JP2506972B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JP2506972B2 JP2506972B2 JP63196556A JP19655688A JP2506972B2 JP 2506972 B2 JP2506972 B2 JP 2506972B2 JP 63196556 A JP63196556 A JP 63196556A JP 19655688 A JP19655688 A JP 19655688A JP 2506972 B2 JP2506972 B2 JP 2506972B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光を用いて光ディスクや光磁気ディ
スク等の光記憶媒体に記憶される情報の記録や読み出し
等を行うための光情報処理用の光ピックアップに関する
ものである。
スク等の光記憶媒体に記憶される情報の記録や読み出し
等を行うための光情報処理用の光ピックアップに関する
ものである。
従来の技術 従来、光ディスクや光磁気ディスク等の光記憶媒体に
記憶される情報の記録や読み出しをレーザ光を用いて行
う光ピックアップは、光源としての半導体レーザ、この
半導体レーザから出射する光を光記憶媒体上に収束する
ための光学レンズ、この光記憶媒体で反射するレーザ光
を受光素子に導くためのビームスプリッタ、媒体からの
反射光に非点収差等を与え、光記憶媒体上に収束された
光の焦点ずれを検出可能にして、受光素子に結像させる
ためのシリンドリカルレンズ及び反射光を受光して、焦
点ずれトラッキングずれ及び前記光記憶媒体に記憶され
た情報を検出するための受光素子を含んで構成されてい
る。
記憶される情報の記録や読み出しをレーザ光を用いて行
う光ピックアップは、光源としての半導体レーザ、この
半導体レーザから出射する光を光記憶媒体上に収束する
ための光学レンズ、この光記憶媒体で反射するレーザ光
を受光素子に導くためのビームスプリッタ、媒体からの
反射光に非点収差等を与え、光記憶媒体上に収束された
光の焦点ずれを検出可能にして、受光素子に結像させる
ためのシリンドリカルレンズ及び反射光を受光して、焦
点ずれトラッキングずれ及び前記光記憶媒体に記憶され
た情報を検出するための受光素子を含んで構成されてい
る。
通常の光ピックアップは、このように光記憶媒体で反
射するレーザ光を受光素子に導くためのビームスプリッ
タや反射光に非点収差等を与え、この光記憶媒体上に収
束された光の焦点ずれを検出可能にしてこの受光素子に
結像させるためのシリンドリカルレンズ等が必要とされ
るので、光学部品点数が増え光軸合わせが困難となり製
造価格が高価なものとなり、また光ピックアップを小型
化する上でおおきな問題となっていた。
射するレーザ光を受光素子に導くためのビームスプリッ
タや反射光に非点収差等を与え、この光記憶媒体上に収
束された光の焦点ずれを検出可能にしてこの受光素子に
結像させるためのシリンドリカルレンズ等が必要とされ
るので、光学部品点数が増え光軸合わせが困難となり製
造価格が高価なものとなり、また光ピックアップを小型
化する上でおおきな問題となっていた。
そこで小型化を実現するために、前記のレンズやビー
ムスプリッタ，受光素子等の機能を複合化した光集積回
路をもちいた光集積化ピックアップが提案された。（参
考文献、裏ら、電子通信学会論文誌 Vol.J68−C,803 1
985） この光ピックアップの概略を第５図に示す。半導体レ
ーザ51より出射された光は、Si基板52上に形成された光
導波路53を伝搬し、この光導波路53上に形成された集光
性グレーティングカプラ54により、光ディスク55の表面
に集光される。そして、光ディスクの表面で記録情報に
応じた強度で反射して広がる光は再度集光性グレーティ
ングカプラ54に達し、導波光に変換されて、その一部は
半導体レーザ51に戻るが一部は集光性ビームスプリッタ
56により他の二方向に分割され、Si基板52に形成された
二対の受光素子57に結像され、フーコー法により、焦点
ずれ、トラッキングずれ及び前記光記録媒体に記録され
た情報の信号が検出される。
ムスプリッタ，受光素子等の機能を複合化した光集積回
路をもちいた光集積化ピックアップが提案された。（参
