JPS61121486A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS61121486A JPS61121486A JP24384584A JP24384584A JPS61121486A JP S61121486 A JPS61121486 A JP S61121486A JP 24384584 A JP24384584 A JP 24384584A JP 24384584 A JP24384584 A JP 24384584A JP S61121486 A JPS61121486 A JP S61121486A
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- Japan
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- laser
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- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザの製造方法に関し、半導体レーザ
を３ビ一ムトラツキング方式の光学式記録装置を構成す
る光学式ヘッドに光源として用いた場合に０次ビームの
光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の
変化に対する依存性のないトラッキングエラー信号を得
ることができるようにすることのできる新規な半導体レ
ーザの製造方法を提供しようとするものである。
を３ビ一ムトラツキング方式の光学式記録装置を構成す
る光学式ヘッドに光源として用いた場合に０次ビームの
光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の
変化に対する依存性のないトラッキングエラー信号を得
ることができるようにすることのできる新規な半導体レ
ーザの製造方法を提供しようとするものである。
背景技術
先ず、第３図に従って、従来の半導体レーザを光源とす
る光学式ヘッド及びトラッキング誤差検出方法について
説明する。
る光学式ヘッド及びトラッキング誤差検出方法について
説明する。
ｌは半導体レーザ（レーザダイオード）で、これのレー
ザビーム出射端面ＩＡ側より出射した断面形状が楕円の
レーザビームはコリメータレンズ（不用の場合もある）
２に入射せしめられて平行ビームとされ、回折格子（グ
レーティング）３に入射せしめられる。該回折格子３よ
り出射した０゜次ビームＬＯ及び±１次ビームＬ＋ｌ、
Ｌ−１゛（尚＋２次以上、−２次以下のビームは無視す
る）は非偏光ビームスプリッタ（ハーフ−ミラ）４を通
過した後、対物レンズ５により集束せしめられ、その集
束されたＯ次ビームＬＯ及び±１次ビームＬ＋１、Ｌ−
１は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む）６の記録
面に所定間隔（例えば１０ｇｍ）を置いて入射せしめら
れる。尚、上記ビームスプリッタ４として非偏光ではな
く偏光ビームスプリッタを用いる場合にはその偏光ビー
ムスプリッタと回折格子３との間に１／４波長板を配置
する必要がある。
ザビーム出射端面ＩＡ側より出射した断面形状が楕円の
レーザビームはコリメータレンズ（不用の場合もある）
２に入射せしめられて平行ビームとされ、回折格子（グ
レーティング）３に入射せしめられる。該回折格子３よ
り出射した０゜次ビームＬＯ及び±１次ビームＬ＋ｌ、
Ｌ−１゛（尚＋２次以上、−２次以下のビームは無視す
る）は非偏光ビームスプリッタ（ハーフ−ミラ）４を通
過した後、対物レンズ５により集束せしめられ、その集
束されたＯ次ビームＬＯ及び±１次ビームＬ＋１、Ｌ−
１は光学式記録媒体（光磁気記録媒体も含む）６の記録
面に所定間隔（例えば１０ｇｍ）を置いて入射せしめら
れる。尚、上記ビームスプリッタ４として非偏光ではな
く偏光ビームスプリッタを用いる場合にはその偏光ビー
ムスプリッタと回折格子３との間に１／４波長板を配置
する必要がある。
光学式記録媒体６で反射した０次ビームＬＯ及び±１次
ビームＬ＋１、Ｌ−、は対物レンズ５を通過してビーム
スプリッタ４に入射せしめられ、その一部はその入射面
４ａで反射して光検出器７に入射せしめられる。この光
検出器７はＯ次ビームＬＯ及び±１次Ｌ＋１、Ｌ−１が
各別に入射せしめられる３個の光検出部により構成され
る。そして、±１次ビームが入射せしめられる一対の光
検出部からの一対の光検出出力の差を検出することによ
り、０次ビームＬＯの光学式記録媒体６の記録面上での
トラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得る
ようにされる。又、０次ビームが入射せしめられる光検
出部からは、再生信号、フォーカスエラー信号等を得る
。
ビームＬ＋１、Ｌ−、は対物レンズ５を通過してビーム
スプリッタ４に入射せしめられ、その一部はその入射面
