JP2001185811A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で波長の異なる複数のレーザ光を
光軸が一致するように出射することができる半導体レー
ザ装置を提供することである。 【解決手段】 青色半導体レーザ素子９の青色レーザ光
は青色半導体レーザ素子９の前端面から出射される。赤
色半導体レーザ素子１０の赤色レーザ光は青色半導体レ
ーザ素子９の導波路９ａを通過して青色半導体レーザ素
子９の前端面から出射される。赤外半導体レーザ素子１
１の赤外レーザ光は赤色半導体レーザ素子１０の導波路
１０ａを通過して青色半導体レーザ素子９の導波路９ａ
を通過して青色半導体レーザ素子９の前端面から出射さ
れる。それにより、青色半導体レーザ素子９と赤色半導
体レーザ素子１０と赤外半導体レーザ素子１１の光軸が
一致するように配置できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多波長のレーザ光
を出射する半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＤ（コンパクトディスク）、Ｃ
Ｄ−Ｒ（compact disc-recordable ）、ＣＤ−ＲＯＭ
（compact disc-read only memory ）の再生とＤＶＤ
（デジタルビデオディスク）との再生との間で互換性を
有する光ピックアップへの需要が高まっている。

【０００３】ＣＤ、ＣＤ−ＲおよびＣＤ−ＲＯＭの再生
には７８０ｎｍの波長を有するレーザ光が用いられる。
また、ＤＶＤの再生には６５０ｎｍ付近の波長を有する
レーザ光が用いられる。そのため、互換性を得ることが
できる半導体レーザ装置として、７８０ｎｍの波長の赤
外レーザ光を出射する半導体レーザ素子と６５０ｎｍの
波長の赤色レーザ光を出射する半導体レーザ素子とを近
接して配置した半導体レーザ装置が研究開発されてい
る。

【０００４】図１３〜図１５に従来の半導体レーザ装置
の構成を示す。図１３は従来の半導体レーザ装置の平面
図、図１４は図１３に示す半導体レーザ装置の側面図、
図１５は図１３に示す半導体レーザ装置の正面図であ
る。

【０００５】図１３の従来の半導体レーザ素子１０１
は、サブマウント１０２上に赤色レーザ光を出射する半
導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ）
１０８と赤外レーザ光を出射する半導体レーザ素子（以
下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ）１０９とを備えてい
る。

【０００６】赤色半導体レーザ素子用電極１０５および
共通電極１０７を介して赤色半導体レーザ素子１０８に
電流を供給することにより赤色半導体レーザ素子１０８
から赤色レーザ光１１１が出射され、赤外半導体レーザ
素子用電極１０６および共通電極１０７を介して赤外半
導体レーザ素子１０９に電流を供給することにより赤外
半導体レーザ素子１０９から赤外レーザ光１１２が出射
される。これら赤色レーザ光１１１と赤外レーザ光１１
２とは互いに平行になる。

【０００７】サブマウント１０２には、フォトダイオー
ド１０３およびその電極１０４が設けられており、電極
１０４から出力される光電流が赤色半導体レーザ素子１
０８および赤外半導体レーザ素子１０９の光出力のモニ
タに用いられる。

【０００８】赤色半導体レーザ素子１０８および赤外半
導体レーザ素子１０９は同一のＧａＡｓ基板１１０上に
モノリシックに形成されている。そのため、赤色半導体
レーザ素子１０８の導波路１０８ａおよび活性層１０８
ｂならびに赤外半導体レーザ素子１０９の導波路１０９
ａおよび活性層１０９ｂの位置精度が高く、赤色半導体
レーザ素子１０８および赤外半導体レーザ素子１０９に
おける発光点１０８ｃ，１０９ｃの間の位置精度および
光軸の平行精度がよい。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置１０１は２波長の赤色レーザ光１１１および赤外レー
ザ光１１２の発光点１０８ｃ，１０９ｃが互いに離れて
設けられているため、半導体レーザ装置１０１を使って
ＣＤ等のディスクの情報を読み取る際に、赤色レーザ光
１１１および赤外レーザ光１１２がディスクで反射され
て戻ってくるレーザ光のスポット位置が受光部上でずれ
てしまう。そのため、赤色レーザ光１１１および赤外レ
ーザ光１１２を受光するために２つの受光素子が必要に
なり、２つの受光素子を有する受光部が大きくなるとと
もに、受光素子に接続される回路構成も受光素子が１つ
の場合に比べて複雑になる。

【００１０】また、図１６に示すように、半導体レーザ
装置１０１から出射された赤色レーザ光１１１および赤
外レーザ光１１２を集光レンズ１１３によりディスク１
１４上に集めて、集光スポット１１５，１１６を形成さ
せる場合、２波長の赤色レーザ光１１１および赤外レー
ザ光１１２の光軸を同時に集光レンズ１１３の光軸に一
致させることができないので、集光スポット１１５，１
１６に収差が発生する。そのため、赤色レーザ光１１１
および赤外レーザ光１１２の反射光を受光素子で変換し
て生成される電気信号のＳ／Ｎ比が集光スポット１１
５，１１６の収差により悪くなるという問題がある。

【００１１】本発明の目的は、簡単な構成で波長の異な
る複数のレーザ光を光軸が一致するように出射すること
ができる半導体レーザ装置を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
に係る半導体レーザ装置は、異なる波長のレーザ光をそ
れぞれ出射する複数の半導体レーザ素子を備え、複数の
半導体レーザ素子のうちいずれかの半導体レーザ素子か
ら出射されるレーザ光が他の半導体レーザ素子の内部を
通過することにより複数の半導体レーザ素子から出射さ
れる複数のレーザ光の光軸が一致するように複数の半導
体レーザ素子が配置されたものである。

【００１３】本発明の半導体レーザ装置においては、複
数の半導体レーザ素子のうちいずれかの半導体レーザ素
子から出射されるレーザ光が他の半導体レーザ素子の内
部を通過することにより複数の半導体レーザ素子から出
射されるレーザ光の光軸が一致する。それにより、複数
の半導体レーザ素子から出射される複数のレーザ光を共
通の受光素子によって受光することが可能になる。した
がって、受光部を小型化することができるとともに受光
部の回路構成を簡単化することができる。また、複数の
半導体レーザ素子から出射される複数のレーザ光の光軸
と集光レンズの光軸とを一致させることができるので、
集光レンズを透過したレーザ光の収差を低減することが
できる。したがって、レーザ光を電気信号に変換したと
きのＳ／Ｎ比を向上させることができる。

【００１４】複数の半導体レーザ素子はそれぞれ導波路
を有し、相対的に短い波長のレーザ光を出射する半導体
レーザ素子の導波路中を相対的に長い波長のレーザ光が
通過するように複数の半導体レーザ素子が配置されても
よい。

