JP2575099B2 - 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 - Google Patents
光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置Info
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再生装置
に適用して好適な光学式ヘツドのトラツキング誤差検出
装置に関する。
に適用して好適な光学式ヘツドのトラツキング誤差検出
装置に関する。
先ず第２図を参照して、従来の光学式ヘッドのトラツ
キング誤差検出装置について説明する。OHは光学式ヘツ
ドを全体として示す。（１）は半導体レーザ素子（レー
ザダイオード）で、これのレーザビーム出射端面（1A）
側より出射した、断面が楕円の発散レーザビームＬはコ
リメータレンズ（不用の場合もある）（２）に入射せし
められて平行ビームとなされた後、回折格子（グレーテ
イング）（３）に入射せしめられる。回折格子（３）よ
り出射した０次ビームLo及び±１次ビームL+1,L
-1（尚、＋２次上、−２次以下のビームは無視する）は
無偏光ビームスプリツタ（ハーフミラー）（偏向ビーム
スプリツタの場合は、対物レンズ（５）との間に1/4波
長板を設ける）（４）を通過した後、対物レンズ（５）
に入射せしめられて集束せしめられ、その集束された０
次ビームLo及び±１次ビームL+1,L-1は光学式記録媒体
（光磁気記録媒体も含む）（６）の記録面に所定間隔
（例えば10μｍ）を置いて入射せしめられる。
キング誤差検出装置について説明する。OHは光学式ヘツ
ドを全体として示す。（１）は半導体レーザ素子（レー
ザダイオード）で、これのレーザビーム出射端面（1A）
側より出射した、断面が楕円の発散レーザビームＬはコ
リメータレンズ（不用の場合もある）（２）に入射せし
められて平行ビームとなされた後、回折格子（グレーテ
イング）（３）に入射せしめられる。回折格子（３）よ
り出射した０次ビームLo及び±１次ビームL+1,L
-1（尚、＋２次上、−２次以下のビームは無視する）は
無偏光ビームスプリツタ（ハーフミラー）（偏向ビーム
スプリツタの場合は、対物レンズ（５）との間に1/4波
長板を設ける）（４）を通過した後、対物レンズ（５）
に入射せしめられて集束せしめられ、その集束された０
次ビームLo及び±１次ビームL+1,L-1は光学式記録媒体
（光磁気記録媒体も含む）（６）の記録面に所定間隔
（例えば10μｍ）を置いて入射せしめられる。
光学式記録媒体（６）で反射した０次ビームLo及び±
１次ビームL+1,L-1は対物レンズ（５）を通過した後、
ビームスプリツタ（４）に入射せしめられ、その一部は
その反射面（4a）で反射して光検出器（７）に入射せし
められる。この光検出器（７）は、０次ビームLo及び±
１次ビームL+1,L-1が各別に入射せしめられる３個の光
検出部にて構成される。そして、±１次ビームが夫々入
射せしめられる一対の光検出部からの一対の光検出出力
の差を採ることにより、０次ビームLoの光学式記録媒体
（６）の記録面上でのトラツキング状態に応じたトラツ
キング誤差信号が得られる。又、０次ビームの入射せし
められた光検出部からは、再生信号、フオーカスエラー
信号等が得られる。
１次ビームL+1,L-1は対物レンズ（５）を通過した後、
ビームスプリツタ（４）に入射せしめられ、その一部は
その反射面（4a）で反射して光検出器（７）に入射せし
められる。この光検出器（７）は、０次ビームLo及び±
１次ビームL+1,L-1が各別に入射せしめられる３個の光
検出部にて構成される。そして、±１次ビームが夫々入
射せしめられる一対の光検出部からの一対の光検出出力
の差を採ることにより、０次ビームLoの光学式記録媒体
（６）の記録面上でのトラツキング状態に応じたトラツ
キング誤差信号が得られる。又、０次ビームの入射せし
められた光検出部からは、再生信号、フオーカスエラー
信号等が得られる。
次に、半導体レーザ素子（１）の一例について第３図
を参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通
常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）
上に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を
図に於いてその上層から下層に向かつて説明すると、
（1a）は電極層、（1b）はｎ−GaAs層（基体層）、（1
c）はｎ−Ga1−yAlyAs層（クラツド層）、（1d）はGa1
−xAlxAs層（活性層）、（1e）はｐ−Ga1−yAlyAs層
（クラツド層）、（1f）はｐ−GaAs層である。そして、