考文献、裏ら、電子通信学会論文誌 Vol.J68−C,803 1
985） この光ピックアップの概略を第５図に示す。半導体レ
ーザ51より出射された光は、Si基板52上に形成された光
導波路53を伝搬し、この光導波路53上に形成された集光
性グレーティングカプラ54により、光ディスク55の表面
に集光される。そして、光ディスクの表面で記録情報に
応じた強度で反射して広がる光は再度集光性グレーティ
ングカプラ54に達し、導波光に変換されて、その一部は
半導体レーザ51に戻るが一部は集光性ビームスプリッタ
56により他の二方向に分割され、Si基板52に形成された
二対の受光素子57に結像され、フーコー法により、焦点
ずれ、トラッキングずれ及び前記光記録媒体に記録され
た情報の信号が検出される。
また、小型化を実現するために、通常の光ピックアッ
プにおけるビームスプリッタとシリンドリカルレンズの
両方の機能を同時に実現可能なホログラム素子で置き換
えられた光ピックアップが開発された。（参考文献、木
村ら、第22回微小光学研究会論文 Vol.14,228,1986） このホログラム型の光ピックアップの概略を第６図に
示す。半導体レーザ61より放射された光は、ホログラム
レンズ62を通過し結像レンズ63により光ディスク64の表
面に集光される。光ディスク64の表面で記録情報に応じ
た強度で反射して広がる光は、再度結像レンズ63により
収束され一部は半導体レーザ61に戻るが、一部は二つの
領域（R1,R2）に分割されたホログラム素子62により二
方向に分割され、四分割の受光素子65に結像され、所謂
ナイフエッジ法により焦点ずれ、トラッキングずれ及び
前記光記憶媒体に記憶された情報の信号が検出される。
プにおけるビームスプリッタとシリンドリカルレンズの
両方の機能を同時に実現可能なホログラム素子で置き換
えられた光ピックアップが開発された。（参考文献、木
村ら、第22回微小光学研究会論文 Vol.14,228,1986） このホログラム型の光ピックアップの概略を第６図に
示す。半導体レーザ61より放射された光は、ホログラム
レンズ62を通過し結像レンズ63により光ディスク64の表
面に集光される。光ディスク64の表面で記録情報に応じ
た強度で反射して広がる光は、再度結像レンズ63により
収束され一部は半導体レーザ61に戻るが、一部は二つの
領域（R1,R2）に分割されたホログラム素子62により二
方向に分割され、四分割の受光素子65に結像され、所謂
ナイフエッジ法により焦点ずれ、トラッキングずれ及び
前記光記憶媒体に記憶された情報の信号が検出される。
発明が解決しようとする課題 ところが、前記の光集積化ピックアップでは光ディス
ク上に充分に絞って集光させるためには、フォーカシン
ググレーティングカプラ54に厳しい精度が要求され、ま
た半導体レーザの波長の変動によっても集光特性が悪化
するという欠点があった。またこの光集積化光ピックア
ップでは半導体レーザ51から発する光の一部がフォーカ
シンググレーティングカプラ54に到達するまでにビーム
スプリッタ56により回折されるために、光の利用効率が
悪い。また、第６図のホログラム型の光ピックアップで
は、ホログラム素子を半導体レーザと収束（結像）レン
ズの間に配置させる必要があり、また、レーザから放射
する光を光ディスク上に１μｍ以下の回折限界に絞るた
めに、収束レンズと半導体レーザとの距離を約1cm以上
隔てて、ビーム径を一度大きくしてから大きなNAの収束
レンズで絞り込む必要がある。従って光ピックアップの
小型化には限界があった。
ク上に充分に絞って集光させるためには、フォーカシン
ググレーティングカプラ54に厳しい精度が要求され、ま
た半導体レーザの波長の変動によっても集光特性が悪化
するという欠点があった。またこの光集積化光ピックア
ップでは半導体レーザ51から発する光の一部がフォーカ
シンググレーティングカプラ54に到達するまでにビーム
スプリッタ56により回折されるために、光の利用効率が
悪い。また、第６図のホログラム型の光ピックアップで
は、ホログラム素子を半導体レーザと収束（結像）レン
ズの間に配置させる必要があり、また、レーザから放射
する光を光ディスク上に１μｍ以下の回折限界に絞るた
めに、収束レンズと半導体レーザとの距離を約1cm以上
隔てて、ビーム径を一度大きくしてから大きなNAの収束