４ａで反射して光検出器７に入射せしめられる。この光
検出器７はＯ次ビームＬＯ及び±１次Ｌ＋１、Ｌ−１が
各別に入射せしめられる３個の光検出部により構成され
る。そして、±１次ビームが入射せしめられる一対の光
検出部からの一対の光検出出力の差を検出することによ
り、０次ビームＬＯの光学式記録媒体６の記録面上での
トラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得る
ようにされる。又、０次ビームが入射せしめられる光検
出部からは、再生信号、フォーカスエラー信号等を得る
。
次に、半導体ビームの一例１について第４図に従って説
明する。この半導体レーザｌはチップ状で通常一方の電
極を兼ねた銅等からなるヒートシンク８上に固着されて
いる。半導体レーザｌの構造を上層から下層の順で説明
すると、１ａは電極層、１ｂはｎ型のＧａＡｓ層（基板
層）、１ｃはｎ型のＧａＡｓ ＬＡｓ （クラッド層）
、１ｄはＧａＡｓ ＬＡｓ層（活性層）、１ｅはＰ型ｔ
７） Ｇ ａ ＡＳ層（クラッド層）、１ｆはＰ型のＧ
ａＡｓ層である。そして、活性層１ｄ、特にその中央部
から上述のレーザビームＬが出射する。この半導体レー
ザ１のレーザビーム出射端面（臂開面） ＬＡを正面
とすると、その幅が１００〜３００ＩＬｍ高さく厚さ）
が８０〜１１００ｐ、奥行が２００〜３００ｇｍである
０、活性層１ｄのヒートシンク８の上面からの高さは数
４ｍである。
明する。この半導体レーザｌはチップ状で通常一方の電
極を兼ねた銅等からなるヒートシンク８上に固着されて
いる。半導体レーザｌの構造を上層から下層の順で説明
すると、１ａは電極層、１ｂはｎ型のＧａＡｓ層（基板
層）、１ｃはｎ型のＧａＡｓ ＬＡｓ （クラッド層）
、１ｄはＧａＡｓ ＬＡｓ層（活性層）、１ｅはＰ型ｔ
７） Ｇ ａ ＡＳ層（クラッド層）、１ｆはＰ型のＧ
ａＡｓ層である。そして、活性層１ｄ、特にその中央部
から上述のレーザビームＬが出射する。この半導体レー
ザ１のレーザビーム出射端面（臂開面） ＬＡを正面
とすると、その幅が１００〜３００ＩＬｍ高さく厚さ）
が８０〜１１００ｐ、奥行が２００〜３００ｇｍである
０、活性層１ｄのヒートシンク８の上面からの高さは数
４ｍである。
背景技術の問題点
ところで、Ｏ次ビームＬｏの光学式記録媒体６の記録面
に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると、ト
ラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化し、
正確なトラッキングエラーを検出することができなかっ
た。
に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると、ト
ラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化し、
正確なトラッキングエラーを検出することができなかっ
た。
そこで、その原因を探究したところ、次のことが判明し
た。光学式記録媒体６で反射した０次ビームＬＯ及び±
１次ビームＬ＋ｌ、Ｌ−１は対物レンズ５を通過した後
、ビームスプリッタ４の反射面４ａで反射するのみなら
ず、ビームスプリッタ４を通過し、回折格子３に入射す
る。すると、入射した各ビームに対応して０次ビーム及
び±１次ビームが発生し、コリメータレンズ２を通過し
て半導体ビーム素子ｌに向゛う、この半導体レーザ１に
向うビームのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用
いた場合には多く、偏光ビームスプリンタを用いた場合
は少ない。この場合、半導体レーザ１のレーザビーム出
射端面ＩＡの回折格子３の対する相対回動角位置に応じ
て半導体レーザ１上の中心ビーム１ａの入射位置とその
両側に位置する両側ビームＬｂ、、Ｌｃの入射位置との
位置関係が異なり、３種類の位置関係がある。
た。光学式記録媒体６で反射した０次ビームＬＯ及び±
１次ビームＬ＋ｌ、Ｌ−１は対物レンズ５を通過した後
、ビームスプリッタ４の反射面４ａで反射するのみなら
ず、ビームスプリッタ４を通過し、回折格子３に入射す
る。すると、入射した各ビームに対応して０次ビーム及
び±１次ビームが発生し、コリメータレンズ２を通過し
て半導体ビーム素子ｌに向゛う、この半導体レーザ１に
向うビームのビーム量は、非偏光ビームスプリッタを用
いた場合には多く、偏光ビームスプリンタを用いた場合
は少ない。この場合、半導体レーザ１のレーザビーム出
射端面ＩＡの回折格子３の対する相対回動角位置に応じ
て半導体レーザ１上の中心ビーム１ａの入射位置とその
両側に位置する両側ビームＬｂ、、Ｌｃの入射位置との
位置関係が異なり、３種類の位置関係がある。
その第１のものは、中心ビームＬａの入射位置がレーザ
ビーム出射端面１ａ上の活性層１ｄに位置し、両側ビー
ムＬａ、Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り活性層１ｄ
