JPH01273378A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体レーザ装置に関し、特に、電気的に互い
に分離され、各々が独立に駆動可能な複数の発光領域を
有する半導体レーザ装置に関する。

（従来の技術） 情報、オーディオ、映像等の多くの分野に於いて、広く
普及しつつある光デイスク装置の光源としては、半導体
レーザ装置が用いられている。光デイスク装置では、半
導体レーザ装置の発光領域から出射されたレーザ光がレ
ンズ等の光学系によって光デイスク上に集光される。読
取、書込及び消去が可能な光デイスク装置に於いては、
第３図に示すように、複数の発光領域を独立に駆動でき
る半導体レーザ装置３１を用いれば、単一の光学系３２
によって光ディスク３３に対して同時に読取、書込及び
消去を行うことができるようになり、光デイスク装置の
性能の向上が可能となる。

ところで、酸化テルル系等の相変化型の光ディスクを用
いる光デイスク装置では、消去を行うためにはディスク
上に幅の広い光スポットが形成されることが必要である
。従って、こめようなシステムに於いて上述のような複
数の発光領域を有する半導体レーザ装置を用いる場合に
は、消去用のレーザ光を出射する発光領域の発光スポッ
トの幅が広いことが必要である。

通常の半導体レーザ装置の発光領域の発光スポットの幅
は狭いので、広幅の発光スポットを得るためには特別の
工夫が必要である０例えば、■ＳＩＳ型半導体レーザ装
置の場合には、■溝の幅を広げることによって、或いは
複数のＶ溝を互いに近接させて形成し、レーザ光を位相
同期させることによって、発光スポットの幅を広げてい
る。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上述のような構成の従来の半導体レーザ装置で
は、発振閾値電流が上昇し、光出力を増大させると横モ
ードが不安定になり易い、この発振閾値電流の上昇によ
ってレーザ装置の発熱が増大するので、レーザ装置の寿
命が低下する。また、発熱の増大は隣接する発光領域の
温度を変動させ、それに伴う光出力の変動を引き起こす
、更に、横モードが不安定になると、良好な光強度分布
が得られなくなり、消去を確実に行うことができなくな
る。

本発明はこのような現状に鑑みて成されたものであり、
その目的とするところは、一部の発光領域の発光スポッ
トの幅を広くしても、発振閾値電流が上昇せず、しかも
高出力まで安定した横モードを得ることのできる、電気
的に互いに分離され、各々が独立に駆動可能な複数の発
光領域を有する半導体レーザ装置を提供することにある
。

（課題を解決するための手段） 本発明の半導体レーザ装置は、電気的に互いに分離され
、各々が独立に駆動可能な複数の発光領域を有する半導
体レーザ装置であって、一部の発光領域に於いては、光
導波路が、少なくとも一方の端面近傍に設けられた幅の
広い広幅部、少なくとも中央部に設けられた幅の狭い狭
幅部、及び該広幅部と該狭幅部とを接続する中間部を有
し、該中間部の幅の大きさが該狭幅部の幅の大きさから
該広幅部の幅の大きさに連続的に変化しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。

（作用） 上記構成の本発明半導体レーザ装置によれば、該一部の
発光領域に於いては、その中央部の狭幅部により電流及
び光の閉じ込めが行われる。従って、発振閾値電流は低
く、横モードは安定している。更に、端面近傍には広幅
部が設けられており、光閉じ込めの幅が広くなっている
。それ故、該発光領域より出射されるレーザ光の幅は充
分に広くなる。また、該狭幅部と広幅部との間にはテー
パ状の中間部が設けられているので、内部反射が防止さ
れ、横モードがより一層安定化される。

（実施例） 以下に本発明の実施例について説明する。

第１図に本発明の一実施例である２点発光のＶＳＩＳ型
半導体レーザ装置の構成を示す０本実施例の作製手順を
説明する。先ず、ｐ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層２を液相法により成長させる。このｎ　−Ｇ
　ａ　Ａ　ｓ電流阻止層２上に所定パターンのホトマス
クを形成して、第２図に示すような平面視パターンの溝
７及び８をエツチングにより形成する。溝８は通常のＶ
ＳＩＳ型半導体レーザに設けられる溝と同様に、その底
部が基板１に達する■溝であり、その幅Ｗ８は約５μｍ
である。講７は、中央の狭幅部７ａ、広幅部７ｂ、７ｂ
、及びそれらの間に位置する中間部７ｃ、７ｃにより構
成されている。広幅部７ｂ、７ｂは、後述する璧開によ
り形成される端面９ａ、９ｂの近傍にそれぞれ設けられ
ている。狭幅部７ａは、溝８と同様のｖｌであり、その
幅Ｗ、は約５μｍである。広幅部７ｂ、７ｂの深さは狭
幅部７ａの深さとほぼ同じであるが、幅Ｗ、は約２０μ
ｍと狭幅部７ａの幅よりも広い。第２図に示されている
ように、中間部７ｃ、７ｃはテーパ状の平面視形状を有
しており、狭幅部７ａと広幅部７ｂ、７ｂとを連続的に
連結している。狭幅部７ａの長さは約１８０μｍであり
、中間部７ｃ、７ｃの長さは約２０μｍである。

その後に、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層３、ｐ−ＧａＡ
ｌＡｓ活性層４、ｎ−ＧａＡ　Ｉ　Ａｓクラッド層５、
及びｎ−ＧａＡｓキャップ層６を液相法により順次成長
させる０次に、ｎ側電極１０、第１のｎ側電極１１、及
び第２のｎ側型８ｉ！１２を形成する。？ｓ７と溝８と
の間に、キャップ層６がら基板１に達する満１３をエツ
チングにより形成する、共振器長が約２５０μｍとなり
、広幅部７ｂ、７ｂの長さは約１５μｍとなるように璧
開して、半導体レーザ装置を得る。

このような構成の半導体レーザ装置は、溝１３により互
いに電気的に絶縁されて独立に駆動される、第１の発光
領域ａと第２の発光領域すとを備えている。第２の発光
領域内すの活性層４では、通常のｖｓｒｓ型半導体レー
ザ装置と同様にＶ溝８による光導波路が形成される。こ
れに対して、第１の発光領域ａ内の活性層４では、渭７
の形状に対応して屈折率分布が付与され、該溝７と同様
に狭幅部、広幅部及び中間部を有する光導波路が形成さ
れる。

電［，１２により電流駆動すると、第２の発光領域すが
発振し、通常のＶＳＩＳ型レーザ装置と同様の発光スポ
ット幅（２μｍ）を有するレーザ光が発振された。この
時の発振閾値電流は５０ｍＡであった。また、電極１１
により電流駆動すると、第１の発光領域ａが閾値電流６
５ｍＡでレーザ発振し、その発光スポット幅は８μｍで
あった。第１の発光領域ａより発振されるレーザ光の横
モードは高出力（４０ｍＷ）まで安定していた。

上述の実施例では、広幅部は両端面９ａ、９ｂのそれぞ
れの近傍に形成されているが、出射端面側のみに設ける
ようにしても良い。

また、２個の発光領域を有する実施例を説明したが、本
発明は３個以上の発光領域を有する半導体レーザ装置に
も適用し得ることは当然である。

更に、ｖｓ　ｒ　ｓ型以外の他の光導波路形成機構を用
いた、或いはＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ系以外の他の半導
体材料を用いた半導体レーザ装置にも本発明を当然に適
用し得る。

（発明の効果） 本発明の半導体レーザ装置によれば、このように、一部
の発光領域より発振されるレーザ光の発光スポット幅が
他の発光領域より発振されるレーザ光の発光スポット幅
よりも充分広くなり、しかも、該一部の発光領域の発振
閾値電流は通常のものに比しても同程度か又は僅かに上
昇するだけであり、発光スポット幅の広いレーザ光が高
出力まで安定した横モードで得られる。従って、本発明
の半導体レーザ装置は、特に相変化型の光デイスク装置
用の光源として極めて有用である。

−７’；Ｂ 第１図は第２図のＩ−１線に沿って切断した状態を示す
本発明の一実施例の斜視図、第２図はその実施例のｎ−
ＧａＡｓ電流阻止層の面に沿う横断面を示す模式図、第
３図は光デイスク装置の説明図である。

ａ・・・第１の発光領域、ｂ・・・第２の発光領域、７
・・・溝、７ａ・・・溝７の狭幅部、７ｂ・・・溝７の
広幅部、７Ｃ・・・渭７の中間部、８・・・■溝。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電気的に互いに分離され、各々が独立に駆動可能な
   複数の発光領域を有する半導体レーザ装置であって、 一部の発光領域に於いては、光導波路が、少なくとも一
   方の端面近傍に設けられた幅の広い広幅部、少なくとも
   中央部に設けられた幅の狭い狭幅部、及び該広幅部と該
   狭幅部とを接続する中間部を有し、該中間部の幅の大き
   さが該狭幅部の幅の大きさから該広幅部の幅の大きさに
   連続的に変化している半導体レーザ装置。