レンズで絞り込む必要がある。従って光ピックアップの
小型化には限界があった。
本発明は、以上の様な従来の光ピックアップの問題点
を克服し、小型の光ピックアップを提供するものであ
る。
を克服し、小型の光ピックアップを提供するものであ
る。
課題を解決するための手段 本発明は、光を放射するレーザ光源、前記レーザから
出射する光を発散させるための光学レンズ、及び前記発
散された光を光記憶媒体上に収束するための光学レン
ズ、前記光記憶媒体によって反射される光を結合させる
回折素子の形成された光導波路、及びこの光導波路を伝
搬する光を検出するための受光素子を含んで構成され、
前記回折素子、光導波路及び受光素子が前記発散用或は
収束用の光学レンズの表面に形成されている光ピックア
ップを得るものである。
出射する光を発散させるための光学レンズ、及び前記発
散された光を光記憶媒体上に収束するための光学レン
ズ、前記光記憶媒体によって反射される光を結合させる
回折素子の形成された光導波路、及びこの光導波路を伝
搬する光を検出するための受光素子を含んで構成され、
前記回折素子、光導波路及び受光素子が前記発散用或は
収束用の光学レンズの表面に形成されている光ピックア
ップを得るものである。
また、本発明は、光を放射するレーザ光源、前記レー
ザから出射する光を発散させるための光学レンズ、及び
前記発散された光を光記憶媒体上に収束するための光学
レンズ、前記光記録媒体によって反射させる光を結合さ
せる回折素子の形成された光導波路及びこの光導波路を
伝搬する光を放射するための素子及び前記放射された光
を検出するための受光素子を含んで構成され、前記回折
素子、光導波路及び光導波路を伝搬する光を外部に放射
する結合素子が、前記発散性又は収束性のレンズの表面
に形成され、かつ受光素子が前記レーザ光源の近傍に配
置されている光ピックアップを提供するものである。ま
た本発明は、光を放射する半導体レーザ光源、前記半導
体レーザから出射する光を発散させる発散レンズ、及び
前記発散された光を光記憶媒体上に光学レンズで収束
し、前記光記憶媒体からの反射光が前記の発散レンズに
戻り、前記発散レンズの表面に形成された光導波路に前
記反射光が回折格子を介して結合されて前記光導波路を
伝搬し、前記回折格子とは別に形成された回折格子によ
り前記光導波路外に放射されて、受光素子に導かれると
ともに、前記半導体レーザ光源および受光素子が同一の
マウント上に配置され、かつ、光導波路と回折格子の形
成された発散レンズによって、前記半導体レーザと受光
素子が密封されている。
ザから出射する光を発散させるための光学レンズ、及び
前記発散された光を光記憶媒体上に収束するための光学
レンズ、前記光記録媒体によって反射させる光を結合さ
せる回折素子の形成された光導波路及びこの光導波路を
伝搬する光を放射するための素子及び前記放射された光
を検出するための受光素子を含んで構成され、前記回折
素子、光導波路及び光導波路を伝搬する光を外部に放射
する結合素子が、前記発散性又は収束性のレンズの表面
に形成され、かつ受光素子が前記レーザ光源の近傍に配
置されている光ピックアップを提供するものである。ま
た本発明は、光を放射する半導体レーザ光源、前記半導
体レーザから出射する光を発散させる発散レンズ、及び
前記発散された光を光記憶媒体上に光学レンズで収束
し、前記光記憶媒体からの反射光が前記の発散レンズに
戻り、前記発散レンズの表面に形成された光導波路に前
記反射光が回折格子を介して結合されて前記光導波路を
伝搬し、前記回折格子とは別に形成された回折格子によ
り前記光導波路外に放射されて、受光素子に導かれると
ともに、前記半導体レーザ光源および受光素子が同一の
マウント上に配置され、かつ、光導波路と回折格子の形
成された発散レンズによって、前記半導体レーザと受光
素子が密封されている。
作用 本発明は、発散作用を有する光学レンズを介して、収
束レンズに達するレーザ光を光ディスク上に絞り込む事
により、半導体レーザと収束レンズの距離を短縮化し、
また、信号の含まれる反射光を光導波路を用いて受光素
子に導く事により、光ピックアップの小型化が実現され
るものである。
束レンズに達するレーザ光を光ディスク上に絞り込む事
により、半導体レーザと収束レンズの距離を短縮化し、