と直交する直線上においてその中心ビーム１ａの上下に
位置する部分に入射される場合である。又、第２のもの
は、中心ビームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃが共に、
活性層ｌｄ上に位置し、そして、第３のものは中心ビー
ムＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃの入射位置を結ぶ直線
が上記２つの場合の中間のある角度になる。
ビーム出射端面１ａ上の活性層１ｄに位置し、両側ビー
ムＬａ、Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り活性層１ｄ
と直交する直線上においてその中心ビーム１ａの上下に
位置する部分に入射される場合である。又、第２のもの
は、中心ビームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃが共に、
活性層ｌｄ上に位置し、そして、第３のものは中心ビー
ムＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌｃの入射位置を結ぶ直線
が上記２つの場合の中間のある角度になる。
そして、これら中心ビームＬａ及び両側ビームＬｂ、Ｌ
ｃは、１次ビームＬＯと±１次ビームＬ＋１、Ｌ−１が
回折格子３によって再回折され、且つ混在して重畳され
る。
ｃは、１次ビームＬＯと±１次ビームＬ＋１、Ｌ−１が
回折格子３によって再回折され、且つ混在して重畳され
る。
ところで、両側ビーム１ｂ、１ｃの片方がヒートシンク
８の面に入射した場合は、その面が粗面であるので、そ
のビームについてはそこで乱反射されるので問題はない
、しかし、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方が半
導体レーザ１のレーザビーム出射端面ＩＡに入射する。
８の面に入射した場合は、その面が粗面であるので、そ
のビームについてはそこで乱反射されるので問題はない
、しかし、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方が半
導体レーザ１のレーザビーム出射端面ＩＡに入射する。
そして、この端面ＩＡの反射率が大きいのでこの端面Ｉ
Ａでそのビームが反射し、上述の光路を通過して光検出
器７に入射し、＋１次又は−１次ビームと干渉を起す。
Ａでそのビームが反射し、上述の光路を通過して光検出
器７に入射し、＋１次又は−１次ビームと干渉を起す。
このため、０次ビームＬｏの光学式記録媒体６の記録面
に対するタンジェンシャルスキュー角に応じて光検出器
７に入射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、
トラッキングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期
的に変化する。第６図は両側ビームＬｂ、Ｌｃの一方Ｌ
ｂが半導体レーザ１のレーザビーム発光端面ＩＡに入射
し、他方Ｌｃがヒートシンク８に入射した場合における
、Ｏ次ビームＬＯの記録面に対するタンジェンシャルス
キュー角α０とトラッキングエラー信号Ｓｅのレベルと
の理想的関係を示す曲線図である。この図から解るよう
に、スキュー角α０の変化に応じてトラッキングエラー
信号Ｓ ｅのレーザビームの波長入に対し、入／２毎の
周期でレベルが変化する。具体的には１α１が増大する
につれてトラッキングエラー信号Ｓｅのレベルが減衰す
る。尚、両側ビームＬｂ、Ｌｃはレーザビーム出射端面
ＩＡに入射する場合は、波形の振幅が中心ＬＯの場合の
２倍にな°す、又、位相も第６図に示す場合とは異なる
。
に対するタンジェンシャルスキュー角に応じて光検出器
７に入射する＋１次又は−１次ビームの強度が変化し、
トラッキングエラー信号がそのスキュー角に応じて周期
的に変化する。第６図は両側ビームＬｂ、Ｌｃの一方Ｌ
ｂが半導体レーザ１のレーザビーム発光端面ＩＡに入射
し、他方Ｌｃがヒートシンク８に入射した場合における
、Ｏ次ビームＬＯの記録面に対するタンジェンシャルス
キュー角α０とトラッキングエラー信号Ｓｅのレベルと
の理想的関係を示す曲線図である。この図から解るよう
に、スキュー角α０の変化に応じてトラッキングエラー
信号Ｓ ｅのレーザビームの波長入に対し、入／２毎の
周期でレベルが変化する。具体的には１α１が増大する
につれてトラッキングエラー信号Ｓｅのレベルが減衰す
る。尚、両側ビームＬｂ、Ｌｃはレーザビーム出射端面
ＩＡに入射する場合は、波形の振幅が中心ＬＯの場合の
２倍にな°す、又、位相も第６図に示す場合とは異なる
。
次に、一方の側のビームＬｂがレーザビーム出射面ＩＡ
に入射し、他方の側のビームＬ、ｃがヒートシンク８に
入射する場合の干渉について＄７図によって説明する。
に入射し、他方の側のビームＬ、ｃがヒートシンク８に
入射する場合の干渉について＄７図によって説明する。