活性層（1d）から上述のレーザビームＬが出射する。こ
の半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（劈
開面）（1A）を正面とすると、その幅が100〜300μｍ、
高さ（厚さ）が80〜100μｍ、奥行が200〜300μｍであ
る。活性層（1d）のヒートシンク（８）の上面からの高
さは数μｍである。
を参照して説明する。この半導体レーザ素子（１）は通
常一方の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク（８）
上に固着されている。半導体レーザ素子（１）の構造を
図に於いてその上層から下層に向かつて説明すると、
（1a）は電極層、（1b）はｎ−GaAs層（基体層）、（1
c）はｎ−Ga1−yAlyAs層（クラツド層）、（1d）はGa1
−xAlxAs層（活性層）、（1e）はｐ−Ga1−yAlyAs層
（クラツド層）、（1f）はｐ−GaAs層である。そして、
活性層（1d）から上述のレーザビームＬが出射する。こ
の半導体レーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（劈
開面）（1A）を正面とすると、その幅が100〜300μｍ、
高さ（厚さ）が80〜100μｍ、奥行が200〜300μｍであ
る。活性層（1d）のヒートシンク（８）の上面からの高
さは数μｍである。
ところで、０次ビームLoの光学式記録媒体（６）の記
録面に対するタンジエンシヤルスキユー角が変化する
と、トラツキングエラー信号もそれに応じて周期的に変
化し、正確なトラツキングエラーを検出することができ
なかつた。
録面に対するタンジエンシヤルスキユー角が変化する
と、トラツキングエラー信号もそれに応じて周期的に変
化し、正確なトラツキングエラーを検出することができ
なかつた。
この原因は次の通りである。光学式記録媒体（６）で
反射した０次ビームLo及び±１次ビームL+1,L-1は対物
レンズ（５）を通過した後、ビームスプリツタ（４）の
反射面（4a）で反射するのみならず、ビームスプリツタ
（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫々に対
応して各別の０次ビーム及び±１次ビームが発生し、コ
リメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素子
（１）に向かう。この半導体レーザ素子（１）に向かう
ビームのビーム量は、無偏向ビームスプリツタを用いた
場合には多く、偏向ビームスプリツタを用いた場合は少
ない。
反射した０次ビームLo及び±１次ビームL+1,L-1は対物
レンズ（５）を通過した後、ビームスプリツタ（４）の
反射面（4a）で反射するのみならず、ビームスプリツタ
（４）を通過し、回折格子（３）に入射して、夫々に対
応して各別の０次ビーム及び±１次ビームが発生し、コ
リメータレンズ（２）を通過して半導体レーザ素子
（１）に向かう。この半導体レーザ素子（１）に向かう
ビームのビーム量は、無偏向ビームスプリツタを用いた
場合には多く、偏向ビームスプリツタを用いた場合は少
ない。
この場合、第４図に示す如く、半導体レーザ素子
（１）のレーザビーム出射端面（1A）と、回折格子
（３）との相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子
（１）に向かう中心ビームLa及びその両側に位置する両
側ビームLb,Lcの配置は夫々中心ビームLaがレーザビー
ム出射端面（1A）上の活性層（1d）に位置し、両側ビー
ムLb,Lcが中心ビームLaの位置を通り、活性層（1d）と
直交する直線上に於いて上下に位置する場合と、中心ビ
ームLa及び両側ビームLb,Lcが共に活性層（1d）上に位
置する場合と、中心ビームLa及び両側ビームLb,Lcを結
ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意の角度位置に来る
場合とがある。そして、これら中心ビームLa及び両側ビ
ームLb,Lcは、０次ビームLoと、±１次ビームL+1,L-1が
回折格子（３）によつて再回折され、且つ混在して重畳
されたものである。
（１）のレーザビーム出射端面（1A）と、回折格子
（３）との相対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子
（１）に向かう中心ビームLa及びその両側に位置する両
側ビームLb,Lcの配置は夫々中心ビームLaがレーザビー
ム出射端面（1A）上の活性層（1d）に位置し、両側ビー
ムLb,Lcが中心ビームLaの位置を通り、活性層（1d）と
直交する直線上に於いて上下に位置する場合と、中心ビ