【００１５】この場合、相対的に短い波長のレーザ光を
出射する半導体レーザ素子の導波路は、相対的に長い波
長のレーザ光のエネルギーに比べて大きな禁制帯幅を有
する。そのため、相対的に長い波長のレーザ光は、相対
的に短いレーザ光を出射する半導体レーザ素子の導波路
中で吸収されずに低い損失で通過することができる。し
たがって、高い光出力を得ることができる。

【００１６】複数の半導体レーザ素子の導波路がほぼ一
列に並ぶように複数の半導体レーザ素子が配置されても
よい。

【００１７】この場合、いずれかの半導体レーザ素子の
導波路の端面から出射されたレーザ光が隣接する他の半
導体レーザ素子の導波路の端面に直接入射する。それに
より、複数の半導体レーザ素子の導波路間での光の結合
効率が高くなる。したがって、他の半導体レーザ素子の
導波路を通過して出射されるレーザ光の出力が向上す
る。また、光学系を用いることなくいずれかの半導体レ
ーザ素子の導波路の端面から出射されたレーザ光を隣接
する他の半導体レーザ素子の導波路の端面に入射するこ
とができ、構成が簡単になる。

【００１８】複数の半導体レーザ素子のうち少なくとも
２つの半導体レーザ素子の導波路が並列に配置され、少
なくとも２つの半導体レーザ素子のうち相対的に短い波
長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の導波路に相
対的に長い波長のレーザ光を導く光学系をさらに備えた
ものである。

【００１９】この場合、少なくとも２つの半導体レーザ
素子の導波路が並列に配置されるので、光出射方向にお
ける半導体レーザ装置の長さを短縮することができ、狭
いスペースへの半導体レーザ装置の設置が容易になる。

【００２０】複数の半導体レーザ素子のいずれかは、相
対的に短い波長のレーザ光を前端面および後端面から出
射し、後端面から出射されたレーザ光が相対的に長い波
長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の導波路に入
射するように配置されたものである。

【００２１】この場合、相対的に長い波長のレーザ光を
出射する半導体レーザ素子の導波路は、相対的に短い波
長のレーザ光のエネルギーに比べて小さな禁制帯幅を有
する。そのため、いずれかの半導体レーザ素子の後端面
から出射された相対的に短い波長のレーザ光は、相対的
に長い波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の導
波路中で吸収されて光電流が発生する。したがって、光
電流を検出することにより、相対的に短い波長のレーザ
光を出射する半導体レーザ素子の光出力をモニタするこ
とができる。

【００２２】相対的に短い波長のレーザ光の出射時に、
相対的に長い波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素
子に流れる電流に基づいて相対的に短い波長のレーザ光
を出射する半導体レーザ素子の光出力を制御する制御回
路をさらに備えてもよい。

【００２３】この場合、相対的に短い波長のレーザ光の
光出力の変化に応じて相対的に長い波長のレーザ光を出
射する半導体レーザ素子に流れる電流が変化するので、
その電流に基づいて制御回路により相対的に短い波長の
レーザ光を出射する半導体レーザ素子の光出力を制御す
ることによって、相対的に短い波長のレーザ光の出力を
安定させることができる。

【００２４】複数の半導体レーザ素子の導波路間に球レ
ンズが配置されてもよい。この場合、各半導体レーザ素
子の導波路から広がるように出射されるレーザ光が球レ
ンズにより集束されて隣接する半導体レーザ素子の導波
路に入射されるので、隣接する半導体レーザ素子の導波
路間での光の結合効率が高くなる。その結果、相対的に
波長の長いレーザ光の光出力を向上させることができ
る。

【００２５】複数の半導体レーザ素子は個々の基板上に
形成され、共通のサブマウント上に配置されてもよい。

【００２６】この場合、複数の半導体レーザ素子を並行
して製造することができるので、半導体レーザ装置の製
造時間が短縮される。

【００２７】複数の半導体レーザ素子は共通の基板上に
形成され、共通のサブマウント上に配置されてもよい。

【００２８】この場合、製造時に複数の半導体レーザ素
子が共通の基板上に位置決めされるので、複数の半導体
レーザ素子をサブマウント上に取り付ける際に位置決め
が不要となる。

【００２９】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
における半導体レーザ装置の構成を示す模式的平面図で
ある。また、図２は図１の半導体レーザ装置の模式的側
面図である。

【００３０】図１の半導体レーザ装置１においては、サ
ブマウント２上に、青色レーザ光を発生する半導体レー
ザ素子（以下、青色半導体レーザ素子と呼ぶ）９、赤色
レーザ光を発生する半導体レーザ素子（以下、赤色半導
体レーザ素子と呼ぶ）１０および赤外レーザ光を発生す
る半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼
ぶ）１１が一列に並べて配置されている。

【００３１】青色半導体レーザ素子９、赤色半導体レー
ザ素子１０および赤外半導体レーザ素子１１はそれぞれ
共振器を構成する導波路９ａ，１０ａ，１１ａを有して
おり、これら導波路９ａ，１０ａ，１１ａは、それらか
ら出射されるレーザ光の光軸が一致するように互いに近
接してほぼ一直線に配置されている。また、図２に示す
ように、導波路９ａ，１０ａ，１１ａが形成される活性
層９ｂ，１０ｂ，１１ｂの高さが等しくなるように青色
半導体レーザ素子９、赤色半導体レーザ素子１０および
赤外半導体レーザ素子１１がサブマウント２の上面に基
板側を上に向けて固定されている。

【００３２】青色半導体レーザ素子９は表面電極および
負極電極を有し、赤色半導体レーザ素子１０は表面電極
および裏面電極を有し、赤外半導体レーザ素子１１は表
面電極および裏面電極を有する。

【００３３】青色半導体レーザ素子９、赤色半導体レー
ザ素子１０および赤外半導体レーザ素子１１の表面電極
は、サブマウント２上に独立に設けられた青色半導体レ
ーザ素子用電極５、赤色半導体レーザ素子用電極６およ
び赤外半導体レーザ素子用電極７にそれぞれ接合されて
いる。青色半導体レーザ素子９の負極電極は直接サブマ
ウント２上の共通電極８に接合され、赤色半導体レーザ
素子１０および赤外半導体レーザ素子１１の裏面電極は
それぞれワイヤ１２を介してサブマウント２上の共通電
極８に接続されている。

【００３４】赤外半導体レーザ素子１１の後方における
サブマウント２上に拡散領域からなるフォトダイオード
３が設けられている。フォトダイオード３は赤外半導体
レーザ素子１１の後端面側から出射された赤外レーザ光
の光出力に応じた電流をサブマウント２上の表面電極４
から出力する。

