１００の寿命を長期化することができる。また、溝９
０によって650nmＭＱＷ１０と780nmＭＱＷ２０とが電気
的に絶縁され、電気的な漏れを防止することができる。

【００２３】この溝９０を境界として、図３（Ａ）は65
0nmＭＱＷ１０の断面図を示し、図３（Ｂ）は780nmＭＱ
Ｗ２０の断面図を示す。

【００２４】以下、650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ
２０の構成を説明する。650nmＭＱＷ１０および780nmＭ
ＱＷ２０は第１のクラッド層３２０および第２のクラッ
ド層３６０を有し、第１のクラッド層３２０と第２のク
ラッド層３６０との間に活性層を有する。650nmＭＱＷ
１０の活性層３４０および780nmＭＱＷ２０の活性層３
４２は第１のクラッド層３２０および第２のクラッド層
３６０とによってダブルへテロ接合を形成している。第
１のクラッド層３２０および第２のクラッド層３６０と
活性層３４０または活性層３４２との間には、光取り出
し口１７および光取り出し口２７（図１参照）へレーザ
光を案内するための光ガイド層３３０および光ガイド層
３５０がそれぞれ存在する。GａＡｓ半導体基板３００
と第１のクラッド層３２０との間にはそれらの間の電気
的な接続を確実に得るためにバッファ層３１０が設けら
れている。また、第２のクラッド層３６０の上に形成さ
れる第３のクラッド層３９０を選択的にエッチングする
ときに第２のクラッド層３６０をオーバーエッチングし
ないようにするために、電流ブロック層３８０と第２の
クラッド層３６０との間にエッチング・ストップ層３７
０が設けられている。第３のクラッド層３９０の上には
第３のクラッド層３９０と電気的に接続する導電層３９
５が形成されている。第３のクラッド層３９０および導
電層３９５は同一のエッチング工程においてエッチング
される。また、第３のクラッド層３９０および導電層３
９５の周りには、導電層３９５の上に形成されるコンタ
クト層３９８と第２のクラッド層３６０とを絶縁する電
流ブロック層３８０が形成されている。さらに、コンタ
クト層３９８の上にはコンタクト層３９８との電気的な
接続を容易にするために電極３０が形成されている。ま
た、GａＡｓ半導体基板３００のＭＱＷが形成される面
と反対の面にはGａＡｓ半導体基板３００との電気的な
接続を容易にするために電極４０が形成されている。

【００２５】本実施例において、GａＡｓ半導体基板３
００は高抵抗のＮ型である。バッファ層３１０もＮ型の
GａＡｓを堆積することによって形成される。また、第
１のクラッド層３２０、第２のクラッド層３６０および
第３のクラッド層３９０はそれぞれＮ型のＩｎＧａＰお
よびＰ型のＩｎＧａＰを堆積することによって形成され
る。また、光ガイド層３３０および光ガイド層３５０は
それぞれＮ型のＩｎＧａＡｌおよびＰ型のＩｎＧａＡｌ
を堆積することによって形成される。650nmＭＱＷ１０
の活性層３４０は、ＩｎＧａＡｌとＩｎＧａＡｌＰとの
多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を形成する。780nmＭＱＷ
２０の活性層３４２は、ＧａＡｌＡｓとＩｎＧａＡｌＰ
とのＭＱＷを形成する。これらのＭＱＷを組成する材料
の相違または材料の組成比の相違によって、活性層３４
０および活性層３４２はそれぞれ波長の異なるレーザ光
を発振することができる。エッチング・ストップ層３７
０はＩｎＧａＰによって形成されており、電流ブロック
層３８０はＮ型のＧａＡｓを堆積することによって形成
される。導電層３９５はＰ型のＩｎＧａＰによって形成
されている。さらに、コンタクト層３９８はＰ型のＧａ
Ａｓを堆積することによって形成される。電極３０およ
び電極４０はＡｕ、ＺｎまたはＧｅ若しくはこれらを含
む導電性の材料で形成されている。