ームLa及び両側ビームLb,Lcが共に活性層（1d）上に位
置する場合と、中心ビームLa及び両側ビームLb,Lcを結
ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意の角度位置に来る
場合とがある。そして、これら中心ビームLa及び両側ビ
ームLb,Lcは、０次ビームLoと、±１次ビームL+1,L-1が
回折格子（３）によつて再回折され、且つ混在して重畳
されたものである。
ところで、両側ビームLb,Lcの少なくとも一方がヒー
トシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面で
あるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題は
ないが、両側ビームLb,Lcの少なくとも一方が半導体レ
ーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射す
る場合は、この端面（1A）は反射率が良好（例えば10
％）なので、この端面（1A）で反射し、上述の光路を通
過して光検出器（７）に入射するので、＋１次又は−１
次ビームと干渉を起こす。このため、０次ビームLoの光
学式記録媒体（６）の記録面に対するタンジエンシヤル
スキユー角に応じて、光検出器（７）に入射する＋１次
又は−１次ビームの強度が変化し、トラツキングエラー
信号がそのスキユー角に応じて周期的に変化する。第５
図は、両側ビームLb,Lcの一方のLbが半導体レーザ素子
（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射し、他方Lc
がヒートシンク（８）に入射した場合の、０次ビームLo
の光学式記録媒体（６）の記録面に対するタンジエンシ
ヤルスキユー角α°に対するトラツキングエラ信号Seの
レベル変化の周期性を示す。尚、実際には、｜α｜が増
大するにつれて、トラツキングエラー信号Seのレベルは
減衰する。尚、両側ビームLb,Lc共にレーザビーム出射
端面（1A）に入射する場合は、第５図に対応する波形の
振幅が第５図のそれの２倍となり、位相は第５図と異な
る。
トシンク（８）の面に入射した場合は、その面が粗面で
あるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題は
ないが、両側ビームLb,Lcの少なくとも一方が半導体レ
ーザ素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射す
る場合は、この端面（1A）は反射率が良好（例えば10
％）なので、この端面（1A）で反射し、上述の光路を通
過して光検出器（７）に入射するので、＋１次又は−１
次ビームと干渉を起こす。このため、０次ビームLoの光
学式記録媒体（６）の記録面に対するタンジエンシヤル
スキユー角に応じて、光検出器（７）に入射する＋１次
又は−１次ビームの強度が変化し、トラツキングエラー
信号がそのスキユー角に応じて周期的に変化する。第５
図は、両側ビームLb,Lcの一方のLbが半導体レーザ素子
（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射し、他方Lc
がヒートシンク（８）に入射した場合の、０次ビームLo
の光学式記録媒体（６）の記録面に対するタンジエンシ
ヤルスキユー角α°に対するトラツキングエラ信号Seの
レベル変化の周期性を示す。尚、実際には、｜α｜が増
大するにつれて、トラツキングエラー信号Seのレベルは
減衰する。尚、両側ビームLb,Lc共にレーザビーム出射
端面（1A）に入射する場合は、第５図に対応する波形の
振幅が第５図のそれの２倍となり、位相は第５図と異な
る。
次に、両側ビームLb,Lcのうち一方Lbが半導体レーザ
素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射し、他
方Lcがヒートシンク（８）に入射する場合の干渉につい
て、第６図（レンズ系の図示を省略してある）を参照し
て説明する。第６図に於いて、実線にて示される（1A）
はレーザビーム出射端面であるが、破線に示される正規
の位置の出射端面（1A）に対し傾いている一般的な場合
を示し、又、実線にて示される（６）は光学式記録媒体
であるが、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒
体（６）に対し傾いている場合を示す。０次ビームLoは
正規の位置のレーザビーム出射端面（1A）及び正規の位
置の光学式記録媒体（６）の記録面に対し鉛直である。
θは＋１次ビームL+1の０次ビームLoに対する角度であ
る。l1はビーム出射端面（1A）及び回折格子（３）間の