【００３５】本実施の形態によれば、赤外半導体レーザ
素子１１の点灯時に、赤外半導体レーザ素子１１の前端
面から出射された赤外レーザ光が赤色半導体レーザ素子
１０の導波路１０ａおよび青色半導体レーザ素子９の導
波路９ａを通過して青色半導体レーザ素子９の前端面か
ら出射される。また、赤色半導体レーザ素子１０の点灯
時に、赤色半導体レーザ素子１０の前端面から出射され
た赤色レーザ光が青色半導体レーザ素子９の導波路９ａ
を通過して青色半導体レーザ素子９の前端面から出射さ
れる。それにより、青色半導体レーザ素子９から出射さ
れる青色レーザ光の光軸と赤色半導体レーザ素子１０か
ら出射される赤色レーザ光の光軸と赤外半導体レーザ素
子１１から出射される赤外レーザ光の光軸とを一致させ
ることができる。したがって、青色半導体レーザ素子９
の光軸上に受光素子を配置することにより、共通の受光
素子により、青色レーザ光、赤色レーザ光および赤外レ
ーザ光の受光が可能になる。それにより、半導体レーザ
装置を用いた光ピックアップ等の装置の構造および回路
構成を簡単にすることができる。

【００３６】また、青色半導体レーザ素子９から出射さ
れる青色レーザ光の光軸と集光レンズの光軸とを一致さ
せることにより、赤色半導体レーザ素子１０の光軸およ
び赤外半導体レーザ素子１１の光軸が集光レンズの光軸
と一致するので、青色レーザ光の収差を低減するととも
に赤色レーザ光および赤外レーザ光の収差を低減でき、
青色レーザ光、赤色レーザ光および赤外レーザ光を受光
素子によって電気信号に変換したときのＳ／Ｎ比を向上
させることができる。

【００３７】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は青色半導体
レーザ素子９、赤色半導体レーザ素子１０および赤外半
導体レーザ素子１１の構成をそれぞれ示す正面図であ
る。

【００３８】図３（ａ）に示す青色半導体レーザ素子９
においては、厚さ１９５．３μｍのサファイア基板２０
上に、厚さ０．０２μｍのＡｌＧａＮバッファ層２１、
厚さ４μｍのＧａＮコンタクト層２２、厚さ０．７μｍ
のＡｌＧａＮクラッド層２３、および厚さ０．１μｍの
ＩｎＧａＮ活性層２４が順に形成されている。

【００３９】ＩｎＧａＮ活性層２４上にＡｌＧａＩｎＮ
クラッド層２５が形成され、このＡｌＧａＩｎＮクラッ
ド層２５がエッチングされてリッジ部およびリッジ部両
側の厚さ０．５μｍの平坦部が形成されている。さら
に、ＡｌＧａＩｎＮクラッド層２５上に、リッジ部の上
面にストライプ状開口部を有する厚さ０．５μｍのＡｌ
ＧａＮ電流ブロック層２６が形成され、開口部内のＡｌ
ＧａＩｎＮクラッド層２５上およびＡｌＧａＮ電流ブロ
ック層２６上に厚さ３μｍのＧａＮコンタクト層２７が
形成されている。

【００４０】ＧａＮコンタクト層２７からＧａＮコンタ
クト層２２までの一部領域がエッチングされ、露出した
ＧａＮコンタクト層２２上に負極電極２９が形成されて
いる。また、ＧａＮコンタクト層２７上に厚さ２μｍの
表面電極２８が形成されている。

【００４１】図３（ｂ）に示す赤色半導体レーザ素子１
０においては、厚さ１９８μｍのＧａＡｓ基板３１上
に、厚さ１．５μｍのＡｌＧａＩｎＰクラッド層３２、
および厚さ０．１μｍのＡｌＧａＩｎＰ活性層３３が順
に形成されている。

【００４２】ＡｌＧａＩｎＰ活性層３３上にＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層３４が形成され、このＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層３４がエッチングされてリッジ部およびリッジ
部両側の厚さ１．５μｍの平坦部が形成されている。さ
らに、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３４上に、リッジ部の
上面にストライプ状開口部を有する厚さ１μｍの電流ブ
ロック層３５が形成され、開口部内のＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層３４上および電流ブロック層３５上に、厚さ３
μｍのＧａＡｓコンタクト層３６が形成されている。

【００４３】ＧａＡｓコンタクト層３６上には厚さ０．
５μｍの表面電極３７が形成されている。また、ＧａＡ
ｓ基板３１の裏面に厚さ０．５μｍの裏面電極３８が形
成されている。

【００４４】図３（ｃ）に示す赤外半導体レーザ素子１
１においては、厚さ１９８μｍのＧａＡｓ基板４１上
に、厚さ１．５μｍのＡｌＧａＡｓクラッド層４２、お
よび厚さ０．１μｍのＡｌＧａＡｓ活性層４３が順に形
成されている。

【００４５】ＡｌＧａＡｓ活性層４３上にＡｌＧａＡｓ
クラッド層４４が形成され、このＡｌＧａＡｓクラッド
層４４がエッチングされてリッジ部およびリッジ部両側
の厚さ１．５μｍの平坦部が形成されている。さらに、
ＡｌＧａＡｓクラッド層４４上に、リッジ部の上面にス
トライプ状開口部を有する１μｍの電流ブロック層４５
が形成されている。開口部内のＡｌＧａＡｓクラッド層
４４上および電流ブロック層４５上に、厚さ３μｍのＧ
ａＡｓコンタクト層４６が形成されている。

【００４６】ＧａＡｓコンタクト層４６上には厚さ０．
５μｍの表面電極４７が形成されている。また、ＧａＡ
ｓ基板４１の裏面には厚さ０．５μｍの裏面電極４８が
形成されている。

【００４７】以上のように構成することにより、青色半
導体レーザ素子９の表面電極２８からＡｌＧａＩｎＮク
ラッド層２５とＩｎＧａＮ活性層２４との界面までの厚
さが６μｍになり、赤色半導体レーザ素子１０の表面電
極３７からＡｌＧａＩｎＰクラッド層３４とＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層３３との界面までの厚さが６μｍになり、赤
外半導体レーザ素子１１の表面電極４７からＡｌＧａＡ
ｓクラッド層４４とＡｌＧａＡｓ活性層４３との界面ま
での厚さが６μｍになる。

【００４８】それにより、青色半導体レーザ素子９、赤
色半導体レーザ素子１０および赤外半導体レーザ素子１
１を図２に示したようにサブマウント２上に固定した場
合、ＩｎＧａＮ活性層２４、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３３
およびＡｌＧａＡｓ活性層４３の高さが一致する。