尚、この図ではレンズ系の図示を省略しである。この図
において、出射端面ＩＡは正規の状態が破線にて示され
、正規の状態から傾いた一般的な状態が実線で示される
。又、光学式記録媒体６も正規な状態が破線で示され、
正規な状態から傾いた一般的な状態が実線で示される。
において、出射端面ＩＡは正規の状態が破線にて示され
、正規の状態から傾いた一般的な状態が実線で示される
。又、光学式記録媒体６も正規な状態が破線で示され、
正規な状態から傾いた一般的な状態が実線で示される。
０次ビームＬＯは上記正規の状態におけるレーザビーム
出射端面ＩＡ及び同じく光学式媒体６（の記録面）に対
して鉛直である。第７図あるいは下記の式（１）〜（６
）において、θは＋１次ビームＬ＋ｌのＯ次ビームＬＯ
に対する角度、ｔｌがレーザ出射端面ＩＡと回折格子３
との間の位相長、ｔｌは回折格子３と光学式記録媒体６
（の記録面）との間の位相長、Δｔ１、Δｔ２は位相長
ｔ１、ｔｌに対するＯ次ビームＬＯ及び＋１ビ一ムＬ＋
１間の位相差である。Δｔ３、Δｔ４は光学式記録媒体
６、レーザビーム出射端面ＩＡのスキュー位相であり、
ｇは回折格子３における０次ビームＬＯと＋１次ビーム
Ｌ＋を間の位相差、１０．１１は回折格子３における０
次ビーム、＋１次ビームの透過率、ｔはハーフミラ−４
の透過率、ｒ、ｆは光学式記録媒体６の記録面土、レー
ザビーム出射端面ＩＡ上の反射率である。
出射端面ＩＡ及び同じく光学式媒体６（の記録面）に対
して鉛直である。第７図あるいは下記の式（１）〜（６
）において、θは＋１次ビームＬ＋ｌのＯ次ビームＬＯ
に対する角度、ｔｌがレーザ出射端面ＩＡと回折格子３
との間の位相長、ｔｌは回折格子３と光学式記録媒体６
（の記録面）との間の位相長、Δｔ１、Δｔ２は位相長
ｔ１、ｔｌに対するＯ次ビームＬＯ及び＋１ビ一ムＬ＋
１間の位相差である。Δｔ３、Δｔ４は光学式記録媒体
６、レーザビーム出射端面ＩＡのスキュー位相であり、
ｇは回折格子３における０次ビームＬＯと＋１次ビーム
Ｌ＋を間の位相差、１０．１１は回折格子３における０
次ビーム、＋１次ビームの透過率、ｔはハーフミラ−４
の透過率、ｒ、ｆは光学式記録媒体６の記録面土、レー
ザビーム出射端面ＩＡ上の反射率である。
ここで、＋１次ビームＬ＋１が入射する光学式記録媒体
６の記録面上の点Ａにおける入射光の複素振幅を下記の
４つの場合（１）〜（４）（ａ１〜ａ＋）に分けて考え
る。
６の記録面上の点Ａにおける入射光の複素振幅を下記の
４つの場合（１）〜（４）（ａ１〜ａ＋）に分けて考え
る。
（１）ａｌ ：＋１次ビームＬ＋ｌが直接に点Ａに入射
した場合の入射光の複素振幅 （２）ａ２：Ｏ次ビームＬＯが光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによって得られた０
次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再度回
折格子３に入射することによって得られた＋１次ビーム
が点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅 （３）ａ３：Ｏ次ビームＬＯが光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによって得られた＋
１次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再度
回折格子３に入射することによって得られた０次ビーム
が点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅 （４）ａ４：＋１次ビームＬ＋１が光学式記録媒体６で
反射し、再度回折格子３に入射することによって得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再
度回折格子３に入射することによって得られた０次ビー
ムが点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅 次に、ａ１〜ａ４を式にして示す ａ１＝ｉ１ｔ・ｅｓｐ （ｊ （ｔｌ＋ｇ＋ｔ２＋Δ
ｔ２＋Δｔ３）） ・・・ （１）ａ２＝ｉ０２ｉ
１ｔ ３ｒｆ ａｅｓｐ ［ｊ （３（Ｌ１
＋Ｌ２）＋ｇ＋Δ１２＋Δｔ３）］・・・ （２） ａ３＝ｉ０ ２ ｉ １ ｔ ３ ｒｆ ｅｅ
ｘｐ ［ｊ （３（Ｌ ｌ＋Ｌ２）＋ｇ＋２Δｔ
１＋Δ１２＋Δ ｔ ３＋２Δ ｔ４） ］ ・ ・ ・ ・ （３） ａ＋＝ｉｏ ２ｉ ｔ ｔ ３ｒｆ ｅｅｘ
ｐ ［ｊ （３（Ｌ １＋１２） ＋ｇ＋３
（Δ ｔ２＋Δ １３）＋２Δ ｔ １＋２Δ Ｌ４
） ］・ 参 〇 （４） 計算の簡略化のため、レーザビームの可干渉距離を２（
Ｌ１＋１２）以下とすると、点Ａにおける光の強度Ｉａ
は次式で表わされる。
した場合の入射光の複素振幅 （２）ａ２：Ｏ次ビームＬＯが光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによって得られた０