光路長、l2は回折格子（３）及び光学式記録媒体（６）
の記録面間の光路長である。Δl1，Δl2は夫々光路長
l1,l2に対する０次ビームLo及び＋１次ビームL+1間の光
路差である。Δl3，Δl4は夫々光学式記録媒体（６）の
スキユーによる光路差、レーザビーム出射端面（1A）の
スキユーによる光路差である。
素子（１）のレーザビーム出射端面（1A）に入射し、他
方Lcがヒートシンク（８）に入射する場合の干渉につい
て、第６図（レンズ系の図示を省略してある）を参照し
て説明する。第６図に於いて、実線にて示される（1A）
はレーザビーム出射端面であるが、破線に示される正規
の位置の出射端面（1A）に対し傾いている一般的な場合
を示し、又、実線にて示される（６）は光学式記録媒体
であるが、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒
体（６）に対し傾いている場合を示す。０次ビームLoは
正規の位置のレーザビーム出射端面（1A）及び正規の位
置の光学式記録媒体（６）の記録面に対し鉛直である。
θは＋１次ビームL+1の０次ビームLoに対する角度であ
る。l1はビーム出射端面（1A）及び回折格子（３）間の
光路長、l2は回折格子（３）及び光学式記録媒体（６）
の記録面間の光路長である。Δl1，Δl2は夫々光路長
l1,l2に対する０次ビームLo及び＋１次ビームL+1間の光
路差である。Δl3，Δl4は夫々光学式記録媒体（６）の
スキユーによる光路差、レーザビーム出射端面（1A）の
スキユーによる光路差である。
又、ｇを回折格子（３）に於ける０次ビームLo及び＋
１次ビームL+1間の位相差とする。i0,i1を夫々回折格子
（３）に於ける０次ビーム，＋一次ビームの透過率、ｔ
はハーフミラー（４）の透過率、r,fを夫々光学式記録
媒体（６）の記録面上、レーザビーム出射端面（1A）上
の反射率とする。
１次ビームL+1間の位相差とする。i0,i1を夫々回折格子
（３）に於ける０次ビーム，＋一次ビームの透過率、ｔ
はハーフミラー（４）の透過率、r,fを夫々光学式記録
媒体（６）の記録面上、レーザビーム出射端面（1A）上
の反射率とする。
しかして、＋１次ビームL+1が入射する光学式記録媒
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。
体（６）の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の
４つの場合に分けて考える。
（１）a1：＋１次ビームL+1が直接点Ａに入射した場合
である。
である。
（２）a2:0次ビームLoが光学式記録媒体（６）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射し、
再度回折格子（３）に入射することによつて得られた＋
１次ビームが点Ａに入射した場合である。
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射し、
再度回折格子（３）に入射することによつて得られた＋
１次ビームが点Ａに入射した場合である。
（３）a3:0次ビームLoが光学式記録媒体（６）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た＋１次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た＋１次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
（４）a4：＋１次ビームL+1が光学式記録媒体（６）で
反射し、再度回折格子（３）に入射することによつて得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
反射し、再度回折格子（３）に入射することによつて得
られた０次ビームがレーザビーム出射端面（1A）で反射
し、再度回折格子（３）に入射することによつて得られ
た０次ビームが点Ａに入射した場合である。
次にa1〜a4を式にて示す。
a1＝i1t・exp｛ｊ（l1＋ｇ＋l2＋Δl2＋Δl3）｝ …
（１） a2＝io 2i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋Δl2＋Δ
l3｝〕 …（２） a3＝io 2i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋２Δl1＋
Δl2＋Δl3＋２Δl4｝〕 …（３） a4＝io 2i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋３（Δl2
＋Δl3）＋２Δl1＋２Δ4｝〕 …（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（l1