【００４９】なお、青色半導体レーザ素子９のサファイ
ア基板２０からＡｌＧａＮクラッド層２３とＩｎＧａＮ
活性層２４との界面までの厚さが２００μｍとなり、赤
色半導体レーザ素子１０の裏面電極３８からＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層３２とＡｌＧａＩｎＰ活性層３３との境
界までの厚さが２００μｍとなり、赤外半導体レーザ素
子１１の裏面電極３８からＡｌＧａＡｓクラッド層４２
とＡｌＧａＡｓ活性層４３との界面までの厚さが２００
μｍとなるので、青色半導体レーザ素子９、赤色半導体
レーザ素子１０および赤外半導体レーザ素子１１のサフ
ァイア基板２０、裏面電極３８および裏面電極４８をサ
ブマウント２の上面に固定した場合であっても、ＩｎＧ
ａＮ活性層２４、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３３およびＡｌ
ＧａＡｓ活性層４３の高さが一致する。

【００５０】図３に示すように、青色半導体レーザ素子
９においては、ＩｎＧａＮ活性層２４が上下からそれぞ
れに屈折率の小さなＡｌＧａＮクラッド層２３およびＡ
ｌＧａＩｎＮクラッド層２５で挟まれている。また、Ａ
ｌＧａＮ電流ブロック層２６により電流が狭窄されると
ともに、ＡｌＧａＮ電流ブロック層２６下のＩｎＧａＮ
活性層２４の領域とストライプ状開口部下のＩｎＧａＮ
活性層２４の領域とに実効的な屈折率差が与えられる。
それにより、光の横モード制御が行われる。その結果、
青色半導体レーザ素子９のＩｎＧａＮ活性層２４に青色
レーザ光が導波するストライプ状の導波路９ａ（図１参
照）が形成される。

【００５１】同様に、赤色半導体レーザ素子１０におい
ても、赤色半導体レーザ素子１０に図１に示した赤色レ
ーザ光が導波する導波路１０ａが形成される。同様に、
赤外半導体レーザ素子１１においても、ＡｌＧａＡｓ活
性層４３に図１に示した赤外レーザ光が導波する導波路
１１ａが形成される。

【００５２】赤外半導体レーザ素子１１の点灯時に、赤
外半導体レーザ素子１１の前端面から出射された赤外レ
ーザ光は、赤色半導体レーザ素子１０の導波路１０ａに
結合し、導波路１０ａ中を導波する。赤色半導体レーザ
素子１０の前端面から出射された赤外レーザ光は、青色
半導体レーザ素子９の導波路９ａに結合し、導波路９ａ
中を導波し、青色半導体レーザ素子９の前端面から出射
される。

【００５３】同様に、赤色半導体レーザ素子１０の点灯
時に、赤色半導体レーザ素子の前端面から出射された赤
色レーザ光は、青色半導体レーザ素子９の導波路９ａに
結合し、導波路９ａ中を導波し、青色半導体レーザ素子
９の前端面から出射される。

【００５４】導波路９ａ，１０ａ，１１ａの厚さを規定
する活性層２４，３３，４３の厚さと、導波路９ａ，１
０ａ，１１ａの横方向の幅を規定するクラッド層２５，
３４，４４のリッジ部の下端の幅ならびに青色半導体レ
ーザ素子９、赤色半導体レーザ素子１０および赤外半導
体レーザ素子１１間の間隔は、光の結合効率と導波の損
失とを考慮して最適に設計される。

【００５５】また、青色半導体レーザ素子９、赤色半導
体レーザ素子１０および赤外半導体レーザ素子１１の導
波路９ａ，１０ａ，１１ａを構成する材料の禁制帯幅は
この順に小さくなる。したがって、赤色半導体レーザ素
子１０から出射される赤色レーザ光および赤外半導体レ
ーザ素子１１から出射される赤外レーザ光の波長に相当
するエネルギーより青色半導体レーザ素子９の導波路９
ａの禁制帯幅が大きいので、赤色レーザ光および赤外レ
ーザ光は導波路９ａを小さな損失で通過することができ
る。同様に、赤外半導体レーザ素子１１から出射される
赤外レーザ光の波長に相当するエネルギーより赤色半導
体レーザ素子１０の導波路１０ａの禁制帯幅が大きいの
で、赤外レーザ光は導波路１０ａを小さな損失で通過す
ることができる。

【００５６】サブマウント２上への青色半導体レーザ素
子９、赤色半導体レーザ素子１０および赤外半導体レー
ザ素子１１の位置決めは次のようにして行う。まず、赤
外半導体レーザ素子１１をサブマウント２上に固定した
後、赤外半導体レーザ素子１１の前方に赤色半導体レー
ザ素子１０を配置し、赤外半導体レーザ素子１１を点灯
させ、赤色半導体レーザ素子１０を通過して前端面から
出射される赤外レーザ光の光出力が最大となるように赤
色半導体レーザ素子１０を位置決めする。次に、赤色半
導体レーザ素子１０をサブマウント２上に固定した後、
赤色半導体レーザ素子１０の前方に青色半導体レーザ素
子９を配置し、赤色半導体レーザ素子１０を点灯させ、
青色半導体レーザ素子９を通過して前端面から出射され
る赤色レーザ光の光出力が最大となるように青色半導体
レーザ素子９を位置決めし、サブマント２上に固定す
る。

【００５７】図４は半導体レーザ装置１を制御するため
の制御回路の構成を示す回路図である。図４に示す制御
回路は、レーザ駆動回路１５，１６，１７およびスイッ
チＳＷ１，ＳＷ２を備えている。表１には半導体レーザ
装置１を駆動する際の点灯している半導体レーザ素子と
スイッチとの関係が示されている。

【００５８】

【表１】

【００５９】青色半導体レーザ素子９のアノード（図３
の表面電極２８）は図１の青色半導体レーザ素子用電極
５を介してレーザ駆動回路１５に接続され、カソード
（図３の負極電極２９）は図１の共通電極８を介して接
地されている。赤色半導体レーザ素子１０のアノード
（図３の表面電極３７）は図１の赤色半導体レーザ素子
用電極６を介してスイッチＳＷ１に接続され、カソード
（図３の裏面電極３８）は図１の共通電極８を介して接
地されている。スイッチＳＷ１が接点Ａ側に切り換えら
れると赤色半導体レーザ素子１０のアノードがレーザ駆
動回路１５に接続され、スイッチＳＷ１が接点Ｂ側に切
り換えられると赤色半導体レーザ素子１０のアノードが
レーザ駆動回路１６に接続される。

【００６０】赤外半導体レーザ素子１１のアノード（図
３の表面電極４７）は図１の赤外半導体レーザ素子用電
極７を介してスイッチＳＷ２に接続され、カソード（図
３の裏面電極４８）は図１の共通電極８を介して接地さ
れている。スイッチＳＷ２が接点Ａ側に切り換えられる
と赤外半導体レーザ素子１１のアノードがレーザ駆動回
路１６に接続され、スイッチＳＷ２が接点Ｂ側に切り換
えられると赤外半導体レーザ素子１１のアノードがレー
ザ駆動回路１７に接続される。フォトダイオード３のア
ノード（図１の表面電極４）はレーザ駆動回路１７に接
続され、カソードは接地されている。