次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再度回
折格子３に入射することによって得られた＋１次ビーム
が点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅 （３）ａ３：Ｏ次ビームＬＯが光学式記録媒体６で反射
し、再度回折格子３に入射することによって得られた＋
１次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再度
回折格子３に入射することによって得られた０次ビーム
が点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅 （４）ａ４：＋１次ビームＬ＋１が光学式記録媒体６で
反射し、再度回折格子３に入射することによって得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面ＩＡで反射し、再
度回折格子３に入射することによって得られた０次ビー
ムが点Ａに入射した場合の入射光の複素振幅 次に、ａ１〜ａ４を式にして示す ａ１＝ｉ１ｔ・ｅｓｐ （ｊ （ｔｌ＋ｇ＋ｔ２＋Δ
ｔ２＋Δｔ３）） ・・・ （１）ａ２＝ｉ０２ｉ
１ｔ ３ｒｆ ａｅｓｐ ［ｊ （３（Ｌ１
＋Ｌ２）＋ｇ＋Δ１２＋Δｔ３）］・・・ （２） ａ３＝ｉ０ ２ ｉ １ ｔ ３ ｒｆ ｅｅ
ｘｐ ［ｊ （３（Ｌ ｌ＋Ｌ２）＋ｇ＋２Δｔ
１＋Δ１２＋Δ ｔ ３＋２Δ ｔ４） ］ ・ ・ ・ ・ （３） ａ＋＝ｉｏ ２ｉ ｔ ｔ ３ｒｆ ｅｅｘ
ｐ ［ｊ （３（Ｌ １＋１２） ＋ｇ＋３
（Δ ｔ２＋Δ １３）＋２Δ ｔ １＋２Δ Ｌ４
） ］・ 参 〇 （４） 計算の簡略化のため、レーザビームの可干渉距離を２（
Ｌ１＋１２）以下とすると、点Ａにおける光の強度Ｉａ
は次式で表わされる。
■ ａ＝ ｌ ａ １ ｌ ２ ＋ｌ
ａ２＋ａ３−１−ａ４ ｌ ２＝ｉ Ｉ２
ｔ ２［１＋ｉ０’ｔ’ｒ２ｆ ２（３＋２ｃｏｓ２（
Δｔ１＋Δｔ４）＋２ ｃｏｓ２ （Δｔ１＋Δｔ４
＋Δｔ２＋Δｌ ３） ＋２ｃｏｓ ２ （Δｔ２＋Δ
ｔ３）］・・・・（５） 又１両側ビームＬｂ、Ｌｃがレーザビーム出射端面ＩＡ
に入射する場合において、＋１次ビームＬ＋１が光学式
記録媒体６の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビーム１
．ｌがＯ次ビームＬＯに対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度Ｉａは前記式（５）のとおりである
が、その点Ｂの光の強度Ｉｂは次式で表わされる。
ａ２＋ａ３−１−ａ４ ｌ ２＝ｉ Ｉ２
ｔ ２［１＋ｉ０’ｔ’ｒ２ｆ ２（３＋２ｃｏｓ２（
Δｔ１＋Δｔ４）＋２ ｃｏｓ２ （Δｔ１＋Δｔ４
＋Δｔ２＋Δｌ ３） ＋２ｃｏｓ ２ （Δｔ２＋Δ
ｔ３）］・・・・（５） 又１両側ビームＬｂ、Ｌｃがレーザビーム出射端面ＩＡ
に入射する場合において、＋１次ビームＬ＋１が光学式
記録媒体６の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビーム１
．ｌがＯ次ビームＬＯに対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度Ｉａは前記式（５）のとおりである
が、その点Ｂの光の強度Ｉｂは次式で表わされる。
Ｉ ｂ＝ｉ １２ｔ ２ ［１＋ｉ０’ｔ ’ｒ２ｆ
２（３＋２ｃｏｓ ２ （Δｔ１−ΔＬ４）＋２ｃｏｓ
２ （Δｔ１−Δｔ４＋Δｔ２−Δ Ｌ ３）
＋２ｃｏｓ ２ （Δｔ２−Δ Ｌ３）ｌ］
・ ・ 拳 （６）このよう
に、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方がビーム出
射端面ＩＡに入射し、その結果、その端面ＩＡで反射し
、光検出器７に入射するので＋１次又は−１次ビームと
干渉を起す。そのため、０次ビームの光学式記録媒体に
対するタンジェンシャルスキュー角の変化によって光検
出器７に入射する＋１次あるいは一１次ビームの強度が
変化する。即ち、トラッキングエラー信号のレベルがト
ラッキング状態によってだけでなく、タンジェンシャル
スキュー角の変化によっても変化してしまう。
２（３＋２ｃｏｓ ２ （Δｔ１−ΔＬ４）＋２ｃｏｓ
２ （Δｔ１−Δｔ４＋Δｔ２−Δ Ｌ ３）
＋２ｃｏｓ ２ （Δｔ２−Δ Ｌ３）ｌ］
・ ・ 拳 （６）このよう
に、両側ビームＬｂ、Ｌｃの少なくとも一方がビーム出
射端面ＩＡに入射し、その結果、その端面ＩＡで反射し
、光検出器７に入射するので＋１次又は−１次ビームと
干渉を起す。そのため、０次ビームの光学式記録媒体に
対するタンジェンシャルスキュー角の変化によって光検
出器７に入射する＋１次あるいは一１次ビームの強度が
変化する。即ち、トラッキングエラー信号のレベルがト
ラッキング状態によってだけでなく、タンジェンシャル
スキュー角の変化によっても変化してしまう。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、半導体レーザを３ビームトラツキング、す式の光
学式記録装置を構成する光学式ヘッドに光源として用い
た場合に０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェ
ンシャルスキュー角の変化に対する依存性のないトラッ
キングエラー信号を得ることができるようにすることの
できる新規な半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とするものである。
あり、半導体レーザを３ビームトラツキング、す式の光
学式記録装置を構成する光学式ヘッドに光源として用い
た場合に０次ビームの光学式記録媒体に対するタンジェ
ンシャルスキュー角の変化に対する依存性のないトラッ
キングエラー信号を得ることができるようにすることの
できる新規な半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、半導体レーザのレ
ーザ光出射端面をその発光部をマスクした状態で粗面化
することを特徴とするものである。
ーザ光出射端面をその発光部をマスクした状態で粗面化
することを特徴とするものである。
作用
従って、光学式記録媒体で反射したビームが半導体レー
ザのレーザビーム出射端面に入射されてもビームが入射
した部分は粗面化されているので、そのビームは乱反射
される。従って１反射光の干渉が起きる慣れがなく、ト
ラッキングエラー信号が０次ビームの光学式記録体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によって変化す
ることを回避することができる。
ザのレーザビーム出射端面に入射されてもビームが入射
した部分は粗面化されているので、そのビームは乱反射
される。従って１反射光の干渉が起きる慣れがなく、ト
ラッキングエラー信号が０次ビームの光学式記録体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によって変化す
ることを回避することができる。
実施例
以下に１本発明半導体レーザの製造方法を添附図面に示
した実施例に従って詳細に説明する。
した実施例に従って詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体レーザの製造方
法の実施の一例を工程順に示すものである。
法の実施の一例を工程順に示すものである。
（Ａ）半導体レーザ１が群成せしめられた図示しない半
導体ウェハをスクライブすることにより半導体レーザ１
が一列に配置されたレーザパー９を得る。そして、多数
のレーザパー７をマスク用基板１０に形成された平面形
状が細長な矩形の凹部１１．１１．−・拳に落し込む。
導体ウェハをスクライブすることにより半導体レーザ１
が一列に配置されたレーザパー９を得る。そして、多数
のレーザパー７をマスク用基板１０に形成された平面形
状が細長な矩形の凹部１１．１１．−・拳に落し込む。
この凹部１１．１１、φ・−の大きさ、深さはレーザパ
ー９の上側半部が入るに必要最小限の大きざ、深さにさ
れており、上側半部、即ち、発光部１２が存在する側と
反対側の半部が凹部１１．１１、・φ・内に位置し、下
側半部、即ち、発光部１２が存在する側の半部が凹部１
１．１１、・・・から外側に露出せしめられるようにさ
れている。このようにして、レーザバー２の各半導体レ
ーザ１．１、番・・のレーザ光出射端面の下側半部のみ
が露出せしめられる。第１図（Ａ）はレーザバー９．９
、・・・の下側半部がマスク用基板３の凹部１１．１１
、φ・・内に収納されたときの状態を示す斜視図である
。
ー９の上側半部が入るに必要最小限の大きざ、深さにさ
れており、上側半部、即ち、発光部１２が存在する側と
反対側の半部が凹部１１．１１、・φ・内に位置し、下
側半部、即ち、発光部１２が存在する側の半部が凹部１
１．１１、・・・から外側に露出せしめられるようにさ
れている。このようにして、レーザバー２の各半導体レ
ーザ１．１、番・・のレーザ光出射端面の下側半部のみ
が露出せしめられる。第１図（Ａ）はレーザバー９．９
、・・・の下側半部がマスク用基板３の凹部１１．１１
、φ・・内に収納されたときの状態を示す斜視図である
。
（Ｂ）次に、第１図（Ａ）に示す状態でレーザバー９．
９、・・・の露出面に保護膜１３を形成する。保護膜１
３としてはプラズマナイトライド（Ｓ ｉ ３ Ｎ４）
膜等が好適である。
９、・・・の露出面に保護膜１３を形成する。保護膜１
３としてはプラズマナイトライド（Ｓ ｉ ３ Ｎ４）
膜等が好適である。
この工程によりレーザバー９．９、・・・のレーザ光出
射端面の少なくとも発光部１２は保護膜１３によって完
全にマスクされた状態になる。
射端面の少なくとも発光部１２は保護膜１３によって完
全にマスクされた状態になる。
第１図ＣＢ）は保護膜１３の形成後の状態を示す同図（
Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
（Ｃ） 次に、レーザ／へ−９，９，拳Φ・をマスク用
基板１０から取り出し、上記保護膜１３をマスクとして
レーザバー９．９、・・・の表面をエンチングすること
によりその表面を粗面化する。１４は粗面化された面を
示す。尚、エツチングに用いるエツチング液としてはリ
ン酸・過酸化水素系、硫酸・過酸化水素系あるいはアン
モニア・過酸化水素系等のエツチング液その他ＧａＡ
ｓ半導体に対する通常のエツチングを用いることができ
る。第１図（Ｃ）はエツチングによる粗面化処理を終え
た後における状態を示す断面図である。
基板１０から取り出し、上記保護膜１３をマスクとして
レーザバー９．９、・・・の表面をエンチングすること
によりその表面を粗面化する。１４は粗面化された面を
示す。尚、エツチングに用いるエツチング液としてはリ
ン酸・過酸化水素系、硫酸・過酸化水素系あるいはアン
モニア・過酸化水素系等のエツチング液その他ＧａＡ
ｓ半導体に対する通常のエツチングを用いることができ
る。第１図（Ｃ）はエツチングによる粗面化処理を終え
た後における状態を示す断面図である。
（Ｄ）その後、異方性エツチング処理によりレーザバー
９．９、・・φの表面（電極形成部）上の保護膜１３を
除去してレーザ光出射端面上のみに保護膜１３が残存す
るようにする。これによって発光部１２が保護膜１３に
よって保護され、レーザ光出射端面の発光部１２が属し
ない上側半部（１４）が粗面化された半導体レーザ１が
できあがる。第１図（Ｄ）はレーザバー９，９、・・・
表面（電極形成部）上の保護膜１３を除去した後におけ
る状態を示す断面図である。
９．９、・・φの表面（電極形成部）上の保護膜１３を
除去してレーザ光出射端面上のみに保護膜１３が残存す
るようにする。これによって発光部１２が保護膜１３に
よって保護され、レーザ光出射端面の発光部１２が属し
ない上側半部（１４）が粗面化された半導体レーザ１が
できあがる。第１図（Ｄ）はレーザバー９，９、・・・
表面（電極形成部）上の保護膜１３を除去した後におけ
る状態を示す断面図である。
尚、この状態ではまだバー状であるので、ダイシングの
ためのスクライブをして各半導体レーザ１．１．・番・
をペレット化する。
ためのスクライブをして各半導体レーザ１．１．・番・
をペレット化する。
第２図はヒートシンク８上に接続された状態の半導体レ
ーザ１を示す正面図である。
ーザ１を示す正面図である。
このような半導体レーザ１を光学式ヘッドの光源として
用いた３ビ一ムトラツキング方式の光学式記録再生装置
によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対物レン
ズ５、ビームスプリッタ４及び回折格子３を経て半導体
レーザ素子１側に戻っても上側のビームＬｂの入射位置
はレーザ光出射端面ＩＡの粗面１４上であるので、その
上側のビームＬｂは乱反射される。また、下側のビーム
Ｌｃの入射位置はヒートシンク８表面であり、元来その
表面は半導体の臂開面に比較して粗面であり、反射率は
きわめて低く、そこに入射された下側ビームＬｃも乱反
射される。従って、半導体レーザ１に戻ったビームＬｂ
、Ｌｃを回避することができる。依って、トラッキング
エラー信号が光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒
体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化によって
変化する惧れがない。
用いた３ビ一ムトラツキング方式の光学式記録再生装置
によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対物レン
ズ５、ビームスプリッタ４及び回折格子３を経て半導体
レーザ素子１側に戻っても上側のビームＬｂの入射位置
はレーザ光出射端面ＩＡの粗面１４上であるので、その
上側のビームＬｂは乱反射される。また、下側のビーム
Ｌｃの入射位置はヒートシンク８表面であり、元来その
表面は半導体の臂開面に比較して粗面であり、反射率は
きわめて低く、そこに入射された下側ビームＬｃも乱反
射される。従って、半導体レーザ１に戻ったビームＬｂ
、Ｌｃを回避することができる。依って、トラッキング
エラー信号が光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒
体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化によって
変化する惧れがない。
発明の効果
以上に述べたように、本発明方法により製造した半導体
レーザを３ビ一ムトラツキング方式の光学式記録装置、
再生装置あるいは記録装置の光学式ヘッドにレーザ光源
として用いれば、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記
録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化によ
ってトランキングエラー信号が変化することを防止する
ことができる。
レーザを３ビ一ムトラツキング方式の光学式記録装置、
再生装置あるいは記録装置の光学式ヘッドにレーザ光源
として用いれば、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記
録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化によ
ってトランキングエラー信号が変化することを防止する
ことができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明半導体レーザの製造方
法の実施の一例を工程順に示すもので、同図（Ａ）は斜
視図、同図（Ｂ）乃至（Ｃ）は断面図、第２図はヒート
シンクにボンディングされた半導体レーザの正面図、第
３図乃至第７図は背景技術とその問題点を説明するため
のもので、第３図は光学式ヘッドの概略を示す配置図、
第４図及び第５図は光学式ヘッドに用いられた半導体レ
ーザの一例を示す正面図、第６図はタンジェンシャルス
キュー角の変化に対するトラッキングエラー信号のレベ
ル変化を示す曲線図、第７図は干渉の説明に供する線図
である。 符号の説明 １Φ−・半導体レーザ、 １２・・Φ発光部、 １３・φ・マスク（保護層）、 １４Φφ轡粗面 片１図 才２図
法の実施の一例を工程順に示すもので、同図（Ａ）は斜
視図、同図（Ｂ）乃至（Ｃ）は断面図、第２図はヒート
シンクにボンディングされた半導体レーザの正面図、第
３図乃至第７図は背景技術とその問題点を説明するため
のもので、第３図は光学式ヘッドの概略を示す配置図、
第４図及び第５図は光学式ヘッドに用いられた半導体レ
ーザの一例を示す正面図、第６図はタンジェンシャルス
キュー角の変化に対するトラッキングエラー信号のレベ
ル変化を示す曲線図、第７図は干渉の説明に供する線図
である。 符号の説明 １Φ−・半導体レーザ、 １２・・Φ発光部、 １３・φ・マスク（保護層）、 １４Φφ轡粗面 片１図 才２図
Claims (1)
- （１）半導体レーザのレーザ光出射端面をその発光部を
少なくともマスクした状態で粗面化することを特徴とす
る半導体レーザの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384584A JPS61121486A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384584A JPS61121486A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121486A true JPS61121486A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17109803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24384584A Pending JPS61121486A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121486A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926784A2 (en) * | 1997-12-27 | 1999-06-30 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating opto-electronic devices |
| JP2009164459A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24384584A patent/JPS61121486A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926784A2 (en) * | 1997-12-27 | 1999-06-30 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating opto-electronic devices |
| EP0926784A3 (en) * | 1997-12-27 | 2000-06-14 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating opto-electronic devices |
| JP2009164459A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Nichia Corp | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
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