＋l2）以下とすると、点Ａに於ける光の強度IAは次式の
ように表される。
（１） a2＝io 2i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋Δl2＋Δ
l3｝〕 …（２） a3＝io 2i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋２Δl1＋
Δl2＋Δl3＋２Δl4｝〕 …（３） a4＝io 2i1t3rf・exp〔ｊ｛３（l1＋l2）＋ｇ＋３（Δl2
＋Δl3）＋２Δl1＋２Δ4｝〕 …（４） 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（l1
＋l2）以下とすると、点Ａに於ける光の強度IAは次式の
ように表される。
IA＝｜a1｜２＋｜a2＋a3＋a4｜２＝i1 2t2〔１＋i0 4t4r2
f2｛３＋2cos2（Δl1＋Δl4）＋2cos2（Δl1＋Δl4＋Δ
l2＋Δl3）＋2cos2（Δl2＋Δl3）｝ …（５） 又、両側ビームLb,Lcの両方がレーザビーム出射端面（1
A）に入射する場合に於いて、＋１次ビームL+1が光学式
記録媒体（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビー
ムL-1が０次ビームLoに対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度IAは（５）式の通りであるが、点Ｂ
の光の強度IBは次式のように表される。
f2｛３＋2cos2（Δl1＋Δl4）＋2cos2（Δl1＋Δl4＋Δ
l2＋Δl3）＋2cos2（Δl2＋Δl3）｝ …（５） 又、両側ビームLb,Lcの両方がレーザビーム出射端面（1
A）に入射する場合に於いて、＋１次ビームL+1が光学式
記録媒体（６）の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビー
ムL-1が０次ビームLoに対し対称な点Ｂに入射する場合
は、点Ａの光の強度IAは（５）式の通りであるが、点Ｂ
の光の強度IBは次式のように表される。
IB＝i1 2t2〔１＋io 4t4r2f2｛３＋2cos2（Δl1−Δl4）
＋2cos2（Δl1−Δl4＋Δl2−Δl3）＋2cos2（Δl2−
l3）｝〕 …（６） 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上述した光学式トラツキング誤差検出装置に
於いて、光学式記録媒体に対するタンジエンシヤルスキ
ユー角の変化による外乱を減少することのできるトラツ
キングエラー信号を得ることのできるものを提案しよう
とするものである。
＋2cos2（Δl1−Δl4＋Δl2−Δl3）＋2cos2（Δl2−
l3）｝〕 …（６） 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上述した光学式トラツキング誤差検出装置に
於いて、光学式記録媒体に対するタンジエンシヤルスキ
ユー角の変化による外乱を減少することのできるトラツ
キングエラー信号を得ることのできるものを提案しよう
とするものである。
本発明は、半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素
子からのレーザビームを通過させて０次ビーム及び±１
次ビームを発生させる回折格子と、その回折格子から出
射した０次ビーム及び±１次ビームを光学式記録媒体の
方に導くと共に、その光学式記録媒体からの反射ビーム
を光検出器の方へ導くためのビームスプリツタとを有
し、その光検出器により±１次ビームに対応した一対の
光検出出力を得て、その一対の光検出出力の差に基づい
て０次ビームの光学式記録媒体上のトラツキング状態に
応じたトラツキング誤差信号を得るようした光学式ヘッ
ドのトラツキング誤差検出装置において、ビームスプリ
ツタの透過率と反射率とを異ならせることにより、光学
式記録媒体と光検出器との間での光減衰率が半導体レー
ザ素子と光学式記録媒体との間での光減衰率より低くな
るようにしたことを特徴とする光学式ヘッドのトラツキ
ング誤差検出装置である。
子からのレーザビームを通過させて０次ビーム及び±１
次ビームを発生させる回折格子と、その回折格子から出
射した０次ビーム及び±１次ビームを光学式記録媒体の
方に導くと共に、その光学式記録媒体からの反射ビーム
を光検出器の方へ導くためのビームスプリツタとを有
し、その光検出器により±１次ビームに対応した一対の
光検出出力を得て、その一対の光検出出力の差に基づい
て０次ビームの光学式記録媒体上のトラツキング状態に
応じたトラツキング誤差信号を得るようした光学式ヘッ