【００６１】図４のスイッチＳＷ１が接点Ａ側に切り換
えられると、青色半導体レーザ素子９が点灯するととも
に、赤色半導体レーザ素子１０のアノードとレーザ駆動
回路１５とが接続される。青色半導体レーザ素子９が点
灯すると、図１の青色半導体レーザ素子９の前端面から
図１および図２の矢印１３の方向に青色レーザ光が出射
されるとともに、青色半導体レーザ素子９の後端面から
出射された青色レーザ光が図１の赤色半導体レーザ素子
１０の導波路１０ａに入射する。

【００６２】この場合、赤色半導体レーザ素子１０はフ
ォトダイオードとして働き、青色レーザ光の光出力に応
じて赤色半導体レーザ素子１０に電流が発生する。レー
ザ駆動回路１５は、その光電流に基づいて青色半導体レ
ーザ素子９に供給する電流を制御することにより光出力
を制御する。

【００６３】図４のスイッチＳＷ１が接点Ｂ側に接続さ
れ、かつスイッチＳＷ２が接点Ａ側に接続されると、赤
色半導体レーザ素子１０が点灯するとともに、赤外半導
体レーザ素子１１とレーザ駆動回路１６とが接続され
る。赤色半導体レーザ素子１０が点灯すると、図１の赤
色半導体レーザ素子１０の前端面から図１の青色半導体
レーザ素子９の導波路９ａを通過して矢印１３の方向に
赤色レーザ光が出射される。赤色レーザ光は青色半導体
レーザ素子９の導波路９ａを通過して青色半導体レーザ
素子９の前端面から出射される。また、図１の赤色半導
体レーザ素子１０の後端面から出射された赤色レーザ光
は赤外半導体レーザ素子１１の導波路１１ａに入射す
る。

【００６４】この場合、赤外半導体レーザ素子１１はフ
ォトダイオードとして働き、赤色レーザ光の光出力に応
じて赤外半導体レーザ素子１１に光電流が発生する。レ
ーザ駆動回路１６は、その光電流に基づいて赤色半導体
レーザ素子１０に供給する電流を制御することにより光
出力を制御する。

【００６５】図４のスイッチＳＷ２が接点Ｂ側に接続さ
れると、赤外半導体レーザ素子１１が点灯するととも
に、フォトダイオード３とレーザ駆動回路１７とが接続
される。図１の赤外半導体レーザ素子１１が点灯する
と、図１の赤外半導体レーザ素子１１の前端面から図１
の赤色半導体レーザ素子１０の導波路１０ａおよび図１
の青色半導体レーザ素子９の導波路９ａを通過して青色
半導体レーザ素子９の前端面から矢印１３の方向に赤外
レーザ光が出射される。また、図１の赤外半導体レーザ
素子１１の後端面から出射された赤外レーザ光は図１の
フォトダイオード３により受光される。

【００６６】この場合、赤外レーザ光の光出力に応じて
フォトダイオード３に光電流が発生する。レーザ駆動回
路１７は、その光電流に基づいて赤外半導体レーザ素子
１１に供給する電流を制御することにより光出力を制御
する。

【００６７】図５（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザ素
子９の構成の他の例を示す模式的断面図である。

【００６８】図５（ａ）に示す青色半導体レーザ素子９
においては、厚さ１９７．３μｍのＧａＮ基板５１上
に、厚さ０．７μｍのＡｌＧａＮクラッド層５２、およ
び厚さ０．１μｍのＩｎＧａＮ活性層５３が順に形成さ
れている。

【００６９】ＩｎＧａＮ活性層５３上に、ＡｌＧａＩｎ
Ｎクラッド層５４が形成され、このＡｌＧａＩｎＮクラ
ッド層５４がエッチングされてリッジ部およびリッジ部
両側の厚さ０．５μｍの平坦部が形成されている。さら
に、ＡｌＧａＩｎＮクラッド層５４上に、リッジ部の上
面に開口部を有する厚さ０．５μｍのＡｌＧａＮ電流ブ
ロック層５５が形成され、開口部内のＡｌＧａＩｎＮク
ラッド層５４上およびＡｌＧａＮ電流ブロック層５５上
に厚さ３μｍのＧａＮコンタクト層５６が形成されてい
る。

【００７０】ＧａＮコンタクト層５６上には厚さ２μｍ
の表面電極５７が形成されている。また、ＧａＮ基板５
１の裏面に厚さ２μｍの裏面電極５８が形成されてい
る。

【００７１】このように、図５（ａ）の青色半導体レー
ザ素子９は裏面電極５８を有するので、図３（ｂ）の赤
色半導体レーザ素子１０および図３（ｃ）の赤外半導体
レーザ素子１１と同様の実装方法を用いることができ
る。

【００７２】図５（ｂ）に示す青色半導体レーザ素子９
においては、厚さ１９５．３μｍのＧａＡｓ基板６１上
に、厚さ２μｍのＧａＮコンタクト層６２、厚さ０．７
μｍのＡｌＧａＮクラッド層６３、および厚さ０．１μ
ｍのＩｎＧａＮ活性層６４が順に形成されている。

【００７３】ＩｎＧａＮ活性層６４上に、ＡｌＧａＩｎ
Ｎクラッド層６５が形成され、このＡｌＧａＩｎＮクラ
ッド層６５がエッチングされてリッジ部およびリッジ部
両側の厚さ０．５μｍの平坦部が形成されている。さら
に、ＡｌＧａＩｎＮクラッド層６５上に、リッジ部の上
面に開口部を有する厚さ０．５μｍのＡｌＧａＩｎＮ電
流ブロック層６６が形成され、開口部内のＡｌＧａＩｎ
Ｎクラッド層６５上およびＡｌＧａＮ電流ブロック層６
６上に厚さ３μｍのＧａＮコンタクト層６７が形成され
ている。

【００７４】ＧａＮコンタクト層６７上に厚さ２μｍの
表面電極が形成されている。また、ＧａＡｓ基板６１の
裏面に厚さ２μｍの裏面電極６９が形成されている。

【００７５】このように、図５（ｂ）の青色半導体レー
ザ素子９は裏面電極６９を有するので、図３（ｂ）の赤
色半導体レーザ素子１０および図３（ｃ）の赤外半導体
レーザ素子１１と同様の実装方法を用いることができ
る。

【００７６】図６は本発明の第２の実施の形態における
半導体レーザ素子の構成を示す模式的側面図である。ま
た、図７は図１の半導体レーザ装置に用いられる半導体
レーザ素子の構成を示す模式的斜視図である。