また、信号の含まれる反射光を光導波路を用いて受光素
子に導く事により、光ピックアップの小型化が実現され
るものである。
実施例 本発明の詳細を実施例を用いて説明する。第１の発明
の実施例の概略を第１図に示す。矢印は光の伝搬状態を
示す半導体レーザ１より放射される光は、発散レンズ
（凹レンズ）２により放射角が広げられ、収束レンズ
（凸レンズ）３により光ディスク４の表面に集光され
る。そして光ディスク４の表面で反射するレーザ光は逆
方向に発散して収束レンズ３に入射し、集光性の光に変
換される。この集光性の光の一部は発散レンズ２を通過
して半導体レーザ１に戻るが、一部は、発散レンズ２の
表面に形成された光導波路５に、グレーティングカプラ
すなわち４つの光回折素子（6a,6b,6c,6d）を介して結
合され、光導波路５中を４方向に分れて伝搬する。そし
て光導波路５を伝搬する光は、たとえばアモルファスシ
リコンで形成された４つの受光素子７（7a,7b,7c,7d）
に達して、光記憶媒体（光ディスク４）に記憶された信
号並びにフォーカシング信号、トラッキング信号が検出
される。
の実施例の概略を第１図に示す。矢印は光の伝搬状態を
示す半導体レーザ１より放射される光は、発散レンズ
（凹レンズ）２により放射角が広げられ、収束レンズ
（凸レンズ）３により光ディスク４の表面に集光され
る。そして光ディスク４の表面で反射するレーザ光は逆
方向に発散して収束レンズ３に入射し、集光性の光に変
換される。この集光性の光の一部は発散レンズ２を通過
して半導体レーザ１に戻るが、一部は、発散レンズ２の
表面に形成された光導波路５に、グレーティングカプラ
すなわち４つの光回折素子（6a,6b,6c,6d）を介して結
合され、光導波路５中を４方向に分れて伝搬する。そし
て光導波路５を伝搬する光は、たとえばアモルファスシ
リコンで形成された４つの受光素子７（7a,7b,7c,7d）
に達して、光記憶媒体（光ディスク４）に記憶された信
号並びにフォーカシング信号、トラッキング信号が検出
される。
第２図（ａ）は中央部に４つの光回折素子6a〜6dの形
成された第１図に示す発散レンズの表面の概略を示す図
であり、（ｂ）は（ａ）のII−II′線断面図である。曲
がりとチャーピングの構造を有する誘電体の装荷層が光
導波路５の上に形成され、光回折素子６すなわちグレー
ティングカプラが形成されている。このグレーティング
カプラは、それぞれ半導体レーザに向って集光しようと
する集光性の光を光導波路に導き、かつ矢印ｌのごとく
光導波路内の受光素子に集光させる機能を有している。
成された第１図に示す発散レンズの表面の概略を示す図
であり、（ｂ）は（ａ）のII−II′線断面図である。曲
がりとチャーピングの構造を有する誘電体の装荷層が光
導波路５の上に形成され、光回折素子６すなわちグレー
ティングカプラが形成されている。このグレーティング
カプラは、それぞれ半導体レーザに向って集光しようと
する集光性の光を光導波路に導き、かつ矢印ｌのごとく
光導波路内の受光素子に集光させる機能を有している。
また、これらのグレーティングカプラすなわち光回折
素子（6a,6b,6c,6d）のうち、素子6a及び6cは光ディス
クがジャストフォーカス（半導体レーザの出射光が、光
ディスク上に最少のスポット径による様に、光ディスク
４と収束レンズ３の距離が保たれている状態）よりも少
し収束レンズから離れた時に結合効率が最大となる様に
設定されている。一方6b,6dは光ディスクがジャストフ
ォーカスよりも少し近づいた時に結合効率が最大となる
様に設定されている。従って、４つの受光素子7a,7b,7
c,7dの出力をA,B,C,Dとすれば（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）
で、フォーカス信号が得られ、また（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋
Ｄ）で、トラッキング信号が得られる。またＡ＋Ｂ＋Ｃ
＋Ｄは、記録信号である。
素子（6a,6b,6c,6d）のうち、素子6a及び6cは光ディス
クがジャストフォーカス（半導体レーザの出射光が、光
ディスク上に最少のスポット径による様に、光ディスク
４と収束レンズ３の距離が保たれている状態）よりも少