ドのトラツキング誤差検出装置において、ビームスプリ
ツタの透過率と反射率とを異ならせることにより、光学
式記録媒体と光検出器との間での光減衰率が半導体レー
ザ素子と光学式記録媒体との間での光減衰率より低くな
るようにしたことを特徴とする光学式ヘッドのトラツキ
ング誤差検出装置である。
かかる本発明によれば、回折格子から出射した０次ビ
ーム及び±１次ビームを光学式記録媒体の方に導くと共
に、その光学式記録媒体からの反射ビームを光検出器の
方へ導くためのビームスプリツタの透過率と反射率とを
異ならせることにより、光学式記録媒体と光検出器との
間での光減衰率が半導体レーザ素子と光学式記録媒体と
の間での光減衰率より低くなるようにしたので、光学式
記録媒体よりの戻りビームが半導体レーザ素子のレーザ
ビーム出射端面で反射しても、その反射ビームの強さは
弱められ、光検出器に入射する本来の±１次ビームL+1,
L-1と干渉するビームの強さは弱くなり、光学式記録媒
体のタンジエンシヤルスキユー角の変動によるトラツキ
ング誤差信号に対する外乱は減少せしめられる。
ーム及び±１次ビームを光学式記録媒体の方に導くと共
に、その光学式記録媒体からの反射ビームを光検出器の
方へ導くためのビームスプリツタの透過率と反射率とを
異ならせることにより、光学式記録媒体と光検出器との
間での光減衰率が半導体レーザ素子と光学式記録媒体と
の間での光減衰率より低くなるようにしたので、光学式
記録媒体よりの戻りビームが半導体レーザ素子のレーザ
ビーム出射端面で反射しても、その反射ビームの強さは
弱められ、光検出器に入射する本来の±１次ビームL+1,
L-1と干渉するビームの強さは弱くなり、光学式記録媒
体のタンジエンシヤルスキユー角の変動によるトラツキ
ング誤差信号に対する外乱は減少せしめられる。
以下に、本発明の一実施例を説明するも、光学式ヘツ
ドのトラツキング誤差検出装置の全体の構成例及び半導
体レーザ素子の構成例は、夫々上述の第２図及び第３図
並びにそれについての説明を授用し、重複説明は省略す
る。
ドのトラツキング誤差検出装置の全体の構成例及び半導
体レーザ素子の構成例は、夫々上述の第２図及び第３図
並びにそれについての説明を授用し、重複説明は省略す
る。
本発明では、半導体レーザ素子（１）及び光学式記録
媒体（６）間の光路に光減衰手段を設けるものである。
媒体（６）間の光路に光減衰手段を設けるものである。
この実施例では、第１図に示すように、第２図のビー
ムスプリツタ（４）を光減衰手段として用いるもので、
その透過率を比較的小に（例えば25％）反射率を比較的
大に（例えば65％）夫々選定する。尚、この場合、損失
が10％である。
ムスプリツタ（４）を光減衰手段として用いるもので、
その透過率を比較的小に（例えば25％）反射率を比較的
大に（例えば65％）夫々選定する。尚、この場合、損失
が10％である。
ビームスプリツタ（ハーフミラー）（４）は周知の如
く、三角プリズム(41),(42)間に誘電体の多層膜（43）
を被着形成したもので、その膜厚，層数等を制御するこ
とにより、透過率及び反射率を制御することができる。
く、三角プリズム(41),(42)間に誘電体の多層膜（43）
を被着形成したもので、その膜厚，層数等を制御するこ
とにより、透過率及び反射率を制御することができる。
上述せる如き光減衰手段を設けることにより、上述の
（５）式及び（６）式に於ける、透過率を小さくするこ
とができ、これにより点A,Bの光の強度IA,IBを小さくす
ることができる。この場合、透過率が比較的小に反射率
が比較的大に選定されたビームスプリツタ（４）を設け
ているので、新たな光学素子を追加することなく光検出
器（７）の光利用率を高くすることができる。又、回折
格子（３）よりの０次ビーム及び±１次ビームが、ビー
ムスプリツタ（４）に入射することによつて減衰せしめ
られるが、そのビームスプリツタ（４）は、透過率が比
較的小に反射率が比較的大に選定されているので、光検
出器（７）への入射光量はあまり減衰することはない。
（５）式及び（６）式に於ける、透過率を小さくするこ
とができ、これにより点A,Bの光の強度IA,IBを小さくす
ることができる。この場合、透過率が比較的小に反射率
が比較的大に選定されたビームスプリツタ（４）を設け
ているので、新たな光学素子を追加することなく光検出
器（７）の光利用率を高くすることができる。又、回折
格子（３）よりの０次ビーム及び±１次ビームが、ビー
ムスプリツタ（４）に入射することによつて減衰せしめ
られるが、そのビームスプリツタ（４）は、透過率が比
較的小に反射率が比較的大に選定されているので、光検
出器（７）への入射光量はあまり減衰することはない。
従つて、本発明による光学式ヘツドのトラツキング誤
差検出装置によれば、半導体レーザ素子及び光学式記録