【００２６】以下、650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ
２０の動作を簡単に説明する。電極３０および電極４０
に電位が与えられることによって、電流がコンタクト層
３９８から導電層３９５を介して第３のクラッド層３９
０に流れる。その電流はさらに第２のクラッド層３６０
等を通過して活性層３４０および活性層３４２に流れ
る。それによって、活性層３４０および活性層３４２
は、それぞれ650nmの波長のレーザ光および780nmの波長
のレーザ光を発する。これらのレーザ光は光ガイド層３
３０および３５０によって案内され、光取り出し口１７
および光取り出し口２７（図１参照）から発振される。

【００２７】尚、第３のクラッド層３９０を選択的に形
成し、活性層３４０および活性層３４２に与えられる電
流を集中させることによって、活性層３４０および活性
層３４２の輝度が高められる。また、第３のクラッド層
３９０を選択的に形成し、ＳＢＲ（Selective Buried R
idge）構造を形成することによって、リッジ幅内でレー
ザ光が集中しやすい。また、それにより半導体レーザ装
置は、高出力時における単一の横モードを維持すること
ができるレーザ光を発振させることができ、レーザ光を
狭い領域へ照射することができる。

【００２８】本実施例において、活性層３４０と活性層
３４２は異なる組成の材料を使用している。しかし、活
性層以外の要素の材料は650nmＭＱＷ１０と780nmＭＱＷ
２０とにおいて異ならない。従って、活性層以外の各要
素は、それぞれ同じ製造工程で650nmＭＱＷ１０および7
80nmＭＱＷ２０が形成される部分に形成することができ
る。従って、製造のサイクルタイムを短縮することがで
き、コストを低減することができる。

【００２９】図３の650nmＭＱＷ１０および780nmＭＱＷ
２０の後端面６０には多層端面膜８０が積層され、前端
面５０には端面膜７０が積層される。さらに、端面膜７
０の表面上には端面膜７２が積層される。それによって
図１に示す半導体レーザ装置１００が形成される。

【００３０】端面膜７０と端面膜７２とは異なる屈折率
を有する。本実施例においては、端面膜７０としてＡｌ
_２Ｏ_３が使用され、端面膜７２としてＳｉＯ_２が使用さ
れている。Ａｌ_２Ｏ_３の屈折率およびＳｉＯ_２の屈折率
はそれぞれ約1.67および約1.47である。よってＡｌ_２Ｏ
_３およびＳｉＯ_２は、ともに屈折率が1.7より小さく、
低屈折率の材料である。従って、前端面５０が後端面６
０へ反射するレーザ光を低減することができる。よっ
て、半導体レーザ装置１００は効率良くレーザ光を取り
出すことができる。

【００３１】図４は、本実施の形態による半導体レーザ
装置１００の端面膜７０の膜厚および端面膜７２の膜厚
に対する端面での反射率の相関曲線を示したグラフを示
す図である。

【００３２】図４において、715nmの波長のレーザ光に
ついての反射率の相関曲線を実線ｌ _０で示す。また、65
0nmの波長のレーザ光についての反射率の相関曲線を波
線ｌ _１で示し、715nmの波長のレーザ光についての反射
率の相関曲線を波線ｌ_２で示す。

【００３３】650nmの波長のレーザ光および780nmの波長
のレーザ光はともに半導体レーザ装置１００の前端面５
０では約31％の反射率で取り出されている。前端面５０
に設けられた端面膜７０の厚さを0nmから増加すると、
反射率は約31％をピークに周期的に増減する。また、反
射率の増減の周期はレーザ光の波長に従い干渉すること
によって生ずる。従って、650nmの波長のレーザ光と780
nmの波長のレーザ光とでは反射率の増減の周期の位相が
ずれる。従って、通常、端面膜７０および端面膜７２の
材料や膜厚等の設計をするために、λ１＝650nmとλ２
＝780nmとした場合に、それらの中間の（λ１＋λ２）
／２＝715nmの波長のレーザ光が利用される。