し収束レンズから離れた時に結合効率が最大となる様に
設定されている。一方6b,6dは光ディスクがジャストフ
ォーカスよりも少し近づいた時に結合効率が最大となる
様に設定されている。従って、４つの受光素子7a,7b,7
c,7dの出力をA,B,C,Dとすれば（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）
で、フォーカス信号が得られ、また（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋
Ｄ）で、トラッキング信号が得られる。またＡ＋Ｂ＋Ｃ
＋Ｄは、記録信号である。
本実施例では、光導波路やグレーティングカプラ，受
光素子等が凹レンズ２の上側の表面に形成されている
が、凹レンズ２の下側の表面に形成してもかまわない。
光素子等が凹レンズ２の上側の表面に形成されている
が、凹レンズ２の下側の表面に形成してもかまわない。
またグレーティングカプラは収束性の光を、光導波路
上の受光素子に集光する様に構成されているが、受光素
子を周辺部に配置して、導波路内を中央部から周辺部に
発散する様にグレーティングカプラを構成する事も可能
である。
上の受光素子に集光する様に構成されているが、受光素
子を周辺部に配置して、導波路内を中央部から周辺部に
発散する様にグレーティングカプラを構成する事も可能
である。
また、光導波路5,グレーティングカプラ６及び受光素
子７は、収束レンズ３のどちらかの表面に形成されてい
てもよい。
子７は、収束レンズ３のどちらかの表面に形成されてい
てもよい。
第１図のピックアップでは、発散レンズ２を用い、レ
ンズの表面にグレーティングカプラ，光導波路，受光素
子を形成する構成を用いるため、半導体レーザ１と収束
レンズ３の距離を5mm以下と小さくでき、小型化を図る
ことができる。
ンズの表面にグレーティングカプラ，光導波路，受光素
子を形成する構成を用いるため、半導体レーザ１と収束
レンズ３の距離を5mm以下と小さくでき、小型化を図る
ことができる。
第３図（ａ）に本発明の第２の実施例を示す。光ピッ
クアップの概略構成と信号検出の原理は前記の実施例と
同様である。ただし、グレーティングカプラである素子
６に達した反射光は、レンズの外側に向う発散光として
光導波路５′を伝搬し、別に配置された同心円状の第２
のグレーティングカプラ９により、空間（この場合下
側）に放射され、半導体レーザの周辺部に配置されたSi
の受光素子８に照射されて信号が検出される。
クアップの概略構成と信号検出の原理は前記の実施例と
同様である。ただし、グレーティングカプラである素子
６に達した反射光は、レンズの外側に向う発散光として
光導波路５′を伝搬し、別に配置された同心円状の第２
のグレーティングカプラ９により、空間（この場合下
側）に放射され、半導体レーザの周辺部に配置されたSi
の受光素子８に照射されて信号が検出される。
本実施例の特徴は、受光素子８として通常のSiの半導
体光検出素子を用いる事が出来るので、数100Mbit/s程
度の高速な信号の読み取り等を行う事が可能であり、ま
た信頼性も高い。
体光検出素子を用いる事が出来るので、数100Mbit/s程
度の高速な信号の読み取り等を行う事が可能であり、ま
た信頼性も高い。
本発明では、光導波路５′を伝搬する光を受光素子８
に導くのにグレーティングカプラを用いたが、必ずしも
グレーティングカプラを用いる必要はなく、プリズムカ
プラや反射鏡を用いても良く、また光導波路の端面から
放射される光を検出しても良い。また本実施例では光導
波路が凹レンズ２の半導体レーザ側に形成されている
が、光ディスク側に形成されていても良い。この場合の
実施例を第３図（ｂ）に示す。
に導くのにグレーティングカプラを用いたが、必ずしも
グレーティングカプラを用いる必要はなく、プリズムカ
プラや反射鏡を用いても良く、また光導波路の端面から
放射される光を検出しても良い。また本実施例では光導
波路が凹レンズ２の半導体レーザ側に形成されている
が、光ディスク側に形成されていても良い。この場合の
実施例を第３図（ｂ）に示す。
本発明の第２の実施例の光ピックアップに用いる事の
可能な半導体レーザ装置の一例を第４図に記す。（ａ）
は上面から観た図であり、（ｂ）は側面から見た装置の
断面図である。第４図において、第３図と同一機能部分
は同一番号を付し、レンズ３とディスク４は共通である
ため図では省略する。
可能な半導体レーザ装置の一例を第４図に記す。（ａ）
は上面から観た図であり、（ｂ）は側面から見た装置の
断面図である。第４図において、第３図と同一機能部分
は同一番号を付し、レンズ３とディスク４は共通である
ため図では省略する。
１は半導体レーザ、42はSiサブマウント、８は受光素
子、２は凹レンズであり、光導波路５′とグレーティン
グカプラ6,9が設置されている。また49はマウントであ
り、50は凹レンズ45の設置されたキャップであり、内部
は窒素等の不活性ガスが充填され、51は電極端子であ
る。
子、２は凹レンズであり、光導波路５′とグレーティン
グカプラ6,9が設置されている。また49はマウントであ
り、50は凹レンズ45の設置されたキャップであり、内部
は窒素等の不活性ガスが充填され、51は電極端子であ
る。
半導体レーザ１から放射した光は凹レンズ２により、
更に発散性の光として外部に放射される。一方、光ディ
スク等の外部からの信号を含む収束性の光が、グレーテ
ィングカプラ９により、光導波路５′に結合し、光導波
路５′を伝搬する光がグレーティングカプラ９を介して
受光素子８に達して検出される。
更に発散性の光として外部に放射される。一方、光ディ
スク等の外部からの信号を含む収束性の光が、グレーテ
ィングカプラ９により、光導波路５′に結合し、光導波
路５′を伝搬する光がグレーティングカプラ９を介して
受光素子８に達して検出される。
本実施例においては、光導波路を伝搬する光がグレー
ティングカプラを介して受光素子に達するが、光導波路
上に受光素子が形成されていてもかまわない。
ティングカプラを介して受光素子に達するが、光導波路
上に受光素子が形成されていてもかまわない。
第４図の半導体レーザ装置は、前記の様に光ピックア
ップに応用する事により、小型の光ピックアップを実現
でき、かつ受光素子８と半導体レーザ１が同一マウント
49に一体設置されており、これらの位置合せが容易であ
り、組立も行いやすい。キャップ51,凹レンズ２にて封
止されており、信頼性も極めてすぐれたものとなる。
ップに応用する事により、小型の光ピックアップを実現
でき、かつ受光素子８と半導体レーザ１が同一マウント
49に一体設置されており、これらの位置合せが容易であ
り、組立も行いやすい。キャップ51,凹レンズ２にて封
止されており、信頼性も極めてすぐれたものとなる。
発明の効果 以上に示した如く、本発明は従来の光ピックアップの
問題点を克服し、小型軽量な光ピックアップを提供する
ものであり、大きな価値を有するものである。
問題点を克服し、小型軽量な光ピックアップを提供する
ものであり、大きな価値を有するものである。
第１図は本発明の実施例の光ピックアップの概略図、第
２図（ａ），（ｂ）は同実施例に用いた光導波路の設置
された発散レンズの平面図、II−II′線断面図、第３図
（ａ），（ｂ）は本発明の他の実施例の光ピックアップ
装置の概略図、第４図（ａ），（ｂ）は本発明の半導体
レーザ装置の他の例の概略平面図、IV−IV′線断面図、
第５図，第６図は従来の光集積化ピックアップ，ホログ
ラム型光ピックアップの概略図である。 １……半導体レーザ、２……発散レンズ、３……収束レ
ンズ、４……光ディスク、5,5′……光導波路、６……
光回折素子、７……受光素子。
２図（ａ），（ｂ）は同実施例に用いた光導波路の設置
された発散レンズの平面図、II−II′線断面図、第３図
（ａ），（ｂ）は本発明の他の実施例の光ピックアップ
装置の概略図、第４図（ａ），（ｂ）は本発明の半導体
レーザ装置の他の例の概略平面図、IV−IV′線断面図、
第５図，第６図は従来の光集積化ピックアップ，ホログ
ラム型光ピックアップの概略図である。 １……半導体レーザ、２……発散レンズ、３……収束レ
ンズ、４……光ディスク、5,5′……光導波路、６……
光回折素子、７……受光素子。
Claims (3)
- 【請求項１】光を放射するレーザ光源、前記レーザから
出射する光を発散させるための光学レンズ、及び前記発
散された光を光記憶媒体上に収束するための光学レン
ズ、前記光記憶媒体によって反射される光を導波路に結
合させるための回折素子の形成された光導波路、及び前
記光導波路を伝搬する光を検出するための受光素子を含
んで構成され、前記回折素子と光導波路と受光素子が前
記発散用或は収束用の光学レンズの表面に形成されてい
る事を特徴とする光ピックアップ装置。 - 【請求項２】光を放射するレーザ光源、前記レーザから
出射する光を発散させるための光学レンズ、及び前記発
散された光を光記憶媒体上に収束するための光学レン
ズ、前記光記憶媒体によって反射させる光を結合させる
回折素子の形成された光導波路、及び前記光導波路を伝
搬する光を放射するための素子及び前記放射された光を
検出するための受光素子を含んで構成され、前記回折素
子と光導波路と光導波路を伝搬する光を外部に放射する
結合素子が、前記発散性又は収束性のレンズの表面に形
成され、かつ受光素子が前記レーザ光源の近傍に配置さ
れている事を特徴とする光ピックアップ装置。 - 【請求項３】光を放射する半導体レーザ光源、前記半導
体レーザ光源から出射する光を発散させる発散レンズ、
及び前記発散された光を光記憶媒体上に光学レンズで収
束し、前記光記憶媒体からの反射光が前記の発散レンズ
に戻り、前記発散レンズの表面に形成された光導波路に
前記反射光が回折格子を介して結合されて前記光導波路
を伝搬し、前記回折格子とは別に形成された回折格子に
より前記光導波路外に放射されて、受光素子に導かれる
とともに、前記半導体レーザ光源および受光素子が同一
のマウント上に配置され、かつ、前記光導波路と回折格
子の形成された発散レンズによって、前記半導体レーザ
光源と受光素子が密封されている事を特徴とする光ピッ
クアップ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196556A JP2506972B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
| US07/487,964 US5161148A (en) | 1988-08-05 | 1989-08-01 | Optical pick-up using wavelength guide with grating coupler therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196556A JP2506972B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246535A JPH0246535A (ja) | 1990-02-15 |
| JP2506972B2 true JP2506972B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=16359700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196556A Expired - Fee Related JP2506972B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506972B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003248960A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Sony Corp | 光学ピックアップ及びディスクドライブ装置 |
| JP7396609B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2023-12-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 回折格子アレイ |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196556A patent/JP2506972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0246535A (ja) | 1990-02-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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