媒体間の光路中に光減衰手段を配したので、光学式記録
媒体よりの戻りビームの半導体レーザ素子のレーザビー
ム出射端面による反射ビームを減衰せしめることが出
来、光学式記録媒体のタンジエンシヤルスキユー角の変
動によるトラツキング誤差信号に対する外乱を減少させ
ることができる。又、回折格子から出射した０次ビーム
及び±１次ビームを光学式記録媒体の方に導くと共に、
その光学式記録媒体からの反射ビームを光検出器の方へ
導くためのビームスプリツタの透過率と反射率とを異な
らせるようにして、減衰手段を構成しているので、新た
な光学素子を追加することなく光検出器の光利用率を高
くすることができる。又、回折格子よりの０次ビーム及
び±１次ビームが、ビームスプリツタに入射することに
よって減衰せしめられるが、そのビームスプリツタを、
透過率が比較的小に反射率が比較的大に選定することに
よって、光検出器への入射光量はあまり減衰することが
ないようにすることができる。
差検出装置によれば、半導体レーザ素子及び光学式記録
媒体間の光路中に光減衰手段を配したので、光学式記録
媒体よりの戻りビームの半導体レーザ素子のレーザビー
ム出射端面による反射ビームを減衰せしめることが出
来、光学式記録媒体のタンジエンシヤルスキユー角の変
動によるトラツキング誤差信号に対する外乱を減少させ
ることができる。又、回折格子から出射した０次ビーム
及び±１次ビームを光学式記録媒体の方に導くと共に、
その光学式記録媒体からの反射ビームを光検出器の方へ
導くためのビームスプリツタの透過率と反射率とを異な
らせるようにして、減衰手段を構成しているので、新た
な光学素子を追加することなく光検出器の光利用率を高
くすることができる。又、回折格子よりの０次ビーム及
び±１次ビームが、ビームスプリツタに入射することに
よって減衰せしめられるが、そのビームスプリツタを、
透過率が比較的小に反射率が比較的大に選定することに
よって、光検出器への入射光量はあまり減衰することが
ないようにすることができる。
第１図は本発明の実施例の光減衰手段を示す断面図、第
２図は従来の光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置
を示す略線的配置図、第３図及び第４図は従来の光学的
ヘツドのトラツキング誤差検出装置に於ける半導体レー
ザ素子の一例を示す正面図、第５図は波形図、第６図は
干渉の説明に供する線図である。 OHは光学ヘツド、（１）は半導体レーザ素子、（1A）は
そのレーザビーム出射端面、（1d）はその活性層、
（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子（光減衰
手段）、（４）はビームスプリツタ（光減衰手段）、
（５）は対物レンズ、（６）は光学式記録媒体である。
２図は従来の光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置
を示す略線的配置図、第３図及び第４図は従来の光学的
ヘツドのトラツキング誤差検出装置に於ける半導体レー
ザ素子の一例を示す正面図、第５図は波形図、第６図は
干渉の説明に供する線図である。 OHは光学ヘツド、（１）は半導体レーザ素子、（1A）は
そのレーザビーム出射端面、（1d）はその活性層、
（２）はコリメータレンズ、（３）は回折格子（光減衰
手段）、（４）はビームスプリツタ（光減衰手段）、
（５）は対物レンズ、（６）は光学式記録媒体である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福本 敦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 大里 潔 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−148405（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
からのレーザビームを通過させて０次ビーム及び±１次
ビームを発生させる回折格子と、該回折格子から出射し
た０次ビーム及び±１次ビームを光学式記録媒体の方に
導くと共に、該光学式記録媒体からの反射ビームを光検
出器の方へ導くためのビームスプリツタとを有し、該光
検出器により上記±１次ビームに対応した一対の光検出
出力を得て、該一対の光検出出力の差に基づいて上記０
次ビームの上記光学式記録媒体上のトラツキング状態に
応じたトラツキング誤差信号を得るようした光学式ヘッ
ドのトラツキング誤差検出装置において、 上記ビームスプリツタの透過率と反射率とを異ならせる
ことにより、上記光学式記録媒体と上記光検出器との間
での光減衰率が上記半導体レーザ素子と上記光学式記録
媒体との間での光減衰率より低くなるようにしたことを