【００７７】図６の半導体レーザ素子７１においては、
サブマウント７２上に、青色半導体レーザ素子７９、赤
色半導体レーザ素子８０および赤外半導体レーザ素子８
１が一列に並べて配置されている。

【００７８】図６の半導体レーザ装置７１が図１の半導
体レーザ装置１と異なるのは、青色半導体レーザ素子７
９、赤色半導体レーザ素子８０および赤外半導体レーザ
素子８１が共通のＧａＡｓ基板８２上に形成されている
点である。

【００７９】ＧａＡｓ基板８２上に共通電極７８が形成
されており、サブマウント７２の上には青色半導体レー
ザ素子用電極７５、赤色半導体レーザ素子用電極７６お
よび赤外半導体レーザ素子用電極７７が形成されてい
る。青色半導体レーザ素子７９、赤色半導体レーザ素子
８０および赤外半導体レーザ素子８１はそれぞれ表面電
極を有するとともに互いに共通の共通電極７８を有す
る。青色半導体レーザ素子７９の表面電極は青色半導体
レーザ素子用電極７５に接合され、赤色半導体レーザ素
子８０の表面電極は赤色半導体レーザ素子用電極７６に
接合され、赤外半導体レーザ素子８１の表面電極は赤外
半導体レーザ素子用電極７７に接合される。

【００８０】共通電極７８および青色半導体レーザ素子
用電極７５を介して供給される電流によって青色半導体
レーザ素子７９が点灯され、共通電極７８および赤色半
導体レーザ素子用電極７６を介して供給される電流によ
って赤色半導体レーザ素子８０が点灯され、共通電極７
８および赤外半導体レーザ素子用電極７７を介して供給
される電流によって赤外半導体レーザ素子８１が点灯さ
れる。

【００８１】赤外半導体レーザ素子１１の後端面側のサ
ブマウント７２上にフォトダイオード７３が設けられて
いる。フォトダイオード７３は赤外半導体レーザ素子８
１の後端面から出射された赤外レーザ光の光出力に応じ
た電流をサブマウント７２上の表面電極７４から出力す
る。

【００８２】図７に示す青色半導体レーザ素子７９、赤
色半導体レーザ素子８０および赤外半導体レーザ素子８
１の製造時に、導波路７９ａ，８０ａ，８１ａが互いに
近接して一直線に配置されるように位置決めされるとと
もに、導波路７９ａ，８０ａ，８１ａが形成される活性
層７９ｂ，８０ｂ，８１ｂの高さも位置決めされる。そ
のため、サブマウント７２上に半導体レーザ素子７９，
８０，８１を取り付ける際に半導体レーザ素子７９，８
０，８１の位置決めが不要となる。したがって、青色半
導体レーザ素子７９、赤色半導体レーザ素子８０および
赤外半導体レーザ素子８１から出射される青色レーザ
光、赤色レーザ光および赤外レーザ光の光軸の一致精度
が高くなる。

【００８３】図４に示すレーザ駆動回路１５〜１７およ
びスイッチＳＷ１，ＳＷ２からなる制御回路が青色半導
体レーザ素子７９、赤色半導体レーザ素子８０および赤
外半導体レーザ素子８１に接続される。それにより、青
色半導体レーザ素子７９の点灯時には、青色半導体レー
ザ素子７９の光出力が赤色半導体レーザ素子８０に発生
する光電流に基づいて制御される。同様に、赤色半導体
レーザ素子８０の点灯時には、赤色半導体レーザ素子８
０の光出力が赤外半導体レーザ素子８１に発生する光出
力に基づいて制御される。さらに、赤外半導体レーザ素
子８１の点灯時には、赤外半導体レーザ素子８１の光出
力がフォトダイオード７３に発生する光電流に基づいて
制御される。

【００８４】本実施の形態の半導体レーザ装置７１によ
れば、第１の実施の形態の半導体レーザ装置１と同様
に、青色半導体レーザ素子７９の光軸上に受光素子を配
置することにより、共通の受光素子によって、青色半導
体レーザ素子７９から出射される青色レーザ光、赤色半
導体レーザ素子８０から出射される赤色レーザ光および
赤外半導体レーザ素子８１から出射される赤外レーザ光
の受光が可能になる。それにより、半導体レーザ装置を
用いた光ピックアップ等の装置の構造および回路構成を
簡単にすることができる。

【００８５】また、青色半導体レーザ素子７９の光軸と
集光レンズの光軸とを一致させることにより、赤色半導
体レーザ素子８０の光軸および赤外半導体レーザ素子８
１の光軸を集光レンズの光軸と一致させることができ
る。それにより、青色レーザ光の収差を低減するととも
に、赤色レーザ光および赤外レーザ光の収差を低減で
き、青色レーザ光、赤色レーザ光および赤外レーザ光を
受光素子によって電気信号に変換したときのＳ／Ｎ比を
向上させることができる。

【００８６】次に、図８および図９を用いて図７に示す
半導体レーザ素子の製造方法について説明する。図８
（ａ）〜（ｅ）および図９（ｆ）〜（ｊ）は図７の半導
体レーザ素子の製造方法を示す模式的工程断面図であ
る。

【００８７】図８（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板８
２の上面のうちの一部の領域を除いてＳｉＯ₂ 膜８４を
マスクとして形成する。次に、図８（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓ基板８０の上面のうちＳｉＯ₂ 膜８４によ
り被覆されていない領域に青色半導体レーザ素子７９を
形成する。

【００８８】ＧａＡｓ基板８２上のＳｉＯ₂ 膜８４を除
去した後、図８（ｃ）に示すように、ＧａＡｓ基板８２
の上面のうち一部の領域を除いて青色半導体レーザ素子
７９を覆うようにＳｉＯ₂ 膜８５をマスクとして形成す
る。図８（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ基板８２の上面
のうちＳｉＯ₂ 膜８５により被覆されていない領域に赤
外半導体レーザ素子８１を形成する。

【００８９】ＳｉＯ₂ 膜８５を除去した後、図８（ｅ）
に示すように、ＧａＡｓ基板８２の露出面を除いて青色
半導体レーザ素子７９および赤外半導体レーザ素子８１
を覆うようにＳｉＯ₂ 膜８６をマスクとして形成する。
図９（ｆ）に示すように、ＧａＡｓ基板８２の上面のう
ちＳｉＯ₂ 膜８６で被覆されていない領域に、赤色半導
体レーザ素子８０を形成する。

【００９０】ＳｉＯ₂ 膜８６を除去した後、図９（ｇ）
に示すように、青色半導体レーザ素子７９、赤色半導体
レーザ素子８０および赤外半導体レーザ素子８１の上面
にＮｉ等の金属膜８７を形成する。

【００９１】次に、図９（ｈ）に示すように、金属膜８
７をマスクとしてドライエッチングを行い、青色半導体
レーザ素子７９、赤色半導体レーザ素子８０および赤外
半導体レーザ素子８１の共振器端面を形成する。

【００９２】図９（ｉ）に示すように、金属膜８７を除
去した後、図９（ｊ）に示すように、青色半導体レーザ
素子７９の上面に表面電極７９ｃを形成し、赤色半導体
レーザ素子８０の上面に表面電極８０ｃを形成し、赤外
半導体レーザ素子８１の上面に表面電極８１ｃを形成す
る。また、ＧａＡｓ基板８２の下面に共通電極７８を形
成する。

【００９３】図８および図９に示す工程は、１枚のウエ
ハ上の多数の箇所に対して同時に行われる。図１０はウ
エハ状のＧａＡｓ基板８２に対する複数の半導体レーザ
素子の製造工程を示す工程図である。

【００９４】図１０（ａ）に示すように、ウエハ状のＧ
ａＡｓ基板８２の上面に複数の青色半導体レーザ素子７
９が複数列に形成される。図１０（ｂ）に示すように、
ＧａＡｓ基板８２の上面のうち複数の青色半導体レーザ
素子７９の列の間に赤外半導体レーザ素子８１が複数列
に形成される。さらに、図１０（ｃ）に示すように、Ｇ
ａＡｓ基板８２の上面のうち青色半導体レーザ素子７９
および赤外半導体レーザ素子８１の列の間に赤色半導体
レーザ素子８０が複数列に形成される。

【００９５】図１０（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ基板
８２上の青色半導体レーザ素子７９、赤色半導体レーザ
素子８０および赤外半導体レーザ素子８１の上面にＮｉ
等の金属膜８７がマスクとして形成される。その後、青
色半導体レーザ素子７９、赤色半導体レーザ素子８０お
よび赤外半導体レーザ素子８１の共振器端面がドライエ
ッチングにより形成される。

【００９６】さらに、電極形成が行われた後、図１０
（ｅ）に示すように、青色半導体レーザ素子７９の列と
赤色半導体レーザ素子８０の列と赤外半導体レーザ素子
の列とを各一つずつ含む領域８２ａ，８２ｂ，８２ｃを
単位としてＧａＡｓ基板８２が分割され、図１０（ｆ）
に示すように、各領域８２ａ，８２ｂ，８２ｃが１個の
青色半導体レーザ素子７９と１個の赤色半導体レーザ素
子８０と１個の赤外半導体レーザ素子８１とからなる部
分にさらに分割される。それにより、図７に示す半導体
レーザ素子が形成される。

【００９７】図１１は本発明の第３の実施の形態におけ
る半導体レーザ素子の構成を示す図である。図１１
（ａ）には半導体レーザ素子の模式的平面図が示され、
図１１（ｂ）には半導体レーザ素子の模式的側面図が示
されている。

【００９８】図１１に示す半導体レーザ素子９１が図７
に示す半導体レーザ素子７１と異なるのは、青色半導体
レーザ素子７９と赤色半導体レーザ素子８０との間に球
レンズ９２を備え、赤色半導体レーザ素子８０と赤外半
導体レーザ素子８１との間に球レンズ９３を備えている
点である。球レンズ９２，９３はガラスまたはプラスチ
ック等からなる例えば０．５〜１ｍｍ程度の球状のレン
ズである。

【００９９】球レンズ９２の設置は、青色半導体レーザ
素子７９と赤色半導体レーザ素子８０との間のＧａＡｓ
基板８２の上面に接着剤等で底部を固定することにより
行われる。その際、赤色半導体レーザ素子８０を点灯
し、青色半導体レーザ素子７９の導波路７９ｂから出射
される赤色レーザ光の光出力が最大となるように位置決
めする。また、球レンズ９３の設置は、赤色半導体レー
ザ素子８０と赤外半導体レーザ素子８１との間のＧａＡ
ｓ基板８２の上面に接着剤等で底部を固定することによ
り行われる。その際、赤外半導体レーザ素子８１を点灯
し、赤色半導体レーザ素子８０の導波路８０ｂと球レン
ズ９２と青色半導体レーザ素子７９の導波路７９ｂとを
通過して出力される赤外レーザ光の光出力が最大となる
ように位置決めする。

【０１００】本実施の形態によれば、半導体レーザ素子
８０の導波路８０ｂから出射された発散光であるレーザ
光に対し球レンズ９２により波面変換が行われ、球レン
ズ９２から出射されたレーザ光が集束光になるので、青
色半導体レーザ素子７９と赤色半導体レーザ素子８０と
の間の間隔が大きい場合でも導波路７９ｂと導波路８０
ｂとの間のレーザ光の結合効率を向上させることができ
る。同様に、球レンズ９３により、赤色半導体レーザ素
子８０と赤外半導体レーザ素子８１の導波路８０ｂ，８
１ｂとの間のレーザ光の結合効率を向上させることがで
きる。

【０１０１】図１２は本発明の第４の実施の形態におけ
る半導体レーザ素子の構成を示す模式的平面図である。

【０１０２】図１２の半導体レーザ装置においては、サ
ブマウント２上に、青色半導体レーザ素子９、赤色半導
体レーザ素子１０および赤外半導体レーザ素子１１が並
列に配置されている。

【０１０３】青色半導体レーザ素子９の前端面から青色
レーザ光が図１２の矢印の向きに出射される。赤色半導
体レーザ素子１０の前端面から赤色レーザ光が出射さ
れ、コリメートレンズ９４により平行光にされ、ハーフ
ミラー９８および全反射ミラー９９により反射されてコ
リメートレンズ９６により集束され、青色半導体レーザ
素子９の導波路９ａに入射される。赤色レーザ光は導波
路９ａを通過して青色半導体レーザ素子９の前端面から
出射される。

【０１０４】赤外半導体レーザ素子１１から出射される
赤外レーザ光は、コリメートレンズ９５により平行光に
され、全反射ミラー９７で反射され、ハーフミラー９８
を通過して全反射ミラー９９で反射されてコリメートレ
ンズ９６により集束され、青色半導体レーザ素子９の導
波路９ａに入射される。赤外レーザ光は青色半導体レー
ザ素子９の導波路９ａを通過して青色半導体レーザ素子
９の前端面から出射される。

【０１０５】このように、図１２の半導体レーザ装置に
おいては、半導体レーザ素子１０，１１からそれぞれ出
射される赤色レーザ光および赤外レーザ光の空気中での
光路が長くなるので、これらの赤色レーザ光および赤外
レーザ光を一旦平行光とすることにより光の損失を少な
くする。

【０１０６】本実施の形態の半導体レーザ装置によれ
ば、第１の実施の形態の半導体レーザ装置１と同様に、
赤外半導体レーザ素子１１の赤外レーザ光が青色半導体
レーザ素子９の導波路９ａを通過して出射され、赤色半
導体レーザ素子１０の赤色レーザ光が青色半導体レーザ
素子９の導波路９ａを通過して出射されるので、青色半
導体レーザ素子９の青色レーザ光と赤色レーザ光と赤外
レーザ光の光軸を一致させることができる。それによ
り、青色半導体レーザ素子９の光軸上に受光素子を配置
することにより、１つの受光素子で、青色レーザ光、赤
色レーザ光および赤外レーザ光を受光することが可能に
なる。それにより、半導体レーザ装置を用いた光ピック
アップ等の装置の構造および回路構成を簡単にすること
ができる。

【０１０７】また、青色半導体レーザ素子９の光軸と集
光レンズの光軸とを一致させることにより、赤色半導体
レーザ素子１０の光軸および赤外半導体レーザ素子１１
の光軸が集光レンズの光軸と一致するので、青色レーザ
光の収差を低減するとともに赤色レーザ光および赤外レ
ーザ光の収差を低減でき、青色レーザ光、赤色レーザ光
および赤外レーザ光を受光素子によって電気信号に変換
したときのＳ／Ｎ比を向上させることができる。

【０１０８】さらに、図１２の半導体レーザ装置は、青
色半導体レーザ素子９の導波路９ａと赤色半導体レーザ
素子１０の導波路１０ａと赤外半導体レーザ素子１１の
導波路１１ａとが並列に配置されているので、図１に示
す半導体レーザ装置１のように導波路９ａ，１０ａ，１
１ａを一列に直線上に並べる場合に比べて光出射方向の
長さを導波路１０ａ，１１ａの分だけ短くすることがで
きる。

【０１０９】なお、上記実施の形態では、３つの半導体
レーザ素子からなる半導体レーザ装置を示したが、半導
体レーザ装置を構成する半導体レーザ素子は２つであっ
てもよく、また４つ以上であってもよい。

【０１１０】また、上記実施の形態では、青色レーザ
光、赤色レーザ光および赤外レーザ光を出射する半導体
レーザ素子を用いているが、他の波長のレーザ光を出射
する半導体レーザ素子を用いてもよい。

【０１１１】さらに、本発明に係る半導体レーザ装置に
おいては、２つ以上の半導体レーザ素子を同時に点灯さ
せることも可能である。その場合、複数色のレーザ光を
混合することにより種々の色のレーザ光を生成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体レー
ザ装置の構成を示す模式的平面図である。

【図２】図１の半導体レーザ装置の模式的側面図であ
る。

【図３】図１の半導体レーザ装置を構成する半導体レー
ザ素子の構成を説明するための図である。

【図４】図１の半導体レーザ装置の電気的な接続関係を
説明するためのブロック図である。

【図５】図１の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子に
ついて説明するための図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態における半導体レー
ザ装置の構成を示す側面図である。

【図７】図６の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子の
構成を示す斜視図である。

【図８】図７の半導体レーザ素子の製造工程を示す側面
図である。

【図９】図７の半導体レーザ素子の製造工程を示す側面
図である。

【図１０】図７の半導体レーザ素子の製造工程を示す斜
視図である。

【図１１】本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の構成を示す図である。

【図１２】本発明の第２の実施の形態における半導体レ
ーザ装置の構成を示す平面図である。

【図１３】従来の半導体レーザ装置の構成を示す平面図
である。

【図１４】従来の半導体レーザ装置の構成を示す側面図
である。

【図１５】従来の半導体レーザ装置の構成を示す正面図
である。

【図１６】従来の半導体レーザ装置を用いた場合に生じ
る収差を説明するための図である。

【符号の説明】

１，７１，９１， 半導体レーザ装置 ９，７９ 青色半導体レーザ素子 １０，８０ 赤色半導体レーザ素子 １１，８１ 赤外半導体レーザ素子 ９ａ，１０ａ，１１ａ，７９ａ，８０ａ，８１ａ 導波
路 １５，１６，１７ レーザ駆動回路 ９２，９３ 球レンズ ９７，９９ 全反射ミラー ９８ ハーフミラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 豊三 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井上 泰明 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 庄野 昌幸 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 澤田 稔 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AB27 BA05 CA05 CA07 CA14 CB02 CB05 DA21 EA05 EA06 EA07 EA29 FA05 GA12

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 異なる波長のレーザ光をそれぞれ出射す
   る複数の半導体レーザ素子を備え、前記複数の半導体レ
   ーザ素子のうちいずれかの半導体レーザ素子から出射さ
   れるレーザ光が他の半導体レーザ素子の内部を通過する
   ことにより前記複数の半導体レーザ素子から出射される
   複数のレーザ光の光軸が一致するように前記複数の半導
   体レーザ素子が配置されたことを特徴とする半導体レー
   ザ装置。
2. 【請求項２】 前記複数の半導体レーザ素子はそれぞれ
   導波路を有し、相対的に短い波長のレーザ光を出射する
   半導体レーザ素子の導波路中を相対的に長い波長のレー
   ザ光が通過するように前記複数の半導体レーザ素子が配
   置されたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
   装置。
3. 【請求項３】 前記複数の半導体レーザ素子の導波路が
   ほぼ一列に並ぶように前記複数の半導体レーザ素子が配
   置されたことを特徴とする請求項１または２記載の半導
   体レーザ装置。
4. 【請求項４】 前記複数の半導体レーザ素子のうち少な
   くとも２つの半導体レーザ素子の導波路が並列に配置さ
   れ、前記少なくとも２つの半導体レーザ素子のうち相対
   的に短い波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の
   導波路に相対的に長い波長のレーザ光を導く光学系をさ
   らに備えたことを特徴とする請求項１または２記載の半
   導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 前記複数の半導体レーザ素子のいずれか
   は、相対的に短い波長のレーザ光を前端面および後端面
   から出射し、前記後端面から出射されたレーザ光が相対
   的に長い波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の
   導波路に入射するように配置されたことを特徴とする請
   求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 前記相対的に短い波長のレーザ光の出射
   時に、前記相対的に長い波長のレーザ光を出射する半導
   体レーザ素子に流れる電流に基づいて前記相対的に短い
   波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の光出力を
   制御する制御回路をさらに備えたことを特徴とする請求
   項５記載の半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】 前記複数の半導体レーザ素子の導波路間
   に球レンズが配置されたことを特徴とする請求項１〜６
   のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
8. 【請求項８】 前記複数の半導体レーザ素子は個々の基
   板上に形成され、共通のサブマウント上に配置されたこ
   とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体
   レーザ装置。
9. 【請求項９】 前記複数の半導体レーザ素子は共通の基
   板上に形成され、共通のサブマウント上に配置されたこ
   とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体
   レーザ装置。