【００３４】また、端面膜７０の膜厚の誤差によって反
射率が大きく変化することを防止するために、端面膜７
０はその膜厚に対して端面反射率の変化が小さいときの
膜厚にする。即ち、端面膜７０の膜厚は実線ｌ_０のうち
傾きが０に近い膜厚であることが望まれる。よって、λ
_０＝715nmとし端面膜７０の膜厚ｄとすると、膜厚ｄ
は、ｄ＝λ_０＊ｍ／４（式１）を満たすことが望まれる。ただし、ｍは自然数である。

【００３５】さらに、半導体レーザ装置１００の小型化
および軽量化のために、かつレーザ光の取り出しを早く
するために端面膜７０の膜厚および端面膜７２の膜厚の
和が小さい方が望ましい。即ち、式１のｍの値は小さい
方が望ましい。

【００３６】しかし、ｍ＝１すなわち端面膜７０の膜厚
ｄ＝λ_０／４とすると、図４からわかるように、レーザ
光は端面反射率が低下した状態から端面膜７２に入射す
る。端面反射率が低下した状態から端面反射率が増加す
る間、即ち、図４のλ_０／４とλ_０／２との間に、端面
膜７２内で650nmの波長のレーザ光および780nmの波長の
レーザ光のそれぞれの反射率が約20％および約5％以下
となる所望の反射率の組合せが実現する場合はない。従
って、いったん波長715nmのレーザ光の反射率が約31％
のピークに達した後、さらに所望の反射率の組合せを満
たす端面膜７２の膜厚が求められる。

【００３７】また、本実施の形態においては端面膜７２
として使用されるＳｉＯ_２の屈折率は約1.47であり、端
面膜７０として使用されるＡｌ_２Ｏ_３の屈折率約1.67よ
り小さいので、端面膜に対する端面反射率の増減の周期
は端面膜７０よりも端面膜７２において長くなる。従っ
て、端面膜７０の膜厚および端面膜７２の膜厚の和を考
慮すると、ＳｉＯ_２内、即ち端面膜７２内を通過するレ
ーザ光の波数は可能な限り少ない方が望ましい。

【００３８】しかし、端面膜７０の膜厚ｄ＝λ_０／４と
すると、上述のようにいったん波長715nmのレーザ光の
反射率が約31％のピークに達した後、さらに所望の反射
率の組合せを満たす端面膜７２の膜厚が求められる端面
膜７２を通過するレーザ光の波数が増加し、端面膜７０
の膜厚と端面膜７２の膜厚との和は結果的に大きくなっ
てしまう。

【００３９】一方で、ｍ＝２すなわち端面膜７０の膜厚
ｄ＝λ_０／２とした場合には、波長715ｎｍのレーザ光
の反射率が約31％のピークから低下するときに、端面膜
７２にレーザ光が入射する。レーザ光の反射率は端面膜
７２が増加するに従っていったん低下し、再び増加す
る。波長715ｎｍのレーザ光の反射率が約10％に達した
ときに、端面膜７２内で650nmの波長のレーザ光および7
80nmの波長のレーザ光のそれぞれの反射率が約20％およ
び約5％以下となる反射率の組合せが実現した。このと
き、端面膜７２の膜厚は約150ｎｍである。

【００４０】従って、650nmの波長のレーザ光および780
nmの波長のレーザ光のそれぞれの反射率が約20％および
約5％以下となる反射率の組合せを得るためには、端面
膜７０の膜厚ｄは、ｄ＝（１／２＋ｊ）＊λ_０（式２）を満たす端面膜７０の膜厚ｄが必要である。ただし、ｊ
は整数である。

【００４１】尚、ｊは０以外の整数であっても端面膜７
０の膜厚および端面膜７２の膜厚を考慮せずに所望の反
射率の組合せを得ることは可能であると考えられる。し
かし、好ましくはｊ＝０である。ｊ＝０であることによ
って、端面膜７０の膜厚と端面膜７２の膜厚との和が他
の整数ｊのときの端面膜７０の膜厚と端面膜７２の膜厚
との和に比べて小さくなる。

【００４２】また、端面膜７０と端面膜７２との材料を
変え、端面膜７０としてＳｉＯ_２を使用し、端面膜７２
としてＡｌ_２Ｏ_３を使用することが考えられる。しか
し、GａＡｓ半導体基板を使用する場合、ＳｉＯ_２はGａ
Ａｓと密着性が悪く基板から端面膜が剥離しやすくなっ
てしまう。従って、端面膜７０としてＳｉＯ_２を使用
し、端面膜７２としてＡｌ_２Ｏ_３を使用することは困難
である。

【００４３】本実施の形態においては、端面膜の材料と
してＡｌ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２が使用されている。しか
し、本発明はこれらの材料に限定することなく他の材料
を端面膜として使用でき、また、該端面膜の膜厚を変更
することができる。また、本実施の形態においては、端
面膜が二層に形成されているが、さらに端面膜を二層以
上にすることができる。それによって、650nmの波長の
レーザ光および780nmの波長のレーザ光のそれぞれの反
射率が約20％および約5％以下となる反射率の組合せ以
外の反射率の組合せを得ることができる。即ち、互いに
異なる波長を有する少なくとも２つのレーザ光の反射率
の所望の組合せを選択することができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明による半導体レーザ装置は、製造
コストを高めることなく、また製造のサイクルタイムを
長期化することもなく、さらに等別な器具を付加するこ
となく、互いに波長の異なるレーザ光の反射率の所望の
組合せを選択することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従った実施の形態としての半導体レー
ザ装置の斜視図。

【図２】半導体レーザ装置１００の平面図。

【図３】図２のＡ−Ａ′線に沿った半導体レーザ装置１
００の拡大断面図。

【図４】本実施の形態による半導体レーザ装置の端面膜
の膜厚に対する端面での反射率の相関曲線を示したグラ
フを示す図。

【図５】従来の二波長型の半導体レーザ装置の斜視図。

【符号の説明】１０ 650nmＭＱＷ２０ 780nmＭＱＷ３０、４０電極５０前端面６０後端面７０、７２端面膜８０多層端面膜１５、２５レーザ光１７、２７光取り出し口９０溝３００ GａＡｓ半導体基板３１０バッファ層３２０、３６０、３９０クラッド層３４０、３４０活性層３３０、３５０光ガイド層３７０エッチング・ストップ層３８０電流ブロック層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも二つのクラッド層とダブルへテ
ロ接合され、波長λ１の第１のレーザ光および前記波長
λ１とは異なる波長λ２の第２のレーザ光をそれぞれ生
ずる第１の活性層および第２の活性層と、前記第１の活性層および前記第２の活性層の光を取り出
す面に積層される第１の端面膜と、前記第１の端面膜の屈折率と異なる屈折率を有し、前記
第１の端面膜の上に積層される第２の端面膜と、を備える半導体レーザ装置。
【請求項２】前記第１の端面膜および前記第２の端面膜
はともに屈折率が約1.7以下であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】前記第２の端面膜の屈折率は前記第１の端
面膜の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項１に
記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】前記第１の端面膜の膜厚ｄは、ほぼ、ｄ＝
（１／２＋ｊ）＊（λ１＋λ２）／２（ただし、ｊは整
数）を満たすことを特徴とする請求項２または請求項３
に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】ｊ＝０であることを特徴とする請求項４に
記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】前記波長λ１は約650nmであり、前記波長
λ２は約780nmであり、前記組合せは、前記第２の端面膜における前記第１のレ
ーザ光に対する反射率が約２０％であり、前記第２のレ
ーザ光に対する反射率が約５％以下であることを特徴と
する請求項５に記載の半導体レーザ装置。