特徴とする光学式ヘッドのトラツキング誤差検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208936A JP2575099B2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
| AU49635/85A AU4963585A (en) | 1984-10-04 | 1985-10-03 | Apparatus for detecting tracking error of an optical head |
| PCT/JP1985/000547 WO1986002191A1 (en) | 1984-10-04 | 1985-10-03 | Apparatus for detecting tracking error of an optical head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208936A JP2575099B2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187225A JPS6187225A (ja) | 1986-05-02 |
| JP2575099B2 true JP2575099B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=16564584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208936A Expired - Lifetime JP2575099B2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575099B2 (ja) |
| AU (1) | AU4963585A (ja) |
| WO (1) | WO1986002191A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8501665A (nl) * | 1985-06-10 | 1987-01-02 | Philips Nv | Optische aftasteenheid met positie- en standdetektiestelsel voor een elektromagnetisch gelagerd objektief. |
| US4835761A (en) * | 1985-11-20 | 1989-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Signal to noise ratio of optical head apparatus employing semiconductor laser beam source |
| JPH07105055B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1995-11-13 | 三菱電機株式会社 | 光学ヘツド装置 |
| JP4930718B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2012-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 表示器支持装置、電子機器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7506495A (nl) * | 1975-06-02 | 1976-12-06 | Philips Nv | Inrichting voor het uitlezen van een registratie- drager. |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208936A patent/JP2575099B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-10-03 WO PCT/JP1985/000547 patent/WO1986002191A1/ja unknown
- 1985-10-03 AU AU49635/85A patent/AU4963585A/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6187225A (ja) | 1986-05-02 |
| WO1986002191A1 (en) | 1986-04-10 |
| AU4963585A (en) | 